【課題】画素トランジスタにおける欠陥の異常成長を抑制する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１のＰウェル１０２の内部に形成され、入射光を光電変換する受光領域１０３と、Ｐウェル１０２の内部に形成されたウェル領域１０４と、Ｐウェル１０２の内部において、ウェル領域１０４に隣接して形成された素子分離領域１０５と、素子分離領域１０５の上に形成されたダミー素子１０９とを備える。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドおよびシールド構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体装置の正面と背面に対応する正面と背面を有する装置基板と、装置基板の正面上に形成される金属層部と、半導体装置の背面に設置され、金属層部と電気的に接続するボンディングパッドと、装置基板の背面上に設置されるシールド構造と、を含み、シールド構造とボンディングパッドは異なる厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ型撮像素子の受光効率を確保しつつ、転送電極からの光の透過の影響を小さくして精度良く焦点検出が可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】撮影レンズからの光を光電変換して被写体の像を生成する撮影用画素と、前記撮影レンズの射出瞳の一部の領域を通る光を受光する第１の焦点検出用画素及び第２の焦点検出用画素と、を有する撮像素子であって、前記第１の焦点検出用画素及び前記第２の焦点検出用画素は、光電変換部と、前記光電変換部の少なくとも一部の領域を覆うように前記光電変換部の端部に設けられる電極部と、開口を有して前記光電変換部の前記少なくとも一部の領域とは異なる領域を覆う遮光部とを有し、前記第１の焦点検出用画素の電極部と前記第２の焦点検出用画素の電極部は、前記第１の焦点検出用画素と前記第２の焦点検出用画素の瞳分割方向において互いに反対側の前記光電変換部の端部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、第１半導体部と、第２半導体部とを備える構成とする。第１半導体部には、接合界面側の表面に形成されかつ第１の方向に延在する第１電極１６を設ける。そして、第２半導体部には、接合界面で第１電極１６と接合されかつ第１の方向と交差する第２の方向に延在する第２電極２６を設ける。 （もっと読む）

【課題】光学特性が良好であり、かつ薄型化、小型化を実現した撮像装置を得る。
【解決手段】レンズ群115および開口絞り111を含む結像用光学系110と、固体撮像素子10とを備え、固体撮像素子10が、有機材料からなる光電変換層14、および２色以上のカラーフィルタ21r、21g、21bと分離壁22とからなるカラーフィルタ層CFを備え、光電変換層14の厚さが0.1μｍ〜1μｍであり、各色のカラーフィルタ21r、21g、21bの屈折率がいずれも1.5〜1.8であり、分離壁22の幅が0.05μｍ〜0.2μｍであり、分離壁22の屈折率が1.22〜1.34であり、固体撮像素子10における画素ピッチＤ(μｍ)と該固体撮像素子に入射する主光線の最大角度α(°)との関係が、Ｄ≦2.6μｍ、45≧α≧25・Ｄ−20となるようにレンズ群115と固体撮像素子10とを配置する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤグリッド偏光子へのダストの付着を抑制することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子２１と、光電変換素子２１上に設けられたワイヤグリッド偏光子３０と、光電変換素子２１に設けられる導体層２４とワイヤグリッド偏光子３０とを電気的に接続する導体膜３５とを備える固体撮像装置２０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 高いアライメント精度、および少ない工程数でアライメント用の光の透過率が低い材料のパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 基板の上に凹部または凸部を有するアライメントマークを含む第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンの上に平坦化層を形成する工程と、平坦化層のアライメントマークの上に形成された部分を除去する工程と、アライメントマークの上に形成された部分が除去された平坦化層の上に、被加工層を形成する工程と、アライメントマークの位置を被加工層の上から光を用いて光学的に検出し、位置あわせを行う工程と、位置合わせに基づき被加工層をパターニングしてパターンを形成する工程と、を含むパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に導入された不純物を、前記表面の浅い領域に高精度かつ高濃度で分布させ、不純物が半導体基板の深い領域に拡散することを防ぐことで、半導体装置の歩留まりおよび性能を向上させ、装置の微細化を容易にする。
【解決手段】Ｎ型ＭＩＳトランジスタにおいて、半導体基板３００に打ち込まれた炭素が、同じ領域に打ち込まれたホウ素を引き寄せる性質を利用し、ホウ素をＮ型の不純物として注入したハロー領域３０６に炭素を共注入して炭素注入層３０７を形成する。これにより、ホウ素が増速拡散することを防ぎ、ハロー領域３０６を高い精度で形成することを可能とすることで、微細化された半導体素子の短チャネル効果の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】厚塗り適性があり、得られた膜の塗布均一性が良好で、段差追従性があり、且つ赤外線領域の遮光性に優れる遮光性組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）遮光性粒子及び遮光性染料のいずれか１種、（Ｂ）粒径分布における極大値を示す粒子径が１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲にあるフィラー、及び（Ｃ）粒径分布における極大値を示す粒子径が５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲にあるフィラーを含有する遮光性組成物であって、前記遮光性組成物中の前記フィラー（Ｂ）及び前記フィラー（Ｃ）の混合後におけるフィラー全体の粒径分布が、５ｎｍ〜９０ｎｍの範囲及び１００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲のそれぞれの範囲に極大値を有する遮光性組成物。 （もっと読む）

【課題】微細化と共に感度を向上でき、クロストーク及び暗電流の増大を防ぐことが可能な固体撮像装置を信頼性が高い製造方法により得られるようにする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１の上部に形成されたトランジスタ４と、半導体基板１の上に形成され、トランジスタ４と電気的に接続する配線１０を含む配線層と、配線層の上に、配線１０と電気的に接続するように形成され、行列状に配置された複数の下部電極１１、該複数の下部電極１１の上に形成された光電変換膜１２及び該光電変換膜１２の上に形成された上部電極１３を含む光電変換部１４とを備えている。光電変換膜１２は、単層膜又は積層膜であり、酸化銅（Ｉ）を含む。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置１００において、光入射効率を高める多重干渉効果に加えて、第１に、シリコンのもつ引張応力を緩和し、第２に、シリコン基板への金属コンタミネーションを抑制することを可能とする。
【解決手段】固体撮像装置１００において、シリコン基板１０１の第２面上に光透過膜１２３を形成し、該光透過膜１２３を、該シリコン基板１０１の該第２面上に形成されたシリコン酸化膜（第１の透明絶縁膜）１０２と、該シリコン酸化膜１０２上に形成され、該シリコン酸化膜の屈折率より高い屈折率を有するシリコン窒化膜（第２の透明絶縁膜）１０３とを、該シリコン窒化膜の厚みの増大に伴って、該シリコン基板の第２面での入射光の反射率が周期的に極小となるよう積層した構造とし、該シリコン窒化膜１０３の厚みを、該反射率の極小値として２周期目の極小値のみを含む範囲に設定した。 （もっと読む）

【課題】異なる波長帯の各波長帯を検出する感度を向上することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】マルチスペクトルＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサは、半導体基板と、第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサとを有している。第１から第３の波長帯を検出可能なＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサはそれぞれ異なる波長帯を検出可能に構成された第１から第３の画素と、第１から第３の画素の各々に設けられた転送電極とマイクロレンズを備えている。転送電極は、第１のゲート電極、第２のゲート電極、および仮想電極を少なくとも含んでいる。第１の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内と第２の波長帯を検出するＴＤＩ方式ＣＣＤイメージセンサの画素内とにおいて、マイクロレンズの光軸上に設けられた電極が異なっている。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の分割に伴い生じる低感度帯の影響を抑制すること。
【解決手段】 撮像素子は、第１の方向に第１の分割数に分割され、前記第１の方向と垂直な第２の方向に第２の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第１画素と、前記第１の方向に第３の分割数に分割され、前記第２の方向に第４の分割数に分割された光電変換部をそれぞれが有する、複数の第２画素とをそれぞれが備えた、複数の撮像画素群を含み、第１画素及び前記第２画素を構成する複数の光電変換部は、撮像光学系からの光束のうち分割された光束により形成された複数の像を光電変換して位相差の検出に用いられる焦点検出信号を出力する機能を備えており、第１の分割数と第３の分割数が互いに素の自然数であり、第２の分割数と第４の分割数が互いに素の自然数であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換層より深い位置に配線層が配置された固体撮像素子において、光電変換層を通過する光に対する感度を抑え、色再現性を向上させる。
【解決手段】光電変換素子が配設される光電変換層と、少なくとも１層の金属膜と、前記金属膜の周囲を埋める層間絶縁膜とからなる配線層と、を有し、前記配線層が前記光電変換層に対して光入射側と反対側の前記光電変換層より深い位置に配設された固体撮像素子において、前記配線層の金属膜のうち、少なくとも前記光電変換層に最も近い位置に配設された第１の金属膜を、前記光電変換層を通過した所定範囲の波長の光が照射されない領域に配置した。 （もっと読む）

【課題】隔壁を通過して受光部に光が達するのを抑制することができる画像撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、複数の受光部（ＰＤ）が形成された半導体基板３と、前記半導体基板３上に形成された配線層５と、前記配線層５上であって半導体基板３の各受光部（ＰＤ）に対応してそれぞれ形成されたカラーフィルタ７と、前記各カラーフィルタ７間に形成された隔壁９とを備え、前記隔壁９は、下層部２９と上層部３１とを有し、下層部２９の上面が改質された改質層となっており、改質層と上層部３１との間に、外部からの侵入光の反射を促進させる界面２７が構成されている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの膜厚が不均一となるのを抑制することができる画像撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２１と、半導体基板２１上に形成され、画素領域３に相当する上面が周辺回路領域５に相当する上面より低い下地層（２５）と、下地層（２５）の画素領域３に相当する上面に二次元配置された複数のカラーフィルタ２７と、各カラーフィルタ２７間に配された隔壁２９とを備え、下地層（２５）における画素領域３に相当する上面に対して直交する断面において、周辺回路領域５に接する外側部分（９）に配されている隔壁２９の占有面積が、画素領域３の中央部分（１１）に配されている隔壁２９の占有面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 ビア形成時のエッチングによる基板や配線への影響を抑制しつつ積層された半導体ウェハの回路どうしを接続する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、第１基板と第１基板の一面と接するように形成された第１絶縁層を有する第１の半導体ウェハと、第２基板と第２基板の一面と接するように形成された第２絶縁層を有する第２の半導体ウェハを接合する工程と、第１基板の他面に第３絶縁層を形成する工程と、第３絶縁層、第１基板、及び第１絶縁層を貫通し第２絶縁層に形成された第２の配線上に第２絶縁層が残るようにエッチングを行い第１接続孔を形成する工程と、第１接続孔に絶縁膜を形成する工程と、第２の配線上の第２絶縁層及び絶縁膜のエッチングを行い第２接続孔を形成し第２の配線を露出させる工程と、第１及び第２接続孔の内部に形成され第２の配線と接続する第１のビアを形成する工程とを備え、第１基板の他面に形成された第１接続孔の径は第３絶縁層に形成された前記第１接続孔の径より大きい。 （もっと読む）

【課題】屈折率が高い材料を埋め込んだ集光性が高い光導波路を備えた固体撮像装置を容易に実現できるようにする。
【解決手段】固体撮像装は、半導体基板１０１の上に形成された受光部１１１と、半導体基板の上に形成され、層間絶縁膜を含み、受光部と対応する位置に第１の凹部を有する絶縁膜積層体１０２と、第１の凹部に形成され、受光部に光を導く光導波路１０３とを備えている。光導波路は、絶縁膜積層体側から順次形成された第１の膜１３１及び第２の膜１３２を有している。第１の膜及び第２の膜の屈折率はそれぞれ層間絶縁膜の屈折率よりも高く、第１の膜は、第１の凹部の側面及び底面を覆い且つ第１の凹部と対応する位置に第２の凹部を有している。第２の膜は第２の凹部内を埋め込むように形成されており、第１の膜における第１の凹部の側面上に形成された部分の膜厚は、第１の凹部の上部において下部よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】分光感度のバラツキや色滲みのなく高感度・高解像性であるとともに、隣接する画素部への光の混入を防ぐことができる構成の固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の内部には、複数のフォトダイオード１０２が内部に形成されている。配線層１０３は、絶縁膜１０５と配線１０４との積層構造を有し、半導体基板１０１の上に形成されている。複数のカラーフィルタ１０６は、配線層１０３の上方において、複数のフォトダイオード１０２の各々に対応して形成されている。カラーフィルタ１０６の上には、平坦化膜１０７とマイクロレンズ１０８が順に積層されている。固体撮像装置１では、カラーフィルタ１０６の各々において、平坦化膜１０７よりも屈折率が高いとともに、Ｚ軸方向の上面が凹形状である。 （もっと読む）