【課題】イオン注入システムに使用されるイオン源を、一つの出力モードから他の出力モードへ、一つのイオン源材料から他のイオン源材料へ、移行可能とする。
【解決手段】イオン源アッセンブリ本体２２０は、フィラメント２０４と反射板２０６間の領域、及びＲＦアンテナ１２８のアーム間で、固体材料２２８、２３２からイオン化材料１１６及び１２０が供給され、イオン・プラズマ２１４を創り出すイオン源室２１２を備える。ＲＦアンテナ１２８は、セラミックチューブ２２５、サファイアによって囲まれた銅等から作り、ウオータジャケット２１６を使用して水冷にできる。イオン源室２１２は、その中に低出力直流放電要素１２６と、高出力放電要素であるＲＦアンテナ１２８の双方を含む。低出力放電要素である１２６は、カソードヒータフィラメント２０４、第１反射板２０６及び第２反射板２０８を含む。 （もっと読む）

【課題】投入電力の増大を抑制しつつ、寿命を向上可能なイオンドーピング装置用フィラメントおよびその製造方法、さらに当該イオンドーピング装置用フィラメントを備えたイオンドーピング装置を提供する。
【解決手段】フィラメント１１は、導電性を有するタングステン線からなり、当該タングステン線が直線状に延在する２つの直線部１２と、複数の直線部１２のうち、互いに隣接する直線部１２の端部を接続する接続部１３とを備えている。そして、直線部１２には、接続部１３よりもタングステン線が延びる方向に垂直な断面における断面積であるフィラメント断面積が大きい大径部１４が形成されている、 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時等において、固体ソースの酸化を防止することができる気化装置および気化装置を備えたイオン源装置を提供する。
【解決手段】気化装置１は、開口１１１が形成され、固体ソースＳを収容するとともに、内部で固体ソースＳが気化する収容部１１と、収容部１１内のガスを排出するための流路１２１Ｃが形成された排出部１２と、排出部１２が摺動するとともに、収容部１１の開口１１１に連通する孔１３１が形成され、収容部１１に接続された被摺動部１３とを備える。排出部１２の孔１３１内を摺動する摺動面１２１Ａには、流路１２１Ｃへのガスの導入口１２１Ｂが形成されている。排出部１２を収容部１１側に向けて摺動させた際には、導入口１２１Ｂを介して流路１２１Ｃと収容部１１内部とが連通し、排出部１２を収容部１１と反対方向に向けて摺動させた際には、導入口１２１Ｂが被摺動部１３の孔１３１の内面で閉鎖される。 （もっと読む）

【課題】大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部にイオン源となるプラズマ１を発生させるプラズマ室１０と、プラズマ室に近接しプラズマからイオンビーム２を引き出す引出電極２０と、プラズマ室内に引出電極に対向して位置し引出電極によって引き出されたイオンビームのビーム軸と直交する断面形状を可変制御する可変スリット装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）

【課題】交換作業時間のさらなる短縮化を通じて装置稼働率を向上させることができ、作業手順が簡単で間違いの発生を少なくすることができる物品交換機構および物品交換方法を提供する。
【解決手段】本発明の物品交換機構１は、開口部５を有する真空容器４と、物品３を支持し且つ開口部５を気密に開閉可能な２つの交換ユニット１２と、真空容器に着脱可能であり、それぞれ、交換ユニット１２と解除可能に連結して、交換ユニット１２を移動させる２つのユニット支持機構１３と、２つの交換ユニット１２を内部に収容する状態で真空容器４に着脱可能な交換用容器１０と、２つのユニット支持機構１３の各々と解除可能に連結して２つのユニット支持機構１３を動作させる複数の操作部材１８と、交換用容器１０の内部を真空状態にする真空機構２３と、交換用容器１０の内部を所定圧力まで戻す復圧機構２６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する技術を提供する。
【解決手段】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共に前記イオン源を長寿命化する技術を開示する。１つの具体的な実施形態例によると、当該技術は、イオン注入装置のイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する方法として実現されるとしてよい。当該方法は、イオン源チャンバに所定量のドーパントガスを導入する段階を備えるとしてよい。ドーパントガスは、一のドーパント種を含むとしてよい。当該方法はさらに、イオン源チャンバに所定量の希釈ガスを導入する段階を備えるとしてよい。希釈ガスは、ドーパントガスを希釈して、イオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する。さらに、希釈ガスは、ドーパント種と同一のＣＯ種を含むとしてよい。 （もっと読む）

【課題】複数のフィラメントを同時に交換することにより、フィラメント交換の作業時間を短縮でき、イオン注入装置の稼働率を向上できるイオン源及びそのフィラメント交換方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン源１は、プラズマ生成容器４に隣接して設けられた真空ボックス５と、真空ボックス５内に設けられ先端部で複数のフィラメント３をそれぞれ支持する複数の支持アーム７と、真空ボックス５とプラズマ生成容器４との間に配置され両者間を気密に仕切る開閉可能なゲートバルブ６と、真空ボックス５内を真空状態とするための真空機構９と、を備える。真空ボックス５には大気開放するための蓋部材８が設けられている。ゲートバルブ６は支持アーム７及びフィラメント３が通過可能な開口部１４を有している。支持アーム７は、先端に設けられたフィラメント３を、開状態のゲートバルブの開口部１４を通過させて真空ボックス５とプラズマ生成容器４との間を移動させるように真空ボックス５に設けられている。 （もっと読む）

中央磁極と電気的アノードとの両方として作用するアノードを備える、クローズドドリフトイオン源を提供する。前記アノードは、前記源の電気インピーダンスをさらに増大させるために、クローズドドリフト領域を生成する絶縁材料キャップを備える。前記イオン源は、宇宙スラスタへの応用のための円形の従来のイオン源、または広範囲の基板を均一に処理するための長い線状のイオン源として構成されることができる。特に有用な実施では、本発明を、マグネトロンスパッタプロセスのためのアノードとして使用する。
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ガス希釈によりイオン源の性能を向上さえ寿命を延長する技術を開示する。１つの特定好適例では、この技術を、ガス希釈によるイオン注入装置内のイオン源の性能を向上させ寿命を延長する方法として実現することができる。この方法は、所定量のドーパントガスをイオン源チャンバ内に放出するステップと、所定量の希釈ガスをこのイオン源チャンバ内に放出するステップとを具えることができる。この希釈ガスは、ドーパントガスを希釈するためのキセノン含有ガスと水素含有ガスの混合物で構成されて、イオン源の性能を向上させ寿命を延長することができる。
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本発明は、ビーム制御回路と、イオン注入システム内の粒子汚染を、イオンビームのデューテイファクタを減少させることにより最小限にする方法に関する。ある実施形態においては、ビーム制御回路は、電源と、イオン注入システムのイオン源領域とに直列に接続された高電圧スイッチを有し、高電圧スイッチは電源と、プラズマ生成のための電極を含むイオン源の電極との間の接続を遮断および再確立するよう動作可能である。ビーム制御回路は、また、高電圧スイッチをイオン注入開始前に閉じ、注入完了後あるいはビームが必要とされない時には開くよう制御することによりイオンビームのデューテイファクタを制御可能なスイッチコントローラを有し、これによりビームのデューテイファクタと粒子汚染を最小限にする。ビーム制御方法は、ウエハドーピング注入や、デューテイファクタ減少に応用してもよい。高電圧スイッチの保護回路は、リアクタンス成分からのエネルギーを吸収し、過電圧を制限する。
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【課題】フィラメントの変形を抑制できるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部にプラズマ生成用のガスが導入され、内部にプラズマを発生させるプラズマ容器３と、プラズマ容器の内部に位置し、その一端部９ａと他端部９ｂの間に電圧が印加されることで熱電子を放出するフィラメント９と、フィラメントから放出された熱電子がガスの分子に衝突することで発生したプラズマに電場を印加して、該プラズマからイオンを引き出す引出し電極１７と、を備え、このイオンを所望の対象物１に注入する。フィラメントがその一端部から他端部まで延びる途中部分においてフィラメントを支持する支持部材２３ａ，２３ｂ，２３ｃをさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 カソード近傍に発生する異常放電を防止してパーティクルやスプラッシュの発生を抑制するためのイオンビーム源及びこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィラメントの切断により運用寿命が決まるイオン源において、従来比、運用寿命が長いイオン源を提供する。
【解決手段】イオン源１０は、チャンバ１２と、チャンバ１２の内壁面から突出し、通電することにより内部空間３４に熱電子を放出するフィラメント１４ａ，１４ｂと、フィラメント１４ａ、１４ｂのそれぞれに熱電子を供給するフィラメント電源３０ａ，３０ｂと、フィラメント１４ａ，１４ｂのＯＮ／ＯＦＦの制御を行う制御ユニット４０と、を有する。制御ユニット４０は、プラズマ立ち上げ時、フィラメント１４ａから熱電子を放出させ、プラズマ立ち上げ後、熱電子の放出を行うフィラメントをフィラメント１４ｂに切り替えて、プラズマの生成を維持するように、フィラメント電源３０ａ，３０ｂのＯＮ／ＯＦＦを制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の両面を平坦化できるコンパクトなイオンガン、これを備えたイオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング設備、これらを用いたエッチング方法及び磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】イオンガン１０は、プラズマ発生源１４と、引き出し電極部１６と、を含み、引き出し電極部１６は、電極板３４、３６、３８におけるこれら電極板３４、３６、３８を横切る基準面１８の一方側の部分を含みこれらの部分が基準面１８における照射対象領域１８Ａに対向するように基準面１８に対して傾斜した第１の電極部２０と、電極板３４、３６、３８における基準面１８の他方側の部分を含みこれらの部分が基準面１８における照射対象領域１８Ａに対向するように基準面１８に対して傾斜した第２の電極部２２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。制御装置９０は、モニタ８０からの測定データに基づいて電源１１４を制御することによって、モニタ８０で測定したビーム電流密度が大きいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を大きくし、測定したビーム電流密度が小さいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ８０で測定されるＹ方向のビーム電流密度分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】寿命の長いイオン銃を提供する。
【解決手段】プラズマを生成してイオンを発生させるイオン化室と、イオン化室のイオン引き出し口に備えられる複数の電極とを有して成るイオン銃において、複数の電極のうちの少なくとも２つの電極は、その２つの電極と絶縁しつつそれらを結合する軸材と、その軸材に貫通され２つの電極間に挟持されて自身の軸方向寸法によって電極間隔を決定する円筒形のインシュレータとを用いて相互に固定され、円筒形のインシュレータの外周には、インシュレータの軸方向寸法より短い第１の軸方向寸法を有し、内周面に第１の軸方向寸法より短い第２の軸方向寸法を有する凸条が軸廻りに周回して形成された筒型の絶縁体シールドスリーブが嵌められている。 （もっと読む）

【課題】より高圧の真空領域での使用を可能とし、用途の拡大が図られた、イオンガン、及び成膜装置を提供する。
【解決手段】スリット状の開口部１１が形成された陰極２と、開口部１１の幅方向に磁場を発生させる磁石３と、磁場に対し略垂直方向に電界を生じさせるように陰極２の裏面から離間配置された陽極５とを備え、陰極２の表面の開口部１１からイオンビームが引き出されるイオンガン１である。磁石３は、ＳｍＣｏ合金を主成分として構成され、開口部１１は、陰極２の裏面から内部に向かって垂直に延びる隙間が略一定の垂直部と、垂直部に連続し、陰極２の表面に向かって隙間が漸次拡がる傾斜部とから構成され、垂直部の隙間が、０．７ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

本発明は、ＲＦソース（１２）から駆動されるプラズマ発生器（１１）と、アクセラレータグリッド（１５）が横断して取り付けられている出口（１４）を有するプラズマまたはソースチャンバ（１３）とを備えるイオンガン（１０）に関する。アクセラレータグリッド（１５）は４つの個別のグリッドを備える。出口（１４）に最も近い第１のグリッド（１６）が直流源（１６ａ）によって正電圧に維持され、第２のグリッド（１７）が直流源（１７ａ）によって高い負電圧に維持される。第３のグリッド（１８）が、直流源（１８ａ）によって、第２のグリッド（１７）の負電圧よりも著しく低い負電圧に維持され、および、第４のグリッドが接地される。これらのグリッドを取り付ける手段も説明されている。
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【課題】 幅が広く、ビーム電流が大きく、かつ幅方向におけるビーム電流分布の均一性の良いイオンビームを発生させることができ、しかもカソードの寿命を長くすることができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源２ａは、Ｘ方向に伸びたイオン引出し口８を有するプラズマ生成容器６と、当該容器６内にＸ方向に沿う磁界１６を発生させる磁石１４と、プラズマ生成容器６のＸ方向の両側に配置されていて、当該容器６内におけるプラズマ１０の生成およびプラズマ１０全体の密度の増減に用いられる傍熱型カソード２０と、プラズマ生成容器６内にＸ方向に沿って並設されていて、当該容器６内におけるプラズマ１０の生成およびプラズマ１０の密度分布の制御に用いられる複数のフィラメントカソード３２とを備えている。 （もっと読む）