【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速／減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、励磁面を備えた励磁電極を有する高周波電極装置と、抽出電極とに高周波電圧を印加し、電磁界によって生成されたプラズマからプラズマビームを抽出し、抽出電極と励磁面との間にプラズマ空間が設けられ、抽出電極に対してプラズマを時間平均して正のプラズマイオンを加速する高い電位となるようにし、プラズマと抽出されたプラズマビームを磁界によって制御している方法に関し、ここでは磁界を生成するために、少なくとも一つのＮ磁極とＳ磁極を用い、Ｎ磁極とＳ磁極をそれぞれプラズマとは反対側の励磁電極後方に配置し、プラズマ空間内方へ配向してプラズマ空間内方へ突出する湾曲した磁界を形成している。
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高密度の幅広リボンビームを生成することができる、１または複数のプラズマ源を利用するイオン源が開示される。このイオン源は、拡散チャンバをさらに含む。この拡散チャンバは、プラズマ源の誘電体シリンダと同じ軸の方向に向いた抽出用開口を有している。一実施例において、拡散チャンバの対向する端部に位置する、デュアルプラズマ源を使用してより均一な抽出イオンビームを生成する。更なる実施例において、マルチカスプ磁場を使用して、抽出イオンビームの均一性を更に改善する。
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【課題】小型で軽量、かつ高安定で長寿命なイオン源を提供する。
【解決手段】イオン源１００は、プラズマ１０１を生成するための誘電体からなる放電管１０２が、マイクロ波発振器１０３と接続された導波管１０４を貫通して配置されている。また、プラズマ１０１からイオンビーム１０６を引き出すための引き出し電極１０７ａ，１０７ｂが設けられている。さらに、放電管１０２が貫通している導波管１０４の両面には、永久磁石１０９，１１０が配置されており、その両者は、強磁性部材１１１によって磁気的に接続されている。さらに、導波管１０４の終端にはファン１１４が設けられており、放電管１０２を気流により直接冷却可能な構造となっている。 （もっと読む）

【課題】アークチェンバー内のプラズマからフィラメントをシールドする機能を果たすカソードイオン源に使用されるカソード組立体を提供する。
【解決手段】間接的に加熱されるカソードイオン源が、アークチェンバーを定めるアークチェンバーハウジング、間接的に加熱されるカソードおよびカソードを加熱するフィラメントを含む。カソードは、正面、背面および周囲を有する放出部分、放出部分の背面に取り付けられる支持ロッド、ならびに放出部分の背面から伸長するスカートを含む。カソード組立体がカソード、フィラメントおよびカソードとフィラメントとを固定した空間関係で取り付けるため、さらにカソードおよびフィラメントに電気的エネルギーを伝えるクランプ組立体を含む。フィラメントは、放出部分およびカソードのスカートにより定められる空洞内に配置される。 （もっと読む）

高透過性接地電極を用いて引き出されるイオンビームの品質を改善するための技術を開示する。特定の例示的実施態様では、その技術はイオン注入装置として実現することができる。その装置は、イオンビームを生成するイオン源を備えることができ、イオン源は、イオンビームが通るアパーチャーを有するフェースプレートを備える。その装置は、少なくとも抑制電極及び高透過性接地電極を備える、一組の引き出し電極も備えることができ、該一組の引き出し電極は、イオンビームをイオン源からフェースプレートを通って引き出すことができ、高透過性接地電極は、引き出されるイオンビームの品質を改善するために、抑制電極と高透過性接地電極との間のガス伝導率を最適にするように構成することができる。
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【課題】耐用年数を増加し、機器の停止時間を減少させるイオンビームを生成する方法および装置を提供すること。
【解決手段】イオン源（４００）の耐用年数は、反応性ハロゲンガス（ＦまたはＣｌ）を使用して、イオン源（４００）および引出し電極（４０５）のインサイチュでのエッチング洗浄の備えを有する供給源によって、ならびに洗浄間のサービス期間を延長する特徴を有することによって強化または延長される。後者は、正確な蒸気流制御、イオンビーム光学素子の正確な集束、および沈着物の形成を防止するか、または電極の破壊を防止する引出し電極の熱制御を含む。半導体ウェハ処理用のドーパントイオンを生成するためのイオン源から成る装置は、遠隔プラズマ源に結合され、このプラズマ源は、第１イオン源および引出し電極内の沈着物を洗浄することを目的として、第１イオン源にＦイオンまたはＣｌイオンを供給する。 （もっと読む）

本発明は、高速イオンのビームを発生させるシステム及び方法を開示する。本システムは、共通の軸に沿って実質的に均一に配向したナノスケールパターン特徴部を備えたパターンのパターン化表面を有するターゲット基板と、高出力コヒーレント電磁放射ビームを受光して、それをターゲット基板のパターン化表面上にフォーカスして、高速イオンの生成を可能にする放射ビームと基板との間の相互作用を生じさせるビームユニットとを備える。
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【課題】イオン注入装置の排気装置で生成する生成物を簡便に迅速に除去する。
【解決手段】排気装置２００は、第１の真空ポンプ（２０４）と、第１の真空ポンプの排気ガスを排出する排気ライン２１９と、排気ライン２１９を真空にする第２の真空ポンプ（２１８）とを含む。生成物除去装置１００は、排気ライン２１９から分岐して、第１の真空ポンプから排出されるガスを第２の真空ポンプに移動させるバイパスライン１１３と、排気ライン２１９中のバイパスライン１１３との分岐点よりも第１の真空ポンプに近い側（２０４ａ）に配置されてガス中の生成物を付着するとともに、バイパスライン１１３に移動可能に設けられた生成物付着治具１０２と、バイパスライン１１３の生成物付着治具１０２が移動される箇所を排気ライン２１９から遮断する遮断手段（１０４、１０６）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムイオンを含むイオンビームを発生させるイオン源において、部品点数の削減および構造の簡素化を可能にする。
【解決手段】 このイオン源は、フッ素を含むイオン化ガス８が導入されるプラズマ生成容器２と、この容器２内の一方側に設けられた熱陰極１２と、プラズマ生成容器２内の他方側に設けられていて、バイアス電源２４から当該容器２に対して負電圧Ｖ_B が印加されて電子を反射する対向反射電極２０と、プラズマ生成容器２内に、熱陰極１２と対向反射電極２０とを結ぶ線に沿う磁界２８を発生させる磁石３０とを備えている。対向反射電極２０はアルミニウム含有物質から成る。 （もっと読む）

１以上のヘリコンプラズマソースを利用して高密度のワイドリボンイオンビームを生成することのできるイオンソースを開示する。イオンソースは、ヘリコンプラズマソースに加えて、拡散チャンバも含む。拡散チャンバは、ヘリコンプラズマソースの誘電体シリンダの軸と同じ軸に沿った方向に向けられた抽出開口を有する。一実施形態において、拡散チャンバの向かい合う両端に位置する２つのヘリコンプラズマソースが設けられ、より均一なイオンビームが抽出される。また、他の実施形態において、マルチカスプ磁場を使用することにより、抽出されたイオンビームの不均一性を改善する。 （もっと読む）

イオンソースチャンバのクリーニング工程において、イオンソースチャンバの外部に位置する電極は抑制プラグを備える。ソースチャンバにクリーニングガスを導入する場合、抑制プラグがソースチャンバの引出し用アパーチャと係合してチャンバ内のガス圧を調整し、プラズマ助長化学反応によるチャンバクリーニング効果を高める。ソースチャンバアパーチャと抑制プラグとの間のガスの導入量は、最適なクリーニング条件を提供し、望ましくない堆積物を排出するように、クリーニング工程の間調整することができる。 （もっと読む）

マルチモードイオン源を提供する技術を開示する。本発明のある例示的態様においては、例えば、第１モードがアーク放電モードであり、第２モードがＲＦモードであるという複数モードで動作するイオン源を含むイオン注入装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】粒子源のエネルギー分散を減少させる。
【解決手段】レンズ107を介して荷電粒子103のビームを偏心させるように進行させ、像中にエネルギー分散が生じ、この像をエネルギー選択ダイアフラム108内のスリット109上に投影することによって、エネルギー選択が可能となり、通過したビーム113のエネルギー発散は減少する。偏向ユニット112は、前記ビームを光軸101に近づくように偏向させる。エネルギー分散スポットは偏向器111によって前記スリット上で結像する。前記スリット上の前記エネルギー分散スポットの位置設定を行うとき、中心ビーム105は前記軸から偏向され、該ビームは前記エネルギー選択ダイアフラムによって止められ、続く領域において、ビームから生じる反射及び汚染は防止される。また偏向器112の領域内でのエネルギーでフィルタリングされたビームと相互作用する中心ビームの電子-電子相互作用も防止される。 （もっと読む）

【課題】比較的長寿命で、幅広い活性または不活性な組成物が利用できるマイクロメーターサイズのイオンエミッション源を提供する。
【解決手段】本発明は、絶縁中空ニードル（１０）を有するエミッター部材を有するイオンエミッター装置に関し、前記中空ニードルはその先（１３）から突出す電気的に絶縁の突端（１６）を構成する。更に、前記ニードル（１０）は前記突端（１６）の近傍に開口する逃げオリフィス（１４）を構成するキャビティ（１１）を有する。また、本発明は、前記エミッター装置と引き出し電極とを用い、前記引き出し電極へ引き出し電圧をかける工程を有する集束イオンエミッション方法を提供する。更に、前記装置がレギュレータ電極を有する場合は、前記方法は前記レギュレータ電極へレギュレーション電圧をかける工程を有する。
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【課題】 十分なビーム強度が得られる多価イオン源を提供すると共に、その多価イオンビームを制御し、照射位置を制御して、効率よく精確に照射することができる多価イオンビーム照射方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 多価イオンを発生させる多価イオン源と、その多価イオン源から導出された多価イオンビームを試料に向けて誘導するビームガイドと、試料を保持する試料保持部とを少なくとも備える多価イオンビーム照射装置において、試料に対向するビームガイド端部と試料保持部とを、支持すると共に並進移動させて位置調整する基盤ステージと、試料保持部に対してビームガイド端部を相対的に、２次元で並進移動させて位置調整するＸＹステージと、試料保持部のみを独立に、ＸＹステージの移動方向と略垂直なＺ方向へ並進移動させて位置調整するＺ並進移動機構とを有する照射位置制御部を設ける。 （もっと読む）

イオン注入機システムのイオン源のための、電子生成及び集束用溝を有する陰極、イオン源及び関連方法を開示する。一実施形態において、陰極は作業面に設けられた複数の電子生成及び集束用溝を有する。イオン源の反射電極も同様の構造にすることができる。
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【課題】大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部にイオン源となるプラズマ１を発生させるプラズマ室１０と、プラズマ室に近接しプラズマからイオンビーム２を引き出す引出電極２０と、プラズマ室内に引出電極に対向して位置し引出電極によって引き出されたイオンビームのビーム軸と直交する断面形状を可変制御する可変スリット装置３０とを備える。 （もっと読む）

広範なエネルギー範囲のクラスタイオンビーム抽出用途向けであり、その一方でさらに原子および分子のイオン種にも適用可能な新規のタイプの３極管抽出システムであるクラスタイオンビーム抽出システムが開示される。抽出開口板の輪郭が、ビームのクロスオーバを最小化し、同時に過剰な抽出電界から供給源を遮蔽するように設定され、したがって抽出ギャップのより小さな値が許容される。さらに、広範囲のビームエネルギーにわたって、わずか数ｋＶの両極性のバイアス電圧を用いることによって非分散面におけるビームの合焦または脱焦が可能になる斬新な合焦機構が、これら新規の光学系に組み込まれる。これは、高エネルギーのビームを合焦することができるように数十ｋＶのバイアス電圧を必要とすることになる、例えばアインツェルレンズであるスタンドアロンの静電レンズの解決策より優れた解決策である。 （もっと読む）

【課題】原料ガスのリークの抑制と、装置コストの低減化とを図り得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】原料ガスに電圧を印加してこれをプラズマ化させるイオン発生部２と、接地電位に接続され、且つ、処理対象物１２が配置される処理部３と、イオン発生部２と処理部３とを電気的に絶縁する絶縁部４と、ガス導入口１４から導入された原料ガスをイオン発生部２に導くためのガス導入路５とを備えるプラズマ処理装置を用いる。イオン発生部２、絶縁部４、及び処理部３は、これらの接合体の内部にチャンバー１となる空間が設けられるように形成される。ガス導入口１４は、処理部３に設けられる。ガス導入路５は、チャンバー１の側壁の内部に形成された孔５ａ〜５ｃを備え、ガス導入口１４とイオン発生部２とを電気的に絶縁する。 （もっと読む）