【課題】アノードになる電極とカソードになる電極を確定できる光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換素子１の半導体層１０に凸層１１を形成する。導電層４０を凸層１１の一側面に接触するようにして半導体層１０の表面に積層する。第１電極２１を凸層１１の反対側の面に接触するようにして半導体層１０の表面に設ける。第２電極２２を導電層４０に設ける。更に、凸層１１又は導電層４０に多数の周期構造３３を含む金属ナノ構造３０を積層する。各周期構造３３は複数の第１凸部３１からなり、第１凸部３１の配置間隔が周期構造３３に応じて異なる。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図る。
【解決手段】フォトダイオード１３、第１のトランジスタ１４、及び第２のトランジスタ１５を有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタ１８を有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣＭＯＳ技術と共存可能な高速高効率光検出器を作る問題に対処すること。
【解決手段】本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。本光検出器を製作する方法は、薄いＳＯＩまたはエピタキシャル酸化物へのＧｅの直接成長および高品質吸収層を達成するための後の熱アニールを使用する。この方法は、相互拡散に利用可能なＳｉの量を制限し、それによって、下のＳｉによるＧｅ層の実質的な希釈を起こすことなく、Ｇｅ層をアニールすることができるようになる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサを一体化したアクティブマトリクス型表示装置を、安価に、且つ
プロセスを複雑化せずに作製する。
【解決手段】受光マトリクス１１１には、ＴＦＴと受光部が積層されたイメージセンサが
形成される。表示マトリクス１２１には、ＴＦＴと画素電極３１２がマトリクス上に配置
され、ブラックマトリクスとして機能する電極層３０８が形成されている。受光部の下部
電極２０８は遮光膜３０８と同一の出発膜で形成される。上部電極２１２の電位を固定す
るための端子６０６、６０３、６０１はそれぞれ、信号線３０６、電極層３０８、画素電
極６０６と同一の出発膜で形成される。端子６０６、６０３、６０１はその電位が固定さ
れるため、受光部の側面のシールド電極としても機能する。 （もっと読む）

【課題】小型化することのできる２波長対応の光検出素子を提供する。
【解決手段】基板上に積層形成された第１の電極層、第１の光吸収層、第２の電極層、第２の光吸収層、第３の電極層と、前記第１の電極層と前記第２の電極層とを接続する第１の電極配線と、前記第２の電極層と前記第３の電極層とを接続する第２の電極配線と、前記第２の電極と前記第１の電極配線との接触部分に形成される第１のダイオードと、前記第２の電極と前記第２の電極配線との接触部分に形成される第２のダイオードと、を有することを特徴とする光検出素子により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】従来の裏面入射型の固体撮像装置においては、撮像面である裏面と反対側の面（表面）から、受光部が設けられた半導体基板内に迷光が入り込む可能性がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０、受光部１４、および遮光膜２０を備えている。固体撮像装置１は、裏面入射型であり、半導体基板１０の裏面Ｓ２に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部１４で受けて当該被撮像体を撮像する。受光部１４は、半導体基板１０と共にＰＮ接合ダイオードを構成している。半導体基板１０の表面Ｓ１側には、受光部１４を覆うように遮光膜２０が設けられている。この遮光膜２０は、固体撮像装置１の外部から上記表面Ｓ１に入射しようとする光を遮るものである。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、放電用トランジスタ１０８を設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ１０１及びバイアス用トランジスタ１０２を有する半導体装置において、バイアス用トランジスタ１０２に接続されたバイアス側電源線１０４の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線１０３の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】第一の電極、電子ブロッキング層、メロシアニン色素を含む光電変換層、正孔ブロッキング層、第二の電極である透明電極をこの順に含む光電変換素子であって、該メロシアニン色素を含む光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】感度低下及び分光感度のブロード化を防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第一電極膜１１と、第一電極膜１１に対向する第二電極膜１３と、第一電極膜１１と第二電極膜１３の間に配置される光電変換膜を含む光電変換層１２とからなる光電変換部を有する光電変換素子であって、第二電極膜１３上方から該光電変換膜に光が入射されるものであり、該光電変換膜は、第二電極膜１３上方からの入射光に応じて電子と正孔を発生し、且つ、正孔の移動度よりも電子の移動度が小さい特性を持ち、且つ、第一電極膜１１近傍よりも第二電極膜１３近傍の方が電子と正孔をより多く発生するものであり、第一電極膜１１を正孔の取り出し用の電極とした。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサにおいて、トランジスタのオフ電流を低減することで、低消費電力化を図ることを目的の一とする。
【解決手段】フォトダイオード、第１のトランジスタ、及び第２のトランジスタを有するフォトセンサと、読み出し制御トランジスタを有する読み出し制御回路と、を有する。フォトダイオードは、入射光に応じた電荷を第１のトランジスタのゲートに供給する機能を有する。第１のトランジスタは、ゲートに供給された電荷を蓄積する機能と、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能とを有する。第２のトランジスタは、出力信号の読み出しを制御する機能を有する。読み出し制御トランジスタは、出力信号を電圧値の信号に変換する抵抗素子としての機能を有し、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び読み出し制御トランジスタの半導体層は、酸化物半導体を用いて形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子回収効率を高め、かつ、長波長域での感度を高めるとともに電子回収の高速化を図る。
【解決手段】半導体基板の不純物濃度を深度が深くなるに従って標準的な濃度より高濃度へと移行する濃度勾配をつけることにより、半導体基板中での電子移動速度を増し、空乏層より深部の電子をすばやく表面方向に移動させ、かつ、迷走する電子の寿命を短時間とすることで電子回収の高速化を図り、時間分解能を向上させるようにするものである。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサを有する半導体装置において、高分解能で撮像が行えるフォトセンサを提供する。
【解決手段】フォトダイオード２０４は光の強度に応じて電気信号を生成する機能を有し、第１のトランジスタ２０５はゲートに電荷を蓄積し、蓄積された電荷を出力信号に変換する機能を有し、第２のトランジスタ２０７はフォトダイオード２０４から生成された電気信号を第１のトランジスタ２０５のゲートに転送し、かつ、第１のトランジスタ２０５のゲートに蓄積された電荷を保持する機能を有する。第１のトランジスタ２０５はバックゲートを有し、第２のトランジスタ２０７は、酸化物半導体層により形成されたチャネル形成領域を有する。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性薄膜、少なくとも１つの材料からなる有機光電変換膜、透明導電性薄膜の順に積層されてなる光電変換素子において、該有機光電変換膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物及びフラーレン若しくはフラーレン誘導体を含んでなる光電変換素子。
一般式（Ｉ）


式中、Ｚ_１は５又は６員環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｌ_１、Ｌ_２、Ｌ_３はそれぞれ無置換メチン基、又は置換メチン基を表す。Ｄ_１は特定の縮環構造を表す。ｎは０以上の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させた赤外線検出装置を実現する。
【解決手段】赤外線検出装置に、主面部に所定のピッチで所定深さの溝部が形成されたシリコン基板と、前記主面部及び溝部上面に形成され、上記シリコン基板との間でショットキバリアダイオードを形成する白金シリサイド層と、この白金シリサイド層の上面部に形成された反射金属層とを備えることにより、等価的に白金シリサイド層の厚さを増加させて内部光電効果を高め、感度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】リセット用トランジスタから光電変換素子の方へ漏れる電流の影響を小さくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】リセット用トランジスタと光電変換素子とリセット側電源線とダイオード側電源線を有する半導体装置において、リセット用トランジスタのゲート端子はリセット信号線に接続されており、光電変換素子の一方の端子は、ダイオード側電源線と電気的に接続されており、他方の端子は、リセット用トランジスタを介してリセット側電源線と接続されており、リセット用トランジスタが非導通状態のときに、リセット側電源線の電位をダイオード側電源線の電位に近づける。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、検出電圧のダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】マトリクス状に配置された光センサ画素と、出力線とを備え、前記各光センサ画素は、光センサ素子を有する光センサアレイであって、前記各光センサ素子は、第１の基準電圧が入力される上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に挟持される光依存可変抵抗素子とを有し、前記各光センサ画素は、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、第２電極に第１電源電圧が入力され、第１電極が前記下部電極に接続されるとともに、制御電極に第２クロックが入力される第１トランジスタと、第２電極に第２電源電圧が入力され、制御電極が前記下部電極に接続される第２トランジスタと、第２電極が前記第２トランジスタの第１電極に接続され、第１電極が前記出力線に接続されるとともに、制御電極に第１クロックが入力される第３トランジスタとを有し、前記光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】十分な感度が得られ、高速応答を示す光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１、１５と、前記一対の電極間に配置された光電変換層１２とを含む光電変換素子の製造方法であって、前記光電変換層を形成するための原料の少なくとも１種として、最小径が０．３ｍｍ以上である結晶粒子を含む有機材料を使用し、前記有機材料を所定の安定蒸着速度に到達するまで加熱する工程と、前記安定蒸着速度に到達した後、前記光電変換層の成膜を行わずに前記結晶粒子の全体積の少なくとも１／５を昇華させる工程と、前記有機材料の全体積の少なくとも１／５を昇華させた後、前記光電変換層の製膜を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を用いた放射線検出素子は小型軽量などの利点があるが、放射線を透過しやすいので放射線検出効率が低いという問題があった。
【解決手段】本願の放射線検出素子及び放射線検出装置は、放射線検出素子の放射線入射面にタングステンなどの金属からなる膜を形成し、放射線の入射エネルギーを減衰させることにした。入射エネルギーを減衰させることで放射線入射によるキャリア生成効率が向上し、金属膜の膜厚を最適化して、放射線検出効率向上が可能になった。 （もっと読む）