【課題】半導体基板内の裏面側に高濃度の不純物領域を形成する裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１７は、裏面側が光入射面とされ、表面側が回路形成面とされる。接続部２３は、裏面側の半導体基板上で生成された信号電荷を半導体基板内に転送するコンタクトプラグ３１と接続される接続部であって、裏面側の半導体基板の界面近傍に不純物濃度分布のピークを有する。半導体基板内には、１以上の光電変換部が形成される。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しながらも、転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光電変換部（ＰＤ）を構成する第１暗電流抑制領域２１を、転送ゲート電極２６と一部重なるように形成する。また、その下層に、第１暗電流抑制領域２１と同導電型で構成され、第１暗電流抑制領域２１よりも低濃度の不純物領域からなる転送補助領域２２を形成する。また、この第１暗電流抑制領域２１と転送補助領域２２との転送ゲート電極２６下の端部は同一位置となるように位置あわせして形成されている。第１暗電流抑制領域２１により暗電流の抑制が図られ、また、転送補助領域２２により、転送効率の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対応して設けられるレンズ同士の境界部分に遮光部を設けるに際し、遮光部をセルフアラインで形成することができ、レンズと遮光部とのパターン合わせ精度を向上することができ、微細化や画素数の増大に容易に対応することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上の撮像領域に配列される複数の画素の各画素の前記受光部に対応して設けられ、前記受光部に対して光を集光するレンズを形成する工程と、前記レンズ上に、遮光性を有する材料により成膜することで、遮光層を形成する工程と、互いに隣り合う前記レンズの境界部分に前記遮光性を有する材料を残すように前記遮光層をエッチングすることで、前記レンズの境界部分に、前記遮光性を有する材料からなる遮光部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第１導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置の製造方法は、ゲート電極２０を形成する工程、第２の不純物層１７を形成する工程、および第３の不純物層１８を形成する工程、を具備する。ゲート電極２０は、Ｐ型のウェル１６を表面に有する半導体基板１５上に形成される。第２の不純物層１７はＮ＋型であって、ゲート電極２０の位置を基準にして、ゲート電極２０の端部２０ａを貫通する条件で半導体基板１５の表面に対して斜め方向からウェル１６に不純物を注入することにより形成されるものである。第２の不純物層１７は、ウェル１６と接合することによってフォトダイオードを構成し、第２の不純物層１７の端部１７ａは、ゲート電極２０の端部２０ａの下に配置される。第３の不純物層１８は、Ｐ＋型であって、ゲート電極２０から露出した第２の不純物層１７の表面に形成される。 （もっと読む）

【課題】画素間に遮光パターンを有する色再現性の良好なカラー固体撮像素子に使用するための画素剥がれのない良好な形状のオンチップカラーフィルタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上に複数の光電変換素子を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面に、遮光パターンと複数色の着色透明パターンとを色別に順次平面配置するカラーフィルタ形成工程において、初期遮光パターンを、着色透明パターンの１色目の画素部になる箇所が開口部となるように黒色材料により形成する工程、１色目の着色透明材料を塗布して硬化する工程、１色目の画素部になる箇所を全て含む領域を選択的に覆うようにエッチングレジストパターンを形成する工程、エッチングレジストパターンの開口部に露出する１色目の着色透明材料とその下層の黒色材料とを除去する工程、を含む各工程を順に実施する。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 １画素内に構成される複数の光電変換部を感度を持たない領域により分離した場合に、該領域による画素の感度低下や、入射角特性の劣化を低減すること。
【解決手段】 撮像素子（１０３）は、複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、複数の光電変換部（４０２ａ、４０２ｂ）と、マイクロレンズ（４４２）と、複数の光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、複数の光電変換部にそれぞれ対応するように一体的に構成された複数の層内レンズ（４４５ａ、４４５ｂ）とを有し、複数の層内レンズは、複数の層内レンズへの入射光を、それぞれ対応する複数の光電変換部に入射させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】検出感度を向上するとともに、低コスト化を実現することができるようにする。
【解決手段】イメージセンサにおいては、光電変換部の受光素子上に、中央部分に凹部（窪み）が形成された平凸形状の構造体が形成されている。構造体の凹部を除く表面には、光反射性の薄膜が形成されている。そして、構造体の凹部には、測定対象のゲル状、または液体状の試料が貯留されている。本開示は、例えば、試料を測定対象とする検査装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】撮像面に凹凸が存在する場合であっても、カラーフィルタ及びマイクロレンズの損傷を避けるとともに、画素間のクロストークを低減することが可能なカラー裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体層２１、２２にｎ型半導体層２３が積層されてなる光電変換部２９を含み、ｐ型半導体層２１、２２側に撮像面２０ａを有する裏面照射型撮像素子２０と、裏面照射型撮像素子２０の各画素に対応して配置される複数のカラーフィルタ４２、及び、複数のカラーフィルタ４２を透過した被写体光を各画素に集光する複数のマイクロレンズ４３が形成された透光性基板４１と、を備え、マイクロレンズ４３は凸曲面状の出射面を備えており、凸曲面状の出射面の頂点と撮像面２０ａとの間に、撮像面２０ａにおける凹凸の影響を受けずに画素間のクロストークを低減するための間隔が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光導波路の材料とそれを取り囲む絶縁膜との間に作用する熱応力により、プロセス欠陥が生じうる。
【解決手段】光導波路の材料を堆積させる工程と、堆積された前記材料に光または放射線を照射することによって前記材料をアニールするアニール工程により、前記堆積工程および前記アニール工程を経て前記光電変換部に光を導く光導波路を形成する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】半導体部材同士が強固に接合された半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第２配線層９に接合させる第１配線層２を、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３内に埋め込まれ、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置した第１電極パッド４と、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置し、第１電極パッド４の周囲に配設された第１ダミー電極５と、によって構成する。また、第２配線層９は、第１層間絶縁膜３の第１電極パッド４の表面側に位置した第２層間絶縁膜６と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜３側の表面と同一表面上に位置し、かつ第１電極パッド４に接合された第２電極パッド７と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜側３の表面と同一面上に位置し、第２電極パッド７の周囲に配設され、第１ダミー電極５に接合された第２ダミー電極８と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】改良されたカラーマイクロレンズを用いることにより、レンズ自体の色分解性と集光性の適正化を図るとともに、周囲の画素からの光を遮断して、全体として色再現性の良好なカラー固体撮像素子を簡単な製造工程で提供すること。
【解決手段】半導体基板２上に複数の光電変換素子３を平面配置した固体撮像素子画素部の受光面側表面４に、光電変換素子の各々に対応して複数のマイクロレンズ６を設けた固体撮像素子１において、マイクロレンズが所定の分光透過率特性を有する複数色の内の１色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズを他の色の着色透明樹脂からなるカラーマイクロレンズと連ねて規則的に繰り返し配列してなり、隣接する異なる色のカラーマイクロレンズが、カラーマイクロレンズの高さより低い遮光性のブラックマトリクスのパターン７により隔てられる。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置１１は、凹状の湾曲部２８を有する湾曲ガイド１５と、レンズによって集光された光を受光し、受光量に応じて電荷を発生するセンサ部１８を表面に有するとともに、裏面に湾曲ガイド１５が固定され、センサ部１８を含む領域が、湾曲ガイド１５の湾曲部２８に沿って下に凸状に湾曲したセンサ基板１４と、センサ基板１４の表面のうち、センサ部１８の周囲に、センサ部１８を囲うように形成された第１の接着剤１６と、この接着剤１６によってセンサ基板１４上に固定された板状の透明基板１７と、センサ基板１４の裏面に形成され、センサ基板１４に設けられた貫通電極２５を介してセンサ部１８に電気的に接続される外部電極２３と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜を有する固体撮像装置の光学特性を維持しつつ、歩留まりを向上させる製造方法を提供すること。
【解決手段】 画素部と周辺回路部とを有する固体撮像装置の製造方法であって、画素部と周辺回路部に第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、光電変換部の第２の絶縁膜をエッチングする工程とを有する。そして、固体撮像装置の製造方法は、光電変換部のエッチングされた第２の絶縁膜と周辺回路部の第２の絶縁膜の上に金属膜を形成する工程と、周辺回路部の金属膜を除去し光電変換部に金属膜から遮光膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多様な特性を有する画像を同時に撮像する。
【解決手段】撮像装置は、結像レンズを含む撮像光学系であって、入射した光が通過する領域毎に異なる空間周波数特性を持つ撮像光学系と、受光素子を複数有する受光部と、複数の前記受光素子にそれぞれ対応して設けられ、前記結像レンズの射出瞳における予め定められた瞳領域を通過した被写体光を、対応する受光素子にそれぞれ受光させる複数の光学要素と、前記複数の受光素子の撮像信号から、被写体の画像を生成する画像生成部とを備え、前記複数の光学要素のうちの複数の第１光学要素は、前記結像レンズの第１の空間周波数特性を持つ領域および前記射出瞳における第１瞳領域を通過する被写体光を、対応する受光素子へ入射させ、前記複数の光学要素のうちの複数の第２光学要素は、前記結像レンズの第２の空間周波数特性を持つ領域および前記射出瞳における第２瞳領域を通過する被写体光を、対応する受光素子へ入射させる。 （もっと読む）

【課題】 焦点検出の精度を向上させる。
【解決手段】 それぞれが光電変換素子を含む複数の焦点検出用の画素と、光電変換素子で生じた信号を読み出すための複数の配線層とを有する光電変換装置は、複数の配線層の最下層の配線層の下面に比べて、光電変換素子の受光面を含み受光面に平行な面に近接した下面を有し、光電変換素子の一部の上を覆う遮光膜を含む。 （もっと読む）

【課題】 高い遮光性能を有する遮光膜を有する固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタと、を含む画素を有する固体撮像装置において、光電変換部と、電荷保持部と、複数のトランジスタとの上部に配される第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の開口に配され、複数のトランジスタのソースあるいはドレインに配置された導電体と、第１の絶縁膜に配され、電荷保持部の上に配された遮光膜を有する。 （もっと読む）