【課題】ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。
【解決手段】ビームチューニングにおいて、ビームスキャン幅最大（ＢＳＷ１）時のビーム電流のスキャン（Ｘ）方向分布特性を測定し、このときのスキャン電圧補正関数１５ｗを演算する。これに基づいて横（Ｘ）方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅（ＢＳＷ１〜３等）に対応する各スキャン電圧補正関数１５ｗを複数個自動計算する。続いて、メカニカルＹスキャン位置に応じてスキャン電圧補正関数を切り替えてウエハの片側のビームスキャンエリアをＤ形状にしてビームスキャンエリアを削減する。別の片側は一定のスキャンエリアであり、こちら側のサイドカップ（Ｐ１側の７６）のビーム電流を測定し、その測定値に応じてメカニカルＹスキャン速度を変化させることにより、縦（Ｙ）方向ドーズ量均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入時の装置上の不具合などによるイオン注入の不均一性を早期に、かつ、容易に発見し、製品の品質安定化、故障期間の短縮化を図ることができるイオン注入状況の確認方法とそれを利用した半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。 （もっと読む）

【課題】ダミーウエハを必要とせず、製造コストを低減して、ウエハ装着部を照射イオンビームから保護しかつウエハディスクの処理回転中に発生するウエハの割れ等の問題を回避すること。
【解決手段】ウエハ装着用の複数のディスクパッド22を有するウエハディスク20を備え、このディスク20を円周方向に回転させながら、イオンビームを照射してウエハにイオンを注入するバッチ式イオン注入装置１において、前記ディスク20の円周上に配置されかつウエハを保持するディスクパッド22が、ディスク20に対して反転可能に取り付けられており、ディスクパッド22は、ディスク20の径方向に対して垂直方向に回転軸27を有し、かつディスクパッド22の重心Ｇが、ディスク20の中心方向に偏位した位置にあることを特徴とする。これにより、ウエハが載置されていないディスクパッドを反転させて、照射イオンビームからディスクパッド22を保護し、かつディスク20の偏心による振動の発生をなくす。 （もっと読む）

【課題】 マクロンの供給量を精確に制御することができ、かつ、マクロンにダイヤモンド等の絶縁性物質(半絶縁性物質を含む)を使用した場合でもターゲットに多量のマクロンを照射できるマクロン加速装置の電極構造を提供すること。
【解決手段】 マクロン加速装置のマクロン供給機構Ｓを、前記ベース板Ｂの裏側に固定され、かつ、筒壁に微粒子の投入口11を有する円筒電極１と；この円筒電極１の内側に固定され、かつ、投入口11の下方からベース板Ｂに向けて下方に傾斜した樋型のスロープ部21を有する浮遊電極２とを含んで構成し、
前記円筒電極１の投入口11から筒内部に投入された微粒子が、前記浮遊電極２のスロープ部21上を滑り落ちてベース板Ｂの近傍に落下するようにした。 （もっと読む）

シリコンウエハからシリコンを剥離するための水素イオン注入装置は、その外周の周囲で５０以上のウエハを運搬し、軸を中心に回転する、大型の走査ホイール（１４）を使用する。一実施形態において、ホイールの回転の軸は、固定され、水素イオンのリボンビーム（１０１）は、ホイールの外周縁上で下向きに方向付けられる。リボンビームは、ホイール上でウエハの放射状幅全体に延在する。ビームは、少なくとも１００ｍｍの断面外径を有する抽出リボンビームを提供する、イオン源（１６）によって生成される。イオン源は、イオン源のプラズマを閉じ込めて均一フィールドを提供するように、コアレスの鞍型コイル（１１２、１１２ａ〜ｃ）を使用する場合がある。リボンビームは、リボンの平面内でビームを屈曲する９０偏向電磁石（１７）を通過する場合がある。
（もっと読む）

【課題】ウエハの設置状態にかかわらず、ドレイン領域およびソース領域をゲート電極に対して対称に形成することにより、単一セルにおける電流の対称性を確保する。
【解決手段】
半導体基板上にゲート酸化膜を形成する。ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する。半導体基板の表面のゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。ドレイン領域およびソース領域を形成する工程は、半導体基板をイオン注入装置の搭載ステージ上に載置して、ゲート電極をマスクとして半導体基板の表面に不純物イオンを注入する第１のイオン注入工程と、搭載ステージの載置面内において、半導体基板を搭載ステージに対して１８０°回転させた向きに搭載ステージ上に再載置して、ゲート電極をマスクとして半導体基板の表面に不純物イオンを注入する第２のイオン注入工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 基板のステップ回転を用いることなく、基板の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成することができるイオン注入方法等を提供する。
【解決手段】 このイオン注入方法は、基板２の面内におけるイオンビーム４の走査速度を可変にして、基板２の面内におけるイオンビーム４の１片道走査または１往復走査ごとのＸ方向における走査速度分布を、基板２のＹ方向の位置に応じて変化させることによって、基板２の面内に、円形状注入領域と、それを囲んでいて当該円形状注入領域とはドーズ量の異なる外周部注入領域とを形成するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハとチャックピンとの接触に起因するパーティクルの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置のチャック機構は、支持盤の半導体ウェーハ２８が載置される面の反対側の面に、回転体の中心と半導体ウェーハの中心を結ぶ線（対称軸４０）に軸対称に起立して設けられた支軸４２と、支軸回りに回動可能かつ一端部が半導体ウェーハの内周側の周縁部より外側へ突出して設けられたリンク部材４４と、リンク部材の一端部から半導体ウェーハの方向に起立して設けられたチャックピン４６と、リンク部材を時計回りに回動させるチャックバネ４８を備えている。リンク部材は、チャックバネによる回動を妨げる方向に回転体の回転に伴う遠心力を働かせるカウンタウェイト５２が着脱可能になっており、カウンタウェイトの重量を異ならせてこの遠心力を調整可能になっている。 （もっと読む）

【課題】 安価で、注入量分布のパターンに多様性を持たせることができ、各注入領域間の注入分布が連続的でスムーズになるような不均一注入を行うことができる新規なイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入において、基板ＷをイオンビームＩＢが照射される面に交差する回転軸ＲＡを中心として回転させながら、電界又は磁界によるイオンビームＩＢの走査又は前記基板Ｗの並進移動の少なくとも一方を同時に行わせる。 （もっと読む）

【課題】BOX膜厚等のばらつきの少ないSIMOXウェーハを製造することが可能な装置および製造方法を提供する。
【解決手段】複数の公転しているウェーハを真空中の装置内で加熱して酸素イオンを注入するバッチ式のイオン注入装置。前記複数の公転しているウェーハの温度を測定するための、大気側に配置された赤外線放射温度計、および前記赤外線放射温度計により、前記真空中の装置内にあるウェーハの温度を計測するための、BaF2またはZnSe製の窓を具備する。
上記装置で行うSIMOXウェーハの製造方法。第１イオン注入層を形成する工程において、複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。第２イオン注入層を形成する工程において、前記複数のウェーハの温度が目標温度±５℃以内に到達するようにイオン注入を行う。第１イオン注入層を形成する工程および第２イオン注入層を形成する工程におけるウェーハ温度の測定を前記装置の赤外線放射温度計で行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのイオン注入に起因して発生するストライプを低減する。
【解決手段】回転駆動機構により回転される回転体の回転軸回りに同心円状に配置された複数の半導体ウェーハを加熱手段により加熱して、加熱されたウェーハにイオン注入手段によりイオンを注入するイオン注入方法において、従来（ａ）は、ウェーハの代表温度があらかじめ設定された温度に達したか否かを判定し（Ｓ１２）、達した場合は（Ｓ１２でＹｅｓ）、イオン注入を開始する（Ｓ１３）ものであった。これに対して、本発明（ｂ）は、ウェーハの代表温度があらかじめ設定された温度に達したか否かを判定し（Ｓ２２）、達した場合は（Ｓ２２でＹｅｓ）、ウェーハのイオン注入側の面の温度ムラがなくなる所定の時間（あらかじめ定められている時間）が経過したか否かを判定し（Ｓ２３）、経過した場合は（Ｓ２３でＹｅｓ）、イオン注入を開始する（Ｓ２４）。 （もっと読む）

本発明は、従来達成できなかった角度の精度による大傾斜角注入のための方法を具える。幅および高さ次元を有するイオンビームは、複数の個々のビームレットから形成される。これらビームレットは、典型的に、これら２つの次元の一方において高い平行度を見せる。それ故に、角度誤差を最小化するため、ワークピースは、高い平行度を有する次元に実質的に垂直な軸について傾斜される。ワークピースは、その後、大きな傾斜角で注入され、ワークピースの表面に直交するラインの周りに回転される。このプロセスは、大きな傾斜注入が要求される全ての領域において行われるまで繰り返されることができる。
（もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ等の保持対象物の往復運動方向の位置精度を高めることができる保持アームを提供する。
【解決手段】 第１の腕要素(20)が、第１の回転中心(10)を中心として、回転可能に支持され、先端に第２の回転中心(11)を画定する。第２の腕要素(60)が、第２の回転中心を中心として、第１の腕要素に対して回転可能に支持され、先端に第３の回転中心(12)を画定する。伸縮用駆動力発生機構(57)が、第１の腕要素に対して第２の腕要素を回転させる。伸縮用駆動力発生機構によって、第２の腕要素が第１の角度だけ回転したとき、第１の腕要素が、第２の腕要素の回転方向とは反対方向に、第１の角度の１／２の角度だけ回転する。保持部材(80)が、第３の回転中心を中心として、第２の腕要素に対して回転可能に支持される。第１及び第２の腕要素の姿勢を変化させたとき、保持部材が並進移動する。 （もっと読む）

エネルギー粒子ビーム（４２）で基板（４４）を処理するための方法及び装置である。基板（４４）上の特徴（６６）は、エネルギー粒子ビーム（４２）に対して配向され、基板（４４）はエネルギー粒子ビーム（４２）を通して走査される。ビーム（４２）の長寸法（４９）に対して特徴（６６）を再配向するために、基板（４４）は、エネルギー粒子ビーム（４２）への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸（４５）の周りで周期的に割り出される。
（もっと読む）

【課題】本発明は、イオンビームの状態が変化した場合でも、ウェーハ処理能力を低下させずにウェーハ面内の注入均一性を良い状態に保つことができ、かつパーティクル発生を極力低減できるイオン注入装置を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入装置において、装置パラメータをリアルタイムでモニタリングし、装置の各部をコントロールするシステム１２を設け、このシステム１２に、イオン注入処理中の累積ドーズ量分布を計算し、累積ドーズ量が均一になるようにウェーハ保持部１４のＹ方向メカニカルスキャンの速度を補正する機能と、質量分析部４の磁場を変化させることによりイオンビーム中心位置を制御する機能と、アパーチャー５のサプレッション電圧やビーム電流を変化させることによりイオンビーム径を制御する機能を持たせ、ウェーハ８の注入面内均一性の向上とパーティクルの低減を図る。 （もっと読む）

【課題】バッチ式イオン注入装置を用いてウェルを形成した場合に、ウェル分離耐圧の低下を抑制することができるイオン注入方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板が載置されたディスク３が、イオンビーム１と垂直なＸ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第１の角度β₁となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第１導電型の不純物が半導体基板２に注入される。次いで、ディスク３が、Ｘ−Ｙ面と、ディスク３の回転面３２内においてＹ軸に直交する直線とのなす角が第２の角度β₂となる状態で配置される。当該状態で、ディスク３をディスク回転軸５３周りに回転させてイオンビーム１を照射することにより、第２導電型の不純物が半導体基板２に注入される。 （もっと読む）

【課題】 回転ディスクの回転速度が低くても被処理物に対するビーム照射の均一性を低下させることの無いビーム処理装置及びビーム処理方法を提供する。
【解決手段】 ビーム処理装置は、複数のウェハ１１０を回転ディスク１００上に装着してディスク軸を中心に回転ディスクを回転させるよう構成するとともに、回転ディスクをディスク軸と直交する方向に往復運動させるよう構成し、ウェハに対し、回転ディスクの回転と往復運動とを同時に行わせることにより、ビームを照射する。回転ディスクは、内側オーバースキャン位置と外側オーバースキャン位置との間で往復スキャンするよう構成されている。ビーム処理装置は制御手段を備え、この制御手段は、回転ディスクの単位時間当たりの回転数と、往復スキャンのスキャン速度及び往復スキャン回数と、ビームの計測ビーム幅の測定値もしくはビームのビーム幅の既定値とに基づいて、ビームサイズにかかわらず、ウェハに対し必ずビームが重ね照射されるように制御する機能を持つ。 （もっと読む）

【課題】 回転体を回転させながら各被照射物に荷電粒子ビームを照射する装置または方法において、被照射物の角度可変機構を設けることなく、各被照射物中における荷電粒子の飛程の分布を均一化する。
【解決手段】 この荷電粒子ビーム照射装置は、回転体６上の被照射物４に入射する荷電粒子ビーム２のエネルギーを変化させる電圧可変電源２０、２８を備えている。更に、電圧可変電源２０または２８を制御するものであって、回転体６の回転に伴う荷電粒子ビーム２の入射角度の変化に同期させて、各被照射物４に入射する荷電粒子ビーム２のエネルギーを変化させて、各被照射物４中における荷電粒子の飛程の垂直方向成分Ｒ_P の分布を均一化するエネルギー制御器３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。
【解決手段】本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。 （もっと読む）