イオン注入方法およびそれに利用されるイオン源が提供される。方法は、多数の元素を含むソースフィードガスからイオンを生成することに関する。例えば、ソースフィードガスは、ホウ素と他の少なくとも二つの元素（例えばＸ_ａＢ_ｂＹ_ｃ）とを含みうる。このようなソースフィードガスの利用により、従来の処理に比して幾らもの利点が生じ、その中のひとつに、非常に浅い接合深さを持つ注入領域を形成する際、より高い注入エネルギーおよびより高いビーム電流の利用を可能とすることがある。さらに、幾らかの実施形態においては、ソースフィードガスの組成が、例えば摂氏３５０度より高い温度などの比較的高い温度下において熱的安定するように選択されて、利用中にこのような温度を生じる多くの従来のイオン源（例えば傍熱陰極、Ｂｅｒｎａｓ）でもそのようなガスの利用を可能ならしめることができる。 （もっと読む）

本発明の１つ以上の構成は、供給ガスの流量の１つのパラメータを選択的に調整することによって、イオン注入システム内のイオンビームの電流又は密度を安定化する事に関する。ガス流量の調整は、他の作動パラメータに対する調整を必ずしも必要ではなく、これにより、安定化処理を単純化する。ビーム電流が、比較的早く安定化させるためにイオン注入は、中断されず促進的に始動されかつ続けられる。これは、関連した注入コストを削減するとともに処理能力を改善する。
（もっと読む）

本発明は、ＣＭＯＳデバイスを製造する目的でシリコン基板にクラスタ注入およびモノマー注入を可能にし、高い生産性でそのようにするために、Ｂ_２Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_５Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_１０Ｈ_Ｘ^＋、Ｂ_１８Ｈ_Ｘ^＋、Ｐ_４^＋もしくはＡｓ_４^＋などのイオン化されたクラスタまたはＧｅ^＋、Ｉｎ^＋、Ｓｂ^＋、Ｂ^＋、Ａｓ^＋、およびＰ^＋などのモノマーイオンからなるある範囲のイオンビームを提供するイオン源が開示される。イオンビームの範囲は、イオン化されたクラスタを効率的に生成する電子衝撃モード、およびモノマーイオンを効率的に生成するアーク放電モードの２つの個別のモードで動作するように構成された本発明による汎用イオン源によって生成される。 （もっと読む）

【課題】新規なソース材料（特に、イオン注入プロセスにおいて新規なデカボランならびに水素化物およびダイマー含有化合物などの感熱性材料）を使用可能な、生産に値するイオンソースおよび方法を提供し、半導体ウェハの商業的なイオン注入において新規な範囲の性能を達成すること。
【解決手段】イオン注入システム用のイオン源（１）は、プロセスガスを生成する蒸発器（２）と、電子ビーム（３２）を指向してイオン化封入物（１６）内のプロセスガスをイオン化する電子源（１２）と、ビームダンプ（１１）と、イオン化チャンバ（５）と、イオンビームを取り出す抽出アパーチャ（３７）とを含み、本発明の制御システムは、個々の蒸気またはガス分子が、主に該電子銃からの一次電子との衝突によってイオン化され得るように、該一次電子のエネルギーの制御を可能にする制御システムとを含む。 （もっと読む）

【課題】 イオン源ガスとして三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオンビームを引き出すときに、イオンビーム中のＢ⁺ の比率を高めることができる方法および装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２のプラズマ室容器２０内に供給するイオン源ガス５０として三フッ化ホウ素を含むガスを用いてイオン源２からイオンビーム４を引き出すときに、バイアス回路６４によって、イオン源２のプラズマ室容器２０に対するプラズマ電極３１のバイアス電圧Ｖ_B を正電圧にする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームのプロファイルを決定するためのシステム、方法及び装置が提供される。
【解決手段】装置は、イオンビーム１１０の経路に沿って配置される測定装置１４０、駆動機構１７５、及び駆動機構に回転可能に連結された第１プレート１６５を含む。駆動機構は、イオンビームの経路中、第１軸の周囲に第１プレートが回転するように操作可能であり、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。装置は、さらに、駆動機構に回転可能に連結された第２プレート１９３を含み、駆動機構は、第１プレートの回転から独立してイオンビームの経路中、第１軸の周囲で第２プレートが回転するように操作可能であり、さらに、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。駆動機構は、さらにイオンビーム中、第１プレート及び／あるいは第２プレートを、直線上、平行移動させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置の加速管に昇圧と降圧を繰り返す加速電圧を印加することで、不純物領域を深い位置まで均一な濃度分布に形成することを可能とする。
【解決手段】イオン源材料をイオン化するイオン源１１と、イオン源１１より発生したイオンを引き出す引き出し電極１２と、引き出し電極１２により引き出されたイオン２１より所望のイオン種を分離する質量分析部１３と、質量分析部１３で分離された所望のイオン２２に加速電圧を印加して加速する加速管１４とを備えたイオン注入装置１０において、昇圧と降圧を繰り返す加速電圧を発生する様に構成され、発生した昇圧と降圧を繰り返す加速電圧を加速管１４に印加する様に加速管１４に接続された電源１５を備えたものであり、このイオン注入装置１０を用いて不純物領域を深い位置まで均一な濃度分布に形成するイオン注入方法であり、このイオン注入方法を用いて固体撮像素子の不純物領域を形成する製造方法であり、この製造方法により形成された固体撮像素子である。 （もっと読む）

イオン注入システムの汚染を軽減するためのシステム及び方法を提供する。本システムは、イオン源、イオン源のフィラメント及びミラー電極にパワーを供給するように動作可能な電源、加工物操作システム、及びコントローラーを含み、イオン源は、コントローラーによって、イオンビームの形成を迅速に制御するように選択的に調整可能である。コントローラーは、イオン源に供給されるパワーを選択的に高速制御するように動作可能であり、加工物の位置に関連する信号に少なくとも部分的に基づいて、イオンビームの出力を注入出力と最小出力との間で約２０マイクロ秒以内に変調する。このようにイオン源を制御することによって、イオンビームが注入電流である時間を最小限に留めることにより、イオン注入システム内の微粒子汚染が軽減される。
（もっと読む）

【課題】 大電流でしかも均一性の良いシート状のイオンビームをターゲットに照射することができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオン照射装置では、Ｘ方向に幅広のシート状のイオンビーム４を引き出すイオン源２のプラズマ生成容器８内に、Ｘ方向に伸びているカソード１８を設け、それを電子ビーム源３０からのＸ方向に走査される電子ビーム３８によって加熱して熱電子１９を放出させて、プラズマ１２を生成する。ターゲット６の近傍におけるイオンビーム４のＸ方向のビーム電流分布を計測するビーム計測器５８からのデータに基づいて、制御装置６０によって走査電源５２から出力する走査電圧Ｖ_S の波形整形を行い、イオンビーム４の走査速度を制御して、上記ビーム電流分布を均一化する。 （もっと読む）

【課題】 回転体を回転させながら各被照射物に荷電粒子ビームを照射する装置または方法において、被照射物の角度可変機構を設けることなく、各被照射物中における荷電粒子の飛程の分布を均一化する。
【解決手段】 この荷電粒子ビーム照射装置は、回転体６上の被照射物４に入射する荷電粒子ビーム２のエネルギーを変化させる電圧可変電源２０、２８を備えている。更に、電圧可変電源２０または２８を制御するものであって、回転体６の回転に伴う荷電粒子ビーム２の入射角度の変化に同期させて、各被照射物４に入射する荷電粒子ビーム２のエネルギーを変化させて、各被照射物４中における荷電粒子の飛程の垂直方向成分Ｒ_P の分布を均一化するエネルギー制御器３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの異なる領域に異なるドーズで不純物イオンが注入されるようにする不均一イオン注入装置及び不均一イオン注入方法を提供する。
【解決手段】本発明の不均一イオン注入装置は、ウエハの全体領域のうち少なくとも２箇所以上の複数の領域にそれぞれ重なる複数のワイドイオンビームからなるワイドイオンビームを形成するワイドイオンビーム生成器と、ワイドイオンビーム生成器により形成されたワイドイオンビームが照射される間に、ウエハを一定方向に回転させるウエハ回転装置と、を備える。複数のワイドイオンビームのうち少なくとも一つのワイドイオンビームは、少なくともいずれか他のワイドイオンビームと異なるドーズを有する。 （もっと読む）

本発明は、イオン注入装置（１０）に適したカソード（２０）及びカウンターカソード（４４）を備えるイオン源（１４）に関する。典型的には、イオン源は、真空下に保持され、アークチャンバ（１６）内に生成されたプラズマを使用してイオンを生成する。プラズマイオンは、アークチャンバから引き出され、その後、半導体ウエハ（１２）に注入される。本発明によるイオン源は、更に、アークチャンバ内へ電子を放出するように構成されたカソード（４０）と、そのカソードによって放出された電子がそこに入射するようにアークチャンバに配置された電極（４４）と、その電極をバイアスするように構成された１つ以上の電位源（７６）と、その電位源がその電極をアノードとして作用するように正にバイアスするのと、その電位源がその電極をカウンターカソードとして作用するように負にバイアスするのとの間を切り換えるように作動できる電位調整器（８２）と、を備える。 （もっと読む）

イオン注入に用いられるイオン源ガスを変更するためのシステム、装置、及び方法が提供される。イオン源室は、１つ以上の側壁を有するハウジングと引出しプレートを有し、この側壁と引出しプレートは、イオン源室の内部領域を取り囲む。１つ以上の入口が、１つ以上のイオン化材料の供給源と内部領域との間の流体連通を与える。引出しプレートに設けた引出し開口は、イオン源室の内部領域とこの室の外側のビーム径路領域との間に流体連通を与える。ハウジングの側壁に設けた１つ以上拡散開口は、イオン源室の内部領域とその外側の拡散領域との間に流体連通を与え、イオン源室に堆積したイオンが、拡散開口を通ってイオン源室から出て拡散するように作動する。
（もっと読む）

【課題】 被照射物に対するクリーンなイオン照射と、イオンビームの厳重なモニタとを両立させることができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 イオン源２０から引き出され質量分離器３２を通したイオンビーム３０を、Ｘ方向において二つの偏向方向に偏向させる機能および両偏向方向のそれぞれにおいてイオンビームをＸ方向に走査する機能を有するビーム走査器８２と、それから導出されたイオンビームをそれぞれ曲げ戻して平行ビーム化する二つのビーム平行化器８６、８８と、ビーム平行化器８６から導出されたイオンビーム３０が導入され、被照射物２にイオンビームを照射してイオン注入等の処理を行う処理室９０と、被照射物２をＹ方向に機械的に駆動する駆動機構９４と、ビーム平行化器８８から導出されたイオンビーム３０が導入され、ビーム計測器９６を用いてイオンビームの計測のみを行う計測室９２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 より実効的、簡便、かつ安全にイオンビームの加速エネルギーを測定・校正することのできるイオン注入装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 加速管１３の加速条件の設定に応じたスキャン機構１５の所定の走査電極制御によりイオンビームＩＢは偏向され、所定のビーム制限スリットＳ２によりビーム中心領域が通過しファラディーカップＦＣに到達される。質量分析部１２の分析スリットＳ１と、スキャン機構１５の制御を介してビーム電流量を計測するためのビーム制限スリットＳ２及びファラディーカップＦＣは、加速管１３の加速条件の設定による加速エネルギーで規定される位置に配置される。これにより、加速エネルギーの計測または校正のためのビーム計測機構１７が構成される。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）

【課題】 ビーム照射装置におけるビーム照射精度を向上させること。
【解決手段】 イオン源１からのビームを、質量分析電磁石装置３ならびにビーム整形装置を通過させ、ビームを横方向にスキャンする偏向走査装置７ならびにビーム平行化装置、加速／減速装置を経て後段の角度エネルギーフィルターによりエネルギー分析を行なった後、ウエハ２３に照射するよう構成したビーム照射装置において、前記ビーム整形装置に上下方向集束用のシンクロナイズド四極電磁石（ｓｙＱＤ）８と横方向集束用のシンクロナイズド四極電磁石（ｓｙＱＦ）９とを備えることにより、前記偏向走査装置によるスキャン後の中心軌道と外側軌道との間のビーム発散角のずれ、ビームサイズのずれの少なくとも一方を補正する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの一部を受容するファラデーカップ３１により該イオンビームのビーム電流密度を検出する一方、その検出値が予め設定された条件に基づき、ファラデーカップ３１の検出値が設定値になるように制御手段４０によりイオン源を制御するようにしたイオンドーピング装置において、ビーム電流密度の設定値を変更しなくても、ビーム電流密度の実際値を変更できるようにし、もって、稼働率を低下させることなくドーズ量を微調整できるようにする。
【解決手段】ファラデーカップ３１の受容面に半導体薄膜を設け、この半導体薄膜の温度を変更して該半導体薄膜の導電性を変化させることにより、ファラデーカップ３１の検出感度を変更できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 質量分離機に外乱が加わっても、イオンビームの調整を容易に行う。
【解決手段】 放電により複数種のイオンを生成し、生成した複数種のイオンからなる第１イオンビームＩａを出力させるイオン源１と、このイオン源１から出力された第１イオンビームの中から特定種類のイオンのみを分離抽出して第２イオンビームＩｂを出力させる質量分離機２と、質量分離機２内に中和用電子を供給する中和用フィラメント３と、イオン源１への放電電力を観測する放電電力観測機４と、質量分離機２から出力される第２イオンビームの電流値を観測するビーム電流観測機５と、放電電力観測機４の出力とビーム電流観測機５の出力との関係が所定の関係になるように、中和用フィラメント３から質量分離機２内に供給される電子量を出力調整する第１の制御手段６と、ビーム電流観測機５の出力が所定の値とするべく、イオン源１の放電電力を出力調整する第２の制御手段７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を防止できるイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 イオン注入装置は、主面を有する試料２１が設置される試料台２２と、複数のイオンを生成するためのイオン生成手段１１であって、イオン源ガスが導入される容器、および、前記容器内に設けられ、熱電子を放出するフィラメントを含むイオン生成手段１１と、前記複数のイオンを含むイオンビームを、試料２１の主面中に注入するための注入手段１３−１９と、前記イオンビームの重心の偏心方向と前記主面の法線方向とが一致するように、試料２１の位置を制御するための制御手段２３−２５とを備えている。 （もっと読む）