本明細書は、基板を処理するための改良技術を開示する。１つの特定の実施形態において、本技術は、基板処理用のマスクを用いて実現することができる。マスクは、例えばイオン注入システムなどの基板処理システムに実装することができる。マスクは、第１行に設けられた１つ以上の第１アパーチャ及び第２行に設けられた１つ以上の第２アパーチャを備えることができ、各行はマスクの幅方向に延在し、１つ以上の第１アパーチャ及び１つ以上の第２アパーチャは、非均一である。
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本明細書には、改良された基板処理技術が記載されている。ある特定の例示的な実施形態において、上記の技術は、基板処理用のマスクを用いて実現されてよい。上記のマスクは、例えば、イオン注入システムのような基板処理システムに組み込まれてもよい。上記のマスクは、第１のベース部と、互いに離間して配され、１以上の隙間を形成する複数のフィンガー部を備えてよい。
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イオンビームの角度構成および放射測定システムを提供する。上記システムは、細長いスリットを有する金属板であって、上記細長いスリットは、金属板の回転中心設置されており、ビームの第一の一部が上記細長いスリット内部を通過するような構成である金属板と、上記金属板の下流側に設置されており、ビームの第一の一部からのビームの第二の一部を通過させるように構成されているスリットを内部に備えており、ビームの第一の一部に関連した第一のビーム電流を測定するように構成されているビーム電流検出器と、上記ビーム電流検出器の下流側に設置されており、ビームの第二の一部に関連した第二のビーム電流を検出するように構成されたビーム角度検出器とを備えており、上記金属板、上記ビーム電流検出器、および上記ビーム角度検出器は、上記金属板の上記回転中心について集合的に回転するように構成されている。
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太陽電池を製造する技術を開示する。特定の好適例では、この技術は、太陽電池の上流にマスクを配置するステップであって、該マスクは、互いに間隔をおいて少なくとも１つのアパーチャを規定する複数のフィラメントを備えるステップと、前記マスクの前記少なくとも１つのアパーチャにより規定される太陽電池の部分にイオン注入を行うために、所望の種のリボンイオンビームを太陽電池に指向させるステップと、前記リボンイオンビームの断面の長手方向が一平面内で前記アパーチャに直交するように、前記リボンイオンビームを配向させるステップとを有する。
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【課題】 メカニカルスキャン方式のイオン注入装置において、基板のノッチ位置検出用の照明装置を構成する発光器に真空容器外から光を導くライトガイドを屈伸させずに済むようにする。
【解決手段】 照明装置４０は、真空容器６外に設けられた光源４２と、それからの光を真空容器６内へ導くライトガイド４４と、真空容器６内に固定されていてライトガイド４４で導かれた光４８を放出する投光部４６と、ホルダ駆動装置１０の支持台１８に取り付けられていて、ホルダ１２がノッチ検出位置２８に位置した状態で、投光部４６からの光４８を受ける受光部５０と、それで受けた光を導くライトガイド５２と、支持台１８に取り付けられていてライトガイド５２で導かれた光４８を基板２の外周部に照射する発光器５４とを備えている。 （もっと読む）

本発明で開示の流体送達機構は、単軸移動で用いるための解決法を提供し、広範囲の温度に渡る一つ以上の流体流路を真空環境へ接続することを可能にする。当該機構は、特に非常に低い温度で疲労する傾向がある、フレキシブルな管は使用しない。一実施形態では、管は、流体の送達を可能にするために、シールされたピストン内を軸方向に移動する。第二の特定の実施形態では、要求される機能を提供するために、ベローズが用いられる。他の実施形態では、適切に構成される２つ以上の機構を利用することによって、２軸又は３軸の移動軸での移動を達成することができる。 （もっと読む）

イオン注入システムは、ビーム経路に沿ったイオンビームを生成するように構成されたイオンソースと、上記イオンビームの質量分析を実行するように構成され、上記イオンソースの下流側に配置された質量分析器と、上記ビーム経路に沿い、かつ、上記質量分析器の下流側に配置されたビーム相補スリットとを含み、上記ビーム相補スリットは、上記イオンビームの断面のビームエンベロープに対応するサイズおよび形状を有している。
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【課題】ＳＩＭＯＸウェーハのＳＯＩ層の厚さの均一性を向上する。
【解決手段】チャンバ１１の一方の端面に底壁１１ａを設け、他方の端面を開放する。複数枚のウェーハ１４を同一円周上に回転可能に保持するウェーハ保持手段１２をチャンバに収容する。チャンバの開口部１１ｃをシール部材１６で気密を保って閉止するキャップ１３の内部にシール部材に近接して冷却水通路１３ｂを形成する。ウェーハ保持手段で保持された１枚のウェーハに対向するように、複数本のランプヒータ２１〜２５，３１〜３５をキャップの円周の接線方向に延びかつ半径方向に並んで配設する。複数本のランプヒータをキャップの半径方向内側の内側ランプ群３０とキャップの半径方向外側の外側ランプ群２０とに分けたとき、外側ランプ群のウェーハに付与する単位時間当たりの熱量を内側ランプ群のウェーハに付与する単位時間当たりの熱量より多くするように構成される。 （もっと読む）

イオン注入システムは、ビーム経路に沿ってイオンビームを生成するイオンソースと、上記イオンビームに対して質量分析および角度補正を行う、上記イオンソースの下流に設けられた質量分析部材と、上記質量分析部材の下流および上記ビーム経路に沿って設けられ、選択された質量分解能およびビームエンベロープに基づく大きさおよび形状をもつリゾルビングアパーチャ電極と、上記リゾルビングアパーチャ電極の下流に設けられた偏向部材であって、上記偏向部材を出る上記イオンビームの角度を変更する偏向部材と、上記偏向部材の下流に設けられ、電荷中和を行い上記イオンビームを減速させる減速電極と、荷電イオンが注入されるワークピースの保持および位置決めを行う、エンドステーション内部の支持プラットフォームと、を有する。上記エンドステーションは、偏向された上記イオンビームがワークピースに対して垂直になるように約８°反時計回りの向きに傾けられて設けられている。
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【課題】イオン注入装置等に用いられる機械的走査機構のための真空シール装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２４内のワークピースホルダー１０を支持する可動部材（シャフト）１１を、真空チャンバ壁に設けたシールプレート２１の開口を通じて真空チャンバ外に延在させる。前記開口を真空シールするとともに、前記可動部材１１を注入角（チルト角）の設定のためにＸ軸の周りに回転させること、およびＹ方向の機械的走査のために往復運動させることを可能にする差動排気非接触真空シール（空気軸受）を設け、大気圧が前記可動部材１１に対して作用する方向がＸ軸方向と一致するようにした。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるイオンビーム用のガイド管を提供する。
【解決手段】イオン注入装置に係り、より詳細には、イオン注入装置のイオンビーム用のガイド管であって、注入装置内で注入されている半導体ウェハの付近に配置されるガイド管１６に係る。このようなガイド管は、主として、注入中にウェハの中性化に使用される荷電粒子を拘束するために設けられる。好都合なことに、ガイド管は、外方にテーパー付けされた中央ボアを有し、これにより、イオンビームがガイド管を通過するときにビームが衝突する問題を軽減する。 （もっと読む）

本発明の装置は、真空室内の面上に配置されたライナーを有する。この面は、真空室内の構成素子により規定されている。このライナーは、ワークピースを汚染から保護するか、又は原子又はイオンを面内に注入することにより生じる面のブリスタリング現象を阻止するように構成されている。ライナーは、ある実施例では、使い捨てしうるようにでき、真空室内の面から除去して、新たなライナーと交換するようにしうる。このライナーは、ある実施例では、粗面を有するポリマとするか、炭素を基とするか、又はカーボンナノチューブを以て構成することができる。
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【課題】イオン注入装置において、ウエハホルダーを機械的走査するために用いられる真空シール構造を提供する。
【解決手段】ウエハホルダー１８０の走査アーム６０は直交する二方向（ＸＹ方向）に移動される。真空チャンバー壁に取り付けられたロータリープレート５０に対して、摺動部材（スレッジ）がＹ方向に往復移動される。アーム６０はリニアモーター９０Ａ，ＢによってＸ方向に往復移動される。アーム６０はジンバル型エアベアリングを用いてスライド１００に対して片持梁支持される。フィードスルー１３０は真空シール及び摺動のためのガイドとして機能する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板を分割処理しても基板内の所要の処理領域の処理に悪影響が及ぶのを防止することができ、それによってビーム幅よりも幅の大きい基板の処理を可能にする。
【解決手段】面内に行形成分割帯２２および列形成分割帯を挟んでｍ行ｎ列（ｍは３以上、ｎは２以上の整数）に配列された複数のセル２０が形成されている基板１０に対して、Ｙ方向の両端部がｐ行（ｐは１≦ｐ≦（ｍ−２）の整数）のセル２０を挟む二つの行形成分割帯２２にそれぞれ位置するビーム幅のイオンビーム４を用いて、基板１０をＸ方向に移動させながらイオンビーム４を照射してビーム照射領域３０を形成するビーム照射工程を複数回実施して、かつビーム照射工程の合間に基板１０の位置を変えてイオンビーム４を照射するセル２０の行を変更する基板位置変更工程を実施して、複数のビーム照射領域３０を連ねて全てのセル２０にイオンビーム４を照射する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の品質に悪影響を与えることなく、簡単な構造で、効率よくかつ高い精度でイオンビーム照射角度の調整を行うことができるイオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】 イオン注入装置は、イオンビーム照射部と、遮断板と、イオン量測定部と、照射角度変更部とを含んで構成される。イオンビーム照射部は、イオンビームを形成し、基板を保持する基板保持部に向けて前記イオンビームを照射する。遮断板は、基板保持部に保持される基板の位置よりも前記イオンビームのイオンの流れ方向上流側の予め定める位置に設置可能である。遮断板には、貫通孔が形成される。貫通孔は、遮断板が前記予め定める位置に設置された状態において、予め定める方向の軸線を有する。遮断板は、前記イオンビームの少なくとも一部を遮断する。 （もっと読む）

【課題】１枚のウェハに対して複数種類のイオンを注入する装置において、装置経費を低減するとともに生産性を向上する。
【解決手段】複数のイオンビームラインアセンブリーが、共通処理チャンバーの周囲に配置される。複数のイオンビームラインアセンブリーの各々は、共通処理チャンバーから選択的に分離され、複数のイオンビームラインは、共通処理チャンバーの処理領域で交差する。共通処理チャンバー内に配置された走査装置は、加工物ホルダーが、処理領域中を複数のイオンビームラインのそれぞれを横切って１以上の方向に選択的に移動するように動作可能である。共通処理チャンバー内に配置された共通線量測定装置は、複数のイオンビームラインのそれぞれの１以上の特性を測定するように動作可能である。共通処理チャンバーと外部環境との間で加工物を交換するため、ロードロックチャンバーが共通処理チャンバーに動作可能に結合される。 （もっと読む）

【課題】 単位面積当たりのイオン量が減少することなく、任意の浸透深さでイオンを注入できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】 真空中で保持された基板Ｓに対し、加速器１６により加速することで所定の注入エネルギーに制御したイオンビームを照射し、Ｘ、Ｙ方向に走査させて所定のイオンを注入する。その際、加速器での注入エネルギーを保持した状態で、イオンビームに対して基板Ｓを傾け、当該傾きに応じてイオンの浸透深さを変化させる。 （もっと読む）

シーリングシステムが開示されている。１つのこのようなシーリングシステムは、第１の真空チャンバ及び第２の真空チャンバを含む。シーリングシステムは、近接端及び遠位端を有する第１のシーリングユニットを含み、第１のシーリングユニットの近接端は第１の真空チャンバ上に設置されている。シーリングシステムは遠位端及び近接端を有する第２のシーリングユニットを含み、第２のシーリングユニットの遠位端は第１のシールユニットの遠位端上に設置されており、第２のシーリングユニットの近接端は第２の真空チャンバ上に設置されている。シーリングユニットの一方は凹面形状であり、他方は凸面形状である。シーリングシステムは第１のＯリング、第２のＯリング及び第３のＯリングも含む。
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イオン注入個所における磁界を低減させる技術を提供する。１つの特定の代表的な実施例では、この技術を、イオン注入個所における磁界を低減させる装置及び方法として実現しうる。この装置及び方法は、一組の磁気コア部材（４０２）と、この一組の磁気コア部材に沿って分布させた複数のコイル（４０８ａ,ｂ,ｃ）と、この一組の磁気コア部材の端部を互いに連結して方形の補正棒構造を形成する連結素子（４０４）とを具えている補正棒アセンブリ（４００）を有することができる。前記補正棒アセンブリを磁気偏向器（１０１、５０９）の出射領域に配置して、この磁気偏向器から出射する複数のビームレットを有するリボンビーム（１０）の均一性を改善し、前記方形の補正棒構造が所望の磁界クランプ作用を行うようにしうる。
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【課題】 ウエハ表面の様々な箇所においてチャージアップ状態を測定することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、注入室１０と大気側との間でウエハ４を出し入れするための真空予備室２０と、真空予備室２０内のウエハ４の表面の電位を非接触で測定する表面電位測定器８０とを備えている。表面電位測定器８０は、真空予備室２０内に設けられていて、真空予備室２０内においてウエハ４を静止した状態で支持する支持部を兼ねる弁体２２上に支持されているウエハ４の表面に接近するように、かつウエハ４の面内において分散させて配置されていて、ウエハ４の表面の電位を非接触でそれぞれ検出する複数のプローブ８２を有している。 （もっと読む）