【課題】ダブルゲート構造のメモリセルのセルサイズを縮小する。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体メモリは、偶数カラムｊ内に配置される第１メモリセルと、奇数カラムｊ＋１内に配置される第２メモリセルとを備える。第１メモリセルは、一端が第１ビット線に接続される第１抵抗変化素子Ｘと、第１抵抗変化素子Ｘの他端と第２ビット線との間に並列接続される第１及び第２ＦＥＴとから構成される。第２メモリセルは、一端が第３ビット線に接続される第２抵抗変化素子と、第２抵抗変化素子の他端と第４ビット線との間に並列接続される第３及び第４ＦＥＴとから構成される。第１ＦＥＴのゲートは、第１ワード線に接続され、第２及び第３ＦＥＴのゲートは、共に第２ワード線に接続され、第４ＦＥＴのゲートは、第３ワード線に接続される。 （もっと読む）

【課題】メモリアレイのレイアウト面積を縮小可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】 ビット線ＢＬは、メモリセルのトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲと電気的に結合される。トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲは、基板の下地に設けられた活性層に形成されたアクセストランジスタＡＴＲの一方電極と電気的に結合される。そして、アクセストランジスタＡＴＲの他方電極（ソース）は、コンタクトＣＴを介して第１の金属配線層に形成されるソース線ＳＬと電気的に結合される。活性層は、メモリセルのアクセストランジスタと、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列のメモリセルのアクセストランジスタとを形成するようにＺ字形状にジグザグに形成される。１つの活性層に２つのアクセストランジスタを形成して、隣接するメモリセル行であり、かつ隣接するメモリセル列の２つずつのメモリセルに対して共通のコンタクトＣＴを用いて対応するソース線と電気的に結合される。 （もっと読む）

【課題】高速に、かつ安定して情報を記録することができるメモリを提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層を介して磁化固定層が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、情報の記録が行われる記憶素子３と、この記憶素子３に電気的に接続された導体２１とを備え、この導体２１の周囲に磁性体２２が設けられたメモリを構成する。そして、この磁性体２２により、導体２１を流れる電流Ｉによる磁界２３を強め、かつ記憶素子３の記憶層１７に漏れ磁界２３を印加させて、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きをずらす作用を生じるようにする。 （もっと読む）

【課題】 スピン注入磁化反転を用いたMRAMにおいて、微細なメモリセルで十分な書き換え動作を実現するとともに、読み出しディスターブを抑えつつ読み出し電流を大きくとる。
【解決手段】 トンネル磁気抵抗素子の自由層がビット線側にある場合、PMOSトランジスタを用い、トンネル磁気抵抗素子の固定層がビット線側にある場合、NMOSトランジスタを用いて、反平行化書き換えをソース接地で行う。読み出し動作を反平行書き換え方向で読み出すことで、読み出し書き込み動作マージンを向上する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い低消費電力不揮発性メモリを提供する。
【解決手段】磁気メモリセルが備えるトンネル磁気抵抗効果素子４０２の強磁性自由層２００の磁化容易軸方向に対して直交する方向、特に膜面垂直方向に４５度の角度をなす方向に適当な磁界を印加した状態でスピントランスファートルクにより強磁性自由層の磁化反転を行う。 （もっと読む）

【課題】記憶素子の破壊を防止して、高い信頼性を実現する、記憶素子の記録方法を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層１９が設けられ、積層方向に電流を流すことにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われる記憶素子１０に、パルス幅が１ナノ秒以上１００ナノ秒以下である電流パルスを流すことにより、記憶素子１０に情報の記録を行う。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の一部或いは全域にわたって微細な酸化物が分散している記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

磁気トンネル接合または磁気抵抗トンネル接合（ＭＪＴ）を有し、かつスピントランスファートルク現象によって生じる磁化反転を利用して動作するように構成される素子に関連する方法及び素子構造である。オンプラグＭＴＪ構造及び形成方法が記載される。 （もっと読む）

【課題】磁気記憶装置及びその動作方法に関し、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭ（ＳＴＳ−ＭＲＡＭ）で大容量（Ｇｂｉｔ超）ＭＲＡＭを得る為、臨界電流密度Ｊ_C の低減、出力電圧の向上及び誤動作防止の両立を実現しようとする。
【解決手段】１層以上の強磁性層と非磁性層で構成された磁化自由層４Ｃ及び積層フェリピン構造の磁化固定層４Ａの間にＧＭＲ型の場合は非磁性金属層４Ｂが介在し且つ磁化自由層４Ｃ近傍に発熱層４Ｅが設けられてなる磁気抵抗効果素子を備えて動作させることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】熱揺らぎ耐性及びMR特性の劣化なく、磁化反転のためのスピン注入電流の電流密度を低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる磁気記録素子は、膜を通過する電流の向きに応じて磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層と、磁気記録層と磁気固着層との間の非磁性バリア層とを備える。磁気記録層は、飽和磁化Ms（emu/cc）と異方性磁界Han（Oe）との関係が、Han>12.57Ms、かつ、Han<1.2E7Ms^-1+12.57Msを満たす。 （もっと読む）

【課題】マグネティックドメイン移動を利用する磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】複数のマグネティックドメインが形成され、このマグネティックドメインからなるデータビットがアレイ状に保存され、基板上にマルチスタックをなすように積層された複数のメモリトラックと、複数のメモリトラックそれぞれに近接に形成されたビットラインと、各メモリトラックとビットラインとの間に形成され、メモリトラックの一データビット領域と共に磁気トンネル接合（ＭＴＪ）セルを構成する連結部と、メモリトラックのデータビット領域に保存されたデータを隣接したデータビット領域に移動するように各メモリトラックに電気的に連結されて、マグネティックドメイン移動信号を入力する第１入力部と、複数のメモリトラックのうち、読み取りまたは書き込みが進められるメモリトラックを選択する選択部と、を備える。 （もっと読む）

本発明は、磁性多層膜、その製造方法及び磁性メモリにおける応用に関するものであり、当該磁性多層膜の各層が閉鎖の円環形または楕円環形であり、その磁性セルには、強磁性を有する薄膜層の磁気モーメントまたは磁束が、時計方向または反時計方向の閉鎖状態に形成される。本発明は、また前記の閉鎖形状磁性多層膜の幾何中心位置に1つの金属芯が設けられる磁性多層膜に関するものであり、当該金属芯の横断面が対応的に円形または楕円形状である。本発明は、さらに前記閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）磁性多層膜により製造される磁性メモリ。本発明は、微細加工方法によって前記閉鎖形状磁性多層膜を製造する。本発明に係る閉鎖の、金属芯を含む（または含まない）形状の磁性多層膜は、磁気ランダムアクセスメモリ、コンピュータ磁気読み出しヘッド、磁気センサー、磁気論理デバイス、スピントランジスタなどのような磁性多層膜を核とする各種のデバイスに広く用いられる。
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【課題】情報を安定して保持することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、この記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられて積層膜が形成され、積層方向に電流を流すことにより、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われ、記憶素子を構成する積層膜のうち、少なくとも記憶層において、平面パターン３１の長軸ＬＸの端部の曲率半径Ｒが、Ｒ≦１００ｎｍを満足する記憶素子を構成する。 （もっと読む）

集積回路装置（３００）は、基板（３０１）と、当該基板（３０８）上に形成されたＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）とを備える。ＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）は、基板（３０１）に形成されたＭＲＡＭ回路（３１８）と、当該ＭＲＡＭ回路（３１８）に結合され且つその上に形成されたＭＲＡＭセル（３１６）とを含む。その上、受動デバイス（３２０）が、ＭＲＡＭセル（３１６）と一緒に形成される。受動デバイス（３２０）は、１又はそれより多い抵抗及び１又はそれより多いキャパシタであることができる。ＭＲＡＭアーキテクチャ（３１４）と受動デバイス（３２０）との同時製作は、基板（４０４，５０４）の能動型回路ブロックの上での使用可能な物理的スペースの効率的で且つコスト的に実効性のある使用を促進し、その結果３次元の集積化をもたらす。
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磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気素子を設けること、少なくとも１つの応力支援層を設けること、を含む。複数の磁気素子の各々は、スピン転移を用いて書き込まれるように構成されている。少なくとも１つの応力支援層は、書き込み時、複数の磁気素子の少なくとも１つの磁気素子に少なくとも１つの応力を及ぼすように構成されている。書き込み時、応力支援層によって磁気素子に及ぼされる応力により、スピン転移スイッチング電流が低減される。スイッチング電流が一旦オフになると、２つの磁化状態間のエネルギ障壁が変化しないことから、熱変動に対する磁気メモリの安定性が損なわれることはない。
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