【課題】試料に断面を形成した後、試料ステージの移動等の動作を行うことなく、直ちに当該断面についての断面情報を取得することのできる試料解析装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム鏡筒７と、イオンビーム鏡筒１７と、制御手段２５，２３とを備え、イオンビーム１５の照射により試料９が切削加工され、これにより露出された試料９の断面を解析対象面として該断面に電子ビーム５を照射し、これによる試料９の断面情報を検出する試料解析装置において、電子ビーム５の光軸６に直交する面に対して所定の傾斜角度となる断面が試料９に形成されるように、試料９へのイオンビーム照射時におけるイオンビーム走査のスキャンローテーション量が制御部２５，２３により設定可能とされ、該スキャンローテーション量に基づくイオンビーム走査により試料９に形成された断面に対して正面側に、試料９の断面情報を検出するための検出器９が配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記課題に鑑み、広い領域で高精細な加工ピッチを実現し、広い領域を高精度に観察を行うことができる荷電粒子線装置及び加工・観察方法を提供することを目的とする。
【解決手段】偏向量の緻密な高精細スキャンと偏向量の大きなイメージシフトという２種類以上のＦＩＢ偏向制御を同期させ、従来よりも広い領域を高密度でスキャンする。また、ＦＩＢのイメージシフトを用いて加工された位置にＳＥＭのイメージシフトを追従させる。作製した一つの断面に対し複数枚のＳＥＭ像を取得し、それをつなぎ合わせることによって高精細な画像を作成する。本発明により、従来よりも広い領域を高精細スキャンで加工し、高精細な三次元構築用データを取得することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡用試料の薄膜化を可能とすること。
【解決手段】一端３４が他端より膜厚の小さい先細り形状の支持台の前記一端に、前記一端側から前記他端側をみて、試料の正面がみえるように前記試料を前記一端に搭載する工程と、前記試料の正面から、前記試料に集束イオンビームを照射する工程と、前記試料の背面から、前記試料の前記支持台の膜厚方向の面である上面４４ａ、４４ｂにイオンビーム８２を照射することにより、前記上面をイオンミリングする工程と、を備えることを特徴とする電子顕微鏡用試料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】走査用偏向器を有するイオンビームシステムにおいて、イオンビームの高エネルギー動作モード及び低エネルギー動作モードの両方において、高偏向周波数（高速）で、かつ偏向電圧のダイナミックレンジを広くすることなく高精度に偏向できるようにする。
【解決手段】偏向器３９をイオンビーム１９の光軸５の方向に隙間を設けて配設された第１偏向電極５１ａ、５１ｂ、５１ｃ及びこれに対向する第２偏向電極５２ａ、５２ｂ、５２ｃからなる３つの偏向電極対によって構成し、コントローラ７からスイッチ６１を介して各偏向電極に異なる電位を印加できるようにする。第１動作モード（例えば、３０ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、矢印５５で示すように全部の偏向電極対に偏向電場を発生させる。第２動作モード（例えば、１ｋｅＶのイオンビームエネルギー）においては、偏向電極対５１ａ、５２ａのみに偏向電場を発生させる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ源から放射される光が被加工物に照射されるのを抑制し、被加工物の加工点を安定して撮像する。
【解決手段】カメラ４は、イオンビームＩが照射される被加工物Ｗの加工点Ｐを撮像する。イオン銃２は、プラズマを生成するプラズマ源２１と、プラズマ源２１からイオンビームＩを引き出す引き出し電極２２を有する。更にイオン銃２は、プラズマ源２１から引き出し電極２２に引き出されたイオンビームＩ、及びプラズマ源２１からイオンビームＩと共に放射された光のうち、イオンビームＩを被加工物Ｗの方向に偏向するイオン偏向部２３を有する。イオン偏向部２３は、プラズマ源２１から放射された光を遮光し、ハウジング２７から光が洩れるのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は集束イオンビーム装置に関し、中性粒子を除去してイオン照射が可能なようにした集束イオンビーム装置に関する。
【解決手段】デフレクタを４段構成とし、上２段によりイオンビームをある距離だけ平行移動をさせ、下２段により再びイオンビームを上２段により元の軌道に戻すように平行移動をさせる各電圧成分をそれぞれ各段の電極に重畳させ、印加できる機能を持つデフレクタ電源と、及び上の２段電極と下の２段電極の間に、前記中性粒子を遮断する遮蔽板１１を設け、前記デフレクタの上２段と下２段には本来の２段偏向器の役割を実行させるためのデフレクタ電圧を印加する場合に、上２段の内の何れか１段と、下２段の内の何れか１段にのみ本来の２段偏向器を実現させるためのデフレクタ電圧を印加することを特徴とする集束イオンビーム装置。 （もっと読む）

荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】複数の荷電粒子ビームカラムを備えたシステム、及びそのシステムを容易に制御する方法を提供する
【解決手段】電子ビームを生成し、電子ビームを試料に向けて集束させるための電子カラムであって、試料表面において少なくとも０．０２５テスラの強さを有する磁場を形成する磁気対物レンズを含む電子カラムを設け、磁場が存在する中で集束イオンビームを試料表面に指向させる際に、イオンビームの磁場による変位量を補償し、且つ補償によってイオンビームのスポットサイズの増加分が５０％未満となるように、イオンビームを指向させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は複合装置におけるビーム照射位置の補正装置に関し、導電体が挿入されても試料観察位置がずれてしまうことのないビーム照射位置の補正装置を提供することを目的としている。
【解決手段】コレクタ電極７へ印加する電圧をオフにした状態で、導電体が試料室１に挿入された時にＳＥＭ鏡筒２からの電子ビームと、ＦＩＢ鏡筒３からのイオンビームの照射位置のずれを補正するためのイメージシフト量を記憶する補正テーブル２１と、ＳＥＭ像又はＦＩＢ装置像を表示する表示手段２２とを具備し、前記ＳＥＭ鏡筒２とＦＩＢ鏡筒３に所定の加速電圧が印加された状態における、前記補正テーブル２１に記憶されているイメージシフト補正量を読み出してＳＥＭ鏡筒２からのイメージシフト信号及びＦＩＢ鏡筒３からのイメージシフト信号に重畳し、この状態で得られた２次電子像を前記表示手段２２に表示するように構成される。 （もっと読む）

【課題】加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。
【解決手段】加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 （もっと読む）

直接連続して、サンプル表面の各部分を荷電粒子ビームに露光させるステップを含み、前記サンプル表面の前記各部分は、第１の方向に列を形成し、前記荷電粒子ビームが前記サンプル表面において平均スポットサイズｆを有し、前記各部分は、それぞれ隣接部分から、第１方向に少なくとも距離ｄだけ離れており、比率ｄ／ｆは２以上であることを特徴とする方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】装置はイオン発生用のエミッタ領域を備えたエミッタを収容するための閉鎖空間を含むイオンビームカラムと、第１ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第１ガス流入口と、第１ガスとは異なる第２ガスをエミッタ領域に導入するよう適合された第２ガス流入口と、第１ガスの導入と第２ガスの導入との切り替えを行うよう適合された切替ユニットを備える。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。ズーム率が大きい場合には、ビーム偏向分解能の範囲内で一度画像の再取得を実施し、それを原画像として画素補間を行い、高いズーム率の画像を得る。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に大小１つずつの参照画像をもつ少なくとも１つの参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けて画像のずれの方向と量とに基づいて画像のずれを補正してビーム偏向系の補正を行なうビーム偏向系調整手段とを具備して構成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料へ正確な加工を行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けて画像のずれの方向と量とに基づいて画像のずれを補正してビーム偏向系の補正を行なうビーム偏向系調整手段とを具備し、前記演算制御手段３０は、参照画像が最適な明かるさ又はコントラストになるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料照射位置に回転が生じた場合でもこの回転の補正を正確に行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に複数の参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けてイオンビーム照射領域に回転が生じている場合に、回転を補正する方向にビーム偏向系の調整を行なうビーム偏向系調整手段とを有して構成される。 （もっと読む）

イオン衝突を利用した顕微鏡検査または表面研究用の試料のミリング処理装置を開示する。この装置は高低両エネルギー・イオン源を使用することによって試料表面をそれぞれ粗及び微修正することができる。イオン源から発生する衝突ビーム内の試料位置を正確に制御することによって、ビームに対して試料を傾倒及び回転させることができる。この位置制御によって、プログラム制御下に且つ定常な真空条件下に、試料を異なるイオン源の間で移動させることができる。また、装置への試料の導入及び装置からの試料取出しの際に真空度を低下させず、しかも試料を周囲温度に戻すことを可能にするロード・ロック機構を設ける。ミリング処理のすべての動作段階において試料を観察及び撮像することができる。
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【課題】加工物を機械的に傾斜や移動させることなく、しかも１個の２次電子検出器を用いてでも、ビーム加工中の３次元形状をインラインで高精度に測定することができ、高精度なナノ３次元造型を実施できる集束イオンビーム加工方法と装置を提供する。
【解決手段】イオンビームを照射して３次元形状の除去加工を行う際にイオンビームを加工物の同一箇所に対して通常照射および屈曲傾斜させて照射し、加工点から放出される２次電子を２次検出器により計測することでイオンビーム加工された部分の形状を計測する。 （もっと読む）