【課題】 荷電粒子線装置の収差を補正する収差補正器のテーブルデータを容易に取得できる多極子測定装置を提供する。
【解決手段】 光学系１０と収差補正器１１が挿入されるスペースと位置検出器７とを備えた多極子測定装置において、複数の点で行った一次荷電粒子線の収差補正器６への入射位置および角度と位置検出器７上での照射位置と多極子の関係について多極子場を励起した状態および励起しない状態で測定することにより、多極子場を励起した状態に含まれる多極子成分を抽出する。 （もっと読む）

【課題】大型の試料であっても大気雰囲気あるいはガス雰囲気で観察することが可能な荷電粒子線装置ないし荷電粒子顕微鏡を提供する。
【解決手段】真空雰囲気と大気雰囲気（ないしガス雰囲気）を仕切る薄膜を採用する構成の荷電粒子線装置において、荷電粒子光学系を格納する荷電粒子光学鏡筒と、当該荷電粒子光学鏡筒から出射される一次荷電粒子線が前記薄膜まで到達するための経路を真空雰囲気に維持する筐体と、上記荷電粒子光学鏡筒と第１の筐体を装置設置面に対して支持する機構とを備え、当該支持機構として、大型試料を搬入するための開放口を有する筐体、あるいは支柱など筐体以外の形状の機構を採用する。 （もっと読む）

【課題】光学顕微鏡での観察に使用したスライドガラスをそのまま観察試料として使用可能な、走査電子顕微鏡用試料ホルダおよび当該試料ホルダを搭載した走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】本発明による走査電子顕微鏡は、低真空制御が可能な真空排気系１３と、エネルギー分散型Ｘ線検出器１４と、スライドを搭載できる試料ホルダ１５を有することで、偏光顕微鏡で観察するのに使用したスライドをそのまま電子顕微鏡に搭載することが可能となり、同一試料による観察および分析ができる走査電子顕微鏡の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム応用装置では，複数の電子ビーム検出器および電磁波発生手段をもつことにより性能向上が図れるが，空間的制約により同時に配置することが困難である。
【解決手段】
電子ビーム検出器（１０２，１０５）と電磁波発生手段（１０２，１０４，１０８，１０９）を両立した構成１００により，電子ビーム応用装置内部に多数の電子ビーム検出器及び電磁波発生手段を配置することができ，電磁波発生手段による試料表面の電位の制御やコンタミネーションの除去により，長期間安定した像観察が可能になる。 （もっと読む）

高エネルギー粒子検出器を有するデバイスを動作させる方法が開示され、粒子は、最初の入射横断イベント、デバイスから出て後方散乱し、近くの機械構造に当たり、デバイス内に戻るように散乱する、粒子によって生じる出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントを生成する。例示的な方法ステップは、別個のイベントがオーバラップしないことを保証するレベルに照射率を制限し、各イベントの総合エネルギーに基づいて、イベントとバックグラウンドおよび他のイベントとを弁別することによって、電子経路形状に基づいて、後方散乱イベントと入射横断イベントとを弁別することによって、または、最初のイベントおよび第２のイベントが互いに一致すると判定し、電子経路形状およびエネルギーレベルに基づいて入射イベントを後方散乱イベントから分離することによって、最初の入射横断イベントと、出射後方散乱イベント、高次入力および出力イベント、ならびに入射イベントとを弁別することを含む。
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【課題】高速かつ頻繁なビーム電流測定を提供することが可能である荷電粒子ビーム装置及び方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置が記載されている。荷電粒子ビーム装置は、１次荷電粒子ビームを放射するために適合したエミッタと、２次および／または後方散乱荷電粒子が１次荷電粒子ビームの衝突時に放出される試料を保持するために適合した試料場所と、２次粒子および／または２次粒子を検出するために適合した検出ユニットと、１次荷電粒子ビームを検出ユニットに衝突させるため１次荷電粒子ビームを検出ユニットへガイドするために適合したビームガイドユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明はオメガ型エネルギーフィルタに関し、ｎ個の磁極に対して（ｎ−１）個の電子線検出器を用意し、それらが電子線の軌道の邪魔にならないように配置することができるオメガ型エネルギーフィルタを提供することを目的としている。
【解決手段】複数の扇形磁極３２より構成され、それぞれの磁極により電子線の軌道が曲げられ、オメガ型の軌道を形成するようにしたオメガ型エネルギーフィルタにおいて、各磁極３２の軌道の接線方向に設けられた電子線を検出する電子線検出器３３と、電子線が理想的な軌道をとった時のみ該電子線を通過させる絞り穴２５と、を含み、該絞り穴２５を通過した電子線が前記電子線検出器３３に到達するように構成される。 （もっと読む）

本発明は電子ビームを用いる半導体装置においてビアホールを検査するための装置に係り、特に多数の電子ビームの照射手段から照射された多数の電子ビームが半導体装置を通過することにより電流が測定される半導体装置において、多くのビアホールを短時間に検査するための装置に関する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハなど撮像対象物の表面状態をより正確に認識可能な微細領域撮像装置提供する。
【解決手段】半導体ウェハ１０に電子ビームＸを断続的に照射する電子ビーム照射部１０２と、電子ビームＸの照射によって半導体ウェハ１０に流れる基板電流ｉを、電子ビームＸの照射タイミングと連動して検出する電流検出部１１０と、電流検出部１１０の出力ｏｕｔに基づいて、半導体ウェハ１０の表面状態を示すデータを生成する画像データ生成部１２０とを備える。これにより、基板電流ｉに含まれる複数の成分が時間的に分離されることから、半導体ウェハ１０の現在の照射位置における表面状態を正しく表す情報のみを選択的に取り出すことができ、その結果、半導体ウェハ１０の表面状態をより正確に認識することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成するためのイオン注入方法及びデバイスが提供される。
【解決手段】本方法は、以下のステップを有する。先ず、イオンビームが提供され、次に、そのイオンビームの第１の断面形状と第１のイオン密度分布とが検出される。それから、イオンビームの第２の断面形状と第２のイオン密度分布とが、所定のスキャンパスに沿ってイオンビームを移動することによって検出される。その後、所定のスキャンパスが、第１の断面形状、第１のイオン密度分布、第２の断面形状、及び第２のイオン密度分布に従って調節かつ最適化される。次に、イオンビームは、最適化された所定のスキャンパスに沿って最適化されて、基板の所定の領域内にイオン注入領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子顕微鏡の露光時間及び照射条件の設定方法に関し、希望する試料上の単位面積当たりの電子数で写真撮影することができる電子顕微鏡の露光時間及び照射条件の設定方法を提供する。
【解決手段】蛍光板６から流れる電流を測定する電流計８と、該電流計８の出力を受けて、所定の制御動作を行なう制御装置９と、該制御装置９にコマンドを入力する入力装置１０とを具備し、前記制御装置９で、試料１４を外した状態で前記レンズ系の設定値と前記電流計８の出力とから単位面積あたりの第１の電流量を求めて前記制御装置９内のメモリ９ａに記憶する処理を繰り返し、単位面積あたりの電子数と、露光時間から試料面での単位面積あたりの第２の電流量を求め、第２の電流量から前記記憶されている第１の電流量の内、同じ値のものを読み出し、その時のレンズ系の設定値と集束レンズ絞り１３を再現し、試料を配置した状態で試料像の観察を行なう。 （もっと読む）

【課題】写像する電子顕微鏡の光学コラム内、または電子分光計のビーム出射口後部において、スピン偏極を分析するための方法と、その方法を実施するための適切なシステムを提供する。
【解決手段】散乱電子を検出するため、光電子の光学経路上に偏光感度を有する散乱ターゲット（１）と位置敏感型検出器、または複数の検出器からなる配置を含んでいる。その際、分析される電子線スピン偏極の横の位置分布も同時検出され、それによって、スピン偏極検出器の測定効率は、１〜２段階向上する。 （もっと読む）

【課題】 特に重合、架橋、グラフト、殺菌、滅菌、印刷インキ定着等に利用される３００ｋｅＶ程度以下の低エネルギー電子線等の荷電ビームの照射量を、発熱を防止しつつ、また高コスト化することなく、正確にかつ高速で測定することができる照射量モニタ及び照射量測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板２上に、高抵抗ダイヤモンド層１が形成されており、その電子線照射領域は基板２が除去されて、ダイヤモンド層１のみが単独で存在する。この電子線照射領域におけるダイヤモンド層１の表裏両面に電極３及び４が形成されている。各電極３，４には、夫々導線５、６が接続されており、導線５，６を介して電極３，４にバイアス電圧を印加するようになっている。 （もっと読む）

【課題】ビーム１本あたりの電流量が低いマルチ電子ビーム型露光装置において、ランディング角度を計測すること。また、荷電粒子ビーム応用装置において、ランディング角度の絶対値と高ＳＮ比で相対ランディング角度を計測すること。
【解決手段】２枚の絞り板（第１絞り６ａ、第２絞り６ｂ）と検出器６ｃとの組み合わせの透過型検出器において、第１絞り６ａと第２絞り６ｂとの間隔ｈと第２絞り６ｂの開口径ｄから決まる検出見込み角ａを被計測電子ビーム１０の開き角と略一致させるか検出見込み角ａが開き角より小さい構造とし、検出される電流値が最大となる第１絞りの微小開口１１中心と第２絞り開口１２中心との関係からランディング角度を決定する。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡により試料を正確に定量評価する装置および方法を提供する。
【解決手段】
加速電圧に才フセット電圧を重畳する際に、電子線の強度，位置などを検出して、オフセット電圧により変化した照射条件を調整する。そのための構成として、本発明の電子顕微鏡は、試料への電子線を遮断する電子線遮断手段と、電子線遮断手段に設けられた電子線検出器を有する。透過型電子顕微鏡の加速電圧を変化させた場合の、試料面上への電子線照射条件を変化させずに試料を観察することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム形成部でのビームアライメントを効率よく行うことを可能にする荷電粒子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】
マルチビーム形成部下流でマルチビームを偏向し、縮小光学系内に設置した絞りＢＡ上を走査した像を観察する。絞りの光学的位置を、最上段投影レンズの後側焦点位置ＢＦからずらすことで、マルチビーム数を反映した像が観察できる。マルチビーム形成部内の角度調整機構および像回転調整機構を操作して所望の数のマルチビーム像になるように調整することで、マルチビーム形成部内のビームアライメントを行う。また、ビームアライメントに伴い変化するマルチビーム形成部からの射出角度は、走査像が視野略中心にくるようにアライナを調整することで、下流の投影光学系内で遮蔽されることなく検出できる。 （もっと読む）

【課題】露光用マスクパターンの検査を実際に使用する電子ビーム露光装置を用いて高精度に行う電子ビーム露光用のマスク検査装置、マスク検査方法及び電子ビーム露光装置を提供すること。
【解決手段】電子ビームを発生する電子銃と、前記電子ビームを所定の断面形状に整形する露光用マスクと、前記露光用マスクによって整形された電子ビームを走査する走査手段と、前記走査手段により走査された電子ビームを透過する微小透過口を有する薄膜と、前記微小透過口よりも大きな開口を有し、前記薄膜の厚さより厚い基板とを含んで構成され、前記整形された電子ビームの一部を選択して透過する選択手段と、前記選択手段により透過した電子ビームを検出して電流信号を出力する検出手段とを備えたことを特徴とするマスク検査装置による。 （もっと読む）

【課題】 適切な観察を行うために、特に試料汚染及びパターン収縮を抑えるために、操作者にかかる負担を軽減することができる電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】 電子線の照射が開始されると、警告値比較部５が警告値入力部３に入力された警告値とドーズ量測定部１が測定した累積ドーズ量とを比較し、許容値比較部４が累積ドーズ量と許容値入力部２に入力された許容値とを比較する。これらの比較の結果、累積ドーズ量が警告値に達している場合、累積ドーズ量が許容値に近づいている旨の警告を警告部８が発し、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合、通知部６がその旨を通知する。また、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合には、照射遮断部７が当該領域への電子線の照射を遮断する。特に、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、照射対象変更部９が他のチップへ電子線を照射するようにステージ等の制御を行う。 （もっと読む）

本発明の電子検出器３０は半導体ウェハ１１を備えている。この半導体ウェハは、厚いウェハの一領域をエッチングすることによって形成された最大で１５０μｍ、好ましくは最大で１００μｍの厚さの中央部１２を有する。中央部１２の両面に、ｎ型およびｐ型のコンタクト１６、３１がある。動作の際に、各コンタクトの間に逆バイアスが加えられ、各コンタクトの間の真性半導体材料の層１５に入射する電子が電子−正孔対を発生し、この電子および正孔は、各コンタクトに向かって加速し、そこで信号として検出することができる。導電端子２４、３２がコンタクトと接触し、また、本検出器の活性領域外の半導体ウェハに実装されたＩＣチップ２８、３７内の信号処理回路に接続される。コンタクトは、２次元空間分解能を実現するために、真性層１５の２つの面で直角に延びる条片のアレイの形状をしている。 （もっと読む）