【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】平坦化処理における着色パターンの表面荒れを抑制することができるカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１の着色層を第１の着色組成物により形成する工程、第１の着色層に複数の第１の貫通孔が形成されるようにドライエッチングによりパターニングする工程、第１の着色層上に第２の着色組成物による第２の着色層を積層する工程、第１の貫通孔とは別の複数の第２の貫通孔をドライエッチングによりパターニングして、複数の第１の着色画素を形成する工程、第１着色層上に、第３の着色組成物による第３の着色層を含む１層以上の着色層を積層する工程、及び第１の着色層上に積層された１層以上の着色層を第１の着色層が少なくとも露出するまで平坦化処理する工程を有するカラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上、およびコスト削減を図る。
【解決手段】半導体装置は、デバイス基板６００と、前記デバイス基板上に接合された支持基板２００と、を具備する。前記デバイス基板は、前記支持基板との接合面側の外周部に溝５０を有する。 （もっと読む）

【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】画質の低下を抑制する。
【解決手段】センサチップは、複数のＰＤが配置された半導体基板を有している。信号処理チップは、センサチップに積層され、センサチップを駆動するためのロジック回路が形成された半導体基板を有している。そして、センサチップの半導体基板と、信号処理チップの半導体基板との間に、信号の送受信を行う配線を有する配線層が配置されており、その配線層において配線が形成されていない領域に、遮光性を備えた遮光膜が配設される。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOS型固体撮像素子に適用できる。 （もっと読む）

【課題】１フレームの画像を撮像するための時間を長くすることなく、暗電流による画質劣化を低減する。
【解決手段】撮像装置は、互いに近接する第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢの組を複数有する撮像素子４と、前記各組の第１の光電変換部ＰＤＡを同時に一旦リセットしてから前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢを露光した後に、前記各組の前記第１の光電変換部ＰＤＡをリセットすることなく前記各組の第２の光電変換部ＰＤＢを同時に一旦リセットした後、前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢに蓄積された信号を読み出す制御を行う制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造工程を増加させることなく、スミアシェーディングを抑制し、画質を向上させる。
【解決手段】画素領域にて行列状に配列される複数の電荷蓄積部３と、半導体基板１１に設けられる電荷転送部１３、および半導体基板１１上に設けられる転送電極１４を有する複数の垂直転送部と、電荷蓄積部３とこの電荷蓄積部３により生成された信号電荷が読み出される垂直転送部との間に設けられる読み出し部６と、電荷蓄積部３の読み出し部６が設けられる側と反対側にて電荷蓄積部３と垂直転送部との間に設けられるチャネルストップ部７と、半導体基板１１の入射光が入射する側に設けられ、電荷蓄積部３に対応する位置に開口部を有する遮光膜１６と、を備え、電荷蓄積部３、電荷転送部１３、読み出し部６、およびチャネルストップ部７は、水平方向について、画素領域の中央部に対して画素領域の周辺部では、開口部に対して外側へずれた位置に設けられている。 （もっと読む）

【課題】感度を向上させつつ混色を抑制するために有利な技術を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、複数の画素を含み、前記複数の画素は、第１種類の画素および第２種類の画素を含み、前記第１種類の画素は、第１カラーフィルタと、半導体層に形成された第１光電変換部と、前記第１カラーフィルタを透過して前記第１光電変換部に入射し前記第１光電変換部を透過した光を前記第１光電変換部に向けて反射する第１反射領域とを含み、前記第２種類の画素は、第２カラーフィルタと、前記半導体層に形成された第２光電変換部と、前記第２カラーフィルタを透過して前記第２光電変換部に入射し前記第２光電変換部を透過した光を前記第２光電変換部に向けて反射する第２反射領域とを含み、前記第１カラーフィルタの透過率が最大となる波長は、前記第２カラーフィルタの透過率が最大となる波長より短く、前記第１反射領域の面積は、前記第２反射領域の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】 緑色画素形成用の緑色層を色分離が非常に優れた状態で形成できるとともに、緑色層にドライエッチングを適用して緑色画素を形成した場合に、緑色層における分光特性と、緑色画素における分光特性との差が小さく、緑色層が発現する優れた色分離特性を、緑色画素に確実に引き継ぐことができる、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 着色顔料を含有する、緑色フィルタ形成用着色組成物であって、前記着色組成物の全固形分に対する前記着色顔料の含有量が６０質量％以上であり、かつ、前記着色組成物から得られる膜厚０．６μｍを有する膜の波長５５０ｎｍにおける光透過率が８０％以上であり、前記膜の波長４５０ｎｍにおける光透過率が５０％以下である、緑色フィルタ形成用着色組成物、並びに、これを用いたカラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び、固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の向上を図る裏面照射型のＣＭＯＳセンサを提供する。
【解決手段】撮像素子１１は、半導体基板３１に対して光が入射する側に積層される有機光電変換層３３を備えており、有機光電変換層３３に有機光電変換膜４３が配置され、半導体基板３１に２つのＰＤ４１、４２が配置されている。そして、有機光電変換層３３では、有機光電変換膜４３を挟み込むように１対の透明電極５４−１，５４−２が設けられており、半導体基板３１側の透明電極５４−１が、光が入射する側に突出する曲面を有して形成され、有機光電変換膜４３が、この透明電極５４−１が有する曲面に倣って曲面形状を有するように形成される。 （もっと読む）

【課題】色ずれの抑制を図ることができる固体撮像素子を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像素子は、複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、特定の波長帯域の光を選択的に透過させるカラーフィルタと、を備えている。そして、前記カラーフィルタは、屈折率の異なる層が積層された積層構造部と、複数の要素が前記特定の波長帯域および光の入射角度に応じて異なる周期で設けられた周期構造部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦化された層上に発生する残渣を抑制することができるカラーフィルタの製造方法。
【解決手段】第２色目の着色層を平坦化処理により平坦化して除去すること、及び、第３色目の着色層をフォトリソグラフィーの技術を利用して、露光、現像することにより除去カラーフィルタの製造方法において、前記平坦化処理する工程は、前記第２の着色層を積層する工程の後、前記ドライエッチングによるパターニング工程の前に行われるか、又は、前記ドライエッチングによるパターニング工程の後、前記第３の着色感放射線性層を積層する工程（オ）の前に行われ、前記第１の着色組成物が着色剤と樹脂とを含有し、前記第１の着色組成物の全固形分に対する前記着色剤の含有量が６０質量％以上であり、かつ、固形分酸価が最も大きな樹脂の固形分酸価が８０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下である、カラーフィルタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。
【解決手段】撮像素子において、画素部１０１のうち、転送スイッチ２０３およびＦＤ２０４およびリセットスイッチ２０７および増幅ＭＯＳアンプ２０５が第１半導体基板に形成され、列読み出し回路１０３または出力回路１０７または駆動回路の少なくとも一部が第１半導体基板以外の第２半導体基板に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜を形成した後、マイクロ波アニールを実施する。このマイクロ波アニールによれば、シリコン結晶に共鳴吸収される周波数（５．８ＧＨｚ）のマイクロ波を使用することにより、シリコン結晶の格子振動を直接誘起するため、例えば、４００℃以下という低温においても、半導体基板の内部に形成されている結晶欠陥を回復させることができる。 （もっと読む）

【課題】より適切にクランプ処理を行うことができるようにする。
【解決手段】本開示の信号処理装置は、撮像素子の有効画素領域外に設けられたOPB領域の、互いに異なる位置の画素値を用いて、前記有効画素領域の画素値の黒レベルを補正するOPBレベルの候補を複数決定する決定部と、前記決定部により決定された複数の前記候補の比較を行う比較部と、前記比較部による複数の前記候補の比較結果に基づいて、前記候補のいずれかを前記OPBレベルとして選択する選択部とを備える。本開示は信号処理装置および方法、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】外的ノイズなどに対して安定した動作を実現可能な光電変換装置およびこれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】光電変換装置４０Ａは、基板４１上において、透光性電極５２と、透光性電極５２と基板４１との間に配置された光反射性電極５４と、透光性電極５２と光反射性電極５４とに挟持された光電変換層５３とを有する光電変換素子としてのフォトダイオード５１と、フォトダイオード５１に電気的に接続された３つのトランジスター６１，６２，６３を具備する画素回路と、フォトダイオード５１と３つのトランジスター６１，６２，６３とは、基板上において異なる層に配置されており、光反射性電極５４と同層に配置され、３つトランジスター６１，６２，６３の半導体層６１ａ，６２ａ，６３ａ上に平面的に重なると共に固定電位に接続された遮光膜６５Ａと、を備えた。 （もっと読む）

【課題】色バランスと色再現性とがよく、薄い撮像素子を提供すること。
【解決手段】色成分を抽出するフィルタは、透明フィルタと、黄フィルタと、赤フィルタと、可視光波長域において透過抑制特性を有し、可視光波長域より長波長側において透過特性を有する補正フィルタとを含み、補正フィルタは、波長４００ｎｍ〜５５０ｎｍの光に対する透過率が５％以下、分光透過率特性における５０％透過率の波長範囲が６２０ｎｍ〜６９０ｎｍ、波長７００ｎｍの光に対する透過率が７０％以上。補正フィルタが、Ｃ．Ｉ．ピグメントバイオレット２３、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー１３９の各顔料を含む着色樹脂組成物で形成されたこと。 （もっと読む）

【課題】分割画素を有する撮像素子において、画素分離領域の影響による撮像信号の感度低下や入射角特性の劣化等を発生させない構造を実現する。
【解決手段】マイクロレンズを共有する複数に分割された光電変換部を有する撮像素子において、それぞれの光電変換部の光入射側に、前記マイクロレンズに入射した光を前記それぞれの光電変換部に導くための光学手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】集光効率が高く、かつ画素間のクロストークが少ないイメージセンサ及びその製造方法並びに検査装置を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光源変換部と、各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子に向けて光を集光する複数のレンズと、このレンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層とを備えるイメージセンサにおいて、絶縁層の表面に、受光素子毎にそれぞれ離間して形成され、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域を設ける。そして、検出対象の試料を、少なくともこの検出領域に固定する。 （もっと読む）

【課題】最適な分光特性を創出できる撮像素子、撮像装置、または生体撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像素子は、フォトダイオード１１１と、フォトダイオード１１１の上方であって相異なる平面位置にそれぞれ配置される、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬ及び第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲと、第１のカラーフィルタ１１２−ＵＬの上方に配置される第１のオンチップレンズ１１３−ＵＬと、第２のカラーフィルタ１１２−ＵＲの上方に配置される第２のオンチップレンズ１１３−ＵＲとを含む画素単位を備える。 （もっと読む）