【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第１の撮像面と、前記第１の撮像面の逆を向いた第２の撮像面と、を有する撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】ノイズによる影響を抑制する。
【解決手段】光検出回路と、差分データ生成回路と、データ入力選択回路と、を具備する。光検出回路は、光データ信号を生成する機能を有する。また、差分データ生成回路は、第１のデータ信号及び第２のデータ信号が入力され、第１のデータ信号のデータと第２の信号のデータとの差分データを生成する機能を有する。また、データ入力選択回路は、光データ信号のデータを、第１のデータ信号のデータみなすか第２のデータ信号のデータとみなすかを決定する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させることができる感知装置と感知方法とを提供する。
【解決手段】第１および第２走査線と読み出し線と第１および第２感知ユニットを含む感知装置が提供される。第１感知ユニットが第１走査線と第２走査線と読み出し線とに連結されるとともに、第１エネルギーを感知するよう配置される。第１感知ユニットが第１走査線上で第１走査信号に応答して第１エネルギーに対応する第１読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２感知ユニットが第２走査線と読み出し線と連結されるとともに、第２エネルギーを感知するよう配置される。第２感知ユニットが第２走査線上で第２走査信号に応答して第２エネルギーに対応する第２読み出し信号を読み出し線へ出力する。第２走査信号が第１走査信号と協同して働き、第１感知ユニットをリセットする。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置に照射される光信号又は外来光の照射パワーが強い場合に発生する誤動作を防止する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１００は、半導体基板５０と、半導体基板５０に形成され、光信号の光量に応じた第１光電流を生成するフォトダイオード７０と、半導体基板５０に形成され、前記第１光電流を第１光電圧に変換し、当該第１光電圧に演算処理を行うことで出力信号を生成する信号処理回路１１０と、半導体基板５０に形成され、前記光信号の漏れ光の光量に応じた第２光電流を生成するダミーフォトダイオード７１と、前記第２光電流が予め定められた閾値以上の場合に、前記出力信号を無効化する信号調整回路１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】光検出回路から出力される光データへの寄生容量の影響を抑制する。
【解決手段】光電変換素子と、第１の電界効果トランジスタと、第２の電界効果トランジスタと、を備え、第１の電界効果トランジスタのゲートとしての機能を有する第１の導電層と、第１の導電層の上に設けられた絶縁層と、絶縁層を介して第１の導電層に重畳し、第１の電界効果トランジスタのチャネル形成層としての機能を有する半導体層と、半導体層に電気的に接続され、第１の電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方としての機能を有する第２の導電層と、半導体層に電気的に接続され、対向する一対の側面が絶縁層を介して第１の導電層を含む１つ以上の導電層に重畳し、第１の電界効果トランジスタのソース及びドレインの他方としての機能を有する第３の導電層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】電力供給モードを切り替えても画像データ中に縦スジが現れることを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、検出部Ｐ上の各放射線検出素子７にバイアス電圧Ｖbiasを印加するバイアス電源１４を備え、各機能部に電力を供給する電力供給モードを覚醒モードＭｗとスリープモードＭｓとの間で切り替え可能とされており、電力供給モードを覚醒モードＭｗからスリープモードＭｓに切り替えた後、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加される電圧Ｖｂが上記のバイアス電圧Ｖbiasから所定の電圧値Ｖthまで上昇するまで、電力供給モードを覚醒モードＭｗに復帰させないように構成されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】放射線検出素子を微細に形成した場合でも放射線検出素子の集光率を向上させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各小領域ｒに設けられた放射線検出素子７ごとに設けられ、放射線検出素子７の第１電極７ａにソース電極８ｓが接続され、信号線６にドレイン電極８ｄが接続されたＴＦＴからなるスイッチ手段８を備え、ＴＦＴからなるスイッチ手段８は、放射線検出素子７同士の間の部分に設けられた走査線５上に形成され、走査線５自体がスイッチ手段８のゲート電極８ｇとされている。 （もっと読む）

【課題】バイアス線が断線しても、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線検出パネルおよび放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル（センサパネルＳＰ）が備える各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａ側と他端部９ｂ側との両側から、各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給可能に構成し、放射線検出素子７には、バイアス線９の一端部９ａ側からのバイアス電圧の供給が途絶えても、当該バイアス線９の他端部９ｂ側からバイアス電圧が供給されるようにする。具体的には、各バイアス線９において、当該バイアス線９の一端部９ａを、バイアス電源１４に接続し、当該バイアス線９の他端部９ｂを、当該バイアス線９以外のバイアス線９に接続する。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１の基板１２上に、複数の画素１８であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも１つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第１の基板１２とは異なる第２の基板１４を有し、この第２の基盤上には充放電装置の制御電子回路３０、３２、３４を配置し、この回路は、第１の基板１２と第２の基板１４との間の電気接続１６を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 （もっと読む）

【課題】基板上に設ける放射線検出素子の数が増加しても、走査線や信号線の本数が増加することを防止して、ゲートＩＣや読み出しＩＣが増加することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ個ずつ設けられた放射線検出素子７_１１〜７_２２を備え、制御手段２２は、画像データＤの読み出し処理の際には、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちのいずれの選択線１０にもオン電圧を印加しない状態で、または、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちオン電圧を印加する選択線１０を順次切り替えて、走査駆動手段１５から走査線５を介して１個の放射線検出素子７_１１のスイッチ手段８のゲート電極８ｇにオン電圧を順次印加させて、各領域ｒごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子７_１１〜７_２２から画像データＤ_１１〜Ｄ_２２を順次読み出させる。 （もっと読む）

【課題】 アクティブフォトセンサーピクセル、アクティブフォトセンサーアレイ及びフォトセンシング方法を提供する。
【解決手段】 本発明は二端子フォトセンサートランジスタと駆動トランジスタとを含むアクティブフォトセンサーピクセルを提供し、二端子フォトセンサートランジスタは第一ノードに結合する第一ターミナルと、選択信号線に接続する第二ターミナルと、第一ノードに接続する制御ターミナルとを有する。駆動トランジスタは第一参考電圧に結合する第一ターミナルと、出力信号線に結合する第二ターミナルと、第一ノードに接続する制御ターミナルとを有する。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率（高感度）、低暗電流を示し、かつ、低い混色率を示すための高度なＢ光に対する光選択性（光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内）を有する光電変換素子、撮像素子、及び光電変換素子の駆動方法を提供すること。
【解決手段】第一の電極、電子ブロッキング層、メロシアニン色素を含む光電変換層、正孔ブロッキング層、第二の電極である透明電極をこの順に含む光電変換素子であって、該メロシアニン色素を含む光電変換層の薄膜吸収スペクトルにおける吸収極大波長が４００〜５２０ｎｍの範囲内にあることを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】混色やノイズの低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換素子を含む半導体基板を有する固体撮像装置は、前記半導体基板の上に配され、前記複数の光電変換素子の上にそれぞれ配された複数の開口部を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有し、前記複数の開口部にそれぞれ配された複数の絶縁体と、前記複数の絶縁体の上面および前記第１の絶縁膜の上面の上に配された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記第２の絶縁膜の上面に接して配された第３の絶縁膜と、を備え、前記複数の絶縁体に入射する光の波長をλ、前記第２の絶縁膜の屈折率をｎ、前記第１の絶縁膜の上面の少なくとも一部の領域の上における前記第２の絶縁膜の膜厚をｔとしたときに、ｔ＜λ／ｎの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】暗電流を大幅に低減した超暗電流な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板１００には、受光電荷の蓄積機能を有する第２導電型電荷蓄積領域１１０、電荷蓄積領域１１０の第１基板面１０１側に形成された第１導電型領域１２０、第２導電型領域１３０、上記第１基板面１０１側と対向する第２基板面１０２側（裏面側）の表面部に形成された第１導電型電荷蓄積領域１７０が形成され、領域１１０，１２０，１３０によりＪＦＥＴ構造１６０が形成され、領域１２０，１１０，１７０により埋め込み型フォトセンサが形成される。第２導電型領域１３０には、第１基板面１０１側の表面部で発生する暗電流を排出（掃き捨てる）するための暗電流ドレインが形成される。ＪＦＥＴ構造１６０は、第１導電型領域１２０および第２導電型領域１３０の一方が、電荷蓄積領域１１０の蓄積電荷に応じて変化する抵抗を有するチャネル領域として機能する。 （もっと読む）

【課題】耐溶剤性、および耐熱性の良好な光導波路を有する光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光電変換素子１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成された光電変換部２０と、光電変換部２０の上方に形成された光導波路部３０と、を備え、光導波路部３０は、硫黄を含有し６３３ｎｍにおける屈折率が１．６０以上のポリイミド、および架橋剤を含有する組成物の硬化物を含有する。 （もっと読む）

【課題】低混色、高感度、低残像、低暗電流、低ノイズ、高画素密度の固体撮像装置を実現する。
【解決手段】固体撮像装置の各画素１０は、第１の半導体層１と、第２の半導体層２と、第２の半導体層２の上部側面領域にその上面とは接しないように形成された第３の半導体層５ａ，５ｂおよび第４の半導体層６ａ，６ｂと、第２の半導体層２の下部側面領域に形成されたゲート導体層４ａ，４ｂと、絶縁膜３ａ，３ｂを介して第４の半導体層６ａ，６ｂの側面に形成された導体電極７ａ，７ｂと、第２の半導体層２の上面に形成された第５の半導体層８とを備え、少なくとも第３の半導体層５ａ，５ｂと、第２の半導体層２の上部領域と、第４の半導体層６ａ，６ｂと、第５の半導体層８とは島状形状内に形成されている。また、第４の半導体層６ａ，６ｂの表面にホールを蓄積させるように導体電極７ａ，７ｂに所定の電圧が印加される。 （もっと読む）