電子デバイスは、第１の基板及び第２の基板を備える。第１の基板は、第１の基板の少なくとも一部を介して相互に少なくとも実質的に平行な複数の導電性トレースを含む回路を備える。複数のボンドパッドは、第１の基板の表面上に配置されるとともに、複数の導電性トレースの少なくとも２つの上に延在する幅を持つ。複数のビアは、少なくともいくつかの導電性トレースの隣接部から複数のボンドパッドまで延在する。第２の基板は、第１の基板に結合されるとともに、複数の導電性バンプを有する第１の基板上の複数のボンドパッドに接続される回路を備える。更に、メモリデバイスと、電子デバイス及びメモリデバイスを形成する関連方法とが開示され、同様に電子システムも開示されている。 （もっと読む）

磁気トンネル接合セルとも称される、磁気スピントルクメモリセルは、関連した強磁性層についての、ウェハ平面に垂直に揃えられた、または「面外」の磁気異方性（すなわち、ゼロ磁場およびゼロ電流における磁化方向）を有する。メモリまたは磁気接合セルは、強磁性自由層と、第１の固定基準層と、第２の固定基準層を有し、各々は、基板に対して垂直な磁気異方性を有する。自由層は、スピントルクによって、第１の方向から反対の第２の方向へ切換可能な、基板に垂直な磁化方向を有する。
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多状態スピン注入磁気ランダムアクセスメモリ（ＳＴＴＭＲＡＭ）は、膜上に形成され、第１の固定層と、第１のサブ磁気トンネル接合（サブＭＴＪ）層と、第１の遊離層とを有する第１の磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を含む。第１の固定層および第１の遊離層はそれぞれ、第１の磁気異方性を有する。ＳＴＴＭＲＡＭは、第１のＭＴＪ層の上面に形成される非磁性間隔層と、非磁性間隔層の上面に形成される第２のＭＴＪ層とをさらに含む。第２のＭＴＪ層は、第２の固定層と、第２のサブＭＴＪ層と、第２の遊離層とを有する。第２の固定および第２の遊離層はそれぞれ、第２の磁気異方性を有し、第１または第２の磁気異方性のうちの少なくとも１つは、膜の平面と垂直である。
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【課題】磁気抵抗効果素子の信頼性の向上と素子の微細化を両立する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気抵抗効果素子は、下部電極２０上に設けられる第１の強磁性層１１と、強磁性層１１上に設けられるトンネルバリア層１２と、トンネルバリア層１２上に設けられる第２の強磁性層１３と、強磁性層１３上に設けられる上部電極２１と、具備し、上部電極２１は六角形状の断面形状を有し、上部電極２１の最大寸法Ｗａが、トンネルバリア層１２の寸法Ｗｃよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】パターンの合わせずれを抑制する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリの製造方法は、下部電極９上に磁気抵抗効果素子の磁性材１０を形成する工程と、磁性材上に上部電極１４を形成する工程と、上部電極上にナノインプリントリソグラフィ用のレジストを塗布する工程と、磁気抵抗効果素子及び下部電極の第１のパターンが作り込まれた第１のテンプレート２０又は磁気抵抗効果素子及び上部電極の第２のパターンが作り込まれた第２のテンプレートをレジストに接触させて硬化させることで、レジストに第１のパターン又は第２のパターンを形成する工程と、第１のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び下部電極を一括でパターニングする、又は、第２のパターンを有するレジストを用いて磁性材及び上部電極を一括でパターニングする工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを有する半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１を覆う層間絶縁膜ＩＬと、複数のメモリセルとを有する半導体装置であって、複数のメモリセルは、層間絶縁膜ＩＬ内に配置された記憶素子部ｍｒ１と、記憶素子部ｍｒ１に電気的に接続するようにして配置された下部電極ＢＥおよび上部電極ＴＥとを有する。下部電極ＢＥと上部電極ＴＥとは層間絶縁膜ＩＬ内において互いに交差するようにして配置され、その交差部に挟まれるようにして記憶素子部ｍｒ１が配置されている。記憶素子部ｍｒ１は、磁気抵抗メモリ、相変化メモリ、または、抵抗変化メモリからなる。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ装置のメモリセルを縮小化する。
【解決手段】ＭＴＪ素子と選択トランジスタとが直列接続された１Ｔ１ＭＴＪメモリセルでは、ＭＴＪ素子に流す電流の向きによって選択トランジスタの電流駆動能力が異なることに鑑み、電流駆動能力の低い方でＭＴＪ素子に流される書き込み電流が、電流駆動能力の高い方でＭＴＪ素子に流される書き込み電流より小さくなるように、ＭＴＪ素子の特性を調整することで、より小さなサイズの選択トランジスタが使用できるようにする。 （もっと読む）

【課題】コストを抑えた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ、ビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉと交差するワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉ、及びビット線ＢＬ０ｉ〜ＢＬ２ｉ及びワード線ＷＬ０ｉ、ＷＬ１ｉの交差部で両配線間に接続されたメモリセルＭＣ０〜ＭＣ３を有する単位セルアレイＭＡＴ００を備える。さらに、不揮発性半導体記憶装置は、第１位置に設けられたビット線ＢＬ０ｉの側部に接し、第１位置よりも上方の第２位置に設けられたビット線ＢＬ１ｉまで積層方向に延びるコンタクトプラグＣＬ１〜ＣＬ３と、第１位置と第２位置の間の第３位置に設けられたワード線ＷＬ０ｉの側部に接し、第２位置よりも上方の第４位置に設けられたワード線ＷＬ１ｉまで積層方向に延びるコンタクトプラグＣＬ５、ＣＬ６とを備える。 （もっと読む）

【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高集積の磁気抵抗メモリ素子に必要な選択トランジスタの電流駆動能力をフローティングボディー効果によって向上させた磁気抵抗メモリセル、これを含む磁気抵抗メモリ素子及びその動作方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗メモリセルは、磁気トンネル接合素子及び選択トランジスタを含む磁気抵抗メモリセルであり、選択トランジスタは、第１導電型の半導体層１０１；半導体層１０１上にゲート絶縁膜２２を介して形成されたゲート電極２０；半導体層１０１内に相互離隔して形成され、第２導電型を持つ第１及び第２拡散領域４０；を含む。ここで、第１及び第２拡散領域４０の間の半導体層１０１の一部が電気的にフローティングされたボディー領域１０３に形成される。本発明によれば、フローティングボディー効果を利用した高性能の選択トランジスタを適用することで、磁気抵抗メモリ素子の高集積化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気トラック、磁気トラックを備える情報保存装置及び該情報保存装置の動作方法を提供する。
【解決手段】開示された磁気トラックは相異なる長さの第１及び第２磁区領域を備える。該第１及び第２磁区領域で磁壁移動速度は相異なりうる。該第１及び第２磁区領域のうち長さの長い領域は、情報の記録／再生領域でありうる。第１磁区領域での磁壁移動速度は、第２磁区領域での磁壁移動速度より速い。第１磁区領域の長さｌ１、前記第２磁区領域の長さｌ２、第１磁区領域での磁壁移動速度Ｖ１及び第２磁区領域での磁壁移動速度Ｖ２は、Ｖ１＝（ｌ１／ｌ２）×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルク書き込み方式の不揮発性磁気メモリにおいて書き込み電流を増加させることなく、読み出しによる誤書込みを低減する。
【解決手段】強磁性記録層にフェリ磁性体を含むトンネル磁気抵抗効果素子をメモリセルに適用する。読み出し動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び異方性磁界を大きくすることで読み出しによる誤書き込みを低減する。書き込み動作時には強磁性記録層のダンピング定数及び磁化を小さくすることで書き込み電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する。
【解決手段】抵抗変化型のメモリセルＭＣと、複数のパルスからなる書き込みパルス（電流値：Ｉ_z）と、書き込みパルスのパルス間レベルを規定するオフセットパルス（電流値Ｉ_z0）との合成パルスを発生し、発生した合成パルスをメモリセルＭＣに書き込み時に与える駆動回路と、を有する。 （もっと読む）

【課題】準安定状態への遷移確率を減らし、注入電流の広い範囲にわたって安定な磁化反転を実現する、スピントランスファ効果を利用してデータの書き込みを行う抵抗変化型メモリデバイスを提供する。
【解決手段】抵抗変化型のメモリセルＭＣ内に、記憶層磁化５３の向きが反転可能な記憶層１６を含み接続プラグ３１上に形成された磁性層１２,１４,１６を含むトンネル磁気抵抗効果素子１の積層体を有し、積層体の各層の中心を結ぶ線が、当該積層体が形成された接続プラグ３１の上面と垂直な方向から斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】大気中でも安定した複合材を容易に得ることができる複合材の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１上に、複数の表面酸化微粒子２を堆積する。表面酸化微粒子２の直径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度である。表面酸化微粒子２は、グラファイト層を形成する際の触媒として機能し得るコバルト等の強磁性体金属微粒子とこの表面を覆う酸化膜から構成されている。次いで、炉内に基体１及び表面酸化微粒子２を挿入し、炉内を高真空にして基体１を５１０℃程度まで昇温する。この結果、基体１及び表面酸化微粒子２に付着していた異物等が除去される。その後、炉内の雰囲気を炭化水素系ガス雰囲気にする。この結果、表面酸化微粒子２の表面に存在した酸化膜が還元され、更に、強磁性体金属微粒子の表面にグラファイトが析出し、グラファイト被覆微粒子３が強磁性体複合微粒子として得られる。 （もっと読む）

スピントルクランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）に適用可能な、磁気データ記憶セルが開示される。磁気セルは、第１および第２の固定磁気層と、固定磁気層間に配置されや自由磁気層とを含む。磁気セルは、スピン偏極電流を磁気層に供給するように構成された端子をさらに含む。第１の固定磁気層は、自由磁気層の容易軸と実質的に平行である磁化方向を有し、第２の固定磁気層は、自由磁気層の容易軸と実質的に直交する磁化方向を有する。二重固定磁気層は、自由磁気層への書込みにおけるスピントルクを強化し、それによって、必要とされる電流を低減するとともに磁気データ記憶セルのフィーチャーサイズを低減し、磁気スピントルクデータ記憶装置のデータ記憶密度を増加する。
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【課題】アレイ面積を増大させることなく高速アクセスをすることのできる磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリセルアレイ領域内において、ソース不純物領域（３０ａ，３０ｂ）とドレイン不純物領域（３１ａ−３１ｄ）の間に直線的にゲートワード線（３２ａ−３２ｄ）を配置する。メモリセル形成領域（２０）の境界領域においてゲートワード線突出部（３３ａ−３３ｄ）を設けるとともに、このゲートワード線突出部に対するコンタクトを、隣接列のメモリセルの境界領域において設ける。この突出部が配置される領域においてドレイン不純物領域の間隔は、大きくなるようにドレイン不純物領域がメモリセル形成領域中心部よりずれて配置される。 （もっと読む）

【課題】ユニットセルの選択用のワードラインとは別個に磁気抵抗素子の書き込み用のワードラインを設けることなく、選択トランジスタ上に磁気抵抗素子が積層された半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不純物層１２、チャネル層１３および不純物層１６を支柱状に半導体基板１１上に順次積層し、チャネル層１３の周囲を取り巻くようにゲート絶縁膜１４を介してゲート電極１５を配置することで選択トランジスタ３１を構成し、磁性層１７、非磁性層１８および磁性層１９を不純物層１６上に順次積層することで、選択トランジスタ３１上にスピン注入磁化反転素子３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】多値記録ができかつ熱的安定性の良い磁気メモリを提供することを可能にする。
【解決手段】第１強磁性層２と、第１強磁性層上に形成される第１非磁性層４と、第１非磁性層上に形成される第２強磁性層６と、第２強磁性層上に形成される第２非磁性層８と、第２非磁性層上に形成される第３強磁性層１０と、を有するメモリセル１を備え、第１および第３強磁性層はそれぞれ膜面に略垂直な磁化容易軸を有し、第２強磁性層は第１および第３強磁性層に比べて保磁力が小さくかつ磁化容易軸が膜面に垂直な方向に対して０度より大きく９０度以下の角度をなして傾いている。 （もっと読む）