【課題】有機ＥＬ層における膜厚のバラツキを減少させて、発光強度のムラを低減する。
【解決手段】ガラス基板１０１内の一定領域においてバンク１０３間の溝を折り返して連続した溝を形成し、ガラス基板１０１を切断する前のパネル１０２内において一体の構造とする。溝内に液状の有機ＥＬ原料を塗布して乾燥させることにより有機ＥＬ素子を形成する。液状の有機ＥＬ原料を塗布する際に、液柱で連続してパターン描画する。液状の有機ＥＬ原料を間欠的に吐出するインクジェット方式を採用する。 （もっと読む）

【課題】特に可撓性を有するあるいは湾曲形状からなる有機ＥＬパネルにおいて、表示不良がなく信頼性の高いパッシブマトリクス型の有機ＥＬパネルを提供する。
【解決手段】基板２上に形成される第一電極４とこの第一電極４と交差するように形成される第二電極８との間に少なくとも有機発光層を有する機能層７を積層形成してなる有機ＥＬパネル１である。第一電極４との交差方向に複数の列状に断続的に配置される隔壁６ａを有し、第二電極８をライン状に分離形成する隔壁部６を備えてなる。隔壁部６は、隔壁６ａを千鳥状に配置してなる。前記基板は、可撓性を有するあるいは湾曲形状からなる。 （もっと読む）

【課題】発光特性に優れた発光装置及び発光装置の製造方法を実現する。
【解決手段】画素電極８ａと発光層８ｂと対向電極８ｃとが積層されてなるＥＬ素子８を備えるＥＬパネル１を製造するに際し、配線として適した厚みを有するように予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０の上面に接着することで成膜し、その導電体膜９を形状加工して、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を形成することとし、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１が、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となるようにした。 （もっと読む）

【課題】光源である有機ＥＬユニットと液晶表示ユニットとの距離を短くて、ほぼ均一にする表示装置及び表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】発光ユニット（有機ＥＬユニット）２０と、前記発光ユニット２０に密着して形成され、前記発光ユニット２０から照射された光を受光すると電気的な抵抗値が低下する光導電層５２を備えた記憶性表示ユニット（液晶表示ユニット）１０と、から構成されることによって、高表示階調を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構造を採用しながらも、開口率を犠牲にすることなしに、全画素で最適な駆動条件を達成可能とする。
【解決手段】本発明の液晶表示装置では、アレイ基板１０が含んでいる各画素回路は、スイッチ１０４を介して信号線１０５ａに接続された画素電極１０８Ｐと対電極１０８Ｃとを含んでいる。走査線１０１又は信号線１０５ａの長さ方向に隣り合った画素回路は対電極１０８Ｃが互いに接続されている。対向基板２０は、走査線１０１の長さ方向に配列した画素回路からなる列の１つ以上と各々が向き合い、信号線１０５ａの長さ方向に配列した複数のリセット電極２０８Ｒを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】液状体吐出法を用いて、所望の発光特性が得られる有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の有機ＥＬ装置の製造方法は、マザー基板Ｗ上の膜形成領域（発光画素７）に液状体を吐出する第１吐出工程と、複数の膜形成領域（発光画素７）を囲む周辺領域９に設けられたダミー画素７ａに液状体または溶媒を吐出する第２吐出工程と、吐出された液状体または溶媒を乾燥させ、膜形成領域（発光画素７）に少なくとも発光層を成膜する乾燥工程とを備え、第２吐出工程は、乾燥工程におけるマザー基板Ｗ上の乾燥速度のプロファイルに基づいて、膜形成領域（発光画素７）に吐出するときの液状体の吐出量よりもダミー画素７ａに吐出するときの液状体または溶媒の吐出量を増加させることを特徴とする。膜形成領域（発光画素７）およびダミー画素７ａは、隔壁部により区画され窪んでいる。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度とノーマリーオフ特性とを有する電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電圧を印加するためのゲート電極２６と、電流を取り出すためのソース電極２３及びドレイン電極２４と、ソース電極２３及びドレイン電極２４に隣接して設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）とインジウム（Ｉｎ）を主成分とする酸化物半導体からなる活性層２２と、ゲート電極２６と活性層２２との間に設けられたゲート絶縁層２５とを備えている。そして、活性層２２を形成する際に流す酸素ガスの流量は、酸素分圧が１．７×１０^−３Ｐａとなるように調整されており、活性層２２を構成する酸化物半導体は、体積抵抗率が１０Ωｃｍで、酸素が非化学量論組成であるＭｇＩｎ_２Ｏ_４系酸化物半導体となる。 （もっと読む）

【課題】多色液晶表示装置に生じる位相差問題を解消することのできる光学補償能を有するカラーフィルタ基板を提供することを課題とし、また上記カラーフィルタ基板を容易にかつ高品質で製造し、さらには、位相差膜が均一に形成されることで、配向不良や輝点不良の発生がない光学補償能を有するカラーフィルタ基板を提供することを課題とする。
【解決手段】少なくとも、（ａ）基板上に格子状に区画したブラックマトリックス、（ｂ）前記ブラックマトリックスの区画内に液晶性化合物を熱又は光により硬化させた位相差層、（ｃ）前記位相差層の下に配向膜層、（ｄ）前記位相差層上にカラーフィルタ、とを有するカラーフィルタ基板において、前記ブラックマトリックス上部の表面積（Ａ）とブラックマトリックス基部と基板の接触する部分の面積（Ｂ）が（Ａ）／（Ｂ）＜１．０を満たすことを特徴とするカラーフィルタ基板。 （もっと読む）

【課題】ホスト材料とゲスト材料とを有する有機ＥＬ装置の製造方法において、発光層中の材料の偏りを防止することができる製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極１１と第２電極との間に発光層を挟持してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、基板１０上に、第１電極１１の周縁部に沿って立設する隔壁層２０を形成する工程と、隔壁層２０に囲まれた領域に、溶媒に対して難溶性のホスト材料を蒸着する工程と、隔壁層２０に囲まれた領域に、溶媒に対して易溶性のゲスト材料を溶媒中に溶解させた材料液３２を配置する工程と、ホスト材料の材料膜３１に材料液３２を浸透させ、材料液３２にホスト材料を分散させつつ材料液３２中の溶媒を除去することにより、ホスト材料とゲスト材料とが混合した発光層を隔壁層２０に囲まれた領域に形成する工程と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体トランジスタのオフ時のリーク電流を低減させた有機ＥＬ表示装置を提供することである。
【解決手段】
電流に応じて発光するＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に駆動電圧を印加する第１トランジスタと、少なくとも１フレーム期間、前記第１トランジスタのゲート端子に所定の電圧を印加する容量素子と、選択信号に基づいて前記容量素子に画像信号を書き込む第２トランジスタとを少なくとも備える画素回路がマトリクス状に配置される表示装置であって、前記第１及び第２トランジスタはＩｎＧａＺｎＯｘ系の酸化物半導体で形成され、前記第２トランジスタは同一半導体領域内に並設して形成される２本のゲート電極を備え、該２本のゲート電極に同じ選択信号が入力される表示装置である。 （もっと読む）

【課題】各画素における光透過特性の画素間での均一性を向上させたカラーフィルタ及び電気光学装置を提供する。
【解決手段】基板１２上に形成された仕切り１４により区画され、インクによる複数の色要素からなる画素１３を備えるカラーフィルタ２００であって、前記画素１３が複数形成された領域の外側にダミー画素１３’が形成される。前記画素１つ当たりに付与されるインク及び前記ダミー画素１つ当たりに付与されるインクは、ほぼ同量である。また、前記画素１３を覆う保護膜２１は、前記ダミー画素１３’をも覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも素子の耐久性が向上し、これにより発色特性の持続性に優れたエレクトロクロミック材料、及びこの材料を用いたカラーリライタブル表示装置をていきょうすること。
【解決手段】 エレクトロクロミック化合物と、対極反応剤と、イオン安定化剤とを有するエレクトロクロミック材料であって、イオン安定化剤は、１，２−ジフェノキシエタン（ＤＰＥ）、テトラメチルベンジジン（ＴＭＢ）、トライトンＸ（ＴｒＩｔｏｎ−Ｘ）、テトラメチルパラフェニレンジアミン（ＴＭＰＤ）のいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で隣り合うデータ線間の結合容量の大きさを低減させ、既に書き込みが終了したデータ線への影響を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、表示領域から引き出された複数のデータ線１０３と、各画素を駆動するためのデータ信号が供給される画像信号線との接続を切り替えるスイッチング回路を備える。スイッチング回路は、画像信号線と接続するデータ線１０３を選択すると、選択したデータ線１０３と画像信号線を接続すると共に、少なくとも選択したデータ線１０３と隣り合う１本または２本のデータ線１０３と画像信号線との接続を遮断する。表示領域から引き出された各データ線１０３のうち全部または一部の隣り合うデータ線１０３の間には、固定電位が供給される導電部１２０が備わる。導電部１２０の幅Ｗは、両脇のデータ線１０３のうち一方のデータ線１０３の中心線ａから他方のデータ線１０３の中心線ｂまでの間隔Ｗａｂよりも小さい。 （もっと読む）

【課題】より信頼性の高い有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】陽極２０を備える基板１０に、金属ドープＭｏ酸化物層３０を設け、表面を露出させる開口が、画素領域に相当する隔壁４１を、金属ドープＭｏ酸化物層が形成された基板上に配置する隔壁配置工程と、金属ドープＭｏ酸化物層および隔壁の表面を親液化処理する第１の親液化工程と、金属ドープＭｏ酸化物層および隔壁の表面上に撥液層を形成し、撥液層のうちの金属ドープＭｏ酸化物層の表面上に形成された部位を親液化処理する第２の親液化工程と、有機層形成材料を含むインクを画素領域に供給し有機層を形成し、陰極を設ける陰極形成工程とを含み、隔壁４１を、金属ドープＭｏ酸化物層３０とは異なる材料により形成し、撥液層を、隔壁の表面上に形成された部位よりも、金属ドープＭｏ酸化物層の表面上に形成された部位のほうが、第２の親液化工程によって、より親液化される材料により形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子の発光層が不均一な膜厚で形成されることを防止し、装置全体および同一画素内で均一な発光輝度を実現できる表示装置および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電源に接続されるとともに、基板１の厚み方向から見て有機ＥＬ素子２４が設けられる領域を内包するように半導体素子（２１，２２）および有機ＥＬ素子２４と基板１との間に形成された配線層２と、半導体素子（２１，２２）および有機ＥＬ素子２４と、配線層２との間に設けられ、コンタクトホール４ａが形成された層間絶縁膜３と、コンタクトホール４ａ内に形成され、ソース電極８ａ，８ｄ、ドレイン電極８ｂ，８ｃおよび有機ＥＬ素子２４のアノード電極１２のうちの少なくともいずれか一つと配線層２とを電気的に接続するコンタクト内配線４と、を備えた表示装置である。 （もっと読む）

【課題】画素回路内の記憶回路の電源線における電位の変動の影響を低減する。
【解決手段】能動素子層Ｐには、階調データＤを記憶する記憶回路５３を含む画素回路１２が形成される。画素電極１４２は、能動素子層Ｐに重なるように形成されて階調データＤに応じた電位が供給される。液晶１４６は、画素電極１４２の電位に応じて駆動される。電源線４２および電源線４４は記憶回路５３に電源を供給する。電源線４２および電源線４４は、能動素子層Ｐと画素電極１４２との間に介在する部分を含む。電源線４２と電源線４４とは容量Ｃ1を形成する。 （もっと読む）

【課題】バッファー膜、光熱変換膜を形成および除去する工程を経ることなく、ガラス基板上に形成した非晶質シリコン膜の所望の領域に直接、連続発振レーザ光を照射して微結晶シリコン膜に変換することにより、特性バラツキが小さく、特性の方向依存性のないトランジスタで構成された平面表示装置を製造する。
【解決手段】透明基板３１上に成膜した非晶質シリコン薄膜３３の所望の領域に、連続発振レーザ光を矩形状で均一なパワー密度分布を有するビームに整形し、連続発振レーザ光の照射時間（任意の点の通過時間）が０．５ミリ秒以上となる条件で定速走査しながらレーザ光３６を照射し、微結晶シリコン薄膜３４に変換する。このとき、照射するレーザ光の波長として、非晶質シリコンに対する浸透深さ（吸収係数の逆数）が非晶質シリコン膜の膜厚より大きく、かつ非晶質シリコンに対する吸収係数が結晶シリコンに対する吸収係数より大きい波長を選択する。 （もっと読む）

【課題】製造工程中の静電気による帯電を防止し、かつ、パターン膜の高精度化を実現すること。
【解決手段】本発明に係る素子基板の製造方法は、絶縁性基板１の第１主面１ａにパターン膜（電極パターン、配線パターン、絶縁性パターン等）が形成された素子基板の製造方法であって、第１主面１ａとは反対側の絶縁性基板１の第２主面１ｂに、半透過性を示し、表面抵抗値が１×１０^８Ω／ｃｍ^２未満の導電膜５０を概略全面に形成する工程と、第１主面１ａにパターン膜を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】有機エレクトロルミネッセンス層の膜厚を均等にできるようにする。
【解決手段】発光装置１は、ゲート絶縁膜１１の上に設けられたアノード９ａと、アノード９ａの片側に形成され、アノード９ａとともに回路を成す駆動トランジスタ６と、アノード９ａに関して駆動トランジスタ６の反対側に形成され、アノード９ａ及び駆動トランジスタ６と接続されずに配置されたダミートランジスタ２０と、アノード９ａの両側において駆動トランジスタ６及びダミートランジスタ２０のそれぞれの上に設けられた一対の隔壁１３と、アノード９ａの上に形成された正孔注入層９ｂと、正孔注入層９ｂの上に形成された発光層９ｃと、発光層９ｃ及び隔壁１３の上に形成されたカソード９ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】表示品質の向上に寄与すること。
【解決手段】駆動トランジスタは、そのゲートの電位に応じた駆動電流を生成する。ＯＬＥＤ素子は、駆動電流に応じた輝度にて発光する。トランジスタは、駆動トランジスタＴdrのゲートとドレインとの導通および非導通を切り替える。容量素子は、第１電極と第２電極とを有する。第２電極は駆動トランジスタのゲートに接続される。トランジスタは、データ電位が供給されるデータ線と第１電極との間に介挿される。また、容量素子は、容量素子とデータ線との間に設けられており、電源線と駆動トランジスタのゲート間に接続されている。 （もっと読む）