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Fターム[5C030DE10]の内容

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Fターム[5C030DE10]に分類される特許

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【課題】ターゲットに照射したレーザー光がもつエネルギーを効率良くイオン加速に利用することができるイオン加速方法及び装置を実現する。
【解決手段】レーザー光3を照射する前段部分2aの電子密度を臨界条件とし、前段部分に後続する後段部分2bの電子密度が漸次に減少する構成のターゲット2を使用し、ターゲットの前段部分にレーザー光を照射して入射したレーザー光の群速度を該前段部分において0にまで減速させることによりレーザー光のエネルギーを電子に伝達し、エネルギーを受け取った前記電子を前段部分に後続する後段部分により漸次的に加速して該電子によりイオンを加速して該後段部分から放出する。 (もっと読む)


【課題】測定時間を短縮して従来にはない高精度の測定が可能になるように、偏極率が18%を超える高い偏極率をもった偏極イオンビームを発生させる方法とその装置を提供する。
【解決手段】偏極イオンビーム発生方法は、2への遷移に対応するD線に波長調整した円偏光と直線偏光とを互いに直角の照射方向から準安定ヘリウム原子へ照射して光ポンピングすることを特徴とする構成を採用した。 (もっと読む)


【課題】単位時間当たりの中性子発生量を増加することができるイオン発生装置および中性子発生装置を提供すること。
【解決手段】中性子発生装置1は、イオン発生装置2を備え、このイオン発生装置2は、重水素ガスまたは三重水素ガスが供給されるイオン発生管21と、イオン発生管21の外部に配置され、このイオン発生管21に磁界を発生させる磁石23と、イオン発生管21の外部に配置され、このイオン発生管21に電界を発生させるプラズマ発生用アンテナ22と、プラズマ発生用アンテナ22に高周波電力を供給する高周波電源24と、を備える。高周波電源24は、イオン発生管21においてプラズマの非定常状態を繰り返し発生するように、プラズマ発生用アンテナ22に、高周波電力をパルス制御して供給する。 (もっと読む)


【課題】 平行性の良いイオンビームを引き出すことができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源は、プラズマ生成容器30と、フィラメント42と、電子を反射させると共にイオン52を引き出す反射電極48と、プラズマ生成容器30と同電位に保たれる制御電極46と、イオン52を減速する減速電極50とを備えている。これらは、yz平面に平行な面状をしている。更に、プラズマ生成容器30内にx軸に平行な磁界を発生させる第1コイル54と、イオン52を加速してイオンビーム90として引き出す引出し電極系76と、引出し電極系76付近にx軸に平行な磁界を発生させると共に、第1コイル54と協働して、減速電極50と引出し電極系76間の領域に、イオン52の進行方向に向けて減衰している磁界を発生させる第2コイル86とを備えている。 (もっと読む)


【課題】イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。
【解決手段】イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源12のアークチャンバ12a内の排気を、イオン源12に設けられたターボ分子ポンプ13aを用いて行う。この排気の途中から、デガス処理のためにフィラメント12bを通電加熱する。デガス処理の際、イオン源のターボ分子ポンプ13aの背圧を真空計13fにより測定することにより、通電加熱中のアークチャンバ12a内の圧力の情報を取得して通電加熱、デガス状態を監視する。又、通電加熱中のアークチャンバ12a内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ12aと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。 (もっと読む)


イオン源の内部表面から堆積物を除去する堆積物クリーニングシステムは、フッ素源、絞り機構、および、コントローラを備える。フッ素源は、クリーニング材料としてフッ素をイオン源に供給する。絞り機構は、ソースアパーチャを少なくとも部分的に覆うことによって、イオン源のソースアパーチャを介したフッ素の損失を軽減する。コントローラは、フッ素源からイオン源までの供給と流量とを制御すると共に、絞り機構の位置合わせも制御する。
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【課題】 電子やイオン等の荷電粒子を効率良く安定的に豊富に発生させ,なおかつ,加熱フィラメントを構成要素として含まず,構造が簡単で安価な半永久的に使用可能な荷電粒子発生源を提供すること。
【解決手段】 絶縁性中空管(1)の一端に,先端に行くにつれて開口部が広がっている形状の中空管電極(2)が存在し,絶縁性中空管(1)のもう一方の他端に,もうひとつの電極(3)が存在している構成とする。 (もっと読む)


【課題】熱陰極を電子放出源として利用する場合、電子の放出が不安定で、該熱陰極が損耗して寿命が短くなるという課題を解決する。また、イオン銃のコストを低くし、熱陰極を電子放出源とするイオン銃の構成が複雑であるという課題を解決する。
【解決手段】発明に係るイオン発生装置10は、容器11と、陰極装置16と、陽極電極14と、を含む。容器は、電子進入口15を有する第一端部115と、第一端部の反対側の電子排出口13を有する第二端部113と、第一端部と第二端部との間に設置されてガス吸入口17を有する本体と、を備える。陰極装置は、電子進入口に対向して設置され、伝導基材と少なくとも一つのエミッタとを備える。陽極電極は容器の内部に設置され、環状又は筒状に形成される。 (もっと読む)


【課題】新規なソース材料(特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料)を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源(1)は、プロセスガスを生成する蒸発器(2)と、電子ビーム(32)を指向してイオン化封入物(16)内のプロセスガスをイオン化する電子源(12)と、ビームダンプ(11)と、イオン化チャンバ(5)と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ(37)とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、化学的に安定な金属クラスター錯体等の多核金属分子を使うことによって、サイズの揃ったクラスターのビームを安定に得るとともに、装置の小型化を実現することを目的とする。
【解決手段】
(1)本発明の多核金属分子ビーム装置は、多核金属分子を用いてイオンビームを生成する装置において、多核金属分子を気化させると同時にイオン化することを特徴としている。
(2)また、本発明の多核金属分子ビーム装置は、上記(1)において、多核金属分子をレーザーアブレーションによりイオン化することを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】 傍熱陰極型イオン源において、プラズマ生成効率の向上、ガスの利用効率の向上およびイオン源の長寿命化を可能にする。
【解決手段】 プラズマ生成容器4のカソード用開口20内に筒状のカソードホルダー22を、その先端がプラズマ生成容器4の内壁面5よりも外側に位置するように挿入し、カソードホルダー22内にカソード26を、その前面28が内壁面5よりも外側に位置するように保持している。カソードホルダー22内に、カソード26との間に空間をあけてその側面を取り囲む筒状の第1熱シールド36を設けており、その先端は内壁面5よりも外側に位置している。カソード26の後方にフィラメント38が設けられており、カソードホルダー22とプラズマ生成容器4との間は電気絶縁物40で塞がれている。 (もっと読む)


本発明は、有用な強度で前もって製造することが以前は不可能であった高強度の多種多様な求められている正及び負の分子状及び原子状イオンビームを製造するための小型で経済的な装置を包含する。更に本発明は、求められているイオンと一緒にしばしば同時に放出される随伴背景イオンを実質的に拒否する。本発明の基礎を成す原理は、共鳴イオン化・移送であり、該原理では共鳴プロセスと非共鳴プロセスとの間のエネルギー差を利用して特定電荷変化プロセスを促進するか又は弱める。この新ソース技術は、加速器質量分析、分子イオン注入、有向中性ビームの発生、及び磁場内におけるイオンビーム中性化に必要な電子の生成の分野に関連する。商業的重要性を有する一例は、デカボラン分子、B1014のイオン化であり、該イオン化ではデカボラン分子と砒素原子との間で殆んど完全なイオン化共鳴一致が生ずる。
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【課題】被処理物に均一な密度の中性粒子ビームを照射することができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム処理装置は、複数の孔40が形成された構造体42と複数の中性粒子ビーム生成機構50とを有する中性粒子ビーム源を備えている。各中性粒子ビーム生成機構50は、孔40の内部のプラズマ領域Pにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部51と、マイクロプラズマ中のイオン102を中性化領域Nに引き出すイオン引出部52と、引き出されたイオン102を中性化して中性粒子ビーム104を生成する中性化部53とを有している。マイクロプラズマ生成部51とイオン引出部52と中性化部53とは構造体42に一体に形成されている。 (もっと読む)


【課題】 長期にわたって正常な動作を行うことができるガスクラスターイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 照射装置50は、ガスクラスターを生成すると共にそのガスクラスターを被加工物10に向けて照射する手段としてガスクラスター生成室2およびノズル3を有している。ノズル3から噴射されたガスクラスター群はスキマー4を通過する際にビーム状のガスクラスター流8とされる。ガスクラスター流8に対しては電子銃12から電子が照射されるように構成されており、これによりガスクラスター流内のガスクラスターがイオン化される。 (もっと読む)


【課題】引出し電極系の高電位電極に高電圧を供給する系統の絶縁劣化を抑えると共に、高電位電極への配線の作業性の悪さを解消する。
【解決手段】このイオン源装置は、イオン源チャンバー2を貫通し内部に支持棒用穴52を有する接地電位の電極系支持軸50と、その支持棒用穴52を支持軸50との間に空間をあけて貫通しそのイオン源チャンバー外側の端部付近に高電圧が印加される高電位支持棒54と、電極系支持軸50のイオン源チャンバー外側の端部付近内に設けられた絶縁体56と、高電位支持棒54のイオン源チャンバー内側の端部に結合されていて高電位電極12を支持かつ導通させる第1支持体40と、電極系支持軸50のイオン源チャンバー内側の端部に結合されていて接地電極14を支持かつ導通させるものであって、高電位電極12および第1支持体40との間が空間絶縁されている第2支持体46とを備える。 (もっと読む)


【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速/減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー(80,175)の出口開口部(46,176)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 ビーム内への不純物の混入を抑え、照射対象物中に残留するビーム粒子を大幅に減少させ、しかも微小イオンビームを長時間安定供給することができる微小イオンビーム発生方法及び装置を提供する。
【解決手段】 この出願の発明は、レーザーをターゲット気体中で集光させてプラズマを発生させ、発生したプラズマ中のイオンを引き出して集束させることにより微小イオンビームを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高電圧部の隔離とイオン加速部のX線遮蔽を可能にすると同時にプラズマ発生部のメンテナンスが容易になる荷電粒子ビーム発生及び加速装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ発生手段1と、その出口側に設けられた荷電粒子ビーム引き出し手段2と、その下流側に設けられた荷電粒子ビーム加速手段3と、プラズマ発生手段1へプラズマ発生に必要な電流、電圧、ガスなどを導入する導入手段10と、プラズマ発生手段1と荷電粒子ビーム引き出し手段2と荷電粒子ビーム加速手段3と導入手段10とからなる高電圧部を囲むように設置された接地カーバを備え、接地カーバは所定壁厚を有し、荷電粒子ビーム加速手段3を覆う第一接地カーバ7と、第一接地カーバ7に対して脱着可能に設けられ、プラズマ発生手段1を覆うと共に第一接地カーバ7より壁厚が薄くされた第二接地カーバ8とから構成される。 (もっと読む)


イオン源(900)は、アノードから分離し、かつ、独立した冷却プレートを用いて冷却される。その冷却プレートにより、アノードを冷却するために流体クーラント(例えば、液体またはガス)が通過可能なクーラント・キャビティが形成される。このような構成において、マグネットは、冷却プレートによって熱的に保護され得る。熱移動界面部品内の熱伝導性材料により、冷却プレートの冷却性能が向上する。さらに、冷却プレートとアノードとの分離により、冷却プレートおよびクーラント・ラインが、(例えば、熱的には伝導性を有し電気的には絶縁性を有する材料を用いて)アノードの高電圧から電気的に絶縁される。特に、メンテナンス中に困難さを提起し得るクーラント・ラインをアノードが有しないという理由により、上述の構造物をアノード部分組立体およびマグネット部分組立体に組み付けることによってイオン源の組立ておよびメンテナンスも容易になり得る。 (もっと読む)


本発明は、ECRプラズマチャンバ(1)中の電子温度制御装置に関する。この装置は、所定のエネルギーよりエネルギーが大きい電子の軌道に配置される少なくとも一つの減速装置(100)を含んで、前記電子を妨害するようにしている。本発明はイオン源およびプラズマ装置に適用される。
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