基板のイオン注入用のメカニカルスキャナであって、該メカニカルスキャナは、該基板を保持するための可動プラットフォームを具備する六脚を備えており、該六脚は、所定の経路に沿ってイオンビームに対して該可動プラットフォームが横断されるようにする６つの自由度を有するように配列されている。 （もっと読む）

本発明は、注入を行うべき半導体ウエハ又は他の基板の多方向機械的走査のための走査アームアセンブリに係る。本発明は、四辺形を形成するように２つのリンクアームにより接続された１対の駆動アームを備える走査アームアセンブリを提供する。隣接アームを一緒に接合するため回転接合部が設けられ、一方のリンクアームに、それが他方のリンクアームと接合するところで、基板ホルダーが設けられる。従って、それら駆動アームを回転することにより、基板ホルダーが移動させられる。それら駆動アームを適当に制御することにより、基板ホルダーがイオンビームを通して移動させられ、多くの異なるパス、ひいては、注入パターンを辿るようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】入射するイオンビーム電流の大きさを提供するイオン打ち込み装置用ビームストップであって、イオンビームの最適化に使用されることが可能なビームストップを提供する。
【解決手段】イオンビーム３４を受ける、セグメント化された表面が提供された電荷収集装置を備える、イオン打ち込み装置１０用ビームストップ１００であって、表面は、少なくとも２つのセグメントに分割され、一方のセグメントが他方のセグメントの周囲に広がり、２つのセグメントの各セグメントは、イオンビームが各セグメントに入射したときに、各セグメントによって収集された電荷を表す１つ以上の信号を提供するように動作する、ビームストップが提供される。そのようなビームストップは、イオンビームをスキャンしなくてもイオンビーム分布の情報を提供する点で有利である。 （もっと読む）

イオンビーム電流の均一性を監視するモニタ、イオン注入装置及び関連の方法を開示する。一実施形態では、イオンビーム電流均一性モニタ（１５）は、複数のロケーションにおけるイオンビーム（１２）の電流を測定する複数の測定デバイス（１７）を有するイオンビーム電流測定器と、イオンビーム電流測定器によるイオンビームの電流の測定値に基づいてイオンビーム電流の均一性を維持する制御器（１８）とを備える。 （もっと読む）

方法はイオン注入の間のイオンビームの変動を調整および／または補償するためにターミナルリターン電流を得る。１つまたは複数の別個の上流電流測定値が、イオン注入システムの領域から得られる。ターミナルリターン電流、または上流電流の合成物は、１つまたは複数の電流測定値から得られる。そして、ターミナルリターン電流は、ターゲットウェハでのビーム電流の均一性を促進するためにイオンビームの注入量またはスキャンを調節することに利用される。
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【課題】入射したイオンビームの全電流量、イオン種比率、中性粒子量の正確な測定ができ、イオン種比率の測定をイオン注入中にでき、励磁、電界形成および２次電子抑制のための電源を不要にして小電力で作動でき、装置全体を小型化できるイオン注入装置用の質量分析器を提供する。
【解決手段】イオン源２と対向しかつ基板６の周囲を通過したイオンビーム５の一部が入射する位置に設置されており、入射したイオンビームに直交する方向に磁場を形成する永久磁石１３と、磁場で曲げられたイオンビームが全て入射し総イオン量と各イオン種量を測定可能なイオン量測定器と、磁場で曲がらない中性粒子が全て入射するように配置された中性粒子測定器１７とを備える。イオン量測定器は、ファラデーカップ１５と可動式遮蔽板１６からなる。 （もっと読む）

イオン注入中にイオンビームの入射角を測定する角度測定システムは、多様な角度のスロットアレーと、該多様な角度のスロットアレーの下流側に配置された電荷測定装置のアレーとを含む。上記多様な角度のスロットアレーは、構造物内において入射表面から出射表面まで形成されたスロットを含む。各スロットは、多様な受容角の範囲を有する。電荷測定装置のアレーは、それぞれスロットと対応しており、該スロットを通り抜けるビームレットの電荷またはビーム電流を測定し得る。その後、上記の測定値、および多様なまたは異なる受容角の範囲を用いて、イオンビームの測定された入射角および／または測定された角度の量を算出する。
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正のスロット構造及び負のスロット構造（１０４，１０６）を用いることによって、イオン注入の軸に沿った測定入射角を得る。正のスロット構造は、入射開口部（１２０）、出射開口部（１２２）、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部を備えている。正のスロット構造は、正の方向において選択された角度範囲を有するイオンビームの一部分を得る。負のスロット構造は、入射開口部（１２１）、出射開口部（１２３）、及び、該入射開口部と該出射開口部とを結ぶスロット外形部とを備えている。負のスロット構造は、負の方向において選択された角度範囲を有するイオンビームの一部分を得る。第一の電流測定装置（１２４）は、正の角におけるビーム電流測定値を得るために、正の部分のビーム電流を測定する。第二の電流測定装置（１２６）は、負の角におけるビーム電流測定値を得るために、負の部分のビーム電流を測定する。分析コンポーネントは、上記正の角におけるビーム電流測定値及び上記負の角におけるビーム電流測定値を用いて、測定入射角を算出する。
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寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ技術が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、技術は、寄生ビームレットがイオン注入に影響を及ぼすことを防ぐ装置として実現し得る。装置は、スポットビームを前後に走査することにより、予め決められた幅を有するイオンビームを形成するコントローラを含み得る。装置は、静止時にスポットビームの通過を許容する開口機構も含み得る。装置は、さらに、コントローラと開口機構とに結合され、開口機構を走査されたスポットビームと同期して移動させる同期機構も含み得る。これによって、走査されたスポットビームは通過できるが、前記スポットビームに付随する１つ以上の寄生ビームレットは遮断されるようになる。 （もっと読む）

フォトレジストのアウトガスによる影響を低減する技術を開示する。１つの特定の例示的な実施形態では、この技術は、イオン注入装置におけるフォトレジストのアウトガスによる影響を低減する装置として実現されうる。この装置は、エンドステーションと上流のビームラインコンポーネントとの間に位置付けられるドリフト管を含みうる。装置は更に、ドリフト管とエンドステーションとの間の第１の可変アパーチャを含みうる。装置は更に、ドリフト管と上流のビームラインコンポーネントとの間の第２の可変アパーチャを含みうる。第１の可変アパーチャ及び第２の可変アパーチャは、差動ポンピングを容易にするよう調節可能である。 （もっと読む）

本発明の１つ以上の構成は、イオンビームと加工物との相対的方位を決定する測定コンポーネントに関する。この測定コンポーネントは、イオン放射に敏感でかつ測定コンポーネントとイオンビームとの相対的方位を可能にし、イオンビームに対して測定コンポーネントを移動させて正確に測定する。測定コンポーネントは、加工物に対する既知の関係で方向付けられ、加工物とイオンビームとの相対的方位が確定される。イオンビームと加工物との相対的方位を知ることにより、加工物が、測定されたビーム角度に対する特定の角度に方向付けられ、加工物のより正確なドーピングにより半導体の製造を向上させる。
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イオン注入処理のための汚染軽減又は表面改質システムは、ガス源、コントローラ、弁、及び処理チャンバーを含む。ガス源は、大気性又は反応性のガスを弁に供給し、弁はコントローラによって制御される。弁は、処理チャンバー上又は周囲に配置され、処理チャンバーへのガスの流量及び／又は組成を調節する。処理チャンバーは、ターゲットウエハのようなターゲットデバイスを保持するとともに、ガスとイオンビームとの相互作用を可能にして、ターゲットウエハの汚染を軽減し、及び／又は、処理環境又はターゲットデバイスの既存の特性を改変してそれらの物理的状態又は化学的状態を変更する。コントローラは、イオンビーム中の汚染物の存在、又はその欠落、全圧又は分圧の分析に応じて、ガスの組成及び流量を選択及び調整する。
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【課題】 処理基板のうち半導体素子を形成できる領域を多く取ることが可能なステンシルマスクを提供する。
【解決手段】 ステンシルマスクは、基板の処理の際に基板に照射されるイオンを位置選択的に遮断し、相互に対向する２つの面を貫く開口を有し、透過部４１を有する。透過部は、基板上に形成された位置合わせ用パターンおよびその周囲の基板を含むマーク領域により反射されて観測装置に入射する観測光を透過させ且つイオンを遮断する材質から構成される。また、透過部は、第１部分と第１部分から区画された第２部分４２とからなる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエハなどのワークピースを集積回路製造ツールに対して配置するための装置および方法。
【解決手段】 ツールに対して取付けられたロボットアームは、ワークピースをそのツールの内外に移動させる。スペーサは、ツールから離れた方向に露出するスペーサ表面を有している。スペーサ表面の位置は、ツールに対して調整可能となっている。可動カセット支持体は、一つまたはそれ以上のワークピースを支持するもので、スペーサ表面と隣接して配置される。このカセットの支持表面上には、オーバーヘッド移送コンベヤなどのコンベヤシステムが、後にツールによって処理されるワークピースを収容したカセットを供給する。
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【課題】 異物の飛来によって半導体ウェハに傷が発生することを抑制できるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るイオン注入装置は、表面に半導体ウェハ１が配置されるディスク２０と、ディスク２０の表面に設けられ、半導体ウェハ１の周囲に位置する凸状のガード部材２２と、半導体ウェハ１にイオンを注入するイオン源とを具備する。Ｌ＝半導体ウェハ１の縁とガード部材２２の距離、θ＝半導体ウェハ１に対するイオンの入射角度とした場合、ガード部材２２の高さは、Ｌ×ｔａｎθ以下であるのが好ましい。このイオン注入装置は、例えば半導体ウェハ１にトランジスタのソース又はドレインとなる不純物領域を形成するときに用いられる。 （もっと読む）

【課題】 ステンシルマスクの薄層部は、衝突するイオン化原子によって温度が上昇し、その熱によって変形が生じてしまう。
【解決手段】 ステンシルマスク１００は、薄層部２５と、薄層部２５の一方の面に積層されている厚層部３５を有している。薄層部２５には幅狭な薄層貫通孔２２が形成されており、厚層部３５には幅広な厚層貫通孔３８が形成されている。薄層貫通孔２２と厚層貫通孔３８は対を成して連通している。薄層貫通孔２２を画定する薄層部２５の側面２９と厚層貫通孔３８を画定する厚層部３５の側面の間に段差が形成されていることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】イオン注入システムのためのイオンビーム入射角検出器を提供する。
【解決手段】本発明は、イオン注入処理中に入射イオンビーム角度検出器302,304,306を介して角度誤差を監視しかつ補正することによって半導体素子製造を容易にする。更に、本発明は、イオン注入処理前にウエハ310上の注入結果を測定することなく、入射イオンビームに関して処理ディスク300を較正することによって半導体素子製造を容易にする。
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【課題】単一ウェハを処理するハイブリッド走査型イオン注入装置であって、均一注入ができて、単純な構造で、耐久性、及び信頼性に優れた装置を提供する。
【解決手段】ウェハは、第１のピボット１５０に接続され途中で曲げられたアーム１１０の一端に第２のピボット１４０によって取り付けられたウェハホルダ１２０に載置される。ウェハは第２のピボットによって任意の角度にチルトされ、かつ第１のピボットによって円弧状に機械的走査される。電流密度を第１のピボットからの距離に比例させたリボンビーム２０をコリメータによって形成し、ウェハに照射することにより均一な注入を行なう。 （もっと読む）

【課題】 異種元素を半導体素子に損傷を与える事なく、元素濃度を制御して導入する事ができ、特にチャンネル長がサブミクロン以下のＭＯＳ型電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）を用いた集積回路の製造に有用である半導体素子への異種元素の導入方法及び装置を提供する。
【解決手段】 100eV未満のエネルギーで導入された異種元素を備えていることを特徴とする半導体素子。イオンを照射する真空容器の真空度を1×10^-6Pa以下とし、かつ半導体素子に対して、半導体構成元素以外の異種元素のイオンを100eV未満のエネルギーで照射することを特徴とする半導体素子への異種元素の導入方法。 （もっと読む）

【課題】 形成される半導体素子の方向性による特性変動を抑えることが可能な半導体装置の製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板にゲート電極を形成する工程と、前記半導体基板の前記ゲート電極直下領域を挟んで分離された第１及び第２の領域に照射されるイオンビームの重心軸を、ゲート長方向及びゲート幅方向に対して垂直に制御する工程と、前記イオンビームを照射して、前記第１及び第２の領域に不純物を導入する工程を備える。 （もっと読む）