【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁体層と、前記絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と、前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層と、前記絶縁体層の側面に不連続に形成され、前記第２の強磁性体層と前記磁性バイアス層との間に介在せず、強磁性体からなり、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子が提供される。絶縁体層を挟んで積層された第１及び第２の強磁性体層と前記第２の強磁性体層と積層された磁性バイアス層とを形成する工程と、前記絶縁体層の側面に強磁性体を不連続に形成して前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とを電気的に接続する接続部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】メモリセルをプログラムするための所要電力を低減すると共に、メモリセルをプログラムするために用いられる回路の寸法、コストおよび動作コストの低減をはかったスピングラスメモリセルを提供する。
【解決手段】スピングラスメモリセル２００ａは、第１電極２０２、第２電極２０６、および、スピングラス材料２０４を含み、上記スピングラス材料は、上記第１電極と上記第２電極との間に結合されている。 （もっと読む）

【課題】負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層１３を挟む配置に磁性層１２、１４ａが形成されたトンネル磁気抵抗効果膜３０であって、前記トンネルバリア層１３の一方の側の磁性層１２がFeN層であることを特徴とする。前記トンネルバリア層１３を挟む他方の側の磁性層１４ａは、磁化の向きが固定された固定磁性層として設けられている。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁移動を利用した情報記録媒体において、磁化方向を有する磁区を含んで第１方向に形成された磁性層と、磁性層の下面に形成された軟磁性層と、を備える磁壁移動を利用した情報記録媒体である。これにより、磁性層の屈曲領域での磁壁を容易に移動させうる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込み用磁性層と、書き込み用磁性層上に形成されたものであって、連結用磁性層と情報記憶用磁性層とが順次に積層された積層構造物と、情報記憶用磁性層に記憶された情報を読み取るための読み取り手段と、を備えることを特徴とする磁壁移動を利用した情報記憶装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁壁を有する書き込みトラックと、書き込みトラックと連結され、磁壁を有する保存トラックと、保存トラックに記録されたデータを読み取るための読み取り手段とを備え、書き込みトラックと保存トラックとの間の連結部の幅は、書き込みトラックから保存トラックの方に行くほど狭くなることを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】高い磁気抵抗効果が得られるポイントコンタクトを有する磁気抵抗効果素子及びその製造方法、磁気メモリ、磁気ヘッド並びに磁気記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁性の下地と、前記下地の主面上に設けられた第１の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と離間して設けられた第２の強磁性体層と、前記下地の前記主面上において前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層とに接してこれらの間に設けられた接続部であって、強磁性体からなる第１の結晶粒と強磁性体からなる第２の結晶粒とを有し、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間を流れる電流の経路のうちの最も狭い部分は、前記第１の結晶粒と第２の結晶粒との結晶粒界である、接続部と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】交互する第一および第二強磁性材料層を包含する記憶素子を提供する。
【解決手段】第一強磁性材料層の各々は、第一層厚（Ｌ_１）と第一限界電流密度（ＪＣ_１）とを有し、第二強磁性材料層の各々は、第二層厚（Ｌ_２）と第二限界電流密度（ＪＣ_２）とを有し、ＪＣ_１＜ＪＣ_２であり、Ｌ_１は約３００ｎｍよりも大きく、Ｌ_２は約２０ｎｍから約２００ｎｍの範囲にある。該素子は、交互する、磁壁で隔てられた相反対方向の磁区を含む。これら磁区および磁壁は、駆動電流を印加することにより、第一および第二強磁性材料層に亘って移動させることができる。これを利用し、データを、磁区および磁壁の位置として記憶素子中に格納することができる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報記憶装置、その製造方法及びその動作方法を提供する。
【解決手段】磁性物質で形成され、磁区を有する記憶トラック及び記憶トラックにデータを記録するための書き込み手段を備える磁壁移動を利用した情報記憶装置において、書き込み手段が、第１磁性層と、第１磁性層の一部分を覆うように形成されたものであって、第１磁性層よりも磁気異方性エネルギーが低い第２磁性層と、を備える情報記憶装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成され、多数の磁区を有する磁性層及び磁性層に磁壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える情報保存装置であって、磁性層は、基板と平行に形成され、磁性層に基板と垂直な多数のトレンチが形成され、磁性層の下面は、トレンチと対応する位置で磁性層の下方に突出したことを特徴とする情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】強磁性から常磁性への転移が必要とされる、強磁性体を用いたデバイスを小型化することが可能な磁性制御方法を提供する。
【解決手段】強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる方法であって、光照射又は電界印加により強磁性半導体１１０に強磁性半導体１１０のバンドギャップエネルギー以上のエネルギーを与えて強磁性半導体１１０内に伝導電子を発生させ、該伝導電子により強磁性半導体１１０における強磁性を担うイオンの価数を変化させて強磁性半導体１１０の強磁性を常磁性に転移させる。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されて複数の磁区を持つ磁性層及びその磁性層に磁区壁移動のためのエネルギーを印加する手段を備える半導体装置であって、前記磁性層は基板と平行に形成され、磁性層の長手方向に沿って交互に配置される突出部及び陥没部を持つことを特徴とする磁区壁移動を利用した半導体装置。この磁区壁移動を利用した半導体装置では、磁性層が凸凹の形態を持って磁区壁のビット単位移動の安定性が確保される。 （もっと読む）

【課題】磁性細線中に現れる磁壁の磁気モーメント（磁化）を利用した強磁性細線素子を提供する。
【解決手段】磁壁中心部での磁気モーメントが細線の長軸方向に対して直角方向を向いた磁壁を内部に有する強磁性細線を用いる。反強磁性体などの磁壁固定手段を用いることにより磁壁が細線内を移動しないように該磁壁を固定しつつ直流電流を供給すると、磁壁は移動することなくその磁気モーメントが回転する。これにより、磁気モーメントの回転をTMR素子などで検出することが可能となる。この強磁性細線素子の構成を用いてマイクロ波発振器や磁気メモリを直ちに得ることも可能である。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した記録装置を提供する。
【解決手段】磁区壁移動を利用したメモリ装置において、磁性物質からなり、磁壁を含み、第１方向に形成された書き込み用トラック６１と、第１トラック上に形成された中間層６２と、中間層上に第２方向に形成され、磁性物質からなり、磁壁を含む情報保存用トラック６３と、を備える磁区壁移動を利用したメモリ装置である。 （もっと読む）

【課題】大容量メモリを実現する。
【解決手段】磁気記憶装置は、磁壁１２で区切られた磁区１１からなる複数のセルで構成され、このセル毎に情報が記録された磁性配線１０と、この磁性配線の一端部に配置された書き込み用素子２０と、磁性配線の他端部に配置された読み出し用素子３０とを具備する。書き込み動作時には、金属配線からなる書き込み用素子に書き込み電流Ｉｗを流し、この書き込み電流Ｉｗにより発生する磁場を磁性配線１０の一端部に位置するターゲットセル（書き込みたいアドレスのセル）ＴＣ−ｗに印加する。読み出し用素子３０はＭＴＪ素子（磁気抵抗効果素子）からなる。 （もっと読む）

【課題】磁区壁の移動を利用した情報保存装置を提供する。
【解決手段】磁区壁の移動を利用した情報保存装置において、磁化方向を有する磁区が形成された書き込みトラックと、書き込みトラック上に形成され、中間層及び情報保存トラックを備えるカラム構造体と、を備える磁区壁の移動を利用した情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】高ＭＲ変化率が得られ、高密度化への対応が期待できる磁気抵抗効果素子、ならびにこれを用いた磁気ヘッド、磁気記録再生装置および磁気ランダムアクセスメモリーを提供する。
【解決手段】磁化方向が固着された第１の磁性層と、磁化方向が固着された第２の磁性層と、前記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられた中間層と、前記第１の磁性層、前記中間層および前記第２の磁性層を含む積層膜の膜面垂直に電流を通電する電極とを有し、前記中間層が絶縁体領域とFe,Co,Ni,Crの少なくともひとつを含む金属領域からなり、前記金属領域は前記第１および第２の磁性層と接触するようにして磁気抵抗効果素子を作製する。 （もっと読む）

【課題】磁壁の移動を利用した半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の磁区を有する磁性ワイヤーを備える半導体装置において、磁性ワイヤーは、パルス磁場及びパルス電流のうち何れか一つにより移動する磁壁を備えてノッチフリーであることを特徴とする半導体装置である。これにより、該半導体装置の磁性ワイヤーは、パルス磁場またはパルス電流の強度及び幅によって移動距離が制御される磁壁を備えるので、磁壁の移動の制御のための別途のノッチが不要である。 （もっと読む）

【課題】記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】所定の間隔で段差１５′が形成された線状の記録層２２であって、段差が形成された領域が磁壁３０の移動を規制する規制領域３２となり、規制領域間の領域が記録ビット３４となる記録層２２を有している。記録層に所定の間隔で段差が形成されており、かかる段差が形成された箇所が磁壁の移動を規制する規制領域となるため、記録層の幅を狭くした場合であっても、磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】
新規な磁壁ピニング構造を有する磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】
磁気記憶装置は、多数の磁区形成領域が磁壁形成領域によって分離された磁性材料細線を有する磁気記憶装置であって、前記磁区形成領域と前記磁壁形成領域とは異なる磁気的物性を有する。 （もっと読む）