【課題】本発明は、光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、及び電子機器を提供する。また、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０及び対向基板２０間に液晶層５０を挟持してなり、スイッチング素子基板１０の液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】光リークがなく、高品質の表示が可能な電気光学装置とその駆動方法、および電子機器を提供する。また本発明は、小型で幅広いデバイスに適用可能なスイッチとその製造方法を提供することを目的の一つとする。
【解決手段】本発明の液晶装置は、スイッチング素子基板１０および対向基板間に液晶層を挟持してなり、スイッチング素子基板ＴＦＴの液晶層側に画素電極３５と、画素電極３５と接続されたスイッチング素子４１とを有しており、スイッチング素子４１が、固定電極２２と可動電極２２との間に静電気力を作用させて可動電極２２を基板の厚さ方向に揺動させ、可動電極２２と画素電極３５との接続状態をスイッチングする素子となっている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタのチャネルが形成される領域を含む半導体層と、ソース電極層及びドレイン電極層のコンタクト抵抗（接触抵抗）が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、配線の電気抵抗が小さい薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。また、ソース電極層及びドレイン電極層の端部に生じる段差の少なくとも一部を覆う半導体層をキャリアが滞りなく移動できる構造を有する薄膜トランジスタを提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタを形成するにあたって、第１電極層上に第１配線層を設け、第２電極層上に第２配線層を設け、第１電極層が第１配線層の端部から延在し、第２電極層が第２配線層の端部から延在し、第１電極層の側面及び上面と第２電極層の側面及び上面に半導体層が電気的に接続するように設ける。 （もっと読む）

【課題】電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することが可能な電気光学装置を提供すること。
【解決手段】共通電極における開口部４６（間隙部分）には、共通電極を形成する際に、絶縁層７６よりもＩＴＯ膜の結晶化を抑制させる物質からなる下地層４６が形成されている。つまり、下地層４６が形成された間隙となる部分におけるＩＴＯ膜の結晶粒子は、絶縁層７６上におけるＩＴＯ膜の結晶粒子よりも小さくなっている。よって、透明電極材料としてのＩＴＯ膜をエッチングする際に、間隙となる部分におけるエッチングレートは、絶縁層７６上におけるエッチングレートより高くなるため、下地層４６上のＩＴＯ膜を選択的に除去することができる。従って、電極における線状電極部を精度良く残すとともに、開口部における残渣の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させることができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】紫外線硬化型のシール材１４を介して貼り合わされた一対の基板１２，１３と、一対の基板１２，１３に形成された表示領域１９と、表示領域１９を囲むように配置された紫外線４１を遮光する遮光部１８ａと、遮光部１８ａの外側にシール材１４の一部と平面的に重なるように配置されていると共に、紫外線４１の一部を透過する開口部を有する半透過部１８ｂと、を有する。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクス半導体部品（１）の少なくとも１つの実施形態において、当該半導体部品は少なくとも２つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を含んでいる。これらの半導体チップは、作動中に、相違する波長領域で電磁ビームを放出するように構成されている。これらの半導体チップ（２）は、共通担体（４）の取り付け面（４０）に取り付けられている。さらに、このオプトエレクトロニクス半導体部品（１）は少なくとも２つの非回転対称に形成されているレンズ体（３）を有しており、これらのレンズ体は、相互に直交する２つの方向（Ｈ、Ｖ）に沿って、取り付け面（４０）に対して平行に、相違する放射角度（α）で前記ビームを成形するように構成されている。本願発明では各半導体チップ（２）には、放射方向（Ｚ）において前記レンズ体（３）の１つが後方配置されている。
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【課題】不均一なピッチで配列されるビアホールを有する層間絶縁膜上に、均一なピッチで上部電極を形成した回路基板を提供する。
【解決手段】基板１００上において、下部電極１０１は、上部電極１０２と、ビアホール１０３を有する絶縁膜１０４（絶縁膜１０４ａ，絶縁膜１０４ｂ，絶縁膜１０４ｃ）を介して接合される。絶縁膜１０４に形成されるビアホール１０３は、マトリクス状に下部電極１０１上に配置され、その中心線Ｂ１−Ｂ１’，Ｂ２−Ｂ２’間の距離は、互いに異なるピッチＰ１，ピッチＰ２である。絶縁膜１０４ａの膜厚ｔ１を絶縁膜１０４ｂおよび１０４ｃの膜厚（ｔ３およびｔ２）よりも厚くし、上部電極１０２形成用のマスク１１０と絶縁膜１０４ａとの密着性を確保することで、隣接する上部電極１０２間のショートを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】アレイ基板と対向基板との貼り合わせの際の位置ずれに起因する輝度のばらつきを抑制した液晶パネルを提供する。
【解決手段】アレイ基板12に、対向基板13に接触することにより基板12，13の間隙を保持するスペーサ15を突設する。対向基板13のスペーサ15の正規接触位置59の周囲に、突起部56を設ける。基板12，13の貼り合わせの際に正規の位置に対してずれが生じると、スペーサ15が突起部56に重なって基板12，13の間隙ｄが広がり、基板12，13間での液晶層の透過率が増加する。基板12，13の位置ずれによってブラックマトリクス層58が副画素を覆うことに起因する開口率の低下を、透過率の増加によって相殺して、輝度の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】隔壁の耐溶剤性を損なうことなく、インクジェット法によるインク注入時のインク同士の混色が防止可能であり、画素内のインクに対する良好な濡れ性を確保することで均一なインク層が形成可能であって、かつ、得られる光学素子に十分な耐熱性を保持させることが可能であり、さらに簡素化され経済的に有利な工程で行うことが可能な光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、表面に撥インク性を有する樹脂組成物からなる隔壁を形成させ、インクジェットにて該隔壁間にインクを注入して光学素子を製造する方法であって、隔壁形成後、インクジェットにてインクを注入する前と後に、それぞれインクジェット前には加熱温度１８０℃〜２１５℃で、インクジェット後には加熱温度２２０℃〜２５０℃で加熱処理を施すことにより隔壁を構成する樹脂組成物を硬化物とする光学素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、蓄積容量を大きく確保しつつ、画素領域における開口率を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０上に、画素電極９と、画素電極の下層側に誘電体膜７２を介して画素電極に対向するように設けられ、画素の各々における開口領域を、画像表示領域全体に渡って合計した合計面積よりも広く形成された容量電極７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】表示パネルに設けられた配線の微細化、低抵抗化
【解決手段】画素領域の周縁部には複数の集積回路２１２、２２２が配置されている。また、画素領域の周縁部に沿って複数の配線２４１〜２４３が形成されている。かかる複数の配線２４１〜２４３は、集積回路２１２、２２２を接続している。また、複数の配線２４１〜２４３は絶縁層２８０によって覆われている。また、配線２４１〜２４３の長さ方向には、部分的に、配線２４１〜２４３の幅方向の断面を大きくした断面拡大部２６１〜２６６を備えている。断面拡大部２６１〜２６６は、配線２４１〜２４３からガラス基板１２１の厚さ方向に延びた柱部２６１ａ〜２６６ａと、他の配線との間に絶縁層２８０を介在させた状態で、柱部２６１ａ〜２６６ａから配線２４１〜２４３の幅方向に広がった拡大部２６１ｂ〜２６６ｂとを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子形成後の基板の反りを抑制して歩留りよく電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法としての液晶装置の製造方法は、半導体素子が形成される前の基板を熱処理する熱処理工程（ステップＳ１）と、熱処理後の基板の反りによる凸面が一定の方向に向くように基板を再配置する配置工程（ステップＳ２）と、上記凸面側に半導体素子を形成する素子形成工程（ステップＳ３）と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチック基板の傷対策を施した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】液晶表示装置は、第１基板１０と、第１基板１０と対向する、プラスチックからなる第２基板１６と、第１基板１０と第２基板１６との間に配置された液晶２６と、第２基板１６の、第１基板１０とは反対の表面に形成された、導電性ポリマー又は導電ペーストを含有する材料からなる光透過性の導電膜３２と、を有する。導電膜３２の、第２基板１６とは反対の表面は、光を散乱させる凹凸面３６である。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜の配線からの剥がれを抑制した液晶パネルを提供する。
【解決手段】ガラス基板上に形成した層間絶縁膜31に臨み、かつ配線29と交差する有機絶縁膜32の端部35に、配線29との交差角度を増加させる方向へと傾斜した傾斜部37を形成する。配線29と有機絶縁膜32の端部35とのなす角度が大きくなり、配線29と有機絶縁膜32の端部35との交差長さを抑制でき、有機絶縁膜32の配線29からの剥がれを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】発光素子を駆動する駆動用トランジスタの閾値のシフトがノーマリオフの場合にもノーマリオンの場合にも補償を行う技術を提供する。
【解決手段】アクティブ型表示装置は、発光素子ＯＬＥＤを駆動する駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒと、駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極とＧＮＤの間に接続された保持容量Ｃｓと、駆動用トランジスＤｒ−Ｔｒのソース・ドレイン電極および保持容量Ｃｓを通る経路に設けられたインダクタＬと、を備える。駆動用トランジスＤｒ−Ｔｒのソース・ドレイン電極、インダクタＬ、および保持容量Ｃｓを通る経路が抵抗成分を有する共振回路を構成する。この共振回路に流れる共振による電流により駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒのゲート電極と保持容量Ｃｓの接続部分の電位を変化させ書込容量Ｃｗに駆動用トランジスタＤｒ−Ｔｒの閾値電圧を記憶する。 （もっと読む）

【課題】エッチング量の変動に伴う画素特性への影響を抑制することが可能な画像表示装置を提供する。
【解決手段】流れる電流量に基づいて発光する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流量を調整する駆動トランジスタＴ_dと、前記駆動トランジスタＴ_dに印加する電位に応じた電荷が蓄積される保持容量Ｃ_sとを備え、前記保持容量Ｃ_sを構成する一対の電極のうち、一方の電極は平面視して切り込みが形成されている。 （もっと読む）

【課題】面内傾斜の発生を防止可能な画像取込機能付き表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】偶数行のプリチャージ制御線３及び読出制御線４については右側に配置された第２駆動回路３００が制御し、奇数行のプリチャージ制御線３及び読出制御線４については左側に配置された第３駆動回路４００が制御するので、偶数行の各光センサ回路を左側から右側方向に向けて駆動制御すると共に、奇数行の各光センサ回路を右側から左側方向に向けて駆動制御することにより、各制御線が生来的に備えている配線負荷等による信号劣化が生じる場合であっても、撮像画像の左右方向における視覚的な面内傾斜の発生を緩和（防止）することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】画像表示媒体の撓みの大きさを検出する撓み検出手段を画像表示媒体の外面に取り付ける場合に比べて、長期間にわたって精度良く画像表示媒体の撓みの大きさを検出する、電子ペーパを提供する。
【解決手段】入力された画像情報により示される画像が形成される画像形成領域を内部に有すると共に、可撓性を有し、かつ画像形成領域に形成された画像が視認可能な画像表示基板が、対向して配置された表示基板と背面基板１４とを有し、画像表示媒体の外部に露出しないように背面基板１４の表示基板との対向面に画像表示媒体の撓みの大きさを検出する撓み検出部３４Ａを固定した。 （もっと読む）

【課題】電気特性のバラツキが少ないＴＦＴを備えた電気光学装置の製造方法及び電気光
学装置を提供すること。
【解決手段】本発明の電気光学装置１０の製造方法は、表示領域１２の周囲の少なくとも
１箇所に、ＴＦＴの製造時に、同時に、同条件で、同じ層構造の半導体層を備える膜厚測
定用素子Ｘ部分を形成する工程と、前記ＴＦＴのチャネルエッチング時に前記膜厚測定用
素子Ｘ部分の半導体層も同時にエッチングする工程と、得られた膜厚測定用素子Ｘの半導
体層の膜厚を測定することによって前記ＴＦＴのチャネル領域の半導体層の膜厚を求める
工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１基板との接着性を確保しつつもアブレーションによって第１基板から剥離し易く簡便に第２基板に移載可能な移載方法を提供する。
【解決手段】光透過性を有する第１基板１１上に、光透過性を有する接着層９を介して剥離層７と発光素子１５とをこの順に積層配置する。第1基板１１における発光素子１５の配置面側に、第２基板１７上の粘着層１９を対向配置させる。第１基板１１側から剥離層７に対してレーザ光Ｌｈを照射する光照射を行なうことにより、剥離層７をアブレーションさせ、第１基板１１上に接着層９を残して発光素子１５を第２基板１７上に移載する。 （もっと読む）