【課題】電磁適合性（ＥＭＣ）の問題を改善することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】第１主面と第２主面とを有する半導体基板１０と、第１主面上に形成され、入射光を電気信号に変換するセンサ部３１と、第１主面上に形成されたロジック回路１２と、センサ部３１及びロジック回路１２上に形成され、電磁波を遮断するシールド層１４と、第２主面上に配置されたカラーフィルタ３７と、カラーフィルタ３７上に配置されたマイクロフィルタ３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】クラックや剥がれ、空隙などの欠陥が少ない光導波路を有した固体撮像素子や、その製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１０中に形成され光電変換により電荷を生じる受光部２と、基板１０上の受光部２に隣接する位置に形成されて受光部２が生じた電荷の転送を行う転送電極１２と、転送電極１２上に形成される上部構造１４〜１６と、をそれぞれ形成する。さらに、少なくとも受光部２の直上かつ上部構造１４〜１６に挟まれた空間に、光導波路１８を形成する。このとき、光導波路１８を成す材料を、少なくとも第１ステップ及び第２ステップにより成膜するが、第１ステップは、第２ステップよりも前に行い、第１ステップにおける成膜速度を、第２ステップにおける成膜速度よりも遅くする。 （もっと読む）

【課題】 画面周辺部で発生するシェーディングを補正すること。
【解決手段】 光を電荷に変換する受光素子と、受光素子上に形成された色フィルタと、受光素子上に形成された少なくともひとつ以上のマイクロレンズとから構成される画素が複数配置された画素領域を備えた撮像素子において、前記色フィルタの膜厚を、前記画素領域の中心部から周辺部に向かって徐々に変化させ、さらに、前記マイクロレンズを、色フィルタの厚みに応じたずらし量で配置し、シェーディングを補正することを特徴とする撮像素子。 （もっと読む）

【課題】屈折率を高めたマイクロレンズを含む裏面照明イメージセンサピクセルを提供する。
【解決手段】イメージセンサピクセル２００は、シリコン基板２０２内に形成されたフォトダイオード２０８と、基板の裏面に形成された第１のマイクロレンズと、基板の前面を覆って形成された第２のマイクロレンズと、基板の前面上に形成された誘電体スタック２２３と、第２レンズの上方で、記誘電体スタック内に形成されたと反射構造２５０とを含む。第１のマイクロレンズは、裏面にシャロートレンチアイソレーション構造２１４を形成することにより、第２のマイクロレンズは、基板の前面基板上にポリシリコンを堆積させることによって製造される。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有し、白点及び暗電流の抑制が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】
半導体基体３１と、半導体基体３１に形成されているフォトダイオード３２と、フォトダイオード３２に蓄積された信号電荷が転送される浮遊拡散領域３５とを備える。さらに、半導体基体３１内において浮遊拡散領域３５を覆う半導体基体面と平行な水平遮光部３２Ａと、半導体基体３１面と垂直な垂直遮光部３２Ｂとからなる遮光層３２とを備える固体撮像素子３０を構成する。 （もっと読む）

【課題】撮像素子が実装された後のフレキシブルプリント配線板の厚さが薄く、小型な撮像ユニット及び前記撮像ユニットを備えた内視鏡と前記撮像ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】撮像素子、及びフレキシブルプリント配線板を含む撮像ユニットにおいて、前記撮像素子は、受光部、前記受光部に電気的に接続された金属配線層、前記金属配線層に形成された金属パッド、及び前記金属パッドを受光側とは反対側に露出させるように設けられた開口部、を含み、前記フレキシブルプリント配線板は、前記開口部内において前記金属パッドと電気的に接続される金属線を含み、かつ前記撮像素子の受光側とは反対側の面上に接着剤によって接着される。 （もっと読む）

【課題】画素部の金属汚染や受光部の光電変換素子表面へのＲＩＥによるダメージの発生を抑制することができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像素子は、所定の波長の光を透過させるカラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓと、カラーフィルタ５１Ｌ，５１Ｍ，５１Ｓを透過する光を検出するフォトダイオードＰＤと、を含む画素Ｐ_L，Ｐ_M，Ｐ_Sを、異なる波長の光を検出するように複数有する絵素が、所定の周期で２次元的に基板１１上に配置される。絵素中の最も長い波長の光を検出する画素Ｐ_Lは、基板１１の光の入射面と対向する面側のフォトダイオードＰＤ上に設けられる保護膜１２と、保護膜１２上に設けられ、厚さ方向に貫通する円柱状の孔が２次元的に配置される回折格子部２０Ｌと、を備える。回折格子部２０Ｌは、画素Ｐ_Lに設けられるカラーフィルタ５１Ｌを透過する光を反射させるように孔の径と配置される周期が選択される。 （もっと読む）

【課題】読み出し特性や感度劣化がなく、熱酸化処理による電荷転送電極間のギャップ部の拡大を回避することができ、これにより、微細で高速転送可能な固体撮像素子を実現する。
【解決手段】固体撮像素子１００において、垂直ＣＣＤ部１１０は、シリコン基板１内に形成され、信号電荷を転送する転送チャネル３と、シリコン基板１上にゲート絶縁膜７を介して転送チャネル３に沿って配列された複数の電荷転送電極８と、隣接する電荷転送電極８の間に絶縁材料を堆積して形成され、該隣接する電荷転送電極を電気的に分離する電極分離絶縁膜とを有する構造とし、受光部１０１は、シリコン基板１内に形成され、入射光の光電変換により信号電荷を生成する光電変換領域５と、該光電変換領域の表面部分の熱酸化により形成された熱酸化膜１１とを有する構造とした。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の分割配置に伴って瞳強度分布に生じる低感度領域の影響を抑制する。
【解決手段】撮像素子１０７は、複数の画素２００Ｒ，２００Ｇ，２００Ｂを有する。複数の画素の各々の画素は、マイクロレンズ３５０と、分離帯Ｓを間に挟んで互いに分離され、マイクロレンズを通過した光束を光電変換する複数の光電変換部３０６，３０７，３１０，３１１とを有する。該複数の光電変換部は、撮影光学系の異なる射出瞳を通過した複数の光束を光電変換する場合に、マイクロレンズは、光軸方向における分離帯上のレンズ部がレンズ部に入射する光束に対してパワーを持たない又は負のパワーを持つ。 （もっと読む）

【課題】ショートチャネル特性などを向上する。
【解決手段】ｎ型ＦＥＴ１１１Ｎの半導体活性層１１１Ｃの上面に、バックゲート絶縁膜４０１を介してバックゲート電極１２１を金属材料で形成する。ここでは、バックゲート電極１２１，２２１について、半導体活性層１１１Ｃの上面においてゲート電極１１１Ｇおよび一対のソース・ドレイン領域１１１Ａ，１１１Ｂに対応する部分を被覆するように、バックゲート電極１２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る光電変換装置は、光電変換部１０３が配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３に対応した穴１０５が配される。穴１０５には導波路部材１０６が配される。
導波路部材１０６の半導体基板１０１とは反対側には層内レンズ１０７が配される。導波路部材１０６と層内レンズ１０７との間に、第１中間部材１１０が配される。第１中間部材１１０の屈折率は、層内レンズの屈折率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】深さ方向に沿って複数の光電変換部が配された光電変換装置において、深い位置に配された光電変換部の光感度を高くするために有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、光が入射する第１面及び前記第１面の反対側に配された第２面を有する部材と、前記部材の内部に前記第１面から深さ方向に沿って配された複数の光電変換部を含み、前記複数の光電変換部のうち前記第１面から最も近い位置に配された前記光電変換部を除く少なくともいずれか一つは、前記第１面から最も近い位置に配された前記光電変換部よりも高低差が大きい凹凸形状を前記部材との境界面に有しており、前記凹凸形状の境界面は、前記第１面側から入射して前記凹凸形状の境界面に到達した光を局在または共鳴させる。 （もっと読む）

【課題】基板密着性が良好で、感度が高く、微細なパターンを成形できる黒色硬化性組成物を提供し、それを用いて赤外領域の遮光性が高い遮光性カラーフィルタおよびその製造方法を提供し、ノイズ発生が防止され、画質が向上した固体撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）チタンブラック、（Ｂ）重量平均分子量が２万以上３万１千以下の範囲であり、酸価が８０〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲であるアルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）溶剤、（Ｄ）光重合開始剤、及び、（Ｅ）エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物、を含む黒色硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子の表面側のフォトダイオードと裏面側のマイクロレンズおよびカラーフィルタとのアライメント精度を向上させる。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像素子１において、半導体基板としてのシリコン基板２の表面側に、被写体からの画像光を光電変換して撮像する複数の受光部（複数のフォトダイオード３）と、この受光部の形成時に用いた第１アライメントマークを基準にして所定位置に、シリコン基板２上の一または複数の層間膜（層間絶縁膜）を貫通してシリコン基板２に形成されたトレンチ構造の第２アライメントマーク１８とを有し、シリコン基板２の裏面側に、第２アライメントマーク１８を基準にして、複数の受光部のそれぞれに対応するように所定色配列のカラーフィルタ２１およびその上のマイクロレンズ２２がそれぞれ形成されている。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像素子を備えたチップ領域が複数配列された固体撮像素子ウエハにおいて、個片化されるチップ領域のサイズを縮小し、これにより固体撮像素子の小型化を図る。
【解決手段】複数のチップ領域２００と、チップ領域２００を囲んで配置された分割領域３００と、各チップ領域２００に設けられた光電変換部２０と、各チップ領域２００において光電変換部２０に対する受光面Ａとは逆の表面側に設けられた駆動回路と、駆動回路に接続され各チップ領域２００において表面側に引き出されたデバイス用端子３３と、駆動回路に接続され分割領域３００において受光面Ａ側に露出された検査用端子４００とを備えた固体撮像素子ウエハ１００−１である。 （もっと読む）

【課題】画素からの微小信号、あるいは１光子信号を低ノイズ、高精度で、高速に検出することができ、これにより活用してフレームレートを上げることで、様々な高性能撮影が可能な撮像素子およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】各センス回路は、画素からの出力信号と参照信号を比較する比較器を含み、信号検出を行う際に、比較器の片側あるいは両側の入力部に、選択画素から出力される第１の画素信号を相殺する電荷を保持し、比較器の片側の入力部に、比較器ごとに、比較器のオフセットを相殺するように、独立したオフセットバイアスを印加し、ステップ状に変化する参照信号と選択画素から出力される第２の画素信号とを比較して、画素に入射した光の強度をデジタル判定する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のカラーフィルターにおいてクロストーク（混色）を改善する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、固体撮像装置において、カラーフィルターは、多層干渉フィルターと導波モード共鳴格子とを有する。多層干渉フィルターでは、第１の層と第２の層とが交互に積層されている。第１の層と第２の層とは、互いに屈折率が異なる。導波モード共鳴格子は、多層干渉フィルターの上方又は下方に配されている。導波モード共鳴格子は、複数の回折格子と複数の格子間領域とを有する。複数の回折格子は、第１の屈折率を有する材料でそれぞれ形成されている。複数の回折格子は、少なくとも１次元的に周期的に配列されている。複数の格子間領域は、少なくとも複数の回折格子の間に配されている。複数の格子間領域のそれぞれは、絶縁膜領域とエアギャップ領域とを有する。絶縁膜領域は、第２の屈折率を有する材料で形成されている。第２の屈折率は、第１の屈折率より低い。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型固体撮像素子において、チップ面積に対して画素領域の占める面積比率をより高めることができる。
【解決手段】第１の基板１０から第ｎ（ｎは２以上の整数）の基板が接続部を介して電気的に接続され、かつ段積みされた固体撮像装置であって、第ｍ（ｍは１以上ｎ以下の整数)の基板は、光電変換素子を含む画素を有する画素領域５０を備え、第ｍの基板以外の他の基板は、画素の駆動の用に供する回路要素を有する第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１とを備え、他の基板の領域のうち、画素領域と垂直方向に重なる重複領域５１内に、第一垂直走査回路１６０と第二垂直走査回路１６１との少なくとも一部分が配置されている。 （もっと読む）

【課題】レンズの無効領域が少ない固体撮像素子を容易に製造することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】レンズ２０を構成するレンズ母材層２１を形成する工程と、このレンズ母材層２１上に、レジスト２３よりも熱膨張係数の大きい中間膜２２を形成する工程と、この中間膜２２上に接して、レジスト２３を形成する工程と、その後、熱リフローによりレジスト２３をレンズの形状とする工程と、エッチングにより、レジスト２３のレンズの形状をレンズ母材層２１に転写して、レンズ２０を形成する工程とを有して、受光部の上方にレンズ２０が設けられた固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】感度差の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素ユニットを有する固体撮像装置において、各画素ユニットは、複数の画素と、前記複数の画素によって共用される電荷電圧変換部とを含み、各画素は、半導体基板に形成された光電変換素子を含む。前記固体撮像装置は、複数の配線層と、層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の屈折率よりも高い屈折率を有する材料を前記層間絶縁膜における各光電変換素子の上方に埋め込んで構成された光導波路とを含む構造部を前記半導体基板の上に有し、各画素ユニットの前記複数の画素は、第１画素と第２画素とを含み、前記第１画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造と前記第２画素の前記光電変換素子の上方に配置された前記光導波路の周辺の構造との相違による前記第１画素の感度と前記第２画素の感度との差を低減するようにダミーパターンが前記構造部に設けられている。 （もっと読む）