【課題】簡単な構成で小型化が可能な記憶装置、小型、大記憶容量で使い勝手のよい記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶装置は、１つのメモリセルに複数ビットの記憶が可能とされた半導体不揮発性メモリと、半導体揮発性メモリと、上記半導体不揮発性メモリ及び半導体揮発性メモリに対してメモリアクセスを行うコントローラ部と、電源検出回路と、電圧保持回路と、電源切替制御回路とを有する。上記半導体不揮発性メモリは、１つのメモリセルに上記記憶可能な複数ビットに対応した複数アドレスが割り当てられ、かかる複数アドレスに対応した複数ページモードを有して、記憶領域として退避領域とデータ領域とが割り当てられる。電源遮断時の上記半導体不揮発性メモリへの退避データの書き込みは、最下位ビットに対応した第１回目の第１ページモードのみにより行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メモリ制御装置に関し、不揮発性メモリへのデータ書き込み中に生じる電源瞬断を、不揮発性メモリの記憶機能自体の異常や読み出し機能自体の異常と区別して判定することにある。
【解決手段】終了時、不揮発性メモリの有する複数のデータ記憶領域に同じデータをそれぞれ書き込むデータ書込手段を備えるメモリ制御装置において、データ書込手段による複数のデータ記憶領域への同じデータの書き込みが完了した場合、正常にデータの書き込みが行われた旨を示すフラグを不揮発性メモリの有するフラグ記憶領域に書き込む。また、起動時、フラグ記憶領域のフラグ状態に基づいて、前回終了時のデータ書込手段による複数のデータ記憶領域への同じデータの書き込み中に電源瞬断が生じたか否かを判別する。そして、前回終了時のデータ書き込み中に電源瞬断が生じたと判別された場合、複数のデータ記憶領域に書き込まれているデータを修復する。 （もっと読む）

【課題】限られた記憶容量の記憶部に記憶されるデータ容量を削減すると共に、前記記憶部に記憶されたデータを他の記憶部へ書き込む際の処理負担を軽減することのできる電子制御装置を提供する。
【解決手段】被制御部２を制御する電子制御装置１であって、バッテリ３から断続的に給電される一の揮発性記憶部１１と、バッテリ３から常時給電される他の揮発性記憶部１２と、給電の有無に関わらずデータを保持する不揮発性記憶部１３と、被制御部２に対する制御データ以外の他のデータを、当該他のデータを記憶する必要がある場合に、一の揮発性記憶部１１及び不揮発性記憶部１３に記憶し、他の揮発性記憶部１２の記憶状態に基づいて、不揮発性記憶部１３に記憶された他のデータを一の揮発性記憶部１１に書き込む制御部１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの電源投入プロセスを効率的に行うことを可能にする。
【解決手段】本発明は、不揮発性メモリの電源投入プロセスを効率的に行うことを可能にするシステムおよび方法に関する。本発明のある局面によると、少なくとも１つの保留メモリ領域を含む不揮発性メモリを有するメモリシステムを利用する方法は、電力をメモリシステムに提供する工程と、不揮発性メモリを初期化する工程と、第１の署名を保留メモリ領域に書き込む工程とを含む。第１の署名はメモリシステムの初期化が成功したことを示すように構成される。ある実施形態において、この方法はまた、メモリシステムの電源切断プロセスを実行する工程と、電源切断プロセスが実行されたことを示す第２の署名を保留メモリ領域に書き込む工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＯＳの障害発生時に主記憶装置の内容を保護することを目的とする。
【解決手段】フラッシュメモリ３のデータを更新する際、更新データに識別子を付加した保持データを生成して、主記憶装置２の複写領域２３に格納し、ＯＳ２２の障害発生時に主記憶装置２の複写領域２３および退避領域２４をフラッシュメモリ３へ格納し、前記ＯＳ２２の再起動時に前記識別子２３２’を基に保持データ２３１’を抽出し、保持データ２３１’に含まれる差分データ２４１を抽出し、抽出した差分データ２４１を前記主記憶装置２の退避領域２４へ格納することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】システムの停電のケースにおける既存の記憶デバイス中のデータ損失の問題や、停電保護のための既存の方法における短い保有期間の問題や、メモリ容量を更新する際の困難などを解決する。
【解決手段】停電保護のための方法、装置、論理デバイス、および記憶システムを開示する。方法は、システム電源が停電するとき、サウスブリッジチップ（ＳＢＣ）と、不揮発性フラッシュ記憶媒体と、ＳＢＣおよび不揮発性フラッシュ記憶媒体の間のインターフェース変換回路（ＩＣＣ）と、メモリとに対して、バッテリにより電力を供給することと、ＳＢＣの使用されていないバスインターフェースを使用することにより、ＩＣＣを介して、メモリ中の保存されていないデータを、対応する不揮発性フラッシュ記憶媒体に送ることとを含む。ＩＣＣは、ＳＢＣのバスインターフェースを、不揮発性フラッシュ記憶媒体の対応するバスインターフェースに変換する。 （もっと読む）

【課題】電源供給が遮断された場合であっても記憶装置に記憶された必要なデータを効果的にバックアップすることができるバックアップ装置等を提供する。
【解決手段】バックアップ装置２０は、メモリ１１やレジスタ１２のバックアップを行う必要がない非バックアップ部Ｐ１１，Ｐ２１に対して補助電源２ｂからの電源を供給する電源線Ｌ１，Ｌ２とは別途に設けられ、バックアップを行う必要があるバックアップ部Ｐ１２，Ｐ２２に対して補助電源２ｂからの電源を供給するバックアップ電源供給線Ｌ１０と、バックアップ部Ｐ１２，Ｐ２２に記憶されたデータをバックアップするための保持用電源２１と、バックアップ電源供給線Ｌ１０を監視し、補助電源２ｂからの電源供給が遮断された場合にバックアップ部Ｐ１２，Ｐ２２に対する電源供給を保持用電源２１からの電源供給に切り替える切替回路２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリの動的なデータ保持期間の変化に対応し、無電源状態であってもリフレッシュ実行を促しデータ消失を回避できるメモリコントローラ、不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶システムを提供する。
【解決手段】読み書き制御部１３２は、不揮発性メモリ１４０への書き換え回数をメモリ状態判断部１３１へ通知する。メモリ状態判断部１３１では、得られた書き換え回数から不揮発性メモリ１４０の現在のデータ保持期間Ｔｒｅｔｅｎｔを決定し表示制御部１２０へ通知する。表示制御部１２０は、データ保持期間Ｔｒｅｔｅｎｔを基に、メモリ状態表示部１１０がデータ保持期間と同じ期間だけ表示を保持するようメモリ状態表示部１１０へ駆動電圧を印加する。 （もっと読む）

【課題】長時間停電に対してバッテリ容量を低減及びデータ保全性確保でき、短時間停電に対して再起動時間を短縮できる技術を提供する。
【解決手段】本ディスクアレイ装置（バックアップシステム）の制御では、停電時、まず第１の方式で動作させ、バッテリ３からの給電によりメインメモリ１をバックアップする。そして、第１の方式の時、停電継続時間などを積算し、その積算値が条件を満たすタイミングで第２の方式へ移行させ、給電に基づきメインメモリ１から不揮発性メモリ２へデータを退避させる。 （もっと読む）

【課題】動作信頼性を向上させるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】データを保持可能な不揮発性のメモリセルを備えた半導体メモリ３と、バックアップ電源２と第１外部電源（電源Ｃ）とが供給されるバックアップ制御回路６とを具備し、前記バックアップ制御回路６は、前記半導体メモリ３が前記メモリセルへのデータの書き込み中に前記第１外部電源が遮断された際に前記バックアップ電源２から与えられる電圧を前記半導体メモリ３に供給し、前記書き込みが終了した後前記バックアップ電源２から与えられる前記電圧の供給を停止する。 （もっと読む）

【課題】データ書き込み中にプログラムエラーが発生した場合でも確実に管理情報の復元が可能なメモリシステムを提供すること。
【解決手段】前ログの「ログ書き込み（１）」後、データ書き込みを行なっている時にプログラムエラーが発生した場合に（データ書き込みエラー）、データ再書き込み処理に対応する前ログを取得することなく、再度、データ書き込みを行なう。そして、データ書き込みを終えた後に、後ログを取ることなく、替わりにスナップショットを取得して処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】管理情報の保存場所にアクセスするためのポインタの書換えによる多値メモリを使用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの低寿命化を抑制するメモリシステムを提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、データ転送を行うとともに第２の記憶部内のデータの格納位置を含む管理情報を第１の記憶部に取込み、この管理情報を更新しながらデータ管理を行うコントローラと、を備え、第２の記憶部は、最新の状態の管理情報とその保存位置を示す保存位置情報とを含む管理情報保存情報を保存する管理情報保存領域を有し、保存位置情報は、起動時にコントローラで読み込まれ、管理情報保存領域内の最新の状態の管理情報の格納位置を示す第２のポインタと、この第２のポインタの格納位置を示す第１のポインタとを含み、第１のポインタは第２の記憶部中の固定領域に、第２のポインタは第２の記憶部中の固定領域を除いた領域に格納される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶媒体を搭載する情報処理装置において、情報の書込みが不完全である場合に起こり得る不具合を回避すること。
【解決手段】システムＮＶＲＡＭ１０９への情報の書込みに際して書込むべき情報をサブＮＶＲＡＭ１１０に書込み、当該書込みを実行する際及び書込み完了に際してサブＮＶＲＡＭ１１０の書込みフラグを更新し、サブＮＶＲＡＭ１１０への書込み完了に続いて書込むべき情報をシステムＮＶＲＡＭ１０９に書込み、当該書込みを実行する際及び書込み完了に際してシステムＮＶＲＡＭ１０９の書込みフラグを更新し、システムＮＶＲＡＭ１０９及びサブＮＶＲＡＭ１１０の書込みフラグに基づいて情報処理装置１の起動処理を制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多値のメモリセルを使用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリにスナップショットとログを格納しつつ、データ復元の信頼性を向上させることができるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、データ転送を行うとともに、第２の記憶部に記憶されたデータの格納位置を含む管理情報を第１の記憶部に取込み、この管理情報を更新しながら第１および第２の記憶部でのデータ管理を行うコントローラと、を備え、第２の記憶部は、第１の記憶部の管理情報であるスナップショットと、管理情報の更新差分情報であるログ２２０と、スナップショットおよびログ２２０の格納位置を示すセカンドポインタ２３０とを保存し、ログ２２０のログ格納領域を構成するログ格納用ブロック４１，４２に対して、ログ格納用ブロック４１はログ格納用ブロック４２の位置を示すポインタを有する。 （もっと読む）

【課題】電源の異常遮断が起きる前の状態に容易かつ迅速に復帰させることができるメモリシステムを得ること。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、起動時に第２の記憶部に記憶されたデータの管理情報を第１の記憶部に取込み、管理情報を更新しながらデータ管理を行うコントローラと、を備え、第１の記憶部に取り込まれた最新の状態の管理情報は、第２の記憶部によって保存されるとともに、管理情報に変更が生じる前に生成される変更前後の前ログと、管理情報に変更が生じた後に生成される管理情報の変更に関する後ログと、を含み、前ログ、後ログは、それぞれブロック５０Ａ，５０Ｂでスナップショットが保存されるまでに格納していた前ログ、後ログの続きのページｋから順番に、各ブロック５０Ａ，５０Ｂでの同一ページ内に保存する。 （もっと読む）

【課題】メモリシステムの起動時に、前回終了時に瞬断が発生したか否かを速やかに判定することができるメモリシステムを提供する。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、データ転送とデータ管理を行うコントローラと、を備え、第２の記憶部は、起動時に必要な固定情報と固定情報の消去回数を示す消去回数識別情報が格納される固定情報格納領域が複数に多重化された固定領域を有し、コントローラは、固定情報の更新時に、固定情報格納領域それぞれ対して、消去回数識別情報の退避処理、固定情報格納領域の消去処理、新たな固定情報の書込み処理、退避した消去回数識別情報の更新および新たな固定情報が書込まれた固定情報格納領域への保存処理を行い、起動時に、多重化された複数の固定情報格納領域間の消去回数識別情報が一致しない場合には、固定情報の更新時に瞬断が発生したと判定する。 （もっと読む）

【課題】電源の異常遮断等からの復帰後にログが破壊されている可能性を排除して、管理情報の信頼性を高めることができるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】管理情報復元部１５５はＮＡＮＤメモリ１２中の前ログ２２０Ａや後ログ２２０Ｂを参照して、瞬断が発生したか否かを判定する。前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂが存在する場合には瞬断が発生したと分かり、その場合は、瞬断の発生したタイミングを判定し、復元に用いる前ログ２２０Ａまたは後ログ２２０Ｂを選択した後、これらのログをスナップショット２１０に反映させて管理情報の復元を行なう。その後、ＮＡＮＤメモリ２１２内の全ての追記用ブロックに対してリカバリ処理を行い、さらに、スナップショット２１０を取り直して、過去のスナップショットとログを開放する。 （もっと読む）

【課題】多値のメモリセルを使用したＮＡＮＤ型フラッシュメモリの書き込み回数を低減して、その寿命が短くなることを抑制することができるメモリシステムを提供すること。
【解決手段】管理情報保存部１５４は、スタンバイ、スリープ、またはリセット信号を受けた場合に、スナップショットを取り直して指示状態へ移行する場合（図１２（ｂ））と、取り直さないで指示状態へ移行する場合（図１２（ａ））との選択が可能な構成とする。 （もっと読む）

【課題】リセット要求を受けてから実際にリセット処理に移るまでに要する時間を従来に比して短縮することが可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】ＷＣ２１を有するＤＲＡＭ２０と、ページ単位で読み出し／書き込みを行い、ブロック単位で消去を行うＦＳ１２と、トラック単位で読み出し／書き込みを行い、ブロック単位で消去を行うＭＳ１１と、ＦＳ１２の入力バッファであるＦＳＩＢ１２ａと、ＭＳの入力バッファであるＭＳＩＢ１１ａと、データの保存処理を行うコントローラと、を備え、ＭＳＩＢ１１ａは、ＷＣ２１に書込まれたデータを保存するＦＳＢＢ１２ａｃを有し、コントローラは、ホスト装置からのリセット要求を受けた場合に、ＷＣ２１に書込まれたデータをＦＳＢＢ１２ａｃに退避する。 （もっと読む）

【課題】電源の異常遮断が起きる前の状態に容易かつ迅速に復帰させることができるメモリシステムを得ること。
【解決手段】揮発性の第１の記憶部と、不揮発性の第２の記憶部と、起動時に第２の記憶部に記憶されたデータの管理情報を第１の記憶部に取込み、管理情報を更新しながらデータ管理を行うコントローラと、を備え、第１の記憶部に取り込まれた最新の状態の管理情報は、第２の記憶部によって保存されるとともに、管理情報に変更が生じる前に生成される変更前後の前ログと、管理情報に変更が生じた後に生成される管理情報の変更に関する後ログと、を含み、前ログと後ログを、それぞれブロック５０Ａ，５０Ｂ内での同一領域内に保存する。 （もっと読む）