説明

Fターム[4M118GD04]の内容

固体撮像素子 (108,909) | 集光要素 (6,518) | レンズ (5,839) | 配置 (3,826) | 各光電変換素子ごと (2,724)

Fターム[4M118GD04]に分類される特許

201 - 220 / 2,724


【課題】固体撮像装置の画質劣化を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換素子PDを有する画素Pと、画素Pに対応して形成されたカラーフィルタ13と、カラーフィルタ13を介して入射光を光電変換素子PDに集光するマイクロレンズ15と、カラーフィルタ13とマイクロレンズ15との間に形成され、マイクロレンズ15より屈折率が小さい層内レンズ14と、を備える固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 より信頼性の高いCu−Cu接合界面を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置1を、第1の配線18を含む第1半導体部10と、第1半導体部10と貼り合わせて設けられ、第1の配線18と電気的に接合された第2の配線28を含む第2半導体部20とを備える構成とする。さらに、半導体装置1は、酸素に対して水素よりも反応し易い金属材料と酸素とが反応して生成された金属酸化物17bを備える。そして、この金属酸化物17bを、第1の配線18及び第2の配線28の接合界面Sj、並びに、第1の配線18及び第2の配線28の少なくとも一方の内部を含む領域に拡散させた構成とする。 (もっと読む)


【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第1半導体基体31と、第2半導体基体45とを備え、第1半導体基体31の第1主面31A側と、第2半導体基体45の第1主面45A側が接合されている。そして、第1半導体基体31の第1主面31A側、第2半導体基体45の第1主面45A側、第1半導体基体31の第2主面31B側、及び、第2半導体基体45の第2主面45B側から選ばれる少なくとも1つ以上に形成されている反り補正層13,14を備える半導体装置79を構成する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置において、光学的な混色やMgフレアを抑制するとともに、感度を向上させる。
【解決手段】半導体基板に設けられ、フォトダイオードを含む画素が複数配列された画素領域と、半導体基板の一方の板面側に設けられる配線層と、画素領域に配列される複数の画素の各画素に対応して設けられる複数のカラーフィルタに区分されるカラーフィルタ層と、半導体基板とカラーフィルタ層との間にて、互いに隣接する画素間の境界部分に設けられる画素間遮光部と、を備え、複数の画素は、カラーフィルタの色により、互いに隣接する画素として、カラーフィルタの色が互いに異なる異色画素の組み合わせ、およびカラーフィルタの色が互いに同じである同色画素の組み合わせを有し、画素間遮光部は、異色画素の組み合わせにおける前記境界部分に偏在する。 (もっと読む)


【課題】裏面照射型CMOSイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層4をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層4に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層4の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤23を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層4の前記反対面側にアモルファスSi層26を形成する工程と、前記アモルファスSi層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板10の撮像領域21内に設けられ、少なくとも1つの光電変換素子30を含む単位セルと、半導体基板10の黒基準領域29内に設けられ、少なくとも1つの光電変換素子40を含む黒基準セルと、半導体基板10上の絶縁膜71を介して単位セルの上方に設けられるレンズ60と、絶縁膜71を介して黒基準セルの上方に設けられ、表面に凹凸部62を有する第1の遮光膜61と、を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】高温熱処理による不純物拡散を抑制することにより、基板性能に要求されるオーバーフロードレイン機能とゲッタリング能力を向上できて、製造工程も複雑化しない。
【解決手段】シリコン基板1の表面側に、砒素(またはアンチモン)がイオン注入されて高濃度N型層3が形成され、この高濃度N型層3上にエピタキシャル層4がエピタキシャル成長して形成されている。これによって、砒素(As)の拡散係数がリン(P)に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散(プロファイル拡散)を大幅に抑制する。 (もっと読む)


【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板11と、半導体基板11内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部12と、半導体基板11の上側に配置され、受光部12それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部12の上方を受光部12毎に区画する区画層20と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層24と、を備え、区画層20は、区画本体層21と、区画本体層21上に積層された密着層22および金属層23とで構成され、最上位に配された金属層23は、金属から成る。 (もっと読む)


【課題】グローバル電子シャッター機能を備えながら、高い感度および高い画質を有するMOS型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板101、フォトダイオード105、接続ダイオード175、蓄積ダイオード106、オーバーフロードレイン109を有する。フォトダイオード105は、半導体基板101内におけるZ軸方向の上主面側に、当該主面に沿う状態で、且つ、互いの間に間隔をあけた状態で二次元形成されている。蓄積ダイオード106は、半導体基板101内におけるZ軸方向の下主面側に、設けられている。オーバーフロードレイン109も、半導体基板101内におけるZ軸方向の下主面側に、設けられている。フォトダイオード105に接続された接続ダイオード175は、蓄積ダイオード106およびオーバーフロードレイン109の各々に対し、ゲートを介して配されている。 (もっと読む)


【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域50内に設けられ、少なくとも1つの不純物層55を含むフォトダイオード5と、フォトダイオード形成領域50内に設けられ、フォトダイオード5の下方に設けられる空洞59とを、含んでいる。 (もっと読む)


【課題】MOS型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横2画素、縦4×n画素(nは正の整数)のフォトダイオード配列を1共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 (もっと読む)


【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板103と、撮像領域の上に形成された第1の配線層(撮像領域側)105aおよび第2の配線層105bとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードPD、転送トランジスタTG、フローティングディフュージョンFD、リセットトランジスタRS、増幅トランジスタSFが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第2配線層105bにおいて画素の中央部では1本以下である。 (もっと読む)


【課題】複数の受光素子によって単位画素を構成する撮像素子において、2つの画像信号を効率よく読み出せるようにするとともに、読み出し回路を効率良く配置できるようにする。
【解決手段】第1の画像を生成するための第1の受光素子と、第1の画像に対して視差を有する第2の画像を生成するための第2の受光素子とを含む受光素子群と、受光素子群の直上に配置されたマイクロレンズとを単位画素とし、単位画素を二次元に配置した固体撮像素子であって、第1の受光素子からの信号を第1の方向から読み出し、第2の受光素子からの信号を第2の方向から読み出すようにした。 (もっと読む)


【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードPDと、前記画素領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Mのメタルライン(Mは、1より大きい自然数)と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第1のメタルラインないし第Nのメタルライン(Nは、Mより大きい自然数)と、前記画素領域の前記第Mのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも1つのダミーメタルラインDM1,DM2と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズMLとを含むイメージセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】光線クロストークを防止しながら撮像装置の構成を簡素化する。
【解決手段】撮像装置100は、光透過性の基板32と、基板32の第1面321に対向する複数のレンズ44と、基板32の第2面322に形成されて各レンズ44の光軸が通過する開口部36を有する遮光層34と、第2面322に間隔をあけて対向する受光面56をレンズ44の光軸が通過するように配置された複数の受光素子54とを具備する。レンズ44の有効径Dと、開口部36の直径aと、受光面56と遮光層との距離hと、受光面56の直径dと、受光面56とレンズ44の中心との距離sと、各受光素子54のピッチpと、基板32の屈折率nとは、a<(h・D+h・d−s・d)/sおよびtan−1{(p−a/2−d/2)/h}>sin−1(1/n)を満たす。 (もっと読む)


【課題】 撮影画質を低下させることなく、高速な焦点調節を行うこと。
【解決手段】 撮像素子の出力に応じた被写体像のコントラストに基づき、撮像光学系のフォーカシングレンズ群を光軸方向に移動させて焦点調節を行うフォーカシング手段を備えた撮像装置において、撮像素子は、各画素に対応する複数のマイクロレンズを有し、これらマイクロレンズの各位置をそれぞれ光軸方向に異ならせて設け、光軸方向の異なる各位置に複数の結像面を形成し、フォーカシング手段は、撮像素子の複数の結像面に対応する各電気信号に基づいてコントラスト値の高くなるフォーカシングレンズ群の移動方向を判定する。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素2と、画素2に対応して形成されたカラーフィルタ15と、カラーフィルタ15を介して入射光を光電変換部PDに集光するマイクロレンズ16と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ16側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第1遮光部17と、マイクロレンズ16側の第1の端面と該第1の端面と対向する第2の端面とを有し、画素2の表面から第1の端面までの距離が、第1遮光部17より短く、画素領域の角部に形成された第2遮光部18と、を備える固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】製造コストの低減を図ることができる。
【解決手段】シリコンウェハ31の上面側の内部にメタルパッド32が形成され、シリコンウェハ31の上面にガラスシール材33が積層され、メタルパッド32がシリコンウェハ31の上面に露出するようにシリコンウェハ31およびガラスシール材33に加工された開口部にストッパ層34が形成される。そして、シリコンウェハ31の下面からストッパ層34まで開口するように縦孔35が形成され、縦孔35の先端部においてストッパ層34を介してメタルパッド32に電気的に接続され、シリコンウェハ31の下面まで延在するようにメタルシード層37が形成される。本発明は、例えば、固体撮像装置に適用できる。 (もっと読む)


【課題】被検体以外に起因する外部からの不要光の影響を受けることなく、良質の生体画像情報を得ることができると共に、製造歩留まりを向上させることができる低コストの撮像装置を提供する。
【解決手段】2次元配列された複数の集光レンズ32と、複数の集光レンズ32のそれぞれに対応して2次元配列された複数の画素PX(受光素子)とを備えた撮像装置150である。複数の集光レンズ32を、透明基板31の、複数の画素PX(受光素子)側と反対側の面上に形成する。透明基板31の、複数の集光レンズ32が形成された面上の、集光レンズ領域外に、集光レンズ32を通過せずに透明基板31の内部に入射した光を画素PX(受光素子)に到達させることなく除去するプリズム33を設ける。 (もっと読む)


【課題】アルカリ現像によって、赤外領域における遮光性が高く、耐久性(冷熱衝撃耐性や、基板に対する密着性など)に優れるとともに、所望の矩形形状を有するパターンを高感度で形成可能な固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法を提供する。
【解決手段】 (A)赤外線遮蔽材、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、
(C)酸の作用により架橋反応を示す化合物、及び、(D)バインダー樹脂を含有する固体撮像素子用硬化性組成物、並びに、これを用いた感光層、永久パターン、ウエハレベルレンズ、固体撮像素子、及び、パターン形成方法。 (もっと読む)


201 - 220 / 2,724