【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】分割画素を有する撮像素子において、画素分離領域の影響による撮像信号の感度低下や入射角特性の劣化等を発生させない構造を実現する。
【解決手段】マイクロレンズを共有する複数に分割された光電変換部を有する撮像素子において、それぞれの光電変換部の光入射側に、前記マイクロレンズに入射した光を前記それぞれの光電変換部に導くための光学手段を設けた。 （もっと読む）

【課題】集光効率が高く、かつ画素間のクロストークが少ないイメージセンサ及びその製造方法並びに検査装置を提供する。
【解決手段】複数の受光素子を備え、入射した光を電気信号に変換する光源変換部と、各受光素子の直上域に配置され、その直下に位置する受光素子に向けて光を集光する複数のレンズと、このレンズ上に形成され、光透過材料からなる絶縁層とを備えるイメージセンサにおいて、絶縁層の表面に、受光素子毎にそれぞれ離間して形成され、その中心が、各受光素子の受光部の中心とその直上に配置されたレンズの中心とを結んだ線の延長線上に位置する検出領域を設ける。そして、検出対象の試料を、少なくともこの検出領域に固定する。 （もっと読む）

【課題】高輝度被写体の撮像時に、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタが損傷せず、かつ、黒焼付き現象が発生しない固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板と、複数存在し、各々が単位画素を構成する第１電極と複数の第１電極上に形成された光電変換膜と光電変換膜上に形成された第２電極とを有する光電変換部と、複数の第１電極と電気的に接続され、半導体基板上に設けられた電荷蓄積領域と、電荷蓄積領域をドレイン領域とする、若しくは、電荷蓄積領域をドレイン領域と電気的に接続したリセットトランジスタとを備え、リセットトランジスタのソース領域６０６及びドレイン領域６０７の少なくともいずれかは、リセットトランジスタのゲート酸化膜６０５の下方に伸長しかつゲート酸化膜６０５に接しないパンチスルーパス６０８ａ、６０８ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】飽和電荷量の向上が可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基体５１の表面５１Ａ側に形成された第１フォトダイオードＰＤ１と、裏面５１Ｂ側に形成された第２フォトダイオードＰＤ２を備える。そして、第２フォトダイオードＰＤ２を構成する第１導電型半導体領域５９と第２導電型半導体領域５８との接続面の不純物濃度が、第２導電型半導体領域５８の第１導電型半導体領域５９と反対側の層との接続面の不純物濃度以上である固体撮像素子５０を構成する。 （もっと読む）

【課題】電荷の転送効率を向上させることができる固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】固体撮像装置１０は、第１の不純物層２３、第２の不純物層２４、第３の不純物層２５、およびゲート電極２８、を具備する。第１の不純物層２３は、半導体基板１１に一定の深さを有するように形成され、照射された光に応じて電荷を発生させる。第２の不純物層２４は、第１の不純物層２３の表面に、所定の方向に向かって深さが浅くなるように形成される。所定の方向は、第１の不純物層２３から第３の不純物層２５に向かう方向である。第３の不純物層３５は、半導体基板１１の表面において、第１の不純物層２３および第２の不純物層２４と離間した位置に形成され、第１の不純物層２３で発生した電荷を電圧に変換する。 （もっと読む）

【課題】モジュールの大型化、工程の複雑化、コスト増大を防止しつつ、ＥＭＣやＥＭＩ効果を十分に発現させることが可能な撮像装置およびカメラモジュールを提供する。
【解決手段】基板１１１の第１面１１１ａ側に受光するための光学素子エリア１１２が形成され、基板の第１面１１１ａと反対側の第２面１１１ｂ側に外部接続端子１７０が形成された光学デバイス１１０と、基板１１１の第１面１１１ａと対向するように形成された透明導電性膜１３０と、基板１１１の第１面１１１ａに形成されて固定電位に接続するための電極パッド１４０と、電極パッド１４０に接続されて、基板の第１面１１１ａと第２面１１１ｂを貫通するように形成された貫通電極１６０と、を有し、透明導電性膜１３０が電極パッド１４０に接続され、貫通電極１６０が基板の第２面１１１ｂ側で外部接続端子１７０に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光軸外の被写体でも、被写体像の光量を維持しつつ、十分なフォーカス精度を維持する。
【解決手段】 撮像装置は、撮像素子と、射出瞳位置と上記複数の設計瞳位置との比較によって、焦点検出に用いる焦点検出用の画素を決定する瞳位置決定部と、上記射出瞳位置と上記設計瞳位置とが異なる場合において、上記焦点検出に用いる焦点検出用の画素からの像信号を、射出瞳に関する情報、上記設計瞳位置の情報及び上記焦点検出に用いる焦点検出用の画素の情報に基づいて補正して補正像信号を得る補正部と、上記補正部によって補正された補正像信号を用いて焦点検出を行う焦点検出部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】一度の撮影で複数の異なる被写体面の像のカラー画像を同時に取得可能な撮像素子を提供する。
【解決手段】
一度の撮影で複数の異なる被写体面の像を取得可能な撮像素子であって、複数の異なる焦点距離を有する光学系５と、複数の画素を備えた撮像素子部６と、少なくとも３つの異なる波長域の色光から、複数の画素のそれぞれに応じた波長域の色光を選択する波長選択手段８とを有し、複数の画素のうち、同一の波長域の色光に対応し、かつ、同一の被写体面の像を取得する複数の画素は、互いに隣接しないように配列されている。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜で反射した光の影響を低減する。
【解決手段】 遮光膜４０の上面４１は銀色を呈する材料で構成されており、第１膜１０が遮光膜４０の上面４１に近接して遮光膜４０と通過部４４を覆い、第１膜１０の屈折率とは異なる屈折率を有する第２膜２０が、光路部４５および通過部４４に位置するとともに第１膜１０と界面２００を成しており、界面２００と光電変換部２との距離Ｄ_３が、通過部４４の出射端４４２と光電変換部２との距離Ｄ_２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、ゴーストなどの発生を抑制して、画像品質を向上させる。
【解決手段】入射光Ｈを受光する複数の画素ＰＸが半導体基板１０１の上面に配列されているセンサ基板１００と、前記センサ基板の上面に下面が対面しており、前記入射光が透過する透明基板３００と、前記透明基板の上面と前記センサ基板の上面との間のいずれかの位置に設けられており、前記入射光が透過する回折格子６０１とを有し、前記回折格子は、前記半導体基板の上面にて前記複数の画素が配列された画素領域ＰＡに前記入射光が入射し回折されることで生ずる反射回折光を回折するように形成する。 （もっと読む）

【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】各画素の受光部に対して入射光を集光するための導波路を備える固体撮像素子において、集光特性を向上させ、画素微細化への対応を容易とする。
【解決手段】本開示の固体撮像素子は、半導体基板上の撮像領域に配列されて受光部を有する複数の画素と、前記半導体基板の入射光が入射する側にて、複数の画素の配列において互いに隣接する画素の受光部間に設けられる遮光層と、遮光層を入射光が入射する側から覆い、受光部間の境界に沿って設けられる下段クラッドと、下段クラッド上に設けられる上段クラッドと、下段クラッドおよび上段クラッドにより形成される開口部を埋めるように設けられ、下段クラッドおよび上段クラッドを構成する材料よりも高い屈折率の材料からなるコア層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な構成によって混色の発生を防止する。
【解決手段】赤色、緑色、青色の光に感度を有するフォトダイオードが形成される素子層と、この素子層から電荷を転送するための配線を構成する配線層１４とを備える裏面照射型固体撮像素子において、前記素子層と前記配線層１４との間に、前記素子層側から到来する光の反射を抑制する低反射率膜３４、３５、３６を形成した。 （もっと読む）

【課題】基板を貼り合わせて電極接合を行う半導体素子において、電極の腐食を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１接合部４０と第２接合部６０とが電極形成面を対向させて接合された半導体装置において、第１接合部４０の絶縁層５１と、絶縁層５１の表面に形成された接合電極４１と、絶縁層５１表面に形成され、絶縁層５１を介して接合電極４１の周囲を囲む保護層４４とを備える。さらに第２接合部６０の絶縁層７１と、絶縁層７１の表面に形成された接合電極６１と、絶縁層７１表面に形成され、絶縁層７１を介して接合電極６１の周囲を囲む保護層６４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 より信頼性の高い接合界面を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１を、接合界面Ｓｊ側の表面に形成された第１金属膜１６を有する第１半導体部１０と、接合界面Ｓｊで第１金属膜１６と接合された第２金属膜２６を有する第２半導体部２０と、界面バリア部２８とを備える構成とする。第２金属膜２６の接合界面Ｓｊ側の表面面積は第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の表面面積より小さくする。そして、第１金属膜１６の接合界面Ｓｊ側の面領域のうち第２金属膜２６と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部２８を設ける。 （もっと読む）

【課題】より正確に混色補正を行うことができるようにする。
【解決手段】入射光を光電変換する光電変換素子を有する複数の通常画素よりなる通常画素群と、前記通常画素群の有効画素領域内において、周辺画素から入射される光を光電変換素子により検出する検出画素とを備える撮像素子と、前記撮像素子の前記検出画素により検出された光の光量を用いて、前記通常画素の画素値から、前記通常画素の周辺画素から入射される光の光量を減算する減算部とを備える。本開示は撮像素子、並びに、撮像装置および方法に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】入射光の反射防止のための微細凹凸構造を画素毎に作り分けるに際し、半導体基板にダメージを与えることなく、低コストで高い信頼性と再現性を得る。
【解決手段】単結晶からなる半導体基板の表面に、半導体基板に対してエッチング選択比を有する保護膜を形成する第１の工程と、保護膜上に、所定のピッチで配置されるドット形状のレジストパターンを形成する第２の工程と、第２の工程により形成されたレジストパターンをマスクとするウェットエッチングにより、保護膜を選択的に除去する第３の工程と、第３の工程により選択的に除去された後に残存する保護膜をマスクとするウェットエッチングにより、半導体基板をエッチング加工することで、半導体基板の表面に所定のピッチで配列される凹凸構造を形成する第４の工程と、第４の工程により凹凸構造を形成した後、半導体基板上に残存する保護膜を除去する第５の工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フレアやゴーストの発生を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、開口部を有する基板と、基板の開口部の周囲の下面にフリップチップ実装され、基板の上面に配設されるレンズにより取り込まれ、開口部から入射される光を受光し、光電変換する固体撮像素子とを備え、基板の開口部の周囲の厚さは、基板の他の部分の厚さより薄く形成されている。本技術は、例えば、カメラ付き携帯電話機に搭載されるカメラモジュールに適用することができる。 （もっと読む）

【課題】 隣接画素間でのクロストークを防止して、混色の発生を防止でき、再生画面上での色再現性の向上に対して有利な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板４０４に、光電変換部及び信号走査回路部を含み単位画素行列を配置して成る撮像領域を具備し、撮像領域は、隣接する単位画素との境界部分に対応して各単位画素を囲むように設けられる素子分離絶縁膜４０８を備え、素子分離絶縁膜は、信号走査回路部が形成される半導体基板の表面から半導体基板中にオフセットされて設けられ且つ半導体基板の裏面に達している。 （もっと読む）