イオンストリームを作り出す好適なイオンソース１２は、アークチャンバのイオン化領域Ｒを少なくとも部分的に制限するアルミニウム合金のアークチャンバの筐体７６を備えている。アークチャンバの筐体は、熱フィラメントのアークチャンバのハウジングであって、電子がアークチャンバのイオン化領域を流れるのに十分な温度にカソード１２４を直接的又は間接的に加熱するハウジングとともに使用される。温度センサは、アークチャンバ７６の内部の温度を監視するとともに、感知温度に関する信号を供給する。コントローラは、センサにより測定された感知温度を監視するとともに、感知温度を範囲内に維持するように温度を調節する。
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電極組立品は、１つまたは複数の出口を有するシールドによって囲繞された電極材料のコイルと、前記シールドから出る前に前記コイルの軸Ｘ−Ｘに沿って誘導される遮蔽ガスの供給とを備える。 （もっと読む）

【課題】アーク放電装置のチャンバの内部に堆積する不要堆積物がアーク放電に影響を及ぼさないようにする。
【解決手段】アークチャンバ本体１Ａと、該アークチャンバ本体１Ａの内部に設けられ、導入される気体をアーク放電するためのフィラメント９と、アークチャンバ本体１Ａの内部にフィラメント９と対向して設けられたカソード６と、アークチャンバ本体１Ａの内部における上面、底面及び壁面のうちの少なくとも壁面上に設けられたライナベースとを備え、ライナベースの表面は平坦で且つその表面には格子状の溝部１００が少なくともフィラメントと隣接する部分に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、イオン注入機に適しているイオン源用前板（２７）に関する。本発明による前板は、表側（７０）および裏側（７２）と、表側と裏側との間の前板を実質的に真っすぐに通って延びるイオン源からのイオンの脱出を可能にするための出口アパーチャー（２８）と、前板をその深さの少なくとも一部に対して斜めに表側から裏側へと貫通するスロット（８０）であって、前板の側面（８２）から出口アパーチャー（２８）と結合するように延びるスロットと、を備える。スロットは、前から見た場合にイオン源への視線をふさぐように斜めであるが、熱応力を緩和するために膨張ギャップを提供する。 （もっと読む）

【課題】 平行性の良いイオンビームを引き出すことができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源は、プラズマ生成容器３０と、フィラメント４２と、電子を反射させると共にイオン５２を引き出す反射電極４８と、プラズマ生成容器３０と同電位に保たれる制御電極４６と、イオン５２を減速する減速電極５０とを備えている。これらは、ｙｚ平面に平行な面状をしている。更に、プラズマ生成容器３０内にｘ軸に平行な磁界を発生させる第１コイル５４と、イオン５２を加速してイオンビーム９０として引き出す引出し電極系７６と、引出し電極系７６付近にｘ軸に平行な磁界を発生させると共に、第１コイル５４と協働して、減速電極５０と引出し電極系７６間の領域に、イオン５２の進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第２コイル８６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数のイオンビームを独立してオン・オフ可能とする。
【解決手段】 イオンガン１１は、ガス導入部１１４よりＡｒガスを本体１１１内に導入し、フィラメント１１３とアノード１１２との間で直流熱陰極放電をおこし、Ａｒのプラズマを生成する。次に、２つ分割された構成を有する、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂに、イオンを射出する方向に電圧勾配を与えて、イオンを射出させる。加速制御スイッチ１２１ａ、１２１ｂを独立してオン・オフすることにより、分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位を独立に制御し、停止すべきイオンビームに対応する分割加速グリッド１１６ａ、１１６ｂの電位をフローティング状態にして、イオンビームを停止する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。
【解決手段】イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。この排気の途中から、デガス処理のためにフィラメント１２ｂを通電加熱する。デガス処理の際、イオン源のターボ分子ポンプ１３ａの背圧を真空計１３ｆにより測定することにより、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を取得して通電加熱、デガス状態を監視する。又、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ１２ａと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】イオン源において、短時間でアーク放電を行い、かつ、フィラメントの溶断を防止するイオン源を提供する。
【解決手段】ガスが供給されてプラズマを生成する、内部空間を備えたチャンバ１２と、チャンバ１２と電気絶縁され、内部空間のチャンバ内壁面から突出し、内部空間に熱電子を供給するフィラメント１４と、フィラメント１４と同じ種類のフィラメントの溶断時の溶断電流を記録保持するメモリ４４ｂと、溶断電流の５０〜８０％の電流をフィラメント電流の立ち上げ時に流す電流制御部４０と、溶断電流の５０〜８０％の電流をフィラメントに流したときの抵抗値を求める計測部４２と、求めた抵抗値からフィラメントの摩耗状態を判定する判定部４４ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板位置での２次元のイオンビーム電流分布の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。制御装置１２は、モニタ１０からの測定データに基づいて電源１４を制御することによって、モニタ１０で測定したビーム電流が多いモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を相対的に大きくし、測定したビーム電流が少ないモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ１０で測定される２次元のビーム電流分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】 カソードの着脱が容易であり、しかもカソードからカソードホルダーへの伝熱損失を低減してカソードの加熱効率を高めることができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源は、前部２２、後部２４および両者をつなぐ連結部２６、２７を有しておりかつ後部２４が二つの張出し部２４ａを有しているカソード２０と、先端部が鉛直方向Ｇの下に向くように配置されていてその先端部付近内に、カソードの後部２４が通る貫通穴３４を有する棚部３２を備えている筒状のカソードホルダー３０と、カソードの後部２４に対応した形状をしていて後部２４が通る貫通穴４４を有しているロック板４０とを備えている。そして、カソードの後部２４を、カソードホルダーの貫通穴３４およびカソードホルダー内に入れたロック板の貫通穴４４に通し、カソード２０とロック板４０を相対的に回転させてカソードの後部２４とロック板４０とを係合させて、ロック板４０を介してカソード２０を棚部３２で支持している。 （もっと読む）

イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源が提供される。方法は、多数の元素を含むソースフィードガスからイオンを生成することに関する。例えば、ソースフィードガスは、ホウ素と他の少なくとも二つの元素（例えばＸ_ａＢ_ｂＹ_ｃ）とを含みうる。このようなソースフィードガスの利用により、従来の処理に比して幾らもの利点が生じ、その中のひとつに、非常に浅い接合深さを持つ注入領域を形成する際、より高い注入エネルギーおよびより高いビーム電流の利用を可能とすることがある。さらに、幾らかの実施形態においては、ソースフィードガスの組成が、例えば摂氏３５０度より高い温度などの比較的高い温度下において熱的安定するように選択されて、利用中にこのような温度を生じる多くの従来のイオン源（例えば傍熱陰極、Ｂｅｒｎａｓ）でもそのようなガスの利用を可能ならしめることができる。 （もっと読む）

イオン注入方法は、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、材料中にＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む。幾らかの実施形態においては、前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい。他の実施形態においては、約１３２〜１４４ａｍｕ、あるいは、約１３６〜１３８ａｍｕである。チャンバを画定するチャンバ筐体と、チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、チャンバ内でソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する、イオン源もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入機（Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔｅｒ）のイオン発生装置に関し、より詳細には、イオン発生装置のアークチャンバ（Ａｒｃ Ｃｈａｍｂｅｒ）内部に電場を印加して前記アークチャンバ内部のイオンの抽出率を高めるイオン注入機のイオン発生装置に関する。
【解決手段】本発明のイオン注入機のイオン発生装置によると、スリットと対向するアークチャンバ内面に所定の電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を設置し、前記電極を介して前記スリット方向に電場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を印加することによって前記アークチャンバ内に存在するイオンが前記スリットを介してより効率的に抽出されるようにし、前記アークチャンバ内の残留イオンを減少させると同時に、イオン注入に用いられるイオン量を増加させる効果を得ることができる。 （もっと読む）

イオン源の内部表面から堆積物を除去する堆積物クリーニングシステムは、フッ素源、絞り機構、および、コントローラを備える。フッ素源は、クリーニング材料としてフッ素をイオン源に供給する。絞り機構は、ソースアパーチャを少なくとも部分的に覆うことによって、イオン源のソースアパーチャを介したフッ素の損失を軽減する。コントローラは、フッ素源からイオン源までの供給と流量とを制御すると共に、絞り機構の位置合わせも制御する。
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【課題】 本発明は、化学的に安定な金属クラスター錯体等の多核金属分子（金属クラスター錯体等）を使うことによって、サイズの揃ったクラスターのビームを安定に得るとともに、装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】 本発明の分子ビーム装置は、金属クラスター錯体を用いてイオンビームを生成する分子ビーム装置において、気化させた金属クラスター錯体をイオン化することを特徴とする。
また、本発明の分子ビーム装置は、気化させた金属クラスター錯体を電子衝撃によりイオン化することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ＣＭＯＳデバイスを製造する目的でシリコン基板にクラスタ注入およびモノマー注入を可能にし、高い生産性でそのようにするために、Ｂ_２Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_５Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_１０Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_１８Ｈ_Ｘ^＋、Ｐ_４^＋もしくはＡｓ_４^＋などのイオン化されたクラスタまたはＧｅ^＋、Ｉｎ^＋、Ｓｂ^＋、Ｂ^＋、Ａｓ^＋、およびＰ^＋などのモノマーイオンからなるある範囲のイオンビームを提供するイオン源が開示される。イオンビームの範囲は、イオン化されたクラスタを効率的に生成する電子衝撃モード、およびモノマーイオンを効率的に生成するアーク放電モードの２つの個別のモードで動作するように構成された本発明による汎用イオン源によって生成される。 （もっと読む）

【課題】 イオン源ガスとして三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオンビームを引き出すときに、イオンビーム中のＢ⁺ の比率を高めることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２のプラズマ室容器２０内に供給するイオン源ガス５０として三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオン源２からイオンビーム４を引き出すときに、バイアス回路６４によって、イオン源２のプラズマ室容器２０に対するプラズマ電極３１のバイアス電圧Ｖ_B を正電圧にする。 （もっと読む）

【課題】新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源（１）は、プロセスガスを生成する蒸発器（２）と、電子ビーム（３２）を指向してイオン化封入物（１６）内のプロセスガスをイオン化する電子源（１２）と、ビームダンプ（１１）と、イオン化チャンバ（５）と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ（３７）とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを備えるイオンドーピング装置を用いて多条件のドーピングを行っても、フィラメントの劣化を抑えつつ、ドーピングすることを課題とする。
【解決手段】イオンドーピング終了後、材料ガスを止めるとともに水素または希ガスを流し、水素または希ガスを流し続けた後、フィラメントの電流を低下させ、フィラメントの温度が降下することにより、フィラメントの温度が降下する際にフィラメント周囲に材料ガスが水素または希ガスで置換されているようにする。 （もっと読む）

【課題】従来、高周波プラズマを用いて、窒素プラズマとフラーレンを反応させて窒素内包フラーレンを製造していた。従来の方法では、内包フラーレンの生成に必要な窒素原子イオンの生成効率が低く、また、生成されたイオンのエネルギー制御性が悪いために、内包フラーレンの収率が極めて低いという問題があった。
【解決手段】熱陰極と直流マグネトロン放電を用いたプラズマ源により窒素プラズマを生成し、さらに、窒素イオンのエネルギーを制御して高密度のフラーレンガス中に照射し、窒素内包フラーレンを生成した。窒素原子イオン密度が高く、イオンエネルギーを最適制御して高密度フラーレンに照射しているため、高い収率で窒素内包フラーレンを製造することが可能になった。 （もっと読む）