【課題】電気光学装置において迷光を少なくすることにより高品質な表示を行う。
【解決手段】対向基板２０上において画像表示領域１０ａの周縁に額縁状に形成された第１の遮光膜５３と、防塵用基板１２２上に第１の遮光膜５３に対応して形成された第２の遮光膜５５とを有する液晶パネル１００と、液晶パネル１００を収容する実装ケース６００とを備えており、実装ケース６００において光入射側の表面部分が少なくとも部分的に第１の遮光膜５３及び第２の遮光膜５５よりも光の反射率の低い材料により形成される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、容量素子の飽和を防止することができ、かつ外部からの光や熱などの外部エネルギーの影響を排除することの可能なセンサ素子およびその駆動方法、ならびに入力装置、入力機能付き表示装置および通信デバイスを提供する。
【解決手段】２つのダイオード素子１０，２０が互いに直列に接続され、かつ容量素子３０の一端が２つのダイオード素子１０，２０の接続部分に接続されている。ダイオード素子１０におけるカソード電極１６とゲート電極１２との電位関係と、ダイオード素子２０におけるアノード電極１５とゲート電極１２との電位関係とを変えて、２つのダイオード素子１０，２０が交互にオンオフされる。 （もっと読む）

【課題】駆動回路を搭載する基板の延在部の強度を向上させることができる電気光学装置及びこれを使用した電気機器を提供する。
【解決手段】電気光学物質を挟む一対の基板３１，３２と、前記一対の基板の一方の基板３２側を覆うカバーパネル４０と、前記一対の基板における他方の基板３１に形成された前記一方の基板より外方に延在する延在部３７と、前記延在部３７の前記一方の基板側に実装された前記電気光学物質を駆動する駆動回路３８とを備え、前記カバーパネル４０と前記延在部部３７との間に補強材４１，５０，５１を介在させた構成とした。 （もっと読む）

【課題】比較的大きな面積のコロイド結晶シートをその面方向から押圧部材で押圧し、当該シートに充分かつ均等な色変化を生じさせ、かつ表示形態に変化をもたせるには、複数の押圧部材へ充分な力を与えつつそれらの押圧を独立して制御することとなるが、複雑な機構を採用することは現実的でない。
【解決手段】色調変化シートと、色調変化シートに対向して配置され、空気圧力に応じて変形する複数の変形部を有するアクチュエータと、各変形部の空気圧力を変形部毎に独立して制御する空気圧力制御手段と、色調変化シートと前記変形部との間に配置される押圧部材であって、色調変化シートへ対向する面に表示対象を表す凹形状及び／又は凸形状を有する押圧部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構造を採用しながらも、開口率を犠牲にすることなしに、全画素で最適な駆動条件を達成可能とする。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、アレイ基板１０が含んでいる各画素回路は、スイッチ１０４を介して信号線１０５ａに接続された画素電極１０８Ｐと対電極１０８Ｃとを含んでいる。走査線１０１又は信号線１０５ａの長さ方向に隣り合った画素回路は対電極１０８Ｃが互いに接続されている。対向基板２０は、走査線１０１の長さ方向に配列した画素回路からなる列の１つ以上と各々が向き合い、信号線１０５ａの長さ方向に配列した複数のリセット電極２０８Ｒを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で表示欠陥を検査可能な表示装置を提供する。
【解決手段】液晶パネル１は、ゲート線Ｇの一端側に設けられるゲートダミー画素１４Ｄｇと、ソース線Ｓの一端側に設けられるソースダミー画素１４Ｄｓと、ゲートダミー画素１４Ｄｇおよびソースダミー画素１４ＤｓにおけるダミーＴＦＴ１３Ｄｇ，１３Ｄｓに接続されて、その導通状態の切り替えを行うための制御信号を伝送するテストスイッチ線３１と、複数のゲート線Ｇのうち、互いに隣接しないゲート線Ｇに設けられるダミー画素電極１２Ｄｇに接続されて、ゲート線Ｇを２相以上に分割するテストゲート線３２と、複数のソース線Ｓのうち、互いに隣接しないソース線Ｓに設けられるダミー画素電極１２Ｄｓに接続されて、ソース線Ｓを２相以上に分割するテストソース線３３と、を具備した。 （もっと読む）

【課題】走査信号線の本数を大幅には増大させずにデータ信号線の本数を削減する。
【解決手段】第１走査信号線G(2)及び第２走査信号線G(1)に対して交差するように配置されたデータ信号線S(1)と、前記データ信号線S(1)に一端が第１走査信号線G(2)に接続された第１トランジスタT(1,2,a)を介して接続されデータ信号線S(1)に供給される階調信号が印加される第１画素電極E(1,2,a)と、第１画素電極E(1,2,a)に第２走査信号線G(1)に一端が接続された第２トランジスタT(1,1,b)を介して接続され第１画素電極E(1,2,a)を介して階調信号が印加される第２画素電極E(1,1,b)とを備え、第１画素電極E(1,2,a)と第２画素電極E(1,1,b)とは第２走査信号線G(1)を挟んで異なる方向に配置され、第１画素電極E(1,2,a)は第１走査信号線G(2)と第２走査信号線G(1)との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】画素回路を制御する配線の構造を簡略化した画像表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、第１の方向に延びる複数の画素走査線と、第２の方向に延びる複数の信号線と、画素走査線と信号線の交点に対応して設けられる複数の画素回路とを含む。各画素回路は、電流量を調整する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタから供給される電流量によって輝度が変化する発光素子と、当該画素回路を駆動する走査信号に基づいて画像信号に応じた電位を発生する画素スイッチと、画素スイッチより供給された電位により生ずる電位差によって駆動トランジスタが供給する電流量を制御する容量素子と、当該画素回路に対応する画素走査線により供給される走査信号より先に他の画素走査線により供給される走査信号に基づいて容量素子の前記他端の電位を所定の基準状態に設定するリセットスイッチと、を含む。 （もっと読む）

【課題】走査信号線の本数を大幅には増大させずにデータ信号線の本数を削減する。
【解決手段】走査信号線G(3)とデータ信号線S(1)との交点に配置された画素電極E(1,3,g)と、データ信号線S(1)に供給される階調信号が画素電極E(1,3,g)を介して印加される画素電極E(1,2,r)と、階調信号が画素電極E(1,3,g)と画素電極E(1,2,r)とを介して印加される画素電極E(1,1,b)と、画素電極E(1,3,g)のトランジスタT(1,3,g)と、画素電極E(1,3,g)と画素電極E(1,2,r)との間の導通／非導通を切換えるトランジスタT(1,2,r)と、画素電極E(1,2,r)と画素電極E(1,1,b)との間の導通／非導通を切換えるトランジスタT(1,1,b)を備え、画素電極E(1,3,g)と画素電極E(1,2,r)と画素電極E(1,1,b)とを異なる画素行として配置する。 （もっと読む）

【課題】映像表示部に映像が表示されていない間は、映像表示部を遮蔽することで、黒色領域の圧迫感等により室内の雰囲気が損なわれるのを防ぐことのできる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、映像を表示可能な映像表示部４ａと、映像表示部の前面に位置する状態において、映像表示部の略全体を遮蔽する遮蔽領域を有する前面シートと、前面シートを移動させるシート移動手段１０，１１と、映像表示部における映像の表示及び非表示に連動してシート移動手段を制御し、映像が表示されていない間は遮蔽領域を映像表示部の前面に位置させ、映像が表示されている間は遮蔽領域を映像表示部の前面から退避させる制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】大型の表示部を構成する際における表示パネルの配設及び配線作業を容易に行うことができる表示パネルを提供すること。
【解決手段】隣接する表示パネル１に対する相対移動を規制するための規制手段４，５，１８，１９と、隣接する表示パネル１と電気的に接続するための接続端子６，７，２０，２１と、表示部８を構成する表示装置２６と、表示装置２６の表示制御を行う表示制御手段２７と、を備え、規制手段４，５，１８，１９及び接続端子６，７，２０，２１は表示パネル１の本体１ａ側面に設けられ、規制手段４，５，１８，１９にて隣接する表示パネル１に対する相対移動が規制されることで、表示パネル１の接続端子６，７，２０，２１と隣接する表示パネル１の接続端子６，７，２０，２１とが接続されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】発光管アレイの背面側に凹凸が生じている場合であっても、製造工程において発光管アレイに障害が発生する可能性を低減することが可能な発光管アレイ型表示サブモジュール及び表示装置を提供する。
【解決手段】複数の発光管を並列に配置した発光管アレイを、アドレス電極が形成してあるアドレス電極シートと、表示電極が形成してある表示電極シートとの間に挟持してある発光管アレイ型表示サブモジュールであって、発光管アレイは、発光管アレイより柔軟な材質で形成され、該発光管アレイのアドレス電極シートの凹凸に沿って変形する中間層を介してサブモジュールフレームに固定してある。 （もっと読む）

【課題】駆動ＴＦＴの閾値電圧の変化を補償又は抑制することが可能な発光表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発光素子と該発光素子の駆動用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）とを少なくとも有する発光表示装置において、前記発光素子から放射される光のうち、所定の波長よりも長い波長の光の少なくとも一部を、前記ＴＦＴを構成する半導体に照射する機構が設けられてなることを特徴とする発光表示装置。 （もっと読む）

【課題】画面がシリンドリカルな曲面を持つ表示装置において、プリント配線基板を湾曲させる必要がなく、かつ、外形を小さくする。
【解決手段】ＴＦＴ基板およびカラーフィルタ基板によって形成される液晶表示パネル１００は研磨によって薄くなっており、シリンドリカルに湾曲している。プリント配線基板６０は液晶表示パネル１００と垂直方向に設置され、プリント配線基板６０は湾曲させる必要は無い。液晶表示パネル１００とプリント配線基板６０は図示しないフレキシブル配線基板によって接続されるが、フレキシブル配線基板は複数に分割されており、液晶表示パネル１００の辺の中央に接続されてフレキシブル配線基板の長さは液晶表示パネル１００の辺のサイドに接続されるフレキシブル配線基板の長さよりも短い。 （もっと読む）

【課題】簡便な部材構成、低電圧で駆動可能で、繰返し駆動での特性変化が少なく、書き換え速度が速い電気化学的表示素子用電極及びそれを用いた表示素子を提供する。
【解決手段】少なくとも炭素材料を含有し、該炭素材料の表面に含窒素官能基が配向し、かつ該窒素官能基に電気化学的に酸化還元されうる補助化合物が固定化されていることを特徴とする電気化学的表示素子用電極。 （もっと読む）

【課題】発光効率を優れたものとしつつ、１対の電極のうちの一方の電極と配線とを一括して形成することができる発光素子、発光装置および発光素子の製造方法を提供すること、また、高品位な画像を長期にわたり表示することができる表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】発光素子１_Ｒは、陽極３と、陰極１２と、陽極３と陰極１２との間に設けられた発光層６、８、９とを有し、陽極３は、ＩＴＯを主材料として構成された第１の層３１と、第１の層３１に対して発光層６、８、９側に設けられ、ＩＺＯを主材料として構成された第２の層３２とを含んで構成されている。 （もっと読む）

【課題】光源からの光の利用効率を向上させることができ、よって高輝度な表示を容易に行うことができる表示素子、及びこれを用いた電気機器を提供する。
【解決手段】導電性液体１２を表示用空間Ｓの内部で移動させることにより、表示面側の表示色を変更可能に構成された表示素子２において、光を表示面側へ透過する透過部５ａと、光を表示面側に反射する反射部５ｂと、下部基板（第２の基板）４の非表示面側に設けられたバックライト（光源）１６と、下部基板４とバックライト１６との間に設けられたレンズ１０とを備え、透過部５ａの重心とレンズ１０の中心とを略一致させる。 （もっと読む）

【課題】電源供給線の駆動タイミングについて複数ライン分を共通化する構成を採る場合において、電源供給線用の配線が走査線用の配線と交差しないようにする。
【解決手段】電源供給線用の配線７４−ｊ，７４−ｊ＋１を走査線用の端子７１−ｉ〜７１−ｉ＋５よりもパネル端側に配線し、当該配線７４−ｊ，７４−ｊ＋１によって走査線用の端子７１−ｉ〜７１−ｉ＋５間を通して電源供給線用の端子７２−ｊ，７２−ｊ＋１と電源供給線３２−ｉ〜３２−ｉ＋５の各々とを電気的に接続するレイアウト構造を採ることにより、表示パネル７０の外縁部（額縁部）において、配線７４−ｊ，７４−ｊ＋１の各々が配線７３−ｉ〜７３−ｉ＋５の各々と交差しないようにする。 （もっと読む）

【課題】純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層を構成する窒素、炭素、およびフッ素のいずれかの元素は、前記半導体層のＳｉと結合している。 （もっと読む）