【課題】 フラッシュメモリへのアクセス効率がよいフラッシュメモリシステムを提供する。
【解決手段】 フラッシュメモリ１１へのアクセスを制御するメモリコントローラに、フラッシュメモリ１１上の物理アドレスを保持させるためのアドレスレジスタ２３ａ，２３ｂを備えている。フラッシュメモリ１１にアクセスする際には、アドレスレジスタ２３ａに保持された物理アドレスに基づくアドレスデータがフラッシュメモリ１１に与えられ、アドレスレジスタ２３ｂには、次にフラッシュメモリ１１にアクセスする際の物理アドレスが設定される。アドレスレジスタ２３ａの保持する物理アドレスがフラッシュメモリ１１に与えられた後、アドレスレジスタ２３ｂに保持された物理アドレスがアドレスレジスタ２３ａに転送されて保持される。 （もっと読む）

【課題】 高い書き込み速度を実現可能なメモリカードを提供する。
【解決手段】 メモリカードは、複数の書き込み単位領域からなる複数の第１領域および複数の第２領域を有する第１メモリ３を含む。演算部８は、ホスト機器によって付されたアドレスを有する書き込みデータを第１メモリに書き込む指示を出す。第２メモリｃｐは、前回に書き込まれたデータのアドレスと連続するアドレスを期待値とし、書き込み要求の際に期待値でないアドレスを記憶する。第１カウンタｃｔｃｐは、期待値でないアドレスの書き込みデータの書き込み要求があった回数を、アドレスごとに数える。第３メモリｅｐは、第１カウンタにおける値が第１設定値に達したアドレスを記憶する。演算部は、第３メモリが記憶するアドレスの書き込みデータの書き込み要求が来た際、このアドレスに関わらず、第２領域のデータの書き込まれていない個所に書き込みデータを書き込む指示を出す。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリへのアクセスの制御動作の実行速度を低下させることなく、レジスタの数を少なくすることができるフラッシュメモリシステムを実現する。
【解決手段】 フラッシュメモリに対するアクセス制御を行うメモリコントローラにはＲＯＭ２６が設けられている。ＲＯＭ２６に、制御動作をそれぞれ示す動作命令コードを纏めたコードセットを複数組記憶させておき、ホストシステムから与えられた指示情報に基づきコードセットを選択し、選択したコードセットに含まれる動作命令コードをＢレジスタ２３ｃに順次保持させ、Ａレジスタ２３ｂに順次転送する。Ａレジスタ２３ｂに転送されて保持された動作命令コードに対応する動作が、命令処理ブロック２３ａにより、実行される。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリーへ複写するデータに制限を加えることで、容易にデータの初期化を行えるようにする。
【解決手段】不揮発性メモリー４と、前記不揮発性メモリー４とは識別可能な初期化用不揮発性メモリー１１と、前記不揮発性メモリー４と前記初期化用不揮発性メモリー１１を識別して複写するデータを判別する不揮発性メモリー複写手段５を備えた制御装置としたものである。 （もっと読む）

【課題】記憶デバイスをコントローラを介して制御する場合でも記憶デバイス性能をある程度推測できる簡便な方法を持った記憶デバイスを提供すること。
【解決手段】記憶デバイスは、データを記憶する半導体メモリ２１を含む。コントローラ２２は、外部からの要求に応じて半導体メモリにデータを書き込む指示を行う。レジスタ２４は、性能に応じて規定された複数の性能クラスのうちのサポートしている最大性能を出すために必要な性能クラス情報を保持する。 （もっと読む）

【課題】メモリカードの仕様に合わないシーケンスでコマンドを発行してくるホスト機器に対して、正常に応答することが可能なコントローラ、メモリカード及びその制御方法を提供する。
【解決手段】コントローラ１は、ホストインタフェース部６とＣＰＵ８を備える。ホストインタフェース部６は、ホスト機器２０から出力された第１の不揮発性半導体メモリに対するコマンドシーケンスを受け取る。ＣＰＵ８は、ホスト機器２０から出力された第１の不揮発性半導体メモリに対する前記コマンドシーケンスを処理し、このコマンドシーケンスに応じて第２の不揮発性半導体メモリ３に対するデータの書き込み、読み出し及び消去の動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 ECC回路を搭載した不揮発性記憶装置へのデータ書込み時間を可及的に短くする
【解決手段】 ECC回路を含む不揮発性記憶装置を備えたデータ書込み装置において、これからデータを書き込もうとする書込み対象アドレスからデータ及び誤り訂正コードを読み出し、読み出したデータ及び誤り訂正コードに基づいて、書込み対象アドレスの領域が消去状態であるか否かを検査する。消去状態である場合は、書込み対象領域を消去することなくデータ書込みを行う第１モードに書込み回路を設定又は維持し、消去状態でない場合は、書込み対象領域を消去してからデータ書込みを行う第２モードに書込み回路を設定又は維持し、モードの設定後、書込み回路にデータ書込みを指示する。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリを採用した場合は部品コストが大きくなる。
【解決手段】 構内交換機４に接続し、案内音声を再生出力する音声案内装置１０であって、案内音声データを記憶するフラッシュメモリ１２と、録音要求コマンドで使用する制御用アドレス及び制御用データ、各制御用アドレスへの制御用データの書込み順序を予め記憶しておき、録音要求信号を検出すると、録音要求コマンドに関わる制御用アドレス及び制御用データを書込み順序で、フラッシュメモリに対してデータ単位で順次出力するコマンド出力回路１３とを有し、フラッシュメモリは、データ単位で制御用アドレス及び制御用データを順次入力する毎に、同制御用アドレスに同制御用データを書き込むことで、フラッシュメモリ内のメモリ領域を初期化し、この初期化したメモリ領域に案内音声データを録音するようにした。 （もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリに対するデータの書き込み不能状態を回避し、データを高速かつ連続して書き込むことが出来るメモリ管理方法および装置を提供すること。
【解決手段】 空きページ表と書き込み回数表から書き込み順序表を決定し、速度ランク表と前記書き込み順序表から、データ・レートに応じた連続書き込み時間を計算し表示する。この連続書き込み時間がユーザにとって満足できない場合、空きページ表と速度ランク表から新たな書き込み順序表を決定し、速度ランク表と前記新たな書き込み順序表から新たな連続書き込み時間を計算し表示する。連続書き込み時間がユーザにとって満足できる場合、書き込み順序決定後、書き込み処理が開始され、各ページの書き込みに要した時間とブロック毎の消去時間を測定し、書き込み終了後に前記各表を更新し、データ書き込みが終了する。 （もっと読む）

【解決手段】ここに記述された態様は一回又は数回プログラム可能なメモリを、ファームウェアのアップグレードを要しないで、既存の家庭用電子機器(フラッシュ、つまり消去可能、不揮発性メモリで作動するような機器)との作動を可能にするために使用することができ、そのため、ユーザに対する影響を最小限に止める一方、下位互換性を提供する。それによって、これらの態様は既存のフラッシュカード・スロットを備えた家庭用電子機器と、一回又は数回プログラム可能なメモリとの橋渡しをする実行可能な方法である。これらの態様は、又、一回又は数回プログラム可能なメモリ用にカスタマイズしたファイル・システムを組み込むためにファームウェアを更新しなくても、将来の家庭用電子機器を設計できるようにする。 （もっと読む）

【課題】マイクロコントローラーによって制御される不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】NVMアレイと関係付けられた周辺回路を制御するようになっているマイクロコントローラーを含む不揮発性記憶(NVM)装置を操作するためのシステム及び方法が開示されている。本方法は、少なくとも１つのオペレーションコマンドを、NVM装置のマイクロコントローラーに提供する段階と、操作信号をNVM装置の周辺回路に適用して、少なくとも１つのオペレーションコマンドに基づいてNVMアレイを操作する段階と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのメモリ容量を大きく減少させることなく、フラッシュメモリの消去回数を減らし、フラッシュメモリのデータの更新を効率的に行い、記憶素子の劣化を低減するとともに、データのアクセスを高速に行なうことができるメモリ装置、メモリ装置の制御方法およびデータ処理システムを提供する。
【解決手段】論理ブロックのアドレス、物理ブロックのアドレスおよび物理ブロックの終了クラスタ番号を対応付けた論理／物理テーブルを設け、書き込み命令に基づくデータの開始クラスタ番号ＳＣが、論理／物理テーブルの物理ブロックの終了クラスタ番号ＥＣより大きい場合、従来のような物理ブロックの更新（新たなデータの書き込みおよび元の物理ブロックのコピー）を行なわずに、物理ブロックにデータを追記する。 （もっと読む）

本発明は、データが１以上の記憶装置からロードされるか又は該記憶装置に書き込まれる場合がある直列に相互接続される１以上のシフトレジスタのセットを利用したメモリアクセススキームに関する。すなわち、記憶装置からのデータは、シフトレジスタのセットにパラレルにロードされ、次いで、シフトレジスタのセットから出力されてその宛先に転送されるまで、シフトレジスタを通してシリアルにシフトされる。さらに、シフトレジスタのシフティングがデータのリード及び／又はロードの間に中断されないように、データは記憶装置からシフトレジスタのセットに読み出され、データはシフトレジスタのセットから記憶装置にロードされる。さらに、記憶装置からのデータは、２以上のシフトレジスタのパラレルチェインにロードされる場合があり、次いで、シフトレジスタのチェインを通してシリアルにシフトされる。
（もっと読む）

【課題】 フラッシュメモリの書込み高速化を実現する。
【解決手段】 ブロック単位にデータの消去が可能なフラッシュメモリ２のアクセスを制御するコントローラにおいて、ホストシステム２０から論理ブロックを示す論理ブロックアドレスと共に書込み用データが与えられる。論理ブロックアドレスにオフセットを加算することにより、書込み用データの書き込み開始位置を、フラッシュメモリ２の記憶領域における物理ブロックの先頭に設定する。これにより、論理ブロックのデータを物理ブロックに書き込んでいる途中でアドレス変換をする必要がなくなり、高速の書込みが可能になる。 （もっと読む）

コントローラは、その時点でメモリに記憶されているファイルに関連するデータを記憶していないブロックを決定するために、連続的または周期的にＦＡＴテーブルに対して問い合わせを行う。ファイルに割り当てられていないブロックを見つけた場合、このブロックが消去され、データ受信可能としてマークされる。このように、ファイルをメモリに書き込んでいるときに消去動作が行われるのを待つことなく、大きなファイルをメモリに記憶することができる。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリを備える情報処理装置において、電力制御のためのメモリ管理を適切に行うこと。
【解決手段】 情報処理装置１は、不揮発性メモリ４０の記憶領域に確保されるメモリブロックそれぞれに固有のメモリブロック名を付し、そのメモリブロック名によってメモリブロックを識別するメモリ管理テーブルを用いて、不揮発性メモリ４０のメモリ管理を行う。そして、電源の再投入時には、アプリケーションがメモリブロック名を指定することにより、不揮発性メモリ４０においてメモリブロック名が検索され、そのメモリブロック名に対応するメモリブロックのデータにアクセスされる。したがって、不揮発性メモリを備える情報処理装置において、電力制御のためのメモリ管理を適切に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 源振のクロック周波数に応じて一定の書き込み又は消去時間を確保し、不揮発性メモリの書き込み又は消去動作を安全に行い、不揮発性メモリを保護する集積回路装置を提供する。
【解決手段】タイマ３００は、書き込み信号ＷＲＳがアクティブに設定されると、不揮発性メモリ４００の書き込み中又は消去中であることを示すタイマ出力信号ＴＯＳを所定の期間中、アクティブに設定し、プロセッサ１００は、プロセッサ１００をスリープ状態に設定する場合、モード設定回路５００に出力するスリープ要求信号ＳＰＬＲをアクティブに設定し、モード設定回路５００は、スリープ要求信号ＳＰＬＲと、タイマ出力信号ＴＯＳと、を受け、タイマ出力信号ＴＯＳがアクティブに設定されている間は、プロセッサ１００をスリープ状態に設定するスリープ信号ＳＰＬをノンアクティブに設定する。 （もっと読む）

クラスタ又は物理ブロック等の所定の記憶単位に対応した書き込み完了フラグを記憶する書き込み完了フラグテーブル１０５を不揮発性の制御メモリ１０６に格納する。そして所定の記憶単位へのデータ書き込みが完了したことを検出し、書き込み完了フラグテーブル１０５上の対応する記憶単位のアドレスに書き込み完了フラグを書き込む。こうすればデータが正常に書き込まれたことが確認できる。主記憶メモリの書き込み単位のページに書き込みの完了を示すフラグを書き込めない場合も書き込みの信頼性を向上できる。 （もっと読む）

メモリカード（１）は、データ処理装置（５０）との間でコマンドやデータの送受信を行うホストインタフェース（２）と、データを格納する不揮発性メモリ（７）と、メモリカードの動作を制御するコントローラ（３）と、所定の管理情報を格納する記憶手段（３２）とを備える。管理情報は、不揮発性メモリへの書き込み動作時にエラーが発生したときにリトライ機能を実行するか否かを指定するためのリトライ設定情報を含む。コントローラ（３）は、データ書き込み動作時に、リトライ設定情報を参照し、リトライ設定情報がリトライ機能の停止を示す場合は、データ書き込み動作時のエラー発生時にリトライ機能を動作させないように、また、リトライ設定情報がリトライ機能の作動を示す場合は、データ書き込み動作時のエラー発生時にリトライ機能を動作させるように、書き込み動作を制御する。 （もっと読む）