【課題】光学的な干渉を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体３１と、半導体基体３１の第１主面上に形成された、Ｇｅを含む第１半導体層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。この固体撮像素子３０は、半導体基体３１の第２主面に形成された転送トランジスタＴｒ１と、第１半導体層３２を含む領域に形成されたフォトダイオード３３とを備える。 （もっと読む）

【課題】集光効率を高めて、光の減衰や混色を抑制させることができるようにする。
【解決手段】イメージセンサには、入射面に入射された光を光電変換するフォトダイオードを有する半導体基板が設けられている。フォトダイオードの入射面がレンズ形状に形成されている。本技術は、撮像素子に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】各マイクロレンズに対して複数の画素が割り当てられた構成を有する固体撮像装置における感度の向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置は、複数の画素集合が配列された画素アレイと、各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズとを備え、各画素集合は、複数の画素を含み、各画素は、光電変換部と当該画素における回路の一部を構成する配線パターンとを含み、前記光電変換部は、前記半導体基板に形成され、前記配線パターンは、前記半導体基板の前記第１面の側に配置され、前記複数のマイクロレンズは、前記半導体基板の前記第２面の側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 光硬化樹脂４３および光硬化樹脂４３に分散した無機粒子４４を有する接着部材４に生じ得る点剥がれを抑制する。
【解決手段】 無機粒子４４の体積基準の粒子径分布において、分布累積値が５０％となる粒子径をＤ_５０、分布累積値が９０％となる粒子径をＤ_９０、接着部材４の厚みをＴとして、Ｄ_５０≧０．５μｍ、Ｄ_９０≦５．０μｍ、Ｄ_９０／Ｔ≦０．４および５μｍ≦Ｔ≦４０μｍを満たす。 （もっと読む）

【課題】撮像素子基板上に集光機能を有するカラーフィルタを効率的に作製する。
【解決手段】撮像素子基板20上に、光電変換素子毎に対応する開口22aを有する格子状の分離壁22を形成し、その開口２２aにカラーレジスト42を塗布、露光および現像してカラーフィルタを作製する。カラーレジスト42の露光は、所定のマスク開口52を有するフォトマスク50を用いた縮小倍率ｒの縮小投影露光により行う。また、フォトマスク50は、分離壁22の開口22aの面積をＳとしたとき、マスク開口52の開口面積Ｓｍが、Ｓｍ＜Ｓ／ｒであるものを用い、分離壁22の表面位置57におけるカラーレジスト42の露光面積が分離壁22の開口22aの面積以下となるように、露光光Lを分離壁22の表面位置57よりも上方位置56で集光させる。 （もっと読む）

【課題】感度特性に優れた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１レンズ層３１と、第２レンズ層３２とを備え、第１レンズ層３１により形成される第１マイクロレンズ３２の少なくとも外周部に第２レンズ層３３が形成されている。そして、第１マイクロレンズ３２の中心部に、外周部よりも厚さの小さい、又は、厚さのない第２レンズ層３３を有する。 （もっと読む）

【課題】複数方向の被写体を撮像することができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、光電変換素子が形成されるシリコン基板と、前記シリコン基板の表面側に形成される配線層とを備え、前記光電変換素子が、前記表面側から前記配線層を介して入射される光を光電変換するとともに、前記シリコン基板の裏面側から前記配線層を介さずに入射される光を光電変換する。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、製造方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる固体撮像装置及び情報端末装置を提供する。
【解決手段】入射した光を電荷に変換して蓄積する光電変換素子が形成された第１面及び前記第１面と反対側の第２面を有する複数の画素が２次元的に配置され、前記複数の画素の前記第１面によって上面１１が形成され、前記複数の画素の前記第２面によって裏面１２が形成された撮像基板１０と、前記撮像基板１０の前記上面１１側に設けられた遮光部材１３と、を備える。前記複数の画素は、前記遮光部材１３の上方から光が照射された場合に、前記遮光部材１３によって、遮光される画素と、遮光されない画素とに区別され、前記遮光されない画素の前記光電変換素子によって蓄積された前記電荷は、前記遮光される画素の前記第２面に形成されたＡＤ変換回路によってデジタル信号に変換される。 （もっと読む）

【課題】形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色組成物を提供する。形成する着色パターンの色抜けを抑制し、現像性及び耐熱性に優れる着色パターンを形成しうる着色硬化膜、該着色パターンを備えたカラーフィルタ及びその製造方法を提供する。耐色抜け性及び耐熱性に優れる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】色素構造を有する樹脂（Ａ）を含有する着色組成物であって、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定される前記樹脂（Ａ）における分子量２０００以下の成分の占めるピーク面積が、前記樹脂（Ａ）の分子量分布全体のピーク面積に対して１０％未満である着色組成物。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】クラック及び汚染発生の抑制が容易で、パーティクルの除去が容易な、無機物を
マイクロレンズにしたイメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に無機物薄膜を蒸着するステップと、前記無機物薄膜上に半球状のフ
ォトレジストパターンを形成するステップと、前記無機物薄膜に全面エッチバック工程を
行い半球状無機物薄膜のマイクロレンズを形成するステップとを有することを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】クロストークによる画質劣化を防止することができるＭＯＳ型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】ＭＯＳ型の固体撮像素子１００は、半導体基板内に二次元状に配置形成されたＮ型不純物層からなる複数のフォトダイオード（ＰＤ）１０と、各ＰＤ１０で発生した電荷に応じた信号を読み出す半導体基板に形成された信号読み出し回路Ｃとを有する。ＰＤ１０の行と行の間の境界領域、及び、ＰＤ１０の列と列の間の境界領域の一方において、当該一方の境界領域の伸びる方向に信号読出し回路Ｃを構成するＭＯＳトランジスタが配列され、２つの境界領域の他方におけるＰＤ１０同士の間の領域の半導体基板には、入射した光に応じて電荷を発生して当該電荷を蓄積するＮ型不純物層からなる電荷蓄積部１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】被写体の動きを容易に検知することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の画素１３ａ、第２の画素１３ｂ、および単位セルの出力回路１７を有する。第１の画素１３ａは、第１の信号電荷を発生させる第１のフォトダイオード１１ａ、および第１のフォトダイオード１１ａ上に形成された第１のマイクロレンズ１２ａを有する。第２の画素１３ｂは、第２の信号電荷を発生させる第２のフォトダイオード１１ｂ、および第２のフォトダイオード１１ｂ上に形成された、第１のマイクロレンズ１２ａより小さい第２のマイクロレンズ１２ｂを有する。第２の画素１３ｂは、第１の画素１３ａに対して１／ｎ倍の感度と、ｎ倍の光電変換期間とを有する。単位セルの出力回路１７は、第１の信号電荷の電荷量に基づく第１の検出信号と、第２の信号電荷の電荷量に基づく第２の検出信号との差分信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】より容易により多様な光電変換出力を得ることができるようにする。
【解決手段】本開示の撮像素子は、入射光を光電変換する光電変換素子が形成される光電変換素子層と、前記光電変換素子層の、前記入射光の入射面とは反対の側に形成される、前記光電変換素子から電荷を読み出すための配線が形成される配線層と、前記光電変換素子層および前記配線層に積層され、他の光電変換素子を有する支持基板とを備える。本開示は撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】平坦化処理における着色パターンの表面荒れを抑制することができるカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１の着色層を第１の着色組成物により形成する工程、第１の着色層に複数の第１の貫通孔が形成されるようにドライエッチングによりパターニングする工程、第１の着色層上に第２の着色組成物による第２の着色層を積層する工程、第１の貫通孔とは別の複数の第２の貫通孔をドライエッチングによりパターニングして、複数の第１の着色画素を形成する工程、第１着色層上に、第３の着色組成物による第３の着色層を含む１層以上の着色層を積層する工程、及び第１の着色層上に積層された１層以上の着色層を第１の着色層が少なくとも露出するまで平坦化処理する工程を有するカラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）