【課題】
磁壁を安定に移動することができる多値磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】
磁気抵抗メモリ装置は、
磁化方向が第１の方向に固定された固定磁化層と、
前記固定磁化層上に形成されたトンネルバリア絶縁層と、
前記トンネルバリア絶縁層を介して前記固定磁化層に対向する自由磁化層であって、前記トンネルバリア絶縁層に接する活性部と、前記活性部両側に配置された２つの待機部とを有し、内部に渦型構造の磁壁と該磁壁の一方側で前記第１の方向に磁化した第１の磁区と該磁壁の他方側で前記第１の方向と逆の第２の方向に磁化した第２の磁区とを含み、前記活性部、前記２つの待機部のそれぞれに対応して前記磁壁をピン止めする機能を有する３つのピン止め構造を備えた自由磁化層と、
を有する。 （もっと読む）

データがナノワイヤにおける単磁区において符号化される種類のシリアル磁気大容量ストレージ装置及び関連のデータストレージ方法。本発明において、磁壁ピン止め部位を形成するために、その全長方向に沿って多数のノッチ（１２）を備えるナノワイヤ（１０）が提供される。ノッチは、加熱電極によって群（Ａ、Ｂ、Ｃ）でアドレス指定される。ナノワイヤに沿った動作磁界（Ｉ−１）の配列及び逆配列に同期して、ヘッド−ヘッド及びテイル−テイル磁壁（１６、１８）をホストするノッチを交互に加熱することにより、磁区（１４）は、加熱及び交互の動作磁界の協調作用下で、１ノッチ間分だけ磁区が延長され、ナノワイヤに沿って移動される。相互接続及び製造の観点から、この方式は、基板の平面からほぼ制限なしに拡縮され、何百あるいは何千もの積層したナノワイヤ層を提供することができ、格納された情報の非常に濃い３Ｄネットワークを実現できる。
（もっと読む）

【課題】クロスポイント型のMRAMは回りこみ電流による誤読出しを抑制するために選択トランジスタやダイオードをセル内に必要とするため、セルを小型化することが困難であった。また、1方向のみの駆動電流で書き換えを行うことが困難であった。
【解決手段】非対称性および非線形性を有する磁気抵抗効果素子により、磁気抵抗効果素子のみメモリセルを構成できセル面積の小型化とクロスポイント型のメモリを実現する。さらに、磁気抵抗効果素子の構成と駆動電流方向の組み合わせを適正化することで１方向のみの駆動電流で書き換え可能な不揮発メモリを実現する。 （もっと読む）

【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからなる薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変化する。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気メモリを実現する。
【解決手段】情報記録媒体としての磁性細線１に対し、リザーブ領域９５の長さに等しい長さで、等間隔に記録素子１６ａ〜１６ｄまたは再生素子１７ａ〜１７ｄを配置している。例えば情報の記録時に、端子２１ａと端子２１ｃとを選択して電圧を印加し、記録領域９４ａ内の磁壁をリザーブ領域９５に向かって移動させると、リザーブ領域９５の長さ分、磁壁を移動させる間に、全磁区が、記録素子１６ａおよび１６ｂのどちらかを通過する。情報の再生時についても、記録領域９４ｂの磁区についても、同じことがいえる。したがって、記録領域９４ａ・９４ｂの全磁区の記録再生を可能としながら、従来より遥かに高密度の記録再生を可能にする。 （もっと読む）

【課題】セルサイズの負担が小さいメモリ素子を具現して集積度を向上させることができる。ナノ磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】ナノ磁気メモリ素子のナノワイヤを経て第１電極から第２電極に流れるワード線電流によって磁性ナノドットが摂動された後に再配列される過程で形成される誘導電流の大きさを制御し、前記ナノ磁気メモリセルに複数のデータを書き込み／読み出すことを特徴とするナノ磁気メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】高速性及び記憶保持特性に優れた半導体記憶装置及びその製造方法並びにそのデータ書込み方法及びデータ読出し方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置１は、半導体基板２２上に形成された下部電極５５と、下部電極５５上に形成され、電気磁気効果を示す電気磁気効果層５３と、電気磁気効果層５３上に形成された上部電極５１と、上部／下部電極５１、５５間に電圧を印加して所定方向に揃えられた電気磁気効果層５３の磁化方向に基づいて残留磁化の方向が決まる磁気記憶層５７とを有している。 （もっと読む）

【課題】接合ワイヤーの初期スピンモーメント方向に関係なく接合ワイヤー間の磁壁の厚さが一定のナノ接合を提供する。
【解決手段】本発明は、２個の接合ワイヤーが接合されるナノ接合であって、接合される接合領域を含む接合面が四分円形を有する第１の接合ワイヤーと、前記第１の接合ワイヤーと前記接合領域で接合し、前記第１の接合ワイヤーの四分円の接合面と原点対称する四分円形の接合面を有する第２の接合ワイヤーとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電界制御磁気素子及び電界制御磁気メモリ素子に関し、常磁性元素の強磁性化或いは強磁性元素の常磁性化を室温において電気的に制御する。
【解決手段】 電極１／絶縁膜２／遷移金属からなる導電体層３の積層構造を有するとともに、導電体層３に絶縁膜２を介して電圧を印加してフェルミ準位の位置を移動させることによって、常磁性−強磁性遷移或いは強磁性−常磁性遷移を制御する。 （もっと読む）

【課題】メタルラインを利用し、情報の書き込みと読み取りとの機能を具現した磁気メモリ素子を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上で磁化方向がスイッチングされる連続したマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８が形成され、並んで配置された複数の第１メタルライン１００と、第１メタルライン１００と直交して配置され、第１メタルライン１００を覆うトンネルを形成する複数の第２メタルライン２００と、第１メタルライン１００に連結され、マグネチックドメインＤ１〜Ｄ８をドラッギングする電流を供給する第１入力部５００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネル内のマグネチックドメインＤ１〜Ｄ８の磁化方向をスイッチングする電流を印加する第２入力部６００と、第２メタルライン２００に連結され、トンネルを通過するマグネチックドメインウォールによる起電力をセンシングするセンシング部７００とを具備する磁気メモリ素子である。 （もっと読む）

分子量子メモリを実現する装置、システム及び方法が開示される。一実施形態において、偏極電子源（１０４）及び逆極性の偏極電子源（１０６）が、プローブアセンブリの少なくとも１つのプローブ先端（１１７、１１９）に選択的に結合される。そして、この少なくとも１つのプローブ先端は、偏極電子電流源（１０４、１０６）から選択的に得られた時間変化する偏極電子電流を用いて情報が分子に書き込まれ得るように、分子に電気的に結合される。
（もっと読む）

【課題】複数の磁気抵抗素子のパラメータを安定化することによって、磁気検出特性が容易に適合できる磁気抵抗ネットワークを提供する。
【解決手段】複数の磁気抵抗素子（１０）を備えるタイプの、磁界（Ｈ_ｅｘｔ，Ｈ_ｐ）に応答する磁気抵抗ネットワークであって、１つ又はそれ以上の磁気抵抗素子（１０）は、ナノ狭窄の形状を持つ少なくとも１つの磁気抵抗素子を備え、ナノ狭窄は、少なくとも２つの磁気材料からなるパッド（１２，１３）を備え、パッドは、互いに実質的に反対方向に配向した個々の磁化（１６，１７）に関連付けられ、ナノチャネル（１１）を通じて接続されており、ナノチャネル（１１）は、ドメイン壁（１５）を配置することが可能であり、ドメイン壁は、ナノ狭窄の電気抵抗を、前記ナノチャネル（１１）に関して、センサデバイスに形成されたドメイン壁（１５）の位置の関数として決定する。 （もっと読む）

本発明は、相変化材料成分及び強磁性材料成分を含む、情報記録用媒体において使用される相変化磁性複合材材料に関連し、この場合、前記材料は磁気効果及び相変化効果の両方を示し、光学媒体、相変化ランダムアクセスメモリ（ＰＣＲＡＭ）デバイス、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）デバイス、固体メモリデバイス、センサーデバイス、論理デバイス、認知デバイス、人工ニューロンネットワーク、三レベルデバイス、制御デバイス、ＳＯＣ（システムオンチップ）デバイス及び半導体のために使用可能である。 （もっと読む）

磁気論理装置は、電気回路用の一般的に平面的な第１基板と、前記第１基板上に積層された配置で形成される、磁気回路用の一般的に平面的な複数の第２基板とを有することができる。各々の第２基板は、その上に磁気回路が形成されており、各々の磁気回路は、複数の論理素子、データ書き込み素子及びデータ読み取り素子を有することができる。前記各々の磁気回路のデータ書き込み素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的書き込み素子の平面的な位置に相当することができ、前記各々の磁気回路のデータ読み取り素子は、前記第１基板のそれぞれの磁気電気的読み取り素子の平面的な位置に相当することができる。
（もっと読む）

【課題】クロスポイントメモリアレイにおける、回り込み電流に起因する読み取り障害を防止する。
【解決手段】メモリ素子１００を用いてクロスポイントメモリアレイを作成する。メモリ素子１００は、抵抗メモリ下部電極１０２、抵抗メモリ物質１０４、抵抗メモリ上部電極１０６、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２がこの順に積層されてなる。ここで、ＭＳＭ下部電極１０８、半導体層１１０、ＭＳＭ上部電極１１２はＭＳＭバイナリスイッチを形成する。ＭＳＭバイナリスイッチは、逆バイアス下において、高い抵抗値を示す。ＭＳＭバイナリスイッチと抵抗メモリ物質１０４が直列に接続された構成を有するメモリ素子１００を用いて、クロスポイントメモリアレイを作成することにより、望ましくない方向に電流が流れるのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。 （もっと読む）