【課題】複数の出力電圧のバラつきを低減可能なスピン流回路を提供する。
【解決手段】スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子ＳＩＥと、第1スピン注入素子ＳＩＥにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層５Ａと、チャンネル層５Ａ上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層４，６と、チャンネル層５Ａとそれぞれの磁化自由層４，６との間に介在するトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃとを備えている。それぞれの磁化自由層４，６とチャンネル層５Ａの間の電圧が、それぞれ検出される。各フリー層４，６とチャンネル層５Ａとの間にトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃを介在させておくことで、各フリー層４，６とチャンネル層１９Ｂ，１９Ｃとの間の出力電圧のバラつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】電界によって分極と磁化を誘起し、その強度と方向を制御できるメモリ素子を提供する。
【解決手段】メモリ素子において、マルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、上下の金属電極２，２′に電界を印加するように配置し、上下の金属電極２，２′間に誘起される電荷、磁化を利用する。データの書き込みは、特定の選択されたビット線４とワード線５の間に印加する電圧による電界で分極を発生させることにより実現する。データの読み出しは、保持されている電気分極に起因する電圧強度で０もしくは１を判定すればよい。データの消去は、そのメモリセル３へ印加する電圧の符号を先に印加した電圧と反転させ、一定の強度を与えればよい。一方、分極発生すると同時に磁化６が発生する。この磁化６は磁界７をメモリセル３の外部に及ぼす。このことからメモリセル３の情報に相応した磁界を発生し得るアクティブ型メモリ素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性構造体、磁性構造体の形成方法、磁性構造体を含む情報記録装置、及びその製造及び動作方法を提供する。
【解決手段】基板に平行な第１方向に延びた第１部分と、第１部分の両端から第１方向に垂直な第２方向に延びた第２部分と、を備え、相互逆方向に磁化した二つの磁区及びそれらの間に磁壁を有する情報記録用磁性構造体である。情報記録用磁性構造体は、Ｕ字型または逆Ｕ字型である。磁壁は、第１部分内に位置する。情報記録用磁性構造体は、垂直磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】情報保存装置及びその動作方法について開示されている。該情報保存装置は、磁性トラック及び書込み／読取りユニットを含むメモリ領域と、メモリ領域に連結された制御回路部とを含むことができる。磁性トラックの両端にそれぞれ連結された第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子が備わり、書込み／読取りユニットに連結された第３スイッチング素子が備わりうる。制御回路部によって、第１スイッチング素子、第２スイッチング素子及び第３スイッチング素子が制御され、磁性トラックと書込み／読取りユニットとのうち、少なくとも一つに動作電流が印加されうる。 （もっと読む）

【課題】 電子のスピン分極を利用したレーストラック・メモリ・デバイスを提供する。
【解決手段】 レーストラック・メモリ・ストレージ・デバイスは、磁壁をレーストラックに沿って一方向のみに移動させる。読み出し要素は、（レーストラックの中央部よりも）レーストラックの１つの端部に配置することができる。磁壁は、読み出し要素を横切って移動させると消滅するが、それらの対応する情報は、１つ又は複数のメモリ・デバイス（例えば、組み込みＣＭＯＳ回路）に読み込まれる。次いで、情報は、計算ニーズに対して回路内で処理され、読み出し要素と対向するレーストラックの端部に配置された書き込み要素を用いて、その元の形式（レーストラックから読みだされたときの）か、又は何らかの計算後の異なる形式のいずれかで、レーストラックに書き戻される。こうしたレーストラックは、より単純に構築することができ、従来のレーストラック・メモリ・デバイスよりも動作の信頼性が高い。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】多数の磁区Ｄ及びそれらの間に磁壁ＤＷを有する磁性トラック１００と、前記磁性トラックに連結された磁壁移動手段１５０と、１ビットに対応する磁区を複数個カバーする大きさを有する動作ユニット２００を含む情報保存装置である。磁壁移動手段１５０で磁性トラック１００に印加される電流により磁区領域Ｄに位置する磁区及び磁壁領域ＤＷに位置する磁壁が所定方向に移動しうる。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度の電流を通電することが無く、磁気記録情報を書き換えることができると共に、磁気情報を保持する部分に高保磁力材料を用いることが可能な磁気メモリを提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気メモリ１は、磁壁移動層１１１と、中間層である非磁性体層１１２と、固定層１１３とが積層された磁気抵抗効果素子１１、および、磁壁移動層１１１を局所的に加熱可能な加熱部１２Ａおよび加熱部１２Ｂを備え、磁壁移動層１１１において、磁化容易軸は磁壁移動層１１１の面内方向に位置しており、磁壁移動層１１１には磁壁５１が形成されており、加熱部１２Ａまたは加熱部１２Ｂによって、磁壁移動層が局所的に加熱されることにより、上記磁壁が磁壁移動層内において移動するものである。 （もっと読む）

【課題】 交流磁場で電流を誘起でき、または電気分極の強度と方向を制御できるマルチフェロイック電子装置を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５を印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】安定した磁壁の移動を可能とし、確実に情報の書き込み、保持、読み出しを行い得る磁壁移動型の磁気メモリから成る情報記憶素子を提供する。
【解決手段】情報記憶素子は、帯状の強磁性材料層１１１を備えており、強磁性材料層１１１の一端には第１電極１２１、他端には第２電極１２２が設けられており、第１電極１２１と第２電極１２２との間に電流を流すことで電流誘起磁壁移動が生じ、強磁性材料層１１１において、磁化領域に磁化状態が情報として書き込まれ、若しくは、磁化状態が情報として読み出され、強磁性材料層１１１の少なくとも一部に接して、反強磁性材料から成る反強磁性領域１３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＲ比が高いトップピン型のトンネル磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に設けられ、結晶性を有し磁化方向が変化可能な第１自由磁化層と、前記第１自由磁化層上に設けられ、磁化方向が変化可能であるとともに前記第１自由磁化層と強磁性交換結合する第２自由磁化層と、前記第２自由磁化層上に設けられ、トンネル現象により電子が透過可能なエネルギー障壁を有するトンネルバリア層と、前記第１自由磁化層と前記第２自由磁化層との間に設けられ、前記第１自由磁化層が前記トンネルバリア層の結晶配向性に及ぼす影響を抑制する緩和層と、前記トンネルバリア層上に設けられ、磁化方向が固定可能な固定磁化層とを備えることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。 （もっと読む）

【課題】磁性細線の磁壁移動に要する電流を低減し、且つ磁壁保持時の状態を安定にする。
【解決手段】磁性細線の材料として、遷移温度を境に磁化容易軸が面内方向と垂直方向とで遷移する材料を用いる。この場合、磁性細線１２の磁化容易軸が面内方向である第１の状態にあるときには、磁壁４８を移動させるための電流供給が行われず、磁壁の移動に要する電流が小さい磁化容易軸が垂直方向である第２の状態にあるときにのみ、磁壁を移動させるための電流供給が行われるようなシーケンスを実行することにより、磁壁移動時に必要とする電流を低減することが可能である。また磁壁４８を移動しない状態は第１の状態であり、磁壁の保持を安定化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 フッ化物からなる絶縁マトリックスに分散したｎｍサイズの磁性グラニュール合金と、不可避的不純物とからなり、室温で５％以上の磁気抵抗比を示し、且つ１×１０⁴μΩcm以上の電気抵抗率を有する磁気抵抗膜の耐熱性を高める。
【解決手段】 組成が一般式Ｆｅ_aＣｏ_bＮｉ_cＳｉ_xＭ_yＦ_zで表わされ、ＭはＭｇ，Ａｌ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ及びＧｄのうちから選択される１種又は２種以上の元素であり、かつ組成比ａ,ｂ,ｃ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，２０≦ａ+ｂ+ｃ≦６０,０＜ｘ＜１０,９≦ｙ≦４０，１５≦ｚ≦５０，３０≦ｙ+ｚ≦７０で表わされる磁気抵抗膜。 （もっと読む）

【課題】磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図る。
【解決手段】面内磁気異方性を有する第１磁性膜１０２が、垂直磁気異方性を有する第２磁性膜１０４と磁気的に結合することにより、垂直磁気異方性を有するようになるので、第１磁性膜１０２の一軸磁気異方性（Ｋ_u）を大きくすることができ、かつ、磁壁幅（λ）の狭小化、磁壁電流駆動に要する閾値電流密度（Ｊ_C）の減少、ひいては、磁壁を移動するために必要とする磁壁駆動電流の低減を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁区壁移動を利用した情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】ストレージノード、ストレージノードの第１領域に情報を記録するための書き込み手段、ストレージノードの第２領域に記録された情報を読み取るための読み取り手段を備える情報保存装置である。該読み取り手段によって読み取った情報を臨時に保存するための臨時保存手段を備えることが可能であり、臨時保存手段に連結されたものであり、書き込み手段に印加される電流を制御するための書き込み制御手段をさらに備えることができる。第２領域で読み取った情報は、臨時保存手段に保存されていて、第１領域に記録されうる。 （もっと読む）

【課題】 本件は、強磁性材料からなり、磁壁の有無による情報を記憶するとともに移動電流の供給を受けて磁壁を移動させるメモリ線を備えた磁壁移動型ストレージデバイスに関し、低コストの読出方式を採用する。
【解決手段】 メモリ線上の情報読出点でメモリ線と交差する読出線を形成し、メモリ線に形成されている磁壁が情報読出点を通過する際に生じる誘導起電力をピックアップすることにより、メモリ線の、磁壁の有無による情報を読み出す。 （もっと読む）

【課題】情報保存装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】複数の磁区領域及びそれらの間に磁区壁領域を有する磁性層と、複数の磁区領域のうち一つである第１領域に設けられ、第１領域に情報を記録するための第１ユニットと、第１ユニットに連結されたものであって、第１領域に情報を記録するための磁場を誘導する第２ユニットと、を備える情報保存装置である。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁壁移動に要する臨界電流密度を低減すること。
【解決手段】本発明に係る磁壁移動型のＭＲＡＭ１は、磁壁が移動する強磁性体層である磁壁移動層２０と、磁壁移動層２０に供給される電流が流れる配線６０と、磁壁移動層２０と配線６０との間に介在するスピン吸収層７０とを備える。スピン吸収層７０のスピン拡散長は、配線６０のスピン拡散長よりも短い。 （もっと読む）

【課題】予期できない磁化反転を防止すること。
【解決手段】磁壁移動型ストレージデバイスは、強磁性金属（例えば、ＮｉＦｅ）に不純物元素（例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｗ；強磁性金属細線の保磁力を変調する元素）を添加することにより磁場に対する磁壁の動き易さを調整した強磁性金属細線（例えば、ＮｉＦｅＰｔ細線）を有し、かかる強磁性金属細線に電位パルスを印加することで情報を記録することで、予期できない磁化反転を防止する。 （もっと読む）

本発明の３層磁気素子は、基板上に、水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第１の層Ｏを含み、その上に金属磁気層Ｍが設けられ、金属磁気層Ｍの上に水素化物−酸化物または窒化物−酸化物の第２の層Ｏ’、あるいは非強磁性体金属層Ｍ’が設けられる。層Ｍは連続しており、１〜５ｎｍの厚さを有し、その磁化は、層ＯおよびＯ’が無い状態で層面に平行である。室温以上のある温度範囲で、層Ｍの実際の消磁磁界を低減できる、あるいは層Ｍの磁化を層面に対しほぼ垂直に向けることができる、界面Ｏ／ＭおよびＭ／Ｏ’の層面に垂直な界面磁気等方性がある。
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