【課題】室温でのシリコンチャンネル層におけるスピンの注入を可能とするスピン注入電極構造、スピン伝導素子又はスピン伝導デバイスの提供。
【解決手段】スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 （もっと読む）

【課題】単純な構造を有し、セル単位で、書き込み、消去を行うことができる不揮発性メモリ装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜上にマトリクス状（格子状）に配置された複数の強磁性体４_３を備え、この強磁性体のそれぞれの上面および側面を覆うようにトンネル絶縁膜が設けられ、前記強磁性体の各行に対して、前記トンネル絶縁膜を介して、これを直列接続するように、第一の方向に磁化した複数の第一のハーフメタル強磁性体２_３が、強磁性体間、及び、その端部に、設けられ、前記強磁性体の各列の上部に、前記第一の方向に略反平行な方向に磁化した、第二のハーフメタル強磁性体の複数の列８_３が、前記トンネル絶縁膜を介して、列方向に延在して設けらる。前記第二のハーフメタル強磁性体列のそれぞれには、前記第一の方向に磁化した磁区１０_３が設けられ、前記第二のハーフメタル強磁性体に設けられた磁区を移動させるための電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動素子の微細化を促進すること。
【解決手段】磁壁移動素子は、磁気記録層を備える。磁気記録層は、第１磁化固定領域と、第２磁化固定領域と、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域との間に挟まれた磁化自由領域と、を含む。磁壁移動素子は更に、第１構造体、第２構造体、及び磁気トンネル接合を備える。第１構造体は、第１磁化固定領域と磁気的に結合し第１磁化固定領域の磁化方向を固定する第１磁性体を備える。第２構造体は、第２磁化固定領域と磁気的に結合し第２磁化固定領域の磁化方向を固定する第２磁性体を備える。磁気トンネル接合は、第１構造体と第２構造体とによって挟まれ、第１構造体及び第２構造体に接触し、磁化自由領域の少なくとも一部を備える。 （もっと読む）

【課題】従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜及びその製造方法と、それを用いた磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリを提供する。
【解決手段】ＴｉＯ_２粒子を混入させた原料溶液を基板２の表面に塗布して、ＴｉＯ_２粒子層を当該基板２の表面に形成し、水素雰囲気下において焼成処理することにより、基板２の表面に酸化チタン薄膜３を形成する。これにより、温度が約４６０Ｋ付近において非磁性半導体と常磁性金属とに相転移する従来におけるバルク体とは異なり、室温で相転移せずに、全ての温度領域において、Ｔｉ_３Ｏ_５粒子本体が常磁性金属の特性を常に維持することができるという従来にない新規な物性を発現し得る酸化チタン薄膜３を提供できる。 （もっと読む）

【課題】外部磁場がチャンネルに侵入することに起因するノイズやエラーを抑制することが可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１は、第一強磁性体１２Ａと、第二強磁性体１２Ｂと、第一強磁性体１２Ａから第二強磁性体１２Ｂまで延びるチャンネル７と、チャンネル７を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル７と磁気シールドＳ１との間に設けられた絶縁膜と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】書込み電流を低減しつつ、信頼性の高い磁気抵抗記憶素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗記憶素子は、読出し構造体と、読み出し構造体の近傍に設けられた書込み構造体とを具備する。読み出し構造体は、磁化方向が変化する第１のフリー層と、磁化方向が固定された磁化固定層と、第１のフリー層と磁化固定層との間に設けられたトンネル絶縁層とを備える。書込み構造体は、磁化方向が変化する第２のフリー層を備える。第２のフリー層は、第２のフリー層の膜の上面に設けられ、第１方向に磁化が固定された第１の磁化固定領域と、膜の下面に設けられ、第２方向に磁化方向が固定された第２の磁化固定領域とを含む。膜の膜面方向に磁壁が存在する。第１のフリー層と第２のフリー層とは静磁結合している。 （もっと読む）

【課題】 既に市場で大量に生産されているＭ（マグネトプラムバイト）型フェライト磁石により、外部磁場で電流を誘起でき、外部磁場で電気分極の強度や方向を制御でき、また、外部電場で誘起した磁化の強度や方向を制御でき、且つ、室温の動作環境温度において動作可能なマルチフェロイックス素子を提供する。
【解決手段】 Ｍ（マグネトプラムバイト）型フェライトからなる強誘電性と強磁性を合わせもつマルチフェロイックス固体材料で、室温の動作環境温度において外部磁場を作用させることにより電流を誘起する。例えば、マルチフェロイックス素子は、ＢａＦｅ_12-x-δＳｃ_x Ｍｇ_δＯ₁₉（δ＝０．０５）結晶材料のＳｃ濃度ｘが１．６から２であるマルチフェロイックス固体材料１とそれを挟むように形成される金属電極２とからなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置され、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】データ保持安定に優れ、かつ低電流で動作するメモリセル及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】メモリセルは、磁壁が移動する磁壁移動層と、磁壁移動層の両端部の各々に接続し、両端部のいずれかの近傍で磁壁をトラップする磁化固定層とを具備する。磁壁の移動に伴う磁壁移動層の磁化の向きのスイッチングで情報を記録する。磁化固定層は、磁化固定層に印加する電流又は電圧により磁化、磁気異方性、及び交換結合の少なくとも一つが変化する磁性膜である。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 対向する第１端面及び第２端面を有し、正孔と電子とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、ホール係数がゼロである非磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面に設けられ、スピン偏極された正孔をスピン流生成領域３０に注入する強磁性体からなる第１主電極２０と、第２端面に設けられ、電子をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。ローレンツ力により、正孔と電子とを同一方向に輸送されるようにして、正孔と電子の電荷を互いに相殺してスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】
半導体上に強磁性体が形成された不揮発性光メモリ素子において、光により該強磁性体の磁化を読み出す場合に、該強磁性体の容積サイズが小さくなると磁気光学的応答が非常に小さくなるという問題があったので、不揮発性光メモリ素子の読み出しに有効なメモリ素子とメモリデバイス及び読み出し方法を提供する。
【解決手段】
光導波路に接続される半導体上に強磁性体が形成された構造の不揮発性光メモリ素子において、該強磁性体を経由して半導体に電子を注入することで、該強磁性体の磁化方向に応じてスピン偏極した電子が注入され、光磁気効果の効果的な領域を拡大することができる。該不揮発性光メモリ素子に電気パルスと光パルスを印加することにより、強磁性体に磁化方向により記録されているデータを効果的に読み出す。 （もっと読む）

【課題】 磁性体に対し、小さい電流密度のパルス電流を印加することで、発熱を抑えつつ確実に磁化反転を引き起こすことができる磁化状態制御方法を提供する。
【解決手段】 形状磁気異方性が生じている線状磁性体の長手方向に垂直な方向の成分の磁気異方性を与えて線状磁性体内部の異方性状態を変質させ、次いで、異方性状態が変質された線状磁性体の長手方向に沿って記憶させようとする正逆いずれかの向きの磁場を印加するとともにパルス電流を印加して磁化状態を制御する。 （もっと読む）

マルチフェロイック薄膜材料の製造方法。その方法は、マルチフェロイック前駆体溶液を提供する工程、その前駆体溶液をスピンキャスティングしてスピンキャスト膜を製造する工程、およびそのスピンキャスト膜を加熱する工程を有する。前駆体溶液は、ビスマスフェライト膜を製造するために、エチレングリコール中にＢｉ（ＮＯ３）３ｏ５Ｈ２ＯおよびＦｅ（ＮＯ３）３ｏ９Ｈ２Ｏを含有していてもよい。さらに、薄膜は、情報保存のための記憶デバイスを含む様々な技術分野において利用されうる。 （もっと読む）

本発明による磁気電気素子は、強磁性材料から成る少なくとも一つの縦長の動作構造であって、それに沿って磁壁が移動できる動作構造と、この動作構造に電流を印加する手段と、動作構造から出る磁場のための少なくとも一つの磁場センサーとを有する。本発明では、動作構造は、その中心での磁壁の横磁化方向が磁壁の移動方向に対して垂直な面内に有利な方向を持たない磁壁及び／又は質量を持たない磁壁を作り出せるように構成される。そのような移動する磁壁の運動エネルギーが消滅することを発見した。従って、この磁壁は、ウォーカー限界にも、本質的なピニングにも支配されない。そのため、本素子は、情報を速く読み出し、記録し、或いは処理し、最終的に出力できる。本発明は、強磁性材料の非断熱スピントランスファーパラメータβの測定方法にも関する。本方法は、この発見した現象の詳細な研究に基づき開発された。
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【課題】正確に情報を識別することができる磁気記憶素子を提供する。
【解決手段】磁気記憶素子の一具体例は、基礎面３１上で延びるアモルファス磁性材層３２、および、このアモルファス磁性材層３２上に積層される強磁性材層３３で形成される導電性の磁性細線１８を備える。磁性細線１８上に導電性の自由磁化層３５は配置される。自由磁化層３５上に絶縁性のトンネルバリア層３６は配置される。トンネルバリア層３６上に導電性の固定磁化層３８は配置される。 （もっと読む）

本発明は、渦状態の平面磁気セル（４）のネットワークを含む磁気記憶装置（１）であって、各セルの渦コアが、反対方向でありかつセル（４）面に垂直な第１と第２の平衡位置のいずれかの磁化を有し、２つの位置のそれぞれが２進情報を表す、磁気記憶装置（１）に関する。装置（１）は、セルに格納される２進情報を書き込む手段（５、８ａ、８ｂ、３）であって、各セル（４）の近傍で前記セル（４）面にほぼ垂直な第１のバイアス静磁場と前記セル（４）にほぼ平行な直線偏波無線周波数磁場とを選択的に印加する手段を含む書き込み手段（５、８ａ、８ｂ、３）を含む。説明の装置はまた、点接触（７）により渦コアの周囲の領域を介し電流線を導くことにより、２つの交差する電極（６）と（９）間の選択的輸送測定を使用して、好ましくは共振的に極性を読み取る手段を含む。
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【課題】磁壁移動素子の磁化状態の初期化を、簡易に且つ確実に実施すること。
【解決手段】磁壁移動素子は、磁壁移動層、第１磁化固定層、及び第２磁化固定層を備える。磁壁移動層は、第１領域と第２領域との間に磁壁を有する。第１磁化固定層は、磁壁移動層の第１領域の磁化方向を第１方向に固定し、第２磁化固定層は、磁壁移動層の第２領域の磁化方向を第１方向と逆の第２方向に固定する。第１磁化固定層は、奇数層の磁性体層が順番に反強磁性結合した積層構造を含み、その端部の磁性体層が上記第１領域と接触する。第２磁化固定層は、偶数層の磁性体層が順番に反強磁性結合した積層構造を含み、その端部の磁性体層が上記第２領域と接触する。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】情報保存装置及びその動作方法に係り、該情報保存装置は、バッファトラック及びこれに連結された複数の保存トラックを含む磁性構造体；磁性構造体に備わった書込み／読取りユニット；バッファトラック、複数の保存トラック及び書込み／読取りユニットにそれぞれ連結された複数のスイッチング素子を含む。該バッファトラックと複数の保存トラックとに連結されたスイッチング素子は、同じ信号ラインに連結されうる。該磁性構造体と書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに電流を印加するための回路部がさらに備わりうる。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子のＭＲ比を向上させること。
【解決手段】ＭＴＪ素子（１）は、第１磁性層（１０）と、第２磁性層（２０）と、第１磁性層（１０）と第２磁性層（２０）との間に位置するトンネルバリア層（３０）と、ハーフメタル材料で形成された第１ハーフメタル層（４０）と、を備える。第１ハーフメタル層（４０）は、第１磁性層（１０）とトンネルバリア層（３０）との間に介在し、トンネルバリア層（３０）と接触し、第１磁性層（１０）と磁気的に結合する。 （もっと読む）

【課題】電流誘起磁壁移動現象を書き込み方法に採用したＭＲＡＭにおいて、磁壁移動の起こる磁性層に容易に磁壁を導入可能とする。
【解決手段】磁気メモリ素子７０は、磁化自由層１０と非磁性層２０とリファレンス層３０と磁化固定層群４０と導電層５０とを具備する。磁化自由層１０は、垂直磁気異方性を有する強磁性体により構成され、第１磁化固定領域１１ａと、第２磁化固定領域１１ｂと、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とに隣接した磁化自由領域１２とを備える。第１磁化固定領域１１ａ及び第２磁化固定領域１１ｂは、互いに反平行方向に固定された磁化を有する。磁化固定層群４０は、第１磁化固定領域１１ａと磁気的に結合した第１磁化固定層群４０ａと、第２磁化固定領域１１ｂと磁気的に結合した第２磁化固定層群４０ｂとを備える。導電層５０は、第１磁化固定層群４０ａに隣接する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型の磁気記憶装置に使用する磁気細線の製造時に、磁気細線のフリー層とバリア層の境界部に発生するラフネスを低減して読出し素子の出力を増大する。
【解決手段】強磁性材料からなるデータ記録用の磁気細線１に、データ読出部と、データ書込部を配置した磁気記憶デバイスを製造する際に、シード層１１、ホウ素を添加したフリー層１２、バリア層１３、及びピンド層１４をこの順に積層し、この状態で熱処理を行ってフリー層１２に添加されたホウ素を拡散除去することによって磁気細線１を形成し、形成した磁気細線１の上にデータ読出部とデータ書込部を形成して磁気記憶デバイスを製造する方法である。このデバイスを複数個並列に接続すれば磁気記憶装置となる。 （もっと読む）