【課題】磁気素子本体に電流を流すことなく、磁性体電極の磁化反転が可能な磁気素子及び集積回路並びに磁気ランダムアクセスメモリを提供する。
【解決手段】磁気素子１は、基板６上に第１の強磁性体電極３及び第２の強磁性体電極４を隔置し磁気素子本体２と、第１の強磁性体電極３に接触して高スピンホール効果を有する電極５を配設し、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流して第１の強磁性体電極３へスピン注入して磁化反転する。磁気素子本体２へ電流を流すのではなく、高スピンホール効果を有する電極５に電流を流すことでスピンホール効果によるスピン分極を発生させ、第１の強磁性体電極３への移行により磁化反転できる。高インピーダンスの微小磁気メモリ素子及び磁気論理素子やスピン電界効果トランジスタを多段に接続した再構成可能微小磁気論理素子の磁化反転が可能となる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動を利用した情報保存装置の駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の磁区と、磁区間の境界領域に形成されたピニングサイトとを具備した磁性ナノワイヤでの磁壁移動を利用した情報保存装置において、磁性ナノワイヤに第１パルス電流密度を印加し、磁壁を第１ピニングサイトからデピニングする段階と、磁性ナノワイヤに第２パルス電流密度を印加し、磁壁を第２ピニングサイトに移動させる段階とを含み、第１パルス電流密度が第２パルス電流密度より大きい情報保存装置の駆動方法である。 （もっと読む）

【課題】金属細線への形状加工に伴う、情報の記録／再生の信頼性低下を回避する磁壁移動型メモリ素子を提供する。
【解決手段】強磁性材料で形成されて線状に延び、結晶磁気異方性が相対的に大きな特異点が所定間隔で形成されることにより、互いに異なる２つの磁化方向のうちのいずれの磁化方向にも磁化し得る区画が該特異点を挟んで配列されてなるメモリラインと、上記区画のうちの１つの記録区画に磁場を印加し、該記録区画を上記２つの磁化方向のうちの任意の一方の磁化方向に磁化する記録素子と、上記区画のうちの１つの読取区画の磁化方向を検出する読取素子と、上記メモリラインに電流を流して、互いに異なる方向に磁化された隣接する２つの区画の間に形成された磁壁を一区画分移動させる電流路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリ素子及びその情報の書き込み及び読み取り方法を提供する。
【解決手段】反強磁性層上に形成された固定層、情報保存層及び自由層を備え、情報保存層は、ＳＡＦ構造で形成される磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

【課題】スピン軌道相互作用によって、磁性層中の磁壁を低い電流で移動させると共に、ラチェット駆動させることで低消費電力・高記憶密度を実現する磁気メモリセルを提供する。
【解決手段】本発明は、基準層として磁化状態が固定されている第１磁性層１０と、データ記憶層として磁化状態が変化する第２磁性層３０と、第１磁性層１０と第２磁性層３０との間に挟まれたトンネル障壁層２０と、を有する磁気メモリセル１において、第２磁性層３０の磁化状態を変化させるときに第２磁性層３０のスピン軌道相互作用を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】データを暗号化して記録することによりセキュリティを改善した磁気記録装置および磁気記録方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録装置は、磁性材料を含み、磁区の内部の磁化方向によりデータを記録し、磁区はデータの最小単位に対応する磁性細線１２ａ〜１２ｐと、磁性細線１２ａ〜１２ｐに対して電流を印加することにより磁区の移動を行う磁区駆動部１４と、入力されたデータを暗号化する暗号化部８６と、暗号化部８６で暗号化されたデータである暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区に書き込む書き込み部１８ａ〜１８ｐと、書き込み部１８ａ〜１８ｐにより書き込まれた暗号化データを磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出す読み出し部１６ａ〜１６ｐと、読み出し部１６ａ〜１６ｐにより磁性細線１２ａ〜１２ｐの磁区から読み出された暗号化データを復号化して出力する復号化部８４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 数１００ガウス程度の磁場強度で電流を誘起でき、また電気分極の強度や方向を制御できるマルチフェロイック素子を提供する。
【解決手段】 マルチフェロイックナノ発電機は、金属電極２に挟まれたマルチフェロイック固体材料１からなる構造を有し、金属電極２に平行に交流磁界５が印加するように配置し、金属電極２間に誘起される電流を利用する。 （もっと読む）

【課題】ＭＲＡＭにおけるリファレンスセルの初期設定が不要となる技術を提供すること。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリ１０は、メモリセルＭＣと、データ読み出し時にリファレンスレベルを生成するために参照されるリファレンスセルＲＣとを備える。メモリセルＭＣは、抵抗値が第１値と第２値の間で切り換わる第１磁気抵抗素子１００を含む。一方、リファレンスセルＲＣは、抵抗値が第１値と第２値の間の第３値に固定された第２磁気抵抗素子１５０を含む。 （もっと読む）

【課題】記録層の幅を狭くする場合であっても磁壁の移動を規制する規制領域を所定の間隔で確実に形成しうる磁気メモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
所定のピッチで並行するように形成された複数の線状の導電パターン１３と、複数の導電パターンの直上に絶縁膜１４を介して形成され、複数の導電パターンに交差する線状の記録層２２とを有する磁気メモリであって、記録層は、導電パターンに起因して形成された段差が磁壁３０の移動を規制する規制領域３２となり、規制領域間の領域が記録ビット３４となる。 （もっと読む）

【課題】磁壁移動によって磁気記録層へのデータ書き込みを行い、且つ磁気記録層の磁気異方性が垂直方向である磁気ランダムアクセスメモリに対して、磁気記録層の磁化固定領域及び磁壁位置の初期化を容易に行うための技術を提供する。
【解決手段】本発明の磁気ランダムアクセスメモリは、垂直磁気異方性をもつ強磁性層である磁気記録層１０と、ピン層３０と、磁気記録層１０とピン層３０との間に設けられた非磁性のトンネルバリア層３２とを具備する。磁気記録層１０は、反転可能な磁化を有し、トンネルバリア層３２を介してピン層３０に接合される磁化反転領域１３と、磁化反転領域１３に接続され、磁化の向きが固定された磁化固定領域１１ａ、１１ｂを有している。磁化固定領域１１ａ、１１ｂは、その形状が互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】磁気ランダムアクセスメモリの書き込み電流を低減し、書き込み電流による発熱の影響を抑制する。
【解決手段】強磁性体で形成された磁気記録層１０と、非磁性層と、前記非磁性層を介して前記磁気記録層に接続された固定層１２とを具備し、前記固定層と対向して位置する磁化反転領域１０２と、前記磁化反転領域の第１境界２１に接続され、磁化の向きが固定された第１磁化固定領域１０１と、前記磁化反転領域の第２境界２２に接続され、磁化の向きが固定された第２磁化固定領域１０３とを有し、前記第１磁化固定領域に接続された第１ビアコンタクト３２と前記第２磁化固定領域に接続された第２ビアコンタクト３３とを具備する。前記第１ビアコンタクトと前記第２ビアコンタクトとの一方が前記磁気記録層の上方に位置し、他方が前記磁気記録層の下方に位置している。 （もっと読む）

【課題】円盤形状の強磁性体から成り、磁気構造が磁気渦構造を取る強磁性ドットにおけるコアの向きを反転させる簡便な方法を提供する。
【解決手段】強磁性ドットの径方向に、該強磁性ドットの共振周波数の周期の半分と略等しい長さのパルス電流を複数回供給する。望ましくは、各パルス電流を強磁性ドットの径方向の両端部から交互に供給すると良い。パルス電流を複数回を供給することにより、比較的低い電流密度でコアを反転させることができるから、素子の破損を防止することができる。電流密度、パルス長を適宜に決定しておくことによって、コアの向きを一回だけ反転させることができる。 （もっと読む）

【課題】磁場安定性及び熱安定性を保持しつつ、微細化かつ省電力化ができる光アシスト型磁気記録装置を提供する。
【解決手段】半導体から構成され発光する発光素子層を有する発光素子基板と前記発光素子基板上にモノリシックに形成され、光照射で磁化が誘起される強磁性体からなる光誘起磁性体層とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁化記録層の磁気異方性が垂直方向、または、面内方向である電流駆動磁壁移動型のＭＲＡＭにおいて、磁化固定部、及び、磁壁位置の初期化を容易に行う。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、磁気異方性を有する強磁性層である磁化記録層１０と、前記磁気記録層１０上に設けられた情報を読み出すための読出し層３０，３２とを具備する。前記磁化記録層１０は、反転可能な磁化を有する第１磁化反転領域１３ａと第２磁化反転領１３ｂとを含む磁化反転領域１３と、前記第１磁化反転領域１３ａとの境界に接続され、磁化の向きが固定された第１磁化固定領域１１ａと、前記第２磁化反転領域１３ｂとの境界に接続され、磁化の向きが固定された第２磁化固定領域１１ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】比較的簡素な構成により、データの読み取り時間、好ましくは更にデータの書き込み時間を大幅に短縮させてデータ転送速度を向上させ、しかもデータの蓄積領域を十分に確保し、記録装置としての使用効率を向上させる磁気記録装置を提供する。
【解決手段】読取素子２及び書込素子３をそれぞれ２つずつ磁性細線１のデータ蓄積領域１ａ上に配設し（読取素子２ａ，２ｂ及び書込素子３ａ，３ｂと図示する。）、データ蓄積領域１ａを各分割領域１ａ₁，１ａ₂に分割する。このように各２つの読取素子２及び書込素子３を配設した場合、素子群数ｎ＝２であることから、読取素子２及び書込素子３を各１つずつ配設する場合に比べて、データ読み取り時間及び書き込み時間はそれぞれ半分に短縮される。同様に、磁性細線１で必要とされるバッファ領域１ｂの占める割合は１／３（≒３３％）（データ蓄積領域１ａの占める割合は２／３（≒６７％））となる。 （もっと読む）

【課題】高集積化を可能とするとともに、確実に磁性体の磁化状態を制御する。
【解決手段】強磁性体に対して、外部から弱磁場を印加しつつ、パルス電流を印加することで、強磁性体の磁化状態を制御する。印加磁場の向き・強さとパルス電流の電流強度・パルス幅を制御することで、強磁性体を単一磁化状態と多磁区構造の切り替えが可能である。外部磁場をかけることで、パルス電流通電に対する磁化状態反転の発生確率はヒステリシスを有するようになり、確実に制御可能である。また、印加する磁場の強度は数ガウス程度の弱磁場でよい。また、このような磁気情報記録素子を利用して磁気情報記憶装置（メモリ）に適用することで、高集積化可能な磁気情報記憶装置が得られる。 （もっと読む）

各データ担持ナノワイヤが、そのナノワイヤの全長に沿って複数の交差するナノワイヤを有して、磁壁ピン留めサイトを構成する交差接合部を形成する。データは、交差するナノワイヤとの整列と反整列の間で交番する磁界の作用の下で磁区を動かすことによって、各データ担持ナノワイヤを通って送られる。データは、上向きキラリティ横磁壁および下向きキラリティ横磁壁が、０および１を符号化するのに使用されて、磁壁のキラリティに符号化される。データは、事前定義されたキラリティの磁壁を有する磁区を核形成することができる適切な核形成磁界発生器を使用して、各ナノワイヤの中にクロック制御されて入れられる。データは、このキラリティを検知する適切な磁界センサを使用して、各ナノワイヤからクロック制御されて出される。
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【課題】本発明は、交互する異なった材料組成の第一強磁性層と第二強磁性層とを包含する構造を形成する方法に関する。
【解決手段】最初に、少なくとも一つの開孔を有する支持マトリックスと、導電ベース層とを包含する基材が形成される。次いで、少なくとも一つの強磁性金属元素と、さらなる一つ以上の異なった金属元素を包含する電気メッキ液の中で該基材の電気メッキが行われる。交互する高電位と低電位とを有するパルス電流を基材構造の導電ベース層に印加し、これにより、支持マトリックスの開孔中に、交互する異なった材料組成の層を形成する。 （もっと読む）

【課題】より費用対効果の高い製造環境で、実用的な磁壁メモリ構造を製造すること。
【解決手段】書き込み／読み取り機能を備えた磁壁メモリ装置は、内部に複数の磁区を有する強磁性材料から形成された伸長トラックをそれぞれが備える、複数の共面シフト・レジスタ構造であって、さらにこのシフト・レジスタ構造が磁壁の配置を容易にするために内部に複数の不連続部を有する、複数の共面シフト・レジスタ構造と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気読み取り要素と、それぞれのシフト・レジスタ構造に関連付けられた磁気書き込み要素であって、さらにこの磁気書き込み要素がそれぞれの共面シフト・レジスタ構造の縦軸とほぼ直交する縦軸を有する単一の書き込みワイヤを備える、磁気書き込み要素と、を含む。 （もっと読む）

【課題】メモリセル中に形成された磁壁を移動させ記録状態消去状態を実現する磁壁移動型メモリセルに於いて、情報記録層となる磁性体の磁化を低減させ記録電流、記録磁界の低減をはかることにより、高速・低電流で動作し、高密度なＭＲＡＭ実現可能であることを提供する。
【解決手段】磁壁を生成する磁性層に非金属元素を添加する、あるいは磁性層と非金属元素を周期的あるいは非周期的に積層させた多層構造を作製することにより磁化を低減し、記録電流を抑制する。 （もっと読む）