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Fターム[5B018HA13]の内容

記憶装置の信頼性向上技術 (13,264) | 手段 (2,627) | 冗長符号 (791) | チェックサム (105)

Fターム[5B018HA13]に分類される特許

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【課題】制御に悪影響を与えずに確実なメモリチェックを行うことができる車両用制御装置を提供することである。
【解決手段】フラッシュROM27の記憶領域は、予め、制御プログラムを構成する複数のサブプログラムの実行順序に基づいて複数の分割領域に分割され、複数のサブプログラムの実行順序に従って、順次、複数の分割領域のうち次に実行されるサブプログラムを記憶する一の分割領域についてメモリチェックを実行すると共に、メモリチェックにおいて正常と判定された場合、当該分割領域に記憶されたサブプログラムを実行する。 (もっと読む)


【課題】データが破壊された場合にも、できるだけ新らしいデータを保持できるメモリのデータ書替方法を提供する。
【解決手段】フラッシュメモリ13の書替エリアを複数に分割すると共に分割した複数のエリアA〜Dに対して順番に書替を行っていき、書替毎に書替するエリアを切替えるようにする。これにより、複数に分割された各エリアA〜Dそれぞれに対してデータを保持することができ、最も新しく選択されたエリアに最新データへの書替を行いつつ、他のエリアにそれぞれ過去のデータを保持させることが可能となる。したがって、仮に最新データの書替を行っている最中に電源遮断などによってデータが破壊された場合にも、書替中のエリアと異なるエリアに過去のデータを保持することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】NAND型フラッシュメモリの耐メモリ破壊性を向上させるとともに、メモリを効率的に使用してデータ及びバックアップデータの保存を行う。
【解決手段】NAND型フラッシュメモリ11にデータを保存する際、各ページを順番に使用してデータを保存する。このとき、保存すべきデータごとに識別番号(ID番号)を付与して各データのヘッダ部に識別番号を挿入するとともに、ヘッダ部の先頭にマーカを付加する。さらに、各データ内にマーカと同じ値がある場合には、データ内のマーカの値を、マーカの値が連続(重複)して配列されるように、更にマーカの値を挿入する変換を行う。これにより、ビット配列が重複していないマーカの値を検索することで、ヘッダ部の先頭位置を容易に特定することが可能となり、メモリ内の任意の位置にヘッダ部を配置することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】誤り訂正能力を損なうことなく消費電力及び回路規模を低減する。
【解決手段】半導体記憶装置10は、複数の第1データを行列状に格納する一時記憶回路20と、複数の第1データの誤りをそれぞれ検出するための複数の検出符号を生成する検出符号生成部21と、一時記憶回路20において列方向に配列された複数の第1データから第1単位データが構成され、列数に対応する複数の第1単位データの誤りをそれぞれ訂正するための複数の第1訂正符号を生成する第1訂正符号生成部22と、一時記憶回路20において行方向に配列された複数の第1データから第2単位データが構成され、行数に対応する複数の第2単位データの誤りをそれぞれ訂正するための複数の第2訂正符号を生成する第2訂正符号生成部23と、複数の第1データ、複数の検出符号、複数の第1訂正符号及び複数の第2訂正符号を不揮発に記憶する半導体メモリ12とを含む。 (もっと読む)


【課題】エラー検出コードの生成に必要な時間を短縮できるようにしたエラー検出コード生成装置および方法を提供する。
【解決手段】仮想DBI(Data Bus Inversion)情報とデータを用いて仮想エラー検出コードを生成するエラー検出コード生成部と、およびエラー検出コードの生成に関わるデータ数の偶数又は奇数のうちのいずれか1つを定義する偶数/奇数情報、前記偶数/奇数情報と連関するDBI情報、および前記仮想エラー検出コードを用いて前記エラー検出コードを生成するエラー検出コード再生成部を備える。 (もっと読む)


【課題】同一のフラッシュメモリに運転用プログラムと記録データを共存させ、運転プログラムをRAMに複写して運転制御を行う装置において、運転プログラム容量の増大による複写時間増加に伴う応答性の悪化防止と、大容量のRAMを必要とすることによるコストアップの防止を図る。
【解決手段】運転制御プログラムは複写せず動作状態データを記憶する記憶保持プログラムをRAM6に複写することにより、複写時間の短縮と複写に必要なRAM容量を削減し、またRAM6に複写したプログラムデータの異常判定を行うことにより運転制御プログラムの正確な実行を実現することができる。 (もっと読む)


【課題】 ICカードにおける自己診断処理を分散化して自己診断処理の占有時間を分散化することができ、ICカードにおける処理全体を効率化することができる。
【解決手段】 制御プログラムあるいはハードウエア回路などで実現される種々の機能を有するICカードが、ある1つの機能による処理を実行しようとする直前に、当該機能が正常であるか否かを診断する当該機能に対する自己診断処理を行い、その自己診断処理により当該機能が正常であると診断された場合に、当該機能による処理を実行する。 (もっと読む)


【課題】装置の電源投入時に記憶されたデータが正常であることを確認でき、かつ、装置が備えられた機器が使用可能になるまでの時間を短縮できる記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶部42と、記憶部42のデータを更新する書込部46と、データが正常であるか否かを確認のためチェックサムを行うCPU41を備えた記憶装置であって、記憶部42は、データ記憶領域T1と、あらかじめ計算されたチェックサム値が書き込まれるチェックサム記憶領域T2と、CPU41によるデータ更新後のデータのチェックサム値とチェックサム記憶領域T2に記憶された値とが一致する場合、正常更新データが書き込まれる更新結果記憶領域T3とを有し、CPU41は、装置の電源投入時に正常更新データを確認し、データの更新が正常になされたことが確認されれば、チェックサムの演算を行わない。 (もっと読む)


【課題】バックアップ用のバッテリを必要とすることなく、停電や誤操作によって電源がオフになっても書き込みエラーを正常に判断する。
【解決手段】最初にチェックサム用のデータ領域102を特定の値を書き込んで初期化し(ステップS201)、データ104を実データ用のデータ領域103に書き込み(ステップS202)、データ104のチェックサムを演算してチェックサム用のデータ領域102に上書きし(ステップS203、S204)、チェックサム用のデータ領域102のチェックサムを読み出して特定の値と比較し(ステップS301、S302)、1バイトでも一致した場合に書き込みエラーと判断する(ステップS303)。 (もっと読む)


【課題】プログラムの信頼性を維持しつつ起動を短時間で行える「データ処理装置及びプログラム起動方法」を提供する。
【解決手段】今回のデータ処理装置の起動が、エラー発生による起動であるか、前回のデータ処理装置の稼働停止後にフラッシュメモリ9のアップデートが行われたかを調べ(1.チェック)、いずれでもない場合には、フラッシュメモリ9からプログラムをSDRAM6にロードし(2.ロード)、SDRAM6にロードしたプログラムの実行を開始する。一方、他の場合には、フラッシュメモリ9のプログラムのサムチェックを行い(11.チェック)、サムチェックに成功したならば、フラッシュメモリ9からプログラムをSDRAM6にロードし(12.ロード)、その実行を開始する(13.プログラム実行開始)。サムチェックに失敗した場合には所定の異常処理を起動する。 (もっと読む)


【課題】マイクロコンピュータの負担の増加を抑え、簡素な構成でアドレスバス及びデータバスの異常を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】本発明の制御装置7は、マイクロコンピュータ70と、ROM71と、RAM72と、アドレスバス73と、データバス74とを備えている。マイクロコンピュータ70は、特定のデータ領域の特定のデータによって、アドレスバス73及びデータバス74の異常を判定する。そのため、異常の判定にかかる時間を非常に短縮することができる。また、マイクロコンピュータ70とは別に、ハード的に構成されたチェック装置を設ける必要がなく、簡素な構成でアドレスバス73及びデータバス74の異常を判定することができる。これにより、マイクロコンピュータ70の負担の増加を抑え、簡素な構成でアドレスバス73及びデータバス74の異常を検出することができる。 (もっと読む)


【課題】ECUのリセット処理後再起動の時間を短縮し早期に電装品への制御を開始すると共に、メモリ異常が繰り返し検知された場合であっても電装品の誤動作やECUのリセット処理の反復を防止する。
【解決手段】車両に搭載されたROM15と、所定周期で周期処理を行うCPU13とを備えた電子制御ユニット10を備え、起動時に第1のリセット処理を開始してCPU13は周期処理を実行すると共に、周期処理の空き時間にROMのチェックを行い、メモリチェックで異常を検知した場合には、CPU13が自動的に第2のリセット処理を行い、第2のリセット処理後CPU13の周期処理の開始前に、再びROMのチェックを行い、該メモリチェックによりROM異常を検知した場合には、メモリチェックを繰り返して周期処理を行わないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】巡回冗長検査を介してエラー検査能力を改善するメモリーアクセス制御方法を提供する。
【解決手段】巡回冗長検査(CRC)を用いてメモリーアクセス中のエラー検査能力を改善する。メモリー読み取りプロセス中、読み取りデータの一部がCRCバスを経由してメモリーから出力され、CRC結果および読み取りデータの他の部分がデータバスを経由してメモリーから出力される。 (もっと読む)


【課題】ファームウェアの正当性の確認を高速に行うことが可能なASICシステムを提供する。
【解決手段】 制御装置5と、RAM4と、ファームウェアが格納されるフラッシュROM3と、フラッシュROM3に格納されているファームウェアを読み出し、システムバス2を介してRAM3に転送するデータ転送装置6と、システムバス2に読み出されたファームウェアを取得して前記ファームウェアの正当性を判別する正当性確認装置7とを具備し、正当性確認装置7によってファームウェアの正当性に問題があると判別した場合、制御装置5はRAM3に転送されたファームウェアを実行しないようにする。 (もっと読む)


【課題】誤りのあるメモリを利用する上で、データの正当性をチェックするための管理技術を提供することを課題とする。
【解決手段】書込装置2は、NAND型フラッシュメモリであるメモリ1から不良領域情報を取得し、不良領域情報を含むエラーコントロールデータ52を作成する。次に、エラーコントロールデータ52からチェックサムと圧縮データを計算し、ユーザデータ51およびユーザデータ用チェックサム511とともに、メモリ1に格納する。メモリ1からデータを読み出すコントローラ4は、エラーコントロールデータ52をメモリ1から読み出し、チェックサムと圧縮データを求め、メモリ1に格納されているそれら情報と比較チェックする。正当性が確認できれば、さらに、ユーザデータ51を読み出してチェックサムを計算し、メモリ1に格納されているチェックサム511と比較して、改竄検知を行う。 (もっと読む)


【課題】 1回のダウンロード作業にて、ブートセクタを含むフラッシュメモリの各セクタに格納されたデータの書換えを実現可能とする。
【解決手段】 フラッシュメモリ101は、起動ブートデータを格納する起動ブートセクタ201と、ブートデータを格納する少なくとも2のブートセクタ(202、203)と、メインデータを格納するメインセクタとを有して構成される。ブートデータ判定部301は、ブートセクタのそれぞれに格納されたブートデータの中からブートデータ更新判定データに基づいて起動ブートデータにより実行すべきブートデータを選択する。書換え部(302、303)は、ブートデータ判定部301によって選択されたブートデータの機能によって、当該選択されたブートデータが格納されたブートセクタを除くブートセクタ、起動ブートセクタ及びメインセクタに格納されたデータを受信した更新データに基づいて書換える。 (もっと読む)


【課題】誤りのあるメモリを利用する上で、データの正当性をチェックするための管理技術を提供することを課題とする。
【解決手段】書込装置2は、まず、NAND型フラッシュメモリであるメモリ1から不良領域情報を取得し、不良領域と代替領域との関係を示す代替情報を含むエラーコントロールデータ52を作成する。次に、エラーコントロールデータ52からチェックサムを計算し、不良領域のブロック数などとともに記憶部3に格納する。また、予め計算されていたユーザデータ51のチェックサムについても、ユーザデータ51のバイト数とともに記憶部3に格納される。そして、書込装置2は、ユーザデータ51とエラーコントロールデータ52とをメモリ1に格納する。 (もっと読む)


【課題】グラフィックス用途のようにデータのマスクやエラー演算が必要な電子デバイスおよびその動作方法を提供する。
【解決手段】データを送信するための信号経路、信号経路に接続された入出力インターフェース、マスキング回路、および、エラー演算回路とを備えている。マスキング回路は、信号経路および上記エラー演算回路に接続されている。エラー演算回路は、信号経路に接続されている。信号経路は、マスキング回路に接続され、マスキング情報をマスキング回路に伝送する。マスキング回路は、データをマスキングするための、受信したマスキング情報を考慮し、マスクされたデータおよびマスクされていないデータをエラー検出回路に伝送する。 (もっと読む)


【課題】安価なNAND型フラッシュメモリを使用しつつも、読み出し命令に対するレイテンシをNOR型フラッシュメモリと同程度に抑制することが可能なメモリシステムを得る。
【解決手段】メモリモジュール1のPOR時に、ページP1〜Pnの第1部分P1a〜PnaがNAND型フラッシュメモリ3から読み出され、エラー訂正部7によって所定のエラー訂正処理が行われた後、バッファメモリ6に書き込まれる。コントローラ2がホストシステム8からページの読み出し命令を受けると、制御部4は、NAND型フラッシュメモリ3の比較的大きいレイテンシに起因してNAND型フラッシュメモリ3が待機状態となっている間に、バッファメモリ6からページP1〜Pnの第1部分P1a〜Pnaを読み出して、ホストシステム8へデータ転送する。 (もっと読む)


【課題】ブロック単位に書き込みが行われる不揮発性メモリに対する差分ファイルによるソフト更新に適したメモリ管理方法およびこれを用いた携帯端末装置を提供する。
【解決手段】 ブロック単位に書き込みが行われる不揮発性メモリの複数のブロックを、管理情報を格納する少なくとも1個のブロックからなる管理領域と、プログラムコードを書き込む複数のブロックのコード領域と、不良ブロックを代替する複数のブロックからなる代替領域と、前記管理領域と前記代替領域との間に設けられる少なくとも1個のブロックからなる干渉領域とに割り当てる。管理領域内の管理情報として、少なくとも、代替先の不良ブロックと代替領域のブロックとの対応情報を記憶する。不良ブロックの利用時に、前記対応情報に基づいて不良ブロックに代えて代替領域のブロックを用いる。 (もっと読む)


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