【課題】イオン液体を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させることを用いるイオンビーム発生装置において、イオン液体は蒸気圧がほとんど無いため、真空中でも揮発せず、真空容器中にイオン液体が蓄積してしまうという課題があり、また、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）用の一次イオンビーム源として応用する場合には、二次イオンの生成量の増大が課題となっており、前記課題を解決できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】不揮発性であるイオン液体とは別に、揮発性を有する別の液体をも、エレクトロスプレー用細管（キャピラリー）に供給し、両成分からなるイオンビームを生成することにより、真空容器中に蓄積するイオン液体の総量を低下させることができ、また、二次イオン生成量も増大できる。 （もっと読む）

【課題】ＴＯＦ−ＳＩＭＳの一次イオンに使用できるほど短いパルス幅のＧＣＩＢを射出できるＧＣＩＢ銃を提供する。
【解決手段】
イオン化室３０から射出されたＧＣＩＢを予め決められた時間だけ通過させる第一のシャッター部４１と、第一のシャッター部４１を通過したＧＣＩＢのうち予め決められた質量範囲外のＧＣＩＢを除去する選別部５９とを有している。選別部５９は、ＧＣＩＢを交互に反射して往復移動させる第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａと、第一、第二のミラー電極５１ａ、５２ａの間に配置され、前記質量範囲内のＧＣＩＢを、予め決められた時間だけ通過させる第二のシャッター部５３と、を有し、前記質量範囲内のＧＣＩＢを選別部５９から射出する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターを構成する中性粒子数を保ちながらイオン化効率を高めることのできるガスクラスターイオンビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ガスクラスターを噴出するノズルと、ノズルから噴出するガスクラスターをビームにするスキマーと、を結ぶ延長線上に、ガスクラスターをガスクラスターイオンにするイオン化部を配置する。また、イオン化部は熱電子を発生するフィラメントを有する電子引出電極と、引き出した熱電子を加速する電子加速電極と、を備え、電子加速電極、電子引出電極をスキマー側から順次配置する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。
【解決手段】通気型ファラデーカップ３０２は、ガスクラスタイオンビーム１２８を受領する表面を有した導電性衝撃プレート３０８と、該衝撃プレート３０８を包囲し、その前方で延びてカップ形状を提供し、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を含んだ通気型容器と、該衝撃プレート３０８によって回収された電流を電流測定システム３５８に導く導電手段と、を含んで構成されており、前記導電リング電極は少なくとも２体のリング電極で成る少なくとも３群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、本カップ内外への不都合な荷電粒子漏出を防止する。 （もっと読む）

【課題】 高電流GCIB試料処理システムにおけるビーム安定性を改善する方法及び装置を供することが本願発明の目的である。
【解決手段】 予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、ガスクラスタイオンビーム(GCIB)の生成をより正確に制御するため、内部で予め位置合わせされたノズル集合体(30)及び内部で予め位置合わせされたスキマーカートリッジ集合体(35)を有する。当該ノズル/スキマーモジュール(20)は、前記GCIBをより正確に位置設定するように予め位置合わせされて良い。当該予め位置合わせされたノズル/スキマーモジュール(20)は、予め位置合わせされたGCIB(263)のガスクラスタの生成をより正確に制御する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入システムと、Ｎ型ドーパントクラスターイオン及び負に荷電したクラスターイオンビームのクラスターから形成されたイオンビームを注入する半導体製造方法とを提供する。
【解決手段】半導体素子製造に対する半導体基板内へのクラスターイオンの注入のためのイオン注入システム（１０）、及びＣＭＯＳ素子内のトランジスタを形成するためにＮ及びＰ型ドーパントのクラスターが注入される半導体素子を製造する方法。例えば、注入中に、Ａｓ₄Ｈ_x⁺クラスターとＢ₁₀Ｈ_x又はＢ₁₀Ｈ_x⁺クラスターとは、それぞれＡｓ及びＢドーパントの供給源として使用される。イオン注入システム（１０）は、半導体素子製造のための半導体基板内へのクラスターイオンの注入に関して説明される。 （もっと読む）

【課題】ノズルが動くのを抑制し、安定した適切なサイズ分布のクラスターイオンビームを得、かつクラスターイオンビーム電流を多く取れるように真空中で調整可能にする。
【解決手段】クラスター生成室１とビーム制御室２との間に配置されるスキマー７をＸＹステージ１０ａにプレート８を介して搭載し、スキマー７の位置をマイクロメータ１０ｂ，１０ｃで調整する。マイクロメータ１０ｂ，１０ｃは、真空チャンバー４０の外部に露出して配置されており、真空チャンバー４０の真空度を保持した状態でマイクロメータ１０ｂ，１０ｃを操作することができる。 （もっと読む）

【課題】装置の複雑化及び真空チャンバー内の真空度の低下を防ぎ、クラスターの崩壊を抑える。
【解決手段】ガスを噴出して断熱膨張させクラスターを生成するノズル５を、スキマー４で仕切られたクラスター生成室２に配置し、生成したクラスターをイオン化装置２０にてイオン化させる。イオン化装置２０は、ノズル５から噴出してクラスター生成室２に滞留するガスを用いて、プラズマ１０を発生させるプラズマ発生部２１を有する。そして、ノズル５により生成されたクラスターとプラズマ発生部２１により発生させたプラズマ１０とを衝突させてクラスターをイオン化させる。 （もっと読む）

本発明は組織の外科的移植方法を提供する。この方法は、ドナーから移植片組織を外移植するステップと、移植片組織の少なくとも第１の部分にイオンビームを照射するステップと、ガスクラスターイオンビームが照射された移植片組織をレシピエントに外科的移植するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビームのイオンビーム電流の大電流化を実現する。
【解決手段】中性のガスクラスターを電子衝撃により正にイオン化してガスクラスターイオンビームを発生する方法において、イオン化電子電流とイオンビーム電流の関係を示すカーブにおいてイオン化電子電圧が異なる２つのカーブが交差する交差点より大きいイオン化電子電流と、前記交差点より大きいイオン化電子電流領域でイオンビーム電流がより大きく増加するイオン化電子電圧の組み合わせを用いてイオン化する。 （もっと読む）

開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】表面粗さを増大させることなく行うことができ、かつ表面を汚染させず、クリーンな表面状態を保つことができる固体表面の封孔処理方法を提供する。
【解決手段】固体表面の孔や溝の周囲から、孔や溝に向かって固体表面の構成物質を移動させることができる臨界照射角度より大きな照射角度で、ガスクラスターイオンビームを少なくとも孔や溝の周囲に照射することにより、ピンホール状の孔や溝状の傷などを有する固体表面の封孔処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 大電流のガスクラスターイオンビームを発生させる
【解決手段】 クラスター進行方向に沿ったイオン化手段を備え、クラスター進行方向に沿って設置されたスリット状または多孔状の引き出し電極を用いて、クラスター進行方向と垂直方向に電界をかけて、クラスターイオンビームを引き出す。
クラスターイオンビームは、イオン化後にクラスター流の方向に方向にクラスターイオンを引き出すことは、空間電荷のため大電流を引き出すことが困難である。本発明によれば、クラスター流と垂直方向にクラスターイオンを引き出すことで大電流を引き出すことを可能にする。 （もっと読む）

好ましくは、チタニアまたはジルコニアを備える生体適合性材料製の骨に埋入可能な医療機器は、骨をより統合し易くするように改変された表面を少なくとも一部分備えている。埋入可能な機器は、骨形成誘発剤を注入した表面を組み込むことができ、および／または治療薬を装填された穴を組み込むことができる。注入面および／または穴は、取り込まれる骨形成誘発剤および／または治療薬の分布および量を決定するようにパターン成形することができる。治療薬の放出または溶出速度プロファイルは制御することができる。このような骨に埋入可能な医療機器の製造方法も開示され、骨統合を向上させるためにイオンビーム照射、好ましくはガスクラスタイオンビーム照射の使用を採用する。 （もっと読む）

【課題】モノマーイオンの影響を最小にして表面粗さを低減し、かつ照射エリア内を均一に平坦化する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビームを用い、固体表面を平坦に加工する方法において、ガスクラスターイオンビームの照射過程の少なくとも一部の期間において固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす照射角度を７０度より大きくし、かつモノマーイオンを分離せずにガスクラスターイオンビームをレンズ機構によってフォーカスさせて照射する。 （もっと読む）

気体混合物中の複数のプロセス気体から形成されるガス・クラスター・イオン・ビームを制御する方法および装置。本方法および装置は、気体分析器（３０８、３６０、４１４、５０２、５５２）で気体混合物の組成に関係する気体分析データを測定し、検出されたパラメータに応じて作業対象物（１５２）の照射を修正することに関わる。気体分析データは、気体ソース（２３０、２３２）からガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）に流れる気体混合物の組成のサンプルから、あるいはガス・クラスター・イオン・ビーム装置（３００、３５０、４００、５００、５５０）の真空容器（１０２）内の残留気体のサンプルから導出できる。

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【課題】既存のＳＩＭＳ用イオンビーム発生技術においては、イオン種がほぼ３種類（Ｃ_６０^＋、Ａｕ_３^＋、Ｂｉ_３^＋）に限定されているのが現状であり、より大きな分子量を有するイオン種を生成できるイオンビーム源が求められている。また、従来のクラスターイオンビーム発生装置は、プラスの電荷を有する正イオンビームのみを生成するタイプがほとんどであり、負イオンのクラスターイオンビーム源が望まれていた。
【解決手段】本願発明においては、「イオン液体」を含有する溶液をエレクトロスプレー法により気相中に放出させ、必要なイオンのみをイオン源内部に輸送する構造とした。 （もっと読む）

広範なエネルギー範囲のクラスタイオンビーム抽出用途向けであり、その一方でさらに原子および分子のイオン種にも適用可能な新規のタイプの３極管抽出システムであるクラスタイオンビーム抽出システムが開示される。抽出開口板の輪郭が、ビームのクロスオーバを最小化し、同時に過剰な抽出電界から供給源を遮蔽するように設定され、したがって抽出ギャップのより小さな値が許容される。さらに、広範囲のビームエネルギーにわたって、わずか数ｋＶの両極性のバイアス電圧を用いることによって非分散面におけるビームの合焦または脱焦が可能になる斬新な合焦機構が、これら新規の光学系に組み込まれる。これは、高エネルギーのビームを合焦することができるように数十ｋＶのバイアス電圧を必要とすることになる、例えばアインツェルレンズであるスタンドアロンの静電レンズの解決策より優れた解決策である。 （もっと読む）

【課題】クラスターを効率的に生成しかつ所望する極性を有するクラスターを選択的に回収する方法と装置を提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 （もっと読む）

低圧プロセスソース（５３５）を用いてガスクラスタイオンビーム（１２８）を生成するガスクラスタイオンビーム装置（１００）及び方法の実施形態について、一般に、開示されている。一実施形態においては、低圧プロセスソース（５３５）は、混合ソースを生成するようにスタティックポンプ（５００）において高圧希釈ソース（５１２）と混合され、その混合ソースから、ガスクラスタイオンビームを生成するようにガスクラスタ噴射（１１８）が生成される。他の実施形態についても詳述されている。
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