【課題】大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部にイオン源となるプラズマ１を発生させるプラズマ室１０と、プラズマ室に近接しプラズマからイオンビーム２を引き出す引出電極２０と、プラズマ室内に引出電極に対向して位置し引出電極によって引き出されたイオンビームのビーム軸と直交する断面形状を可変制御する可変スリット装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】自動制御により短時間でイオンビームのビーム電流を均一化する。
【解決手段】複数のビーム電流計測器１６を、複数のグループに分ける。各フィラメント３に流す電流を任意量変化させ、そのときの各グループの電流値の変化量をそれぞれ求め、その各変化量に基づいて、各グループの電流値が設定値に近づくように各フィラメント３に流す電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームにおけるエネルギー拡がりの大きさおよび動径方向の大きさを制御し得るイオンビーム制御装置および制御方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム制御装置Ｓａは、イオンビーム生成部２、生成されたイオンビームＩＢが入射され、所定の大きさのエネルギー拡がりおよび動径方向における所定の大きさの直径でイオンビームＩＢが射出されるように、制御するイオンビーム制御部１ａを備える。イオンビーム制御部１ａでは、所定の大きさのエネルギーにおける存在確率が増加するような高周波電場による位相回転を少なくとも利用する。 （もっと読む）

【課題】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する技術を提供する。
【解決手段】 ガスを混合させることによってイオン源の性能を向上させると共に前記イオン源を長寿命化する技術を開示する。１つの具体的な実施形態例によると、当該技術は、イオン注入装置のイオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する方法として実現されるとしてよい。当該方法は、イオン源チャンバに所定量のドーパントガスを導入する段階を備えるとしてよい。ドーパントガスは、一のドーパント種を含むとしてよい。当該方法はさらに、イオン源チャンバに所定量の希釈ガスを導入する段階を備えるとしてよい。希釈ガスは、ドーパントガスを希釈して、イオン源の性能を向上させると共にイオン源を長寿命化する。さらに、希釈ガスは、ドーパント種と同一のＣＯ種を含むとしてよい。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームのｙ方向における進行角を修正する。
【解決手段】 前段多点ファラデー２４および後段多点ファラデー２８の複数の検出器をそれぞれ電気的に並列接続した状態で、各多点ファラデー２４、２８にｙ方向においてイオンビーム４が徐々に入射するようにして、イオンビーム４のｙ方向における中心位置をイオンビーム進行方向の上流側および下流側の２箇所で求めて、当該中心位置間のｙ方向における距離および前記２箇所間のｚ方向における距離を用いて、ターゲット１６付近でのイオンビーム４のｙ方向における進行角を測定する進行角測定工程と、この工程で測定した進行角を小さくする方向に、イオン源の引出し電極系のｙ方向における傾き角度を変化させて、イオン源から引き出すイオンビームのｙ方向における角度を変化させる進行角修正工程とを、進行角測定工程で測定した進行角が第１の許容範囲内に入るまで１回ずつ以上行う。 （もっと読む）

ガス希釈によりイオン源の性能を向上さえ寿命を延長する技術を開示する。１つの特定好適例では、この技術を、ガス希釈によるイオン注入装置内のイオン源の性能を向上させ寿命を延長する方法として実現することができる。この方法は、所定量のドーパントガスをイオン源チャンバ内に放出するステップと、所定量の希釈ガスをこのイオン源チャンバ内に放出するステップとを具えることができる。この希釈ガスは、ドーパントガスを希釈するためのキセノン含有ガスと水素含有ガスの混合物で構成されて、イオン源の性能を向上させ寿命を延長することができる。
（もっと読む）

本発明は、ビーム制御回路と、イオン注入システム内の粒子汚染を、イオンビームのデューテイファクタを減少させることにより最小限にする方法に関する。ある実施形態においては、ビーム制御回路は、電源と、イオン注入システムのイオン源領域とに直列に接続された高電圧スイッチを有し、高電圧スイッチは電源と、プラズマ生成のための電極を含むイオン源の電極との間の接続を遮断および再確立するよう動作可能である。ビーム制御回路は、また、高電圧スイッチをイオン注入開始前に閉じ、注入完了後あるいはビームが必要とされない時には開くよう制御することによりイオンビームのデューテイファクタを制御可能なスイッチコントローラを有し、これによりビームのデューテイファクタと粒子汚染を最小限にする。ビーム制御方法は、ウエハドーピング注入や、デューテイファクタ減少に応用してもよい。高電圧スイッチの保護回路は、リアクタンス成分からのエネルギーを吸収し、過電圧を制限する。
（もっと読む）

【課題】 基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。制御装置９０は、モニタ８０からの測定データに基づいて電源１１４を制御することによって、モニタ８０で測定したビーム電流密度が大きいモニタ点に対応する位置での電子ビーム１３８の走査速度を大きくし、測定したビーム電流密度が小さいモニタ点に対応する位置での電子ビーム１３８の走査速度を小さくして、モニタ８０で測定されるＹ方向のビーム電流密度分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

原子または分子イオンビームの生成に用いられる、デュアルポンプモードを有するイオン注入装置、および、その方法が開示される。１つの特定の例示的実施形態では、イオンビーム種に対応するイオンビーム源ハウジング内の圧力を制御するイオン注入装置が提供される。イオン注入装置は、イオンビームの生成に用いられる複数のイオン種を有するイオンビーム源ハウジングと、イオンビーム源ハウジングからガスを抜くポンプ部と、イオンビームの生成に用いられる複数の種のうちの一種に対応するポンプパラメータに従いポンプ部を制御するコントローラと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。制御装置９０は、モニタ８０からの測定データに基づいて電源１１４を制御することによって、モニタ８０で測定したビーム電流密度が大きいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を大きくし、測定したビーム電流密度が小さいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ８０で測定されるＹ方向のビーム電流密度分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】 注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム４を発生させるイオン源２内に原料ガス３４を導入するものであってＹ方向に配列された複数のガス導入部３８と、それから導入する原料ガス３４の流量を調節する複数の流量調節器３６とを備えている。更に、イオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器４６と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器３６を制御して、注入位置でのイオンビーム４のＹ方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ウエハー内の領域別に相異なる注入エネルギーでイオン注入を行う、不均一なイオン注入エネルギーを得られるイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生するイオンビームソース１１０と、第１時間の間は相対的に小さい第１注入エネルギーのイオンビームを作り、第２時間の間は相対的に大きい第２注入エネルギーのイオンビームを作る注入エネルギー調節器１２０と、前記注入エネルギーが調節されたイオンビームを加速するビームライン１３０と、前記ウエハー１５０を前記イオンビームに対して垂直方向に移動し、前記ウエハー１５０の第１領域には前記第１注入エネルギーのイオンビームを注入し、前記ウエハーの第２領域には前記第２注入エネルギーのイオンビームを注入するためのエンドステーション１４０と、を備えてイオン注入装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】一つのイオン源を用いて、分子イオンも、原子イオンも効率よく発生させることのできるプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ源のプラズマ室を形成する壁の１部もしくは全部に冷媒を通すチャネルと加熱するためのヒータとを設け、またはプラズマ室近傍にプラズマ室に密着もしくは近接できる温度コントロールプレートを設けることによってｉｎ ｓｉｔｕでプラズマ室内のガスの温度を調整し、プラズマ源を取出さずに分子や原子などの異なるイオン種を高い効率で生成する。 （もっと読む）

【課題】ダイレクトデジタル合成（ＤＤＳ）技術を使用して、高精度な周波数および位相の制御並びに自動化された電極電圧の位相較正を達成することにより改善されたＬＩＮＡＣとこれを使用したＨＥイオン注入システムを開示する。
【解決手段】ＤＤＳコントローラ１３０は、多段線形加速器を使用した注入処理において、加速器の各ステージ内のそれぞれの電極に対する電界の周波数および位相を同期させるために使用される。ＤＤＳコントローラは、電極の電界の位相を変調するためのデジタル位相合成（ＤＰＳ）回路１３８、および、デジタル周波数合成またはＤＦＳ１３４を使用して、それぞれのＤＰＳ回路に印加されるマスター周波数およびマスター位相をデジタル処理により合成するためのマスター発振器を含んでいる。各ステージのＲＦ電極の電圧の位相および振幅を自動的に較正するための方法も開示される。 （もっと読む）

本発明は、例えば、アークの持続時間を短くするために、およびイオン注入の非均一性を軽減するために、イオン注入システムのイオン源に結合されている高電圧引き出しおよび／または抑制電極間で形成されるアークを急速に消滅させる回路および方法を提供する。上記回路および上記方法はまた、アーク放電時における投与損失を回復させるために、アークが検出されたそれらの領域においてイオンビームを再塗布することを促進させる。高電圧（High Voltage）高速スイッチ回路は、ゆっくりと回復するイオンビーム電流遮断、および上記電源のＨＶコンデンサを実質的に放電させるアークを急速に消滅させるために、各高電圧電源とその電極との間に追加されている。上記高電圧スイッチは、各電極への電流変化または電圧変化を検出するトリガ回路によって制御される。上記ＨＶスイッチの保護回路は、上記ＨＶスイッチを保護するために、過電圧をクランプするとともに、リアクタンス成分からエネルギーを吸収する。
（もっと読む）

【課題】イオン注入装置におけるイオン源の交換の際、装置構成を煩雑にすることなく、従来からある装置構成において、効率よくイオン源の交換を行う。
【解決手段】イオン注入装置の所定位置に交換のために設置したイオン源１２のアークチャンバ１２ａ内の排気を、イオン源１２に設けられたターボ分子ポンプ１３ａを用いて行う。この排気の途中から、デガス処理のためにフィラメント１２ｂを通電加熱する。デガス処理の際、イオン源のターボ分子ポンプ１３ａの背圧を真空計１３ｆにより測定することにより、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を取得して通電加熱、デガス状態を監視する。又、通電加熱中のアークチャンバ１２ａ内の圧力の情報を、イオン源の後工程に配置される、アークチャンバ１２ａと連通するチャンバに設けられるイオンゲージを用いて計測することにより、通電加熱、デガス状態を監視する。 （もっと読む）

本発明は、例えば、不安定なイオンビーム電流を緩和し、かつ、不均一なイオン注入を回避するために、イオン注入システムのイオン源に結合された高電圧引き出しまたは抑圧電極間で発生するアークを消滅するための回路に向けられている。高電圧高速切替回路は、ＨＶ電源などの高電圧容量をほとんど放電し、イオンビーム電流に劇的に影響するとともに回復後にかなりの時間を受け取る有害なアークを消すために、抑圧および／または引き出し電極の高電圧電源に直列に加えられる。高電圧スイッチは、電極へのＨＶ供給の電流または電圧変化を検出するトリガ回路により制御される。また、アーク消滅回路は、ＨＶスイッチを保護するために、リアクタンス素子から過剰なエネルギーを吸収し、いくつかの過電圧をクランプする、ＨＶスイッチの保護回路を含む。
（もっと読む）

【課題】 基板位置での２次元のイオンビーム電流分布の均一性を向上させることができる装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、イオンビーム４を発生するイオン源２と、イオン源２内で２次元で走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇと、それ用の電源１４と、基板相当位置におけるイオンビーム４の２次元のビーム電流分布を測定するイオンビームモニタ１０と、制御装置１２とを備えている。制御装置１２は、モニタ１０からの測定データに基づいて電源１４を制御することによって、モニタ１０で測定したビーム電流が多いモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を相対的に大きくし、測定したビーム電流が少ないモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ１０で測定される２次元のビーム電流分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】安定したイオンビームの均一性を確保できるイオンドーピング装置を提供する。
【解決手段】イオン生成室２とプラズマ電極21との間に熱抵抗27を設置した。プラズマ電極21とイオン生成室２との間の温度差によるプラズマ電極21内の熱流を抑制できる。プラズマ電極21に堆積する堆積膜での電荷量の差を抑制できる。プラズマ電極21に印加される電圧分布を抑制できる。プラズマ電極21に冷却路を設けて冷却液を通液する。プラズマ電極21を均一に冷却できる。プラズマ電極21への堆積膜の形成を抑制できる。イオンドーピング室11内でのイオンビームの均一性の時間の経過に伴う低下を防止できる。 （もっと読む）

イオン注入方法は、Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_１２からＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを生成することと、材料中にＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンを注入することと、を含む。幾らかの実施形態においては、前記Ｃ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンの分子量は１００ａｍｕより大きい。他の実施形態においては、約１３２〜１４４ａｍｕ、あるいは、約１３６〜１３８ａｍｕである。チャンバを画定するチャンバ筐体と、チャンバにＣ_２Ｂ_１０Ｈ_１２を導入するソースフィードガス供給源と、を含み、チャンバ内でソースフィードガスをＣ_２Ｂ_１０Ｈ_ｘイオンにイオン化する、イオン源もまた開示される。 （もっと読む）