発光装置及び発光装置の製造方法
【課題】発光特性に優れた発光装置及び発光装置の製造方法を実現する。
【解決手段】画素電極８ａと発光層８ｂと対向電極８ｃとが積層されてなるＥＬ素子８を備えるＥＬパネル１を製造するに際し、配線として適した厚みを有するように予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０の上面に接着することで成膜し、その導電体膜９を形状加工して、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を形成することとし、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１が、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となるようにした。
【解決手段】画素電極８ａと発光層８ｂと対向電極８ｃとが積層されてなるＥＬ素子８を備えるＥＬパネル１を製造するに際し、配線として適した厚みを有するように予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０の上面に接着することで成膜し、その導電体膜９を形状加工して、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を形成することとし、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１が、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となるようにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いたＥＬディスプレイ装置が知られている。
ＥＬディスプレイ装置には複数のＥＬ素子が備えられており、このＥＬディスプレイ装置をアクティブマトリックス回路により駆動するため、各ＥＬ素子に対して供給する電流を制御する薄膜トランジスタが、ＥＬ素子毎に設けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−３３０６００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のＥＬディスプレイ装置において、薄膜トランジスタを形成する際に同時にパターニングされてなる薄膜材料によりＥＬ素子に電流を供給する配線が形成されている場合、その配線に電流を流した際に配線が薄いことによる電気抵抗によって電圧降下が生じるなど、その配線との接続位置がそれぞれ異なる各ＥＬ素子に流れる電流がばらついてしまう恐れがあった。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、発光特性に優れた発光装置及び発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様は、第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置の製造方法であって、
基板の上面に、予め所定の膜厚に形成された導電体膜を成膜する導電体膜成膜工程と、
前記導電体膜をパターニングして、複数の配線を形成する配線形成工程と、
前記配線とともに前記基板の上面を覆う第一絶縁膜を形成する第一絶縁膜形成工程と、
前記第一絶縁膜上に、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
を備えることを特徴とする。
【０００６】
好ましくは、前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また好ましくは、前記トランジスタ形成工程は、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された、前記複数のトランジスタのうちの第二トランジスタを形成してもよい。
また、好ましくは、前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記トランジスタ形成工程後に、前記複数の配線のうちの第三配線に接続された前記第二電極を形成する第二電極形成工程をさらに有してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記導電体膜は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する金属箔であることが好ましい。
【０００７】
本発明の他の態様は、第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置であって、
基板の上面に形成された導電体膜をパターニングして形成された複数の配線と、
前記配線を覆う第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられ、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタと、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
好ましくは、前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記複数のトランジスタは、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された第二トランジスタを有してもよい。
また、好ましくは、前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記複数の配線のうちの第三配線は、前記第二電極に接続されてもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた発光特性を有する発光装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
なお、本実施形態においては、発光装置を表示装置であるＥＬパネルに適用し、本発明について説明する。
【００１１】
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１２】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の第三絶縁膜であるオーバーコート層１３が設けられている。このオーバーコート層１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に、後述する発光層８ｂが設けられている。そして、オーバーコート層１３上に第四絶縁膜であるバンク層１４が設けられている。バンク層１４は、開口部１３ａ上に開口部１３ａより一回り大きい開口部１４ａが設けられている。
【００１３】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の一画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１４】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の一画素Ｐにつき、画素トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、画素トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１５】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及びＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素ＰのＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、ともにｎチャネル型でもよく、ともにｐチャネル型でもよく、一方がｎチャネル型で他方がｐチャネル型であってもよい。ｐチャネル型トランジスタでは、ｎチャネル型トランジスタとソース、ドレインが反対の位置になる。
【００１６】
また、このＥＬパネル１の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００１７】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４〜図６を用いて説明する。
ここで、図４は、ＥＬパネル１の一画素Ｐに相当する平面図であり、図５（ａ）は、図４のＶＡ−ＶＡ線に沿った面の矢視断面図、図５（ｂ）は、図４のＶＢ−ＶＢ線に沿った面の矢視断面図、図６は、図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００１８】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６とキャパシタ７の近傍にＥＬ素子８が配置されている。また、画素Ｐに対応する走査線２及び電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８がそれぞれ配置されている。
【００１９】
図４〜図６に示すように、基板１０上の一面に第一絶縁膜である平坦化膜１１が成膜されており、その基板１０と平坦化膜１１の間に各種配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１が設けられている。
また、平坦化膜１１上に第二絶縁膜であるゲート絶縁膜１２が成膜されており、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びそれら周囲のゲート絶縁膜１２の上に第三絶縁膜としてのオーバーコート層１３が成膜されている。
なお、走査線２及び電圧供給線４はゲート絶縁膜１２とオーバーコート層１３との間に形成されている。
【００２０】
基板１０は、例えば、光透過性を有するガラス基板である。
平坦化膜１１は、光透過性を有する有機材料または無機材料からなる絶縁膜であり、例えば、ポリシロキサン系、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の感光性樹脂材料やシリコン窒化物またはシリコン酸化物からなる膜である。有機材料であればフッ素含有樹脂であってもよい。
【００２１】
信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、基板１０上の一面に設けられた導電体膜９をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成された配線である。なお、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、互いに略平行となる向きに形成されている。
導電体膜９は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金などの導電性のよい金属が圧延されてなる金属箔や、金属粉またはカーボン粉がバインダー中に分散されて成膜された導電性を有する薄膜である。
この導電体膜９は、導電体膜９が形状加工されてなる配線が、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となるように、良好な導電性を有する膜厚に予め形成されている。
なお、導電体膜９としての金属箔は、１μｍから１００μｍの膜厚を有することが好ましい。また、金属箔は圧延後に残留応力を低下させるアニール処理が施されたものであることが好ましい。また、基板１０がガラス基板である場合、ガラス基板と熱膨張係数が近い４２アロイ（ニッケル／鉄合金）等の金属箔を導電体膜９として用いることが好ましい。
【００２２】
信号線３は、図４、図５に示すように、平坦化膜１１を開口するコンタクトホールによって上面が露出し、このコンタクトホールに堆積された電極３２を介して、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｉと導通可能に接続されている。
対向電極給電線８１は、図４、図５に示すように、電極８２、電極８３を介して、後述するＥＬ素子８の対向電極８ｃと導通可能に接続されている。
共通電源給電線４１は、図４、図６に示すように、平坦化膜１１を開口するコンタクトホールによって上面が露出し、このコンタクトホールに堆積された電極４２を介して、電圧供給線４と導通可能に接続されている。
【００２３】
また、図４、図６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、ゲート絶縁膜１２、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ソース電極５ｈ、ドレイン電極５ｉ等を有するものである。
【００２４】
ゲート電極５ａは、平坦化膜１１の上面とゲート絶縁膜１２の下面の間に形成されている。このゲート電極５ａは、例えば、ＭｏＮｂ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極５ａの上に絶縁性のゲート絶縁膜１２が成膜されており、そのゲート絶縁膜１２によりゲート電極５ａが被覆されている。
ゲート絶縁膜１２は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。このゲート絶縁膜１２上であってゲート電極５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂがゲート絶縁膜１２を挟んでゲート電極５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜５ｄが形成されている。このチャネル保護膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ソース電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ドレイン電極５ｉが形成されている。ソース電極５ｈ，ドレイン電極５ｉは、例えば、ＭｏＮｂ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜５ｄ、ソース電極５ｈ及びドレイン電極５ｉの上には、保護膜となる絶縁性のオーバーコート層１３が成膜され、チャネル保護膜５ｄ、ソース電極５ｈ及びドレイン電極５ｉがオーバーコート層１３によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、オーバーコート層１３によって覆われるようになっている。オーバーコート層１３は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍの窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２５】
また、駆動トランジスタ６は、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極６ａ、ゲート絶縁膜１２、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ソース電極６ｈ、ドレイン電極６ｉ等を有する逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、スイッチトランジスタ５と同様の構成であるので、説明は省略する。
【００２６】
キャパシタ７は、図４に示すように、対向する一対の容量電極７ａ、７ｂ及びそれらの間に介在する誘導体としてのゲート絶縁膜１２を有している。そして、一方の容量電極７ａは、平坦化膜１１とゲート絶縁膜１２との間に形成され、他方の容量電極７ｂは、ゲート絶縁膜１２とオーバーコート層１３との間に形成されている。
なお、キャパシタ７の容量電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに一体に連なり接続されており、キャパシタ７の容量電極７ｂは、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈに一体に連なり接続されている。また、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｉが電圧供給線４に一体に連なっている。
【００２７】
なお、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、キャパシタ７の容量電極７ａは、ゲート絶縁膜１２上に一面に成膜された導電膜であるゲートメタル層をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の容量電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のソース電極５ｈ，ドレイン電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のソース電極６ｈ，ドレイン電極６ｉは、ゲート絶縁膜１２等に一面に成膜された導電膜であるソース、ドレインメタル層をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２８】
また、ゲート絶縁膜１２には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１２ａが形成されており、そのコンタクトホール１２ａを通じてゲート電極５ａと走査線２とが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、ソース電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１２ｂが形成されており、そのコンタクトホール１２ｂを通じ、電極３２を介してドレイン電極５ｉと信号線３とが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、ゲート電極６ａ（容量電極７ａ）とソース電極５ｈとが重なる領域にコンタクトホール１２ｃが形成されており、そのコンタクトホール１２ｃを通じてゲート電極６ａ（容量電極７ａ）とソース電極５ｈとが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、電圧供給線４と共通電源給電線４１とが重なる領域にコンタクトホール１２ｄが形成されており、そのコンタクトホール１２ｄを通じ、電極４２を介して電圧供給線４と共通電源給電線４１とが電気的に導通している。
【００２９】
画素電極８ａは、ゲート絶縁膜１２上に画素Ｐごとに独立して形成されており、そのゲート絶縁膜１２および平坦化膜１１を介して基板１０上に設けられている。ＥＬパネル１が、ＥＬ素子８の光を基板１０から出射するボトムエミッション型の場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）の少なくともいずれかを含む。ＥＬパネル１が、ＥＬ素子８の光を後述する対向電極８ｃを透過して出射するトップエミッション型の場合、画素電極８ａは、上述した透明電極となる層及びその層の下にＡｌ膜やＡｌ合金膜等の光反射層の積層構造でもよい。このとき、光反射層は、ソース、ドレインメタル層によって形成されてもよい。
なお、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈは、画素電極８ａの１辺の上に重なり、画素電極８ａとソース電極６ｈが接続している。
【００３０】
そして、図４から図６に示すように、オーバーコート層１３が、走査線２、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の容量電極７ｂ及びゲート絶縁膜１２等を覆うように形成されている。
このオーバーコート層１３には、各画素電極８ａの中央部が露出するように開口部１３ａが形成されている。そのため、オーバーコート層１３は平面視して格子状に形成されている。また、オーバーコート層１３は、対向電極８ｃと対向電極給電線８１を導通するために、ゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｅ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホール１１ｂに対応した位置に、コンタクトホール１３ｂが形成されている。コンタクトホール１２ｅ、コンタクトホール１１ｂ及びコンタクトホール１３ｂは、走査線２及び電圧供給線４とそれぞれ交差する領域を除いて共通電源給電線４１に沿って設けられている。
【００３１】
ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内における画素電極８ａ上に形成された発光層８ｂと、発光層８ｂの上やバンク層１４上に形成された第二電極としての対向電極８ｃとを備えている。対向電極８ｃは全画素Ｐに共通の単一電極（カソード）であり、全画素Ｐに連続して形成されている。そして、オーバーコート層１３の開口部１３ａが画素Ｐに対応している。
【００３２】
発光層８ｂは、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内に成膜されている。
発光層８ｂは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する有機材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料などの共役二重結合ポリマーからなり、対向電極８ｃから供給される電子と、画素電極８ａから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは、それぞれ発光層８ｂの発光材料が異なる。画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のパターンは、デルタ配列であってもよく、また縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンであってもよい。
この発光層８ｂは、発光する発光層のみを成膜したものを発光層８ｂとしてもよいし、正孔輸送層及び発光層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよいし、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよいし、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよい。また、発光層８ｂは、正孔注入層や電子注入層が含まれる積層物であってもよい。
なお、発光層８ｂのうちの少なくとも一層は、蒸着法などの気相成長法によって成膜してもよく、スピンコートやノズルコートなどの塗布法によって成膜してもよい。後者の場合、発光層８ｂの少なくとも一層の材料となる有機材料を溶剤で溶解又は分散した有機材料含有液を塗布する際に、隣接する画素に有機材料含有液が流出しないようにオーバーコート層１３上に厚さ１μｍ以上のバンク層１４を用いることが特に好ましい。このバンク層１４はポリイミドやアクリル樹脂を硬化してなるものが好ましい。
【００３３】
対向電極８ｃは、ＥＬパネル１がボトムエミッション型の場合、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｌｉ等の仕事関数が４．０ｅＶ以下、好ましくは３．０ｅＶ以下であり、３０ｎｍ以下の厚さの低仕事関数層と、シート抵抗を下げるために低仕事関数層上に設けられた厚さが１００ｎｍ以上のＡｌ膜やＡｌ合金膜等の光反射層との積層構造でもよい。
また、ＥＬパネル１がトップエミッション型の場合、対向電極８ｃは、上記低仕事関数層と、その低仕事関数層上に設けられた、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）等からなる透明導電層との積層構造でもよい。
この対向電極８ｃは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｂなどとともにオーバーコート層１３やバンク層１４を被覆している。
なお、バンク層１４のコンタクトホール１４ｂ、その下方のオーバーコート層１３に形成されたコンタクトホール１２ｅ、当該コンタクトホールの下方に設けられた平坦化膜１１に形成されたコンタクトホール１１ｂによって、対向電極給電線８１、電極８２、電極８３、対向電極８ｃは、連続して積層した構造であり相互に電気的に接続している。
【００３４】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次オン電圧が印加されることで、これら走査線２に接続されたスイッチトランジスタ５が順次選択される。
各走査線２がそれぞれ選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｈとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン電極６ｉとソース電極６ｈ間を流れるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流の電流値に応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｈ間の電位差は保持される。
このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、ＥＬ素子８の発光輝度を維持するようになっている。
【００３５】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について、図５、図７〜図１３に示す断面図を用いて説明する。
なお、図７〜図１３および図５は、本実施形態に係るＥＬパネル１の製造過程の一例を示す工程断面図である。この工程断面図は、図４に示したV−V線に沿った断面部分を示す説明図であり、これらの図を参照して製造方法の概略を説明する。
また、ここでは、図４のVＡ−VＡ線に沿った断面部分によってスイッチトランジスタ５の製造過程を例示し、同様の製造過程を経る駆動トランジスタ６に関する図示は省略する。
【００３６】
まず、透明なガラス板である基板１０の上面の全域に、周知の箔加工やラミネート加工の技術等によって、例えば、図７（ａ）に示すように、所定の厚みに形成された金属箔である導電体膜９を接着する。予め基板１０上にエポキシ等の液状接着剤やシート状の接着シートを設けておくことで、基板１０上に貼付した導電体膜９と基板１０とを接着する。
具体的には、金属膜を一対のローラーで加圧し圧延処理を行い、所望の厚みの金属箔を得る。熱間圧延、冷間圧延のどちらであってもかまわない。圧延処理後、歪み取りのためにそれぞれの金属箔内の金属に応じた温度でアニールを行ってもよい。例としてアルミニウムでは３４５℃〜４１５℃で処理を行う。基板１０に接着剤をスピンコート法、印刷法等で塗布する。接着剤は熱硬化性または光硬化性接着剤であることが好ましい。例としてエポキシ系接着剤があげられる。基板１０に金属箔をローラー等で押し付けるように、金属箔の貼り合せを行う。貼り合せは接着面に気泡が残らないように減圧下で行うことが好ましい。予め支持フィルム上に接着層を塗布し、接着層の上に金属箔を積層したラミネートフィルムを、支持フィルムを剥離して露出した接着層から基板１０に貼り付けて接着してもよい。張り合わせ後、加熱または紫外線を照射し、接着層を硬化させる。
なお、金属箔は、スパッタによって成膜してもよいが膜応力が生じ剥離しやすくなるので接着した方が好ましい。
【００３７】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、導電体膜９をパターニングする。これにより図７（ｂ）に示すように、基板１０上に信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を形成する。なお、フォトリソグラフィーによるレジストをマスクとしてウェットエッチングにより各種配線（３、４１、８１）を形成した後、ドライエッチングにより基板１０上に残留している接着剤成分を除去してもよい。
【００３８】
次いで、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を含む基板１０の上面を覆うように、光透過性を有するポリイミド樹脂やシリコン窒化膜を成膜して、例えば、図７（ｃ）に示すように、平坦化膜１１を形成する。なお、ＥＬパネル１がトップエミッション型でない場合は、平坦化膜１１は透光性を有していなくてもよい。
【００３９】
次いで、信号線３や対向電極給電線８１に対応する平坦化膜１１部分をドライエッチング又はウェットエッチングによりパターニングすることによって、例えば、図８（ａ）に示すように、信号線３や対向電極給電線８１が露出するコンタクトホール１１ａ、１１ｂを形成する。平坦化膜１１が感光性樹脂を硬化してなる場合、露光、現像、焼成によってパターニングされる。なお、共通電源給電線４１に対応する平坦化膜１１部分にもエッチングによりコンタクトホールが形成されている（図６参照）。
【００４０】
次いで、平坦化膜１１およびコンタクトホールを通じて露出している各種配線を覆うように、気相成長法（スパッタリング法、蒸着法等）によって、例えば、図８（ｂ）に示すように、膜厚１００〜２００ｎｍの金属箔より十分薄いＣｒ、Ａｌを含む合金、またはＭｏＮｂなどの金属膜１５を成膜する。
【００４１】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、金属膜１５をパターニングする。これにより図８（ｃ）に示すように、平坦化膜１１上にスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ（図４参照）、キャパシタ７の容量電極７ａを形成し、コンタクトホール内の信号線３上に電極３２、コンタクトホール内の対向電極給電線８１上に電極８２を形成する。なお、コンタクトホール内の共通電源給電線４１上には電極４２が形成されている（図６参照）。
【００４２】
次いで、ゲート電極５ａ、ゲート電極６ａ（図４参照）、容量電極７ａ、電極３２、電極８２、電極４２（図６参照）等を含む平坦化膜１１の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、例えば、図９（ａ）に示すように、シリコン窒化物などからなるゲート絶縁膜１２、アモルファスシリコン等からなり半導体膜５ｂ、６ｂとなる半導体層、シリコン窒化物などからなりチャネル保護膜５ｄ、６ｄとなる絶縁体層を順次積層する。
【００４３】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、半導体層および絶縁体層をパターニングすることによって、例えば、図９（ｂ）に示すように、チャネル保護膜５ｄを形成する。なお、同時に駆動トランジスタ６のチャネル保護膜６ｄも形成されている。
【００４４】
次いで、チャネル保護膜５ｄ等を含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うようにＣＶＤ法等によって、例えば、図１０（ａ）に示すように、ｎ型不純物を含むシリコン層１６を成膜する。
【００４５】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、シリコン層１６をパターニングし、次いでパターニングにより露出した半導体膜５ｂ、６ｂをエッチングする。これにより図１０（ｂ）に示すように、スイッチトランジスタ５の不純物半導体膜５ｆ、５ｇ、駆動トランジスタ６の不純物半導体膜６ｆ、６ｇ、スイッチトランジスタ５の半導体膜５ｂ及び駆動トランジスタ６の半導体膜６ｂを形成する。
【００４６】
次いで、不純物半導体膜５ｆ、５ｇなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うように、スパッタリング法等によって、例えば、図１１（ａ）に示すように、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明導電膜８ａを成膜する。
【００４７】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその透明導電膜をパターニングする。これにより図１１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１２上にＥＬ素子８の画素電極８ａを形成する。
【００４８】
次いで、電極３２や電極８２、容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）に対応するゲート絶縁膜１２部分をフォトリソグラフィーによるレジストマスクでドライエッチング又はウェットエッチングによりパターニングすることによって、例えば、図１１（ｃ）に示すように、電極３２や電極８２、容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）が露出するコンタクトホール１２ｂ、１２ｅ、１２ｃを形成する。なお、ゲート電極５ａに対応するゲート絶縁膜１２部分にもエッチングによりコンタクトホール１２ａが形成されている（図４参照）。また、同時に電極４２に対応するゲート絶縁膜１２部分にもエッチングによりコンタクトホール１２ｄが形成されている（図４、図６参照）。
【００４９】
次いで、不純物半導体膜５ｆ、５ｇ、６ｆ、６ｇ、画素電極８ａなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うように、気相成長法等によって、例えば、図１２（ａ）に示すように、膜厚２００〜２５０ｎｍのＡｌを含む合金またはＭｏＮｂなどのソース、ドレイン導電膜１７を成膜する。
【００５０】
次いで、そのソース、ドレイン導電膜１７上にパターニングされたフォトレジストマスクを用いてエッチングして、図１２（ｂ）に示すように、スイッチトランジスタ５のソース電極５ｈ、ドレイン電極５ｉや、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈ、ドレイン電極６ｉ（図４参照）を形成する。なお、ドレイン電極５ｉはゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｂ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホールを通じて電極３２と接続されており、ソース電極５ｈはゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｃを通じて容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）と接続されている。
また、同時にコンタクトホール１２ｅ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホール１１ｂによって電極８２上には電極８３が形成されている。
また、ソース、ドレイン導電膜１７によって、同時にコンタクトホール１２ｄ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホールを通じて電極４２に接続される電圧供給線４が形成され（図４、図６参照）、さらに、同時にゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ａを通じてゲート電極５ａに接続される走査線２が形成される（図４参照）。
【００５１】
次いで、ソース電極５ｈ，６ｈ、ドレイン電極５ｉ，６ｉ、画素電極８ａなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を被覆するように、ＣＶＤ法等によって、例えば、図１３（ａ）に示すように、シリコン窒化物などからなるオーバーコート層１３を成膜する。そして、このオーバーコート層１３は、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６を被覆している。
【００５２】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、オーバーコート層１３をパターニングすることによって、例えば、図１３（ｂ）に示すように、画素電極８ａを露出させる開口部１３ａや、電極８３を露出させるコンタクトホール１３ｂを形成する。そして、ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、プリベーク、露光、現像、ポストベークを行い、オーバーコート層１３の開口部１３ａ上に開口部１３ａより一回り大きい開口部１４ａが形成され、オーバーコート層１３のコンタクトホール１３ｂ上にコンタクトホール１３ｂより一回り大きいコンタクトホール１４ｂが形成される。
【００５３】
次いで、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内に、キャリア輸送層の１つである正孔注入層となる導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）を水溶性溶液にしてインクジェット、ノズルコート法などにより塗布し、乾燥して正孔注入層を形成後、その正孔注入層上にポリフルオレン系の発光材料を同様に有機溶剤に溶解した溶液にしてインクジェット、ノズルコート法などにより成膜して乾燥することで、例えば、図１３（ｃ）に示すように、キャリア輸送層の１つである発光層８ｂを形成する。
なお、発光層８ｂは、ノズルコート法により形成されることに限らず、印刷法やメタルマスク使用の蒸着法など、周知の手法により形成してもよい。
【００５４】
次いで、画素電極８ａなどを含むオーバーコート層１３の全域を覆うように、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を少なくとも含むカソード層を蒸着法などによって成膜した後、低抵抗なアルミニウムなどの金属層を蒸着法などによって成膜することで、例えば、図５に示すように、対向電極８ｃを形成する。なお、対向電極８ｃは、コンタクトホール１３ｂを通じて電極８３と接続されている。
こうして、ＥＬパネル１が製造される。
【００５５】
このように、ＥＬパネル１の配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、導電性が良好な膜厚を有する金属箔からなる導電体膜９を基板１０に接着した後、その導電体膜９がパターニングされて形成されているので、薄膜トランジスタを形成する際に同時に形状加工された薄膜材料からなる従来の配線より、導電性に優れた厚みを有する配線として形成されている。
そして、導電性が良好な配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１においては、配線抵抗の低下による電圧降下が生じにくく、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となる。そして、導電性が良好な配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１は、発光特性に優れた発光装置となる。
【００５６】
特に、配線として適した厚みを有する導電体膜９をメッキやスパッタ等により基板１０上に成膜する場合には、その成膜工程に時間を要してしまうが、予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０に接着する本発明の手法では、より短時間の加工工程で、基板１０上に厚膜な導電体膜９を成膜することができるメリットがある。
また、基板１０上に厚めの金属膜を成膜する場合、金属箔などの導電体膜９を基板１０に接着する成膜の方が、メッキやスパッタ等による成膜に比べて、金属膜の残留応力を低下させることができ、基板１０が反ってしまう不具合も低下させることができる。
【００５７】
また、メッキやスパッタ等による金属膜の成膜によって、金属膜の残留応力を低下させようとした場合、その金属膜がポーラスな構造となってしまうので、配線抵抗を低減させることが困難になってしまう。また、その成膜過程でエッチャント等の不純物が金属膜中に取り込まれてしまうことがあり、製品の性能が低下してしまう可能性が高くなる。
これに対し、金属箔は、導電性のよい金属を圧延することで所望する膜厚に形成されているので、金属膜的にはバルクな構造（密な構造）になっており、また、その金属膜中に不純物が入り込むことはほとんどない。
【００５８】
なお、導電体膜９を基板１０に接着した工程の後は、従来の薄膜トランジスタと同様の製造タクトでＥＬパネルの製造が可能となるので、その製造工程が煩雑になるようなことはない。
【００５９】
また、基板１０上に形成された配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を覆う平坦化膜１１によって、配線と対向電極８ｃとの距離を接近させ過ぎないようにすることができ、特に、信号線３と対向電極８ｃとの間の結合容量を小さくすることができるので、寄生容量によるトラブルを低減することができる。
【００６０】
以上のように、画素電極８ａと発光層８ｂと対向電極８ｃとが積層されてなるＥＬ素子８を備えるＥＬパネル１を製造するに際し、配線として適した厚みを有するように予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０の上面に接着することで成膜し、その導電体膜９を形状加工して配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を形成するＥＬパネルの製造方法は、発光特性に優れたＥＬパネル（発光装置）を製造することを可能にする技術であるといえる。
また、その製造方法に基づいて、基板１０に接着された金属箔などの導電体膜９が形状加工されてなる配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１は、発光特性に優れた発光装置であるといえる。
そして、対向電極８ｃと信号線３との間に、ゲート絶縁膜１２、オーバーコート層１３、バンク層１４に加えて、絶縁膜である平坦化膜１１を介在させているので、寄生容量が緩和され、信号線３に出力された信号が対向電極８ｃに干渉されにくいといった効果をもたらす。
【００６１】
なお、本発明は上記実施形態に限られるものではない。
例えば、図１４、図１５に示すように、基板１０の上面に接着によって成膜した導電体膜９を形状加工して、互いに略平行となる信号線３と対向電極給電線８１を形成した後、その信号線３と対向電極給電線８１を覆う第一平坦化膜１１１を形成し、その第一平坦化膜１１１上に接着によって導電体膜を成膜し、その導電体膜を形状加工してなる共通電源給電線４１を形成し、共通電源給電線４１を覆う第二平坦化膜１１２を形成してもよい。
この共通電源給電線４１は、信号線３および対向電極給電線８１に対し、略垂直な向きに形成されている。また、電圧供給線４は、電極４３を介して共通電源給電線４１に接続されている。
上記実施形態では、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１上方に、バンク層１４が設けられているが、蒸着等によってバンク層１４なしに発光層８ｂが成膜できるのであれば、バンク層１４を設けなくてもよい。この場合、平坦化膜１１、第一平坦化膜１１１を十分厚く設計すれば、寄生容量が緩和され、信号線３に出力された信号が対向電極８ｃに干渉されにくいといった効果をもたらす。
【００６２】
このように、基板１０の上面にスイッチトランジスタ５と導通する信号線３と、対向電極８ｃと導通する対向電極給電線８１とが形成され、信号線３と対向電極給電線８１を覆う第一平坦化膜１１１と第二平坦化膜１１２の間に電圧供給線４と導通する共通電源給電線４１が形成された構造であっても、導電性が良好な配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１とすることができ、発光特性に優れたＥＬパネル１を製造することができる。
【００６３】
また、ＥＬパネル１がトップエミッションの場合、図１６に示すように、図５に示すバンク層１４とオーバーコート層１３との間に第五絶縁膜として平坦化膜２１を介在させ、平坦化膜２１上に、画素電極８ａ１、発光層８ｂ、対向電極８ｃが順次堆積されたＥＬ素子８が設けられていることが好ましい。このとき、画素電極８ａ１と駆動トランジスタ６のソース電極６ｈと導通するために、オーバーコート層１３にはコンタクトホール１３ｃが設けられ、コンタクトホール１３ｃ上の平坦化膜２１には、コンタクトホール２１ａが設けられている。また、対向電極給電線８１と対向電極８ｃとを導通するために、画素電極８ａ１と同じ導電膜をパターニングしてなる電極８ａ２が、平坦化膜２１に設けられたコンタクトホール２１ｂを介して対向電極８ｃと電極８３との間に介在している。
【００６４】
なお、以上の実施の形態においては、発光装置を表示装置であるＥＬパネルに適用した場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、露光装置、光アドレッシング装置、照明装置などに本発明を適用してもよい。
【００６５】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの一画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの一画素を示した平面図である。
【図５】図４のVＡ−VＡ線に沿った面の矢視断面図（ａ）と、図４のVＢ−VＢ線に沿った面の矢視断面図（ｂ）である。
【図６】図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。
【図７】ＥＬパネルの製造過程における第一工程（ａ）、第二工程（ｂ）、第三工程（ｃ）を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルの製造過程における第四工程（ａ）、第五工程（ｂ）、第六工程（ｃ）を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルの製造過程における第七工程（ａ）、第八工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルの製造過程における第九工程（ａ）、第十工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルの製造過程における第十一工程（ａ）、第十二工程（ｂ）、第十三工程（ｃ）を示す断面図である。
【図１２】ＥＬパネルの製造過程における第十四工程（ａ）、第十五工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１３】ＥＬパネルの製造過程における第十六工程（ａ）、第十七工程（ｂ）、第十八工程（ｃ）を示す断面図である。
【図１４】ＥＬパネルの変形例における一画素を示した平面図である。
【図１５】図１４のXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。
【図１６】ＥＬパネルの変形例であり、ＥＬパネルの図５（ｂ）の断面図と同等の位置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ ＥＬパネル（発光装置）
２ 走査線
３ 信号線（配線）
４ 電圧供給線
４１ 共通電源給電線（配線）
５ スイッチトランジスタ（画素トランジスタ）
５ａ ゲート電極
６ 駆動トランジスタ（画素トランジスタ）
６ａ ゲート電極
７ キャパシタ
８ ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 発光層
８ｃ 対向電極（第二電極）
８１ 対向電極給電線（配線）
９ 導電体膜
１０ 基板
１１ 平坦化膜（第一絶縁膜）
１２ ゲート絶縁膜（第二絶縁膜）
１３ オーバーコート層（第三絶縁膜）
１３ａ 開口部
１４ バンク層（第四絶縁膜）
１４ａ 開口部
１１１ 第一平坦化膜（第一絶縁膜）
１１２ 第二平坦化膜（第一絶縁膜）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いたＥＬディスプレイ装置が知られている。
ＥＬディスプレイ装置には複数のＥＬ素子が備えられており、このＥＬディスプレイ装置をアクティブマトリックス回路により駆動するため、各ＥＬ素子に対して供給する電流を制御する薄膜トランジスタが、ＥＬ素子毎に設けられている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平８−３３０６００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のＥＬディスプレイ装置において、薄膜トランジスタを形成する際に同時にパターニングされてなる薄膜材料によりＥＬ素子に電流を供給する配線が形成されている場合、その配線に電流を流した際に配線が薄いことによる電気抵抗によって電圧降下が生じるなど、その配線との接続位置がそれぞれ異なる各ＥＬ素子に流れる電流がばらついてしまう恐れがあった。
【０００４】
そこで、本発明の課題は、発光特性に優れた発光装置及び発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様は、第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置の製造方法であって、
基板の上面に、予め所定の膜厚に形成された導電体膜を成膜する導電体膜成膜工程と、
前記導電体膜をパターニングして、複数の配線を形成する配線形成工程と、
前記配線とともに前記基板の上面を覆う第一絶縁膜を形成する第一絶縁膜形成工程と、
前記第一絶縁膜上に、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
を備えることを特徴とする。
【０００６】
好ましくは、前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また好ましくは、前記トランジスタ形成工程は、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された、前記複数のトランジスタのうちの第二トランジスタを形成してもよい。
また、好ましくは、前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記トランジスタ形成工程後に、前記複数の配線のうちの第三配線に接続された前記第二電極を形成する第二電極形成工程をさらに有してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記導電体膜は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する金属箔であることが好ましい。
【０００７】
本発明の他の態様は、第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置であって、
基板の上面に形成された導電体膜をパターニングして形成された複数の配線と、
前記配線を覆う第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられ、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタと、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
好ましくは、前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記複数のトランジスタは、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された第二トランジスタを有してもよい。
また、好ましくは、前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続してもよい。
また、好ましくは、前記複数の配線のうちの第三配線は、前記第二電極に接続されてもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
また、好ましくは、前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続してもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、優れた発光特性を有する発光装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための好ましい形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
なお、本実施形態においては、発光装置を表示装置であるＥＬパネルに適用し、本発明について説明する。
【００１１】
図１は、ＥＬパネル１における複数の画素Ｐの配置構成を示す平面図であり、図２は、ＥＬパネル１の概略構成を示す平面図である。
【００１２】
図１、図２に示すように、ＥＬパネル１には、例えば、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）をそれぞれ発光する複数の画素Ｐが所定のパターンでマトリクス状に配置されている。
このＥＬパネル１には、複数の走査線２が行方向に沿って互いに略平行となるよう配列され、複数の信号線３が平面視して走査線２と略直交する列方向に沿って互いに略平行となるよう配列されている。また、隣り合う走査線２の間において電圧供給線４が走査線２に沿って設けられている。そして、これら各走査線２と隣接する二本の信号線３と各電圧供給線４とによって囲われる範囲が、画素Ｐに相当する。
また、ＥＬパネル１には、走査線２、信号線３、電圧供給線４の上方に覆うように、格子状の第三絶縁膜であるオーバーコート層１３が設けられている。このオーバーコート層１３によって囲われてなる略長方形状の複数の開口部１３ａが画素Ｐごとに形成されており、この開口部１３ａ内に、後述する発光層８ｂが設けられている。そして、オーバーコート層１３上に第四絶縁膜であるバンク層１４が設けられている。バンク層１４は、開口部１３ａ上に開口部１３ａより一回り大きい開口部１４ａが設けられている。
【００１３】
図３は、アクティブマトリクス駆動方式で動作するＥＬパネル１の一画素に相当する回路を示した回路図である。
【００１４】
図３に示すように、ＥＬパネル１には、走査線２と、走査線２と交差する信号線３と、走査線２に沿う電圧供給線４とが設けられており、このＥＬパネル１の一画素Ｐにつき、画素トランジスタであるスイッチトランジスタ５と、画素トランジスタである駆動トランジスタ６と、キャパシタ７と、ＥＬ素子８とが設けられている。
【００１５】
各画素Ｐにおいては、スイッチトランジスタ５のゲートが走査線２に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの一方が信号線３に接続され、スイッチトランジスタ５のドレインとソースのうちの他方がキャパシタ７の一方の電極及び駆動トランジスタ６のゲートに接続されている。駆動トランジスタ６のソースとドレインのうちの一方が電圧供給線４に接続され、駆動トランジスタ６のソースとドレインのうち他方がキャパシタ７の他方の電極及びＥＬ素子８のアノードに接続されている。なお、全ての画素ＰのＥＬ素子８のカソードは、一定電圧Ｖcomに保たれている（例えば、接地されている）。スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、ともにｎチャネル型でもよく、ともにｐチャネル型でもよく、一方がｎチャネル型で他方がｐチャネル型であってもよい。ｐチャネル型トランジスタでは、ｎチャネル型トランジスタとソース、ドレインが反対の位置になる。
【００１６】
また、このＥＬパネル１の周囲において各走査線２が走査ドライバに接続され、各電圧供給線４が一定電圧源又は適宜電圧信号を出力するドライバに接続され、各信号線３がデータドライバに接続され、これらドライバによってＥＬパネル１がアクティブマトリクス駆動方式で駆動される。電圧供給線４には、一定電圧源又はドライバによって所定の電力が供給される。
【００１７】
次に、ＥＬパネル１と、その画素Ｐの回路構造について、図４〜図６を用いて説明する。
ここで、図４は、ＥＬパネル１の一画素Ｐに相当する平面図であり、図５（ａ）は、図４のＶＡ−ＶＡ線に沿った面の矢視断面図、図５（ｂ）は、図４のＶＢ−ＶＢ線に沿った面の矢視断面図、図６は、図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。なお、図４においては、電極及び配線を主に示す。
【００１８】
図４に示すように、スイッチトランジスタ５及び駆動トランジスタ６は、信号線３に沿うように配列され、スイッチトランジスタ５と駆動トランジスタ６の近傍にキャパシタ７が配置され、駆動トランジスタ６とキャパシタ７の近傍にＥＬ素子８が配置されている。また、画素Ｐに対応する走査線２及び電圧供給線４の間に、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、キャパシタ７及びＥＬ素子８がそれぞれ配置されている。
【００１９】
図４〜図６に示すように、基板１０上の一面に第一絶縁膜である平坦化膜１１が成膜されており、その基板１０と平坦化膜１１の間に各種配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１が設けられている。
また、平坦化膜１１上に第二絶縁膜であるゲート絶縁膜１２が成膜されており、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６及びそれら周囲のゲート絶縁膜１２の上に第三絶縁膜としてのオーバーコート層１３が成膜されている。
なお、走査線２及び電圧供給線４はゲート絶縁膜１２とオーバーコート層１３との間に形成されている。
【００２０】
基板１０は、例えば、光透過性を有するガラス基板である。
平坦化膜１１は、光透過性を有する有機材料または無機材料からなる絶縁膜であり、例えば、ポリシロキサン系、アクリル系、エポキシ系、ポリイミド系の感光性樹脂材料やシリコン窒化物またはシリコン酸化物からなる膜である。有機材料であればフッ素含有樹脂であってもよい。
【００２１】
信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、基板１０上の一面に設けられた導電体膜９をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成された配線である。なお、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、互いに略平行となる向きに形成されている。
導電体膜９は、例えば、アルミニウム、銅、銀、金などの導電性のよい金属が圧延されてなる金属箔や、金属粉またはカーボン粉がバインダー中に分散されて成膜された導電性を有する薄膜である。
この導電体膜９は、導電体膜９が形状加工されてなる配線が、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となるように、良好な導電性を有する膜厚に予め形成されている。
なお、導電体膜９としての金属箔は、１μｍから１００μｍの膜厚を有することが好ましい。また、金属箔は圧延後に残留応力を低下させるアニール処理が施されたものであることが好ましい。また、基板１０がガラス基板である場合、ガラス基板と熱膨張係数が近い４２アロイ（ニッケル／鉄合金）等の金属箔を導電体膜９として用いることが好ましい。
【００２２】
信号線３は、図４、図５に示すように、平坦化膜１１を開口するコンタクトホールによって上面が露出し、このコンタクトホールに堆積された電極３２を介して、スイッチトランジスタ５のドレイン電極５ｉと導通可能に接続されている。
対向電極給電線８１は、図４、図５に示すように、電極８２、電極８３を介して、後述するＥＬ素子８の対向電極８ｃと導通可能に接続されている。
共通電源給電線４１は、図４、図６に示すように、平坦化膜１１を開口するコンタクトホールによって上面が露出し、このコンタクトホールに堆積された電極４２を介して、電圧供給線４と導通可能に接続されている。
【００２３】
また、図４、図６に示すように、スイッチトランジスタ５は、逆スタガ構造の薄膜トランジスタである。このスイッチトランジスタ５は、ゲート電極５ａ、ゲート絶縁膜１２、半導体膜５ｂ、チャネル保護膜５ｄ、不純物半導体膜５ｆ，５ｇ、ソース電極５ｈ、ドレイン電極５ｉ等を有するものである。
【００２４】
ゲート電極５ａは、平坦化膜１１の上面とゲート絶縁膜１２の下面の間に形成されている。このゲート電極５ａは、例えば、ＭｏＮｂ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。また、ゲート電極５ａの上に絶縁性のゲート絶縁膜１２が成膜されており、そのゲート絶縁膜１２によりゲート電極５ａが被覆されている。
ゲート絶縁膜１２は、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。このゲート絶縁膜１２上であってゲート電極５ａに対応する位置に真性な半導体膜５ｂが形成されており、半導体膜５ｂがゲート絶縁膜１２を挟んでゲート電極５ａと相対している。
半導体膜５ｂは、例えば、アモルファスシリコン又は多結晶シリコンからなり、この半導体膜５ｂにチャネルが形成される。また、半導体膜５ｂの中央部上には、絶縁性のチャネル保護膜５ｄが形成されている。このチャネル保護膜５ｄは、例えば、シリコン窒化物又はシリコン酸化物からなる。
また、半導体膜５ｂの一端部の上には、不純物半導体膜５ｆが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されており、半導体膜５ｂの他端部の上には、不純物半導体膜５ｇが一部チャネル保護膜５ｄに重なるようにして形成されている。そして、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはそれぞれ半導体膜５ｂの両端側に互いに離間して形成されている。なお、不純物半導体膜５ｆ，５ｇはｎ型半導体であるが、これに限らず、ｐ型半導体であってもよい。
不純物半導体膜５ｆの上には、ソース電極５ｈが形成されている。不純物半導体膜５ｇの上には、ドレイン電極５ｉが形成されている。ソース電極５ｈ，ドレイン電極５ｉは、例えば、ＭｏＮｂ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＴｉＮｄ合金膜からなる。
チャネル保護膜５ｄ、ソース電極５ｈ及びドレイン電極５ｉの上には、保護膜となる絶縁性のオーバーコート層１３が成膜され、チャネル保護膜５ｄ、ソース電極５ｈ及びドレイン電極５ｉがオーバーコート層１３によって被覆されている。そして、スイッチトランジスタ５は、オーバーコート層１３によって覆われるようになっている。オーバーコート層１３は、例えば、厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍの窒化シリコン又は酸化シリコンからなる。
【００２５】
また、駆動トランジスタ６は、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極６ａ、ゲート絶縁膜１２、半導体膜６ｂ、チャネル保護膜６ｄ、不純物半導体膜６ｆ，６ｇ、ソース電極６ｈ、ドレイン電極６ｉ等を有する逆スタガ構造の薄膜トランジスタであり、スイッチトランジスタ５と同様の構成であるので、説明は省略する。
【００２６】
キャパシタ７は、図４に示すように、対向する一対の容量電極７ａ、７ｂ及びそれらの間に介在する誘導体としてのゲート絶縁膜１２を有している。そして、一方の容量電極７ａは、平坦化膜１１とゲート絶縁膜１２との間に形成され、他方の容量電極７ｂは、ゲート絶縁膜１２とオーバーコート層１３との間に形成されている。
なお、キャパシタ７の容量電極７ａは、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに一体に連なり接続されており、キャパシタ７の容量電極７ｂは、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈに一体に連なり接続されている。また、駆動トランジスタ６のドレイン電極６ｉが電圧供給線４に一体に連なっている。
【００２７】
なお、スイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ及び駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ、キャパシタ７の容量電極７ａは、ゲート絶縁膜１２上に一面に成膜された導電膜であるゲートメタル層をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで一括して形成されたものである。
また、走査線２、電圧供給線４、キャパシタ７の容量電極７ｂ、スイッチトランジスタ５のソース電極５ｈ，ドレイン電極５ｉ及び駆動トランジスタ６のソース電極６ｈ，ドレイン電極６ｉは、ゲート絶縁膜１２等に一面に成膜された導電膜であるソース、ドレインメタル層をフォトリソグラフィー法及びエッチング法等によって形状加工することで形成されたものである。
【００２８】
また、ゲート絶縁膜１２には、ゲート電極５ａと走査線２とが重なる領域にコンタクトホール１２ａが形成されており、そのコンタクトホール１２ａを通じてゲート電極５ａと走査線２とが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、ソース電極５ｈと信号線３とが重なる領域にコンタクトホール１２ｂが形成されており、そのコンタクトホール１２ｂを通じ、電極３２を介してドレイン電極５ｉと信号線３とが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、ゲート電極６ａ（容量電極７ａ）とソース電極５ｈとが重なる領域にコンタクトホール１２ｃが形成されており、そのコンタクトホール１２ｃを通じてゲート電極６ａ（容量電極７ａ）とソース電極５ｈとが電気的に導通している。
また、ゲート絶縁膜１２には、電圧供給線４と共通電源給電線４１とが重なる領域にコンタクトホール１２ｄが形成されており、そのコンタクトホール１２ｄを通じ、電極４２を介して電圧供給線４と共通電源給電線４１とが電気的に導通している。
【００２９】
画素電極８ａは、ゲート絶縁膜１２上に画素Ｐごとに独立して形成されており、そのゲート絶縁膜１２および平坦化膜１１を介して基板１０上に設けられている。ＥＬパネル１が、ＥＬ素子８の光を基板１０から出射するボトムエミッション型の場合、この画素電極８ａは透明電極であって、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）の少なくともいずれかを含む。ＥＬパネル１が、ＥＬ素子８の光を後述する対向電極８ｃを透過して出射するトップエミッション型の場合、画素電極８ａは、上述した透明電極となる層及びその層の下にＡｌ膜やＡｌ合金膜等の光反射層の積層構造でもよい。このとき、光反射層は、ソース、ドレインメタル層によって形成されてもよい。
なお、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈは、画素電極８ａの１辺の上に重なり、画素電極８ａとソース電極６ｈが接続している。
【００３０】
そして、図４から図６に示すように、オーバーコート層１３が、走査線２、電圧供給線４、スイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６、画素電極８ａの周縁部、キャパシタ７の容量電極７ｂ及びゲート絶縁膜１２等を覆うように形成されている。
このオーバーコート層１３には、各画素電極８ａの中央部が露出するように開口部１３ａが形成されている。そのため、オーバーコート層１３は平面視して格子状に形成されている。また、オーバーコート層１３は、対向電極８ｃと対向電極給電線８１を導通するために、ゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｅ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホール１１ｂに対応した位置に、コンタクトホール１３ｂが形成されている。コンタクトホール１２ｅ、コンタクトホール１１ｂ及びコンタクトホール１３ｂは、走査線２及び電圧供給線４とそれぞれ交差する領域を除いて共通電源給電線４１に沿って設けられている。
【００３１】
ＥＬ素子８は、図４、図５に示すように、アノードとなる第一電極としての画素電極８ａと、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内における画素電極８ａ上に形成された発光層８ｂと、発光層８ｂの上やバンク層１４上に形成された第二電極としての対向電極８ｃとを備えている。対向電極８ｃは全画素Ｐに共通の単一電極（カソード）であり、全画素Ｐに連続して形成されている。そして、オーバーコート層１３の開口部１３ａが画素Ｐに対応している。
【００３２】
発光層８ｂは、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内に成膜されている。
発光層８ｂは、画素Ｐ毎にＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかを発光する有機材料を含み、例えば、ポリフルオレン系発光材料やポリフェニレンビニレン系発光材料などの共役二重結合ポリマーからなり、対向電極８ｃから供給される電子と、画素電極８ａから注入される正孔との再結合に伴い発光する層である。このため、Ｒ（赤）を発光する画素Ｐ、Ｇ（緑）を発光する画素Ｐ、Ｂ（青）を発光する画素Ｐは、それぞれ発光層８ｂの発光材料が異なる。画素ＰのＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のパターンは、デルタ配列であってもよく、また縦方向に同色画素が配列されるストライプパターンであってもよい。
この発光層８ｂは、発光する発光層のみを成膜したものを発光層８ｂとしてもよいし、正孔輸送層及び発光層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよいし、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよいし、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に積層してその積層物を発光層８ｂとしてもよい。また、発光層８ｂは、正孔注入層や電子注入層が含まれる積層物であってもよい。
なお、発光層８ｂのうちの少なくとも一層は、蒸着法などの気相成長法によって成膜してもよく、スピンコートやノズルコートなどの塗布法によって成膜してもよい。後者の場合、発光層８ｂの少なくとも一層の材料となる有機材料を溶剤で溶解又は分散した有機材料含有液を塗布する際に、隣接する画素に有機材料含有液が流出しないようにオーバーコート層１３上に厚さ１μｍ以上のバンク層１４を用いることが特に好ましい。このバンク層１４はポリイミドやアクリル樹脂を硬化してなるものが好ましい。
【００３３】
対向電極８ｃは、ＥＬパネル１がボトムエミッション型の場合、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｌｉ等の仕事関数が４．０ｅＶ以下、好ましくは３．０ｅＶ以下であり、３０ｎｍ以下の厚さの低仕事関数層と、シート抵抗を下げるために低仕事関数層上に設けられた厚さが１００ｎｍ以上のＡｌ膜やＡｌ合金膜等の光反射層との積層構造でもよい。
また、ＥＬパネル１がトップエミッション型の場合、対向電極８ｃは、上記低仕事関数層と、その低仕事関数層上に設けられた、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）等からなる透明導電層との積層構造でもよい。
この対向電極８ｃは全ての画素Ｐに共通した電極であり、発光層８ｂなどとともにオーバーコート層１３やバンク層１４を被覆している。
なお、バンク層１４のコンタクトホール１４ｂ、その下方のオーバーコート層１３に形成されたコンタクトホール１２ｅ、当該コンタクトホールの下方に設けられた平坦化膜１１に形成されたコンタクトホール１１ｂによって、対向電極給電線８１、電極８２、電極８３、対向電極８ｃは、連続して積層した構造であり相互に電気的に接続している。
【００３４】
このＥＬパネル１は、次のように駆動されて発光する。
全ての電圧供給線４に所定レベルの電圧が印加された状態で、走査ドライバによって走査線２に順次オン電圧が印加されることで、これら走査線２に接続されたスイッチトランジスタ５が順次選択される。
各走査線２がそれぞれ選択されている時に、データドライバによって階調に応じたレベルの電圧が全ての信号線３に印加されると、その選択されている走査線２に対応するスイッチトランジスタ５がオンになっていることから、その階調に応じたレベルの電圧が駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加される。
この駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧に応じて、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｈとの間の電位差が定まって、駆動トランジスタ６におけるドレイン電極６ｉとソース電極６ｈ間を流れるドレイン−ソース電流の大きさが定まり、ＥＬ素子８がそのドレイン−ソース電流の電流値に応じた明るさで発光する。
その後、その走査線２の選択が解除されると、スイッチトランジスタ５がオフとなるので、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａに印加された電圧にしたがった電荷がキャパシタ７に蓄えられ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａとソース電極６ｈ間の電位差は保持される。
このため、駆動トランジスタ６は選択時と同じ電流値のドレイン−ソース電流を流し続け、ＥＬ素子８の発光輝度を維持するようになっている。
【００３５】
次に、ＥＬパネル１の製造方法について、図５、図７〜図１３に示す断面図を用いて説明する。
なお、図７〜図１３および図５は、本実施形態に係るＥＬパネル１の製造過程の一例を示す工程断面図である。この工程断面図は、図４に示したV−V線に沿った断面部分を示す説明図であり、これらの図を参照して製造方法の概略を説明する。
また、ここでは、図４のVＡ−VＡ線に沿った断面部分によってスイッチトランジスタ５の製造過程を例示し、同様の製造過程を経る駆動トランジスタ６に関する図示は省略する。
【００３６】
まず、透明なガラス板である基板１０の上面の全域に、周知の箔加工やラミネート加工の技術等によって、例えば、図７（ａ）に示すように、所定の厚みに形成された金属箔である導電体膜９を接着する。予め基板１０上にエポキシ等の液状接着剤やシート状の接着シートを設けておくことで、基板１０上に貼付した導電体膜９と基板１０とを接着する。
具体的には、金属膜を一対のローラーで加圧し圧延処理を行い、所望の厚みの金属箔を得る。熱間圧延、冷間圧延のどちらであってもかまわない。圧延処理後、歪み取りのためにそれぞれの金属箔内の金属に応じた温度でアニールを行ってもよい。例としてアルミニウムでは３４５℃〜４１５℃で処理を行う。基板１０に接着剤をスピンコート法、印刷法等で塗布する。接着剤は熱硬化性または光硬化性接着剤であることが好ましい。例としてエポキシ系接着剤があげられる。基板１０に金属箔をローラー等で押し付けるように、金属箔の貼り合せを行う。貼り合せは接着面に気泡が残らないように減圧下で行うことが好ましい。予め支持フィルム上に接着層を塗布し、接着層の上に金属箔を積層したラミネートフィルムを、支持フィルムを剥離して露出した接着層から基板１０に貼り付けて接着してもよい。張り合わせ後、加熱または紫外線を照射し、接着層を硬化させる。
なお、金属箔は、スパッタによって成膜してもよいが膜応力が生じ剥離しやすくなるので接着した方が好ましい。
【００３７】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、導電体膜９をパターニングする。これにより図７（ｂ）に示すように、基板１０上に信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を形成する。なお、フォトリソグラフィーによるレジストをマスクとしてウェットエッチングにより各種配線（３、４１、８１）を形成した後、ドライエッチングにより基板１０上に残留している接着剤成分を除去してもよい。
【００３８】
次いで、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１を含む基板１０の上面を覆うように、光透過性を有するポリイミド樹脂やシリコン窒化膜を成膜して、例えば、図７（ｃ）に示すように、平坦化膜１１を形成する。なお、ＥＬパネル１がトップエミッション型でない場合は、平坦化膜１１は透光性を有していなくてもよい。
【００３９】
次いで、信号線３や対向電極給電線８１に対応する平坦化膜１１部分をドライエッチング又はウェットエッチングによりパターニングすることによって、例えば、図８（ａ）に示すように、信号線３や対向電極給電線８１が露出するコンタクトホール１１ａ、１１ｂを形成する。平坦化膜１１が感光性樹脂を硬化してなる場合、露光、現像、焼成によってパターニングされる。なお、共通電源給電線４１に対応する平坦化膜１１部分にもエッチングによりコンタクトホールが形成されている（図６参照）。
【００４０】
次いで、平坦化膜１１およびコンタクトホールを通じて露出している各種配線を覆うように、気相成長法（スパッタリング法、蒸着法等）によって、例えば、図８（ｂ）に示すように、膜厚１００〜２００ｎｍの金属箔より十分薄いＣｒ、Ａｌを含む合金、またはＭｏＮｂなどの金属膜１５を成膜する。
【００４１】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、金属膜１５をパターニングする。これにより図８（ｃ）に示すように、平坦化膜１１上にスイッチトランジスタ５のゲート電極５ａ、駆動トランジスタ６のゲート電極６ａ（図４参照）、キャパシタ７の容量電極７ａを形成し、コンタクトホール内の信号線３上に電極３２、コンタクトホール内の対向電極給電線８１上に電極８２を形成する。なお、コンタクトホール内の共通電源給電線４１上には電極４２が形成されている（図６参照）。
【００４２】
次いで、ゲート電極５ａ、ゲート電極６ａ（図４参照）、容量電極７ａ、電極３２、電極８２、電極４２（図６参照）等を含む平坦化膜１１の全域を被覆するようにＣＶＤ法等によって、例えば、図９（ａ）に示すように、シリコン窒化物などからなるゲート絶縁膜１２、アモルファスシリコン等からなり半導体膜５ｂ、６ｂとなる半導体層、シリコン窒化物などからなりチャネル保護膜５ｄ、６ｄとなる絶縁体層を順次積層する。
【００４３】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、半導体層および絶縁体層をパターニングすることによって、例えば、図９（ｂ）に示すように、チャネル保護膜５ｄを形成する。なお、同時に駆動トランジスタ６のチャネル保護膜６ｄも形成されている。
【００４４】
次いで、チャネル保護膜５ｄ等を含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うようにＣＶＤ法等によって、例えば、図１０（ａ）に示すように、ｎ型不純物を含むシリコン層１６を成膜する。
【００４５】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、シリコン層１６をパターニングし、次いでパターニングにより露出した半導体膜５ｂ、６ｂをエッチングする。これにより図１０（ｂ）に示すように、スイッチトランジスタ５の不純物半導体膜５ｆ、５ｇ、駆動トランジスタ６の不純物半導体膜６ｆ、６ｇ、スイッチトランジスタ５の半導体膜５ｂ及び駆動トランジスタ６の半導体膜６ｂを形成する。
【００４６】
次いで、不純物半導体膜５ｆ、５ｇなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うように、スパッタリング法等によって、例えば、図１１（ａ）に示すように、ＩＴＯなどの透明電極材料からなる透明導電膜８ａを成膜する。
【００４７】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によってその透明導電膜をパターニングする。これにより図１１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１２上にＥＬ素子８の画素電極８ａを形成する。
【００４８】
次いで、電極３２や電極８２、容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）に対応するゲート絶縁膜１２部分をフォトリソグラフィーによるレジストマスクでドライエッチング又はウェットエッチングによりパターニングすることによって、例えば、図１１（ｃ）に示すように、電極３２や電極８２、容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）が露出するコンタクトホール１２ｂ、１２ｅ、１２ｃを形成する。なお、ゲート電極５ａに対応するゲート絶縁膜１２部分にもエッチングによりコンタクトホール１２ａが形成されている（図４参照）。また、同時に電極４２に対応するゲート絶縁膜１２部分にもエッチングによりコンタクトホール１２ｄが形成されている（図４、図６参照）。
【００４９】
次いで、不純物半導体膜５ｆ、５ｇ、６ｆ、６ｇ、画素電極８ａなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を覆うように、気相成長法等によって、例えば、図１２（ａ）に示すように、膜厚２００〜２５０ｎｍのＡｌを含む合金またはＭｏＮｂなどのソース、ドレイン導電膜１７を成膜する。
【００５０】
次いで、そのソース、ドレイン導電膜１７上にパターニングされたフォトレジストマスクを用いてエッチングして、図１２（ｂ）に示すように、スイッチトランジスタ５のソース電極５ｈ、ドレイン電極５ｉや、駆動トランジスタ６のソース電極６ｈ、ドレイン電極６ｉ（図４参照）を形成する。なお、ドレイン電極５ｉはゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｂ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホールを通じて電極３２と接続されており、ソース電極５ｈはゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ｃを通じて容量電極７ａ（ゲート電極６ａ）と接続されている。
また、同時にコンタクトホール１２ｅ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホール１１ｂによって電極８２上には電極８３が形成されている。
また、ソース、ドレイン導電膜１７によって、同時にコンタクトホール１２ｄ及びその下方の平坦化膜１１のコンタクトホールを通じて電極４２に接続される電圧供給線４が形成され（図４、図６参照）、さらに、同時にゲート絶縁膜１２のコンタクトホール１２ａを通じてゲート電極５ａに接続される走査線２が形成される（図４参照）。
【００５１】
次いで、ソース電極５ｈ，６ｈ、ドレイン電極５ｉ，６ｉ、画素電極８ａなどを含むゲート絶縁膜１２の全域を被覆するように、ＣＶＤ法等によって、例えば、図１３（ａ）に示すように、シリコン窒化物などからなるオーバーコート層１３を成膜する。そして、このオーバーコート層１３は、スイッチトランジスタ５や駆動トランジスタ６を被覆している。
【００５２】
次いで、フォトリソグラフィー法・エッチング法等によって、オーバーコート層１３をパターニングすることによって、例えば、図１３（ｂ）に示すように、画素電極８ａを露出させる開口部１３ａや、電極８３を露出させるコンタクトホール１３ｂを形成する。そして、ポリイミド等の感光性樹脂を塗布し、プリベーク、露光、現像、ポストベークを行い、オーバーコート層１３の開口部１３ａ上に開口部１３ａより一回り大きい開口部１４ａが形成され、オーバーコート層１３のコンタクトホール１３ｂ上にコンタクトホール１３ｂより一回り大きいコンタクトホール１４ｂが形成される。
【００５３】
次いで、オーバーコート層１３の開口部１３ａ内に、キャリア輸送層の１つである正孔注入層となる導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（poly(ethylenedioxy)thiophene；ポリエチレンジオキシチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（polystyrene sulfonate；ポリスチレンスルホン酸）を水溶性溶液にしてインクジェット、ノズルコート法などにより塗布し、乾燥して正孔注入層を形成後、その正孔注入層上にポリフルオレン系の発光材料を同様に有機溶剤に溶解した溶液にしてインクジェット、ノズルコート法などにより成膜して乾燥することで、例えば、図１３（ｃ）に示すように、キャリア輸送層の１つである発光層８ｂを形成する。
なお、発光層８ｂは、ノズルコート法により形成されることに限らず、印刷法やメタルマスク使用の蒸着法など、周知の手法により形成してもよい。
【００５４】
次いで、画素電極８ａなどを含むオーバーコート層１３の全域を覆うように、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を少なくとも含むカソード層を蒸着法などによって成膜した後、低抵抗なアルミニウムなどの金属層を蒸着法などによって成膜することで、例えば、図５に示すように、対向電極８ｃを形成する。なお、対向電極８ｃは、コンタクトホール１３ｂを通じて電極８３と接続されている。
こうして、ＥＬパネル１が製造される。
【００５５】
このように、ＥＬパネル１の配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１は、導電性が良好な膜厚を有する金属箔からなる導電体膜９を基板１０に接着した後、その導電体膜９がパターニングされて形成されているので、薄膜トランジスタを形成する際に同時に形状加工された薄膜材料からなる従来の配線より、導電性に優れた厚みを有する配線として形成されている。
そして、導電性が良好な配線である信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１においては、配線抵抗の低下による電圧降下が生じにくく、ＥＬパネル１の発光に好適に寄与する配線となる。そして、導電性が良好な配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１は、発光特性に優れた発光装置となる。
【００５６】
特に、配線として適した厚みを有する導電体膜９をメッキやスパッタ等により基板１０上に成膜する場合には、その成膜工程に時間を要してしまうが、予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０に接着する本発明の手法では、より短時間の加工工程で、基板１０上に厚膜な導電体膜９を成膜することができるメリットがある。
また、基板１０上に厚めの金属膜を成膜する場合、金属箔などの導電体膜９を基板１０に接着する成膜の方が、メッキやスパッタ等による成膜に比べて、金属膜の残留応力を低下させることができ、基板１０が反ってしまう不具合も低下させることができる。
【００５７】
また、メッキやスパッタ等による金属膜の成膜によって、金属膜の残留応力を低下させようとした場合、その金属膜がポーラスな構造となってしまうので、配線抵抗を低減させることが困難になってしまう。また、その成膜過程でエッチャント等の不純物が金属膜中に取り込まれてしまうことがあり、製品の性能が低下してしまう可能性が高くなる。
これに対し、金属箔は、導電性のよい金属を圧延することで所望する膜厚に形成されているので、金属膜的にはバルクな構造（密な構造）になっており、また、その金属膜中に不純物が入り込むことはほとんどない。
【００５８】
なお、導電体膜９を基板１０に接着した工程の後は、従来の薄膜トランジスタと同様の製造タクトでＥＬパネルの製造が可能となるので、その製造工程が煩雑になるようなことはない。
【００５９】
また、基板１０上に形成された配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を覆う平坦化膜１１によって、配線と対向電極８ｃとの距離を接近させ過ぎないようにすることができ、特に、信号線３と対向電極８ｃとの間の結合容量を小さくすることができるので、寄生容量によるトラブルを低減することができる。
【００６０】
以上のように、画素電極８ａと発光層８ｂと対向電極８ｃとが積層されてなるＥＬ素子８を備えるＥＬパネル１を製造するに際し、配線として適した厚みを有するように予め所望する膜厚に形成された金属箔などの導電体膜９を基板１０の上面に接着することで成膜し、その導電体膜９を形状加工して配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を形成するＥＬパネルの製造方法は、発光特性に優れたＥＬパネル（発光装置）を製造することを可能にする技術であるといえる。
また、その製造方法に基づいて、基板１０に接着された金属箔などの導電体膜９が形状加工されてなる配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１は、発光特性に優れた発光装置であるといえる。
そして、対向電極８ｃと信号線３との間に、ゲート絶縁膜１２、オーバーコート層１３、バンク層１４に加えて、絶縁膜である平坦化膜１１を介在させているので、寄生容量が緩和され、信号線３に出力された信号が対向電極８ｃに干渉されにくいといった効果をもたらす。
【００６１】
なお、本発明は上記実施形態に限られるものではない。
例えば、図１４、図１５に示すように、基板１０の上面に接着によって成膜した導電体膜９を形状加工して、互いに略平行となる信号線３と対向電極給電線８１を形成した後、その信号線３と対向電極給電線８１を覆う第一平坦化膜１１１を形成し、その第一平坦化膜１１１上に接着によって導電体膜を成膜し、その導電体膜を形状加工してなる共通電源給電線４１を形成し、共通電源給電線４１を覆う第二平坦化膜１１２を形成してもよい。
この共通電源給電線４１は、信号線３および対向電極給電線８１に対し、略垂直な向きに形成されている。また、電圧供給線４は、電極４３を介して共通電源給電線４１に接続されている。
上記実施形態では、信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１上方に、バンク層１４が設けられているが、蒸着等によってバンク層１４なしに発光層８ｂが成膜できるのであれば、バンク層１４を設けなくてもよい。この場合、平坦化膜１１、第一平坦化膜１１１を十分厚く設計すれば、寄生容量が緩和され、信号線３に出力された信号が対向電極８ｃに干渉されにくいといった効果をもたらす。
【００６２】
このように、基板１０の上面にスイッチトランジスタ５と導通する信号線３と、対向電極８ｃと導通する対向電極給電線８１とが形成され、信号線３と対向電極給電線８１を覆う第一平坦化膜１１１と第二平坦化膜１１２の間に電圧供給線４と導通する共通電源給電線４１が形成された構造であっても、導電性が良好な配線（信号線３、対向電極給電線８１、共通電源給電線４１）を備えるＥＬパネル１とすることができ、発光特性に優れたＥＬパネル１を製造することができる。
【００６３】
また、ＥＬパネル１がトップエミッションの場合、図１６に示すように、図５に示すバンク層１４とオーバーコート層１３との間に第五絶縁膜として平坦化膜２１を介在させ、平坦化膜２１上に、画素電極８ａ１、発光層８ｂ、対向電極８ｃが順次堆積されたＥＬ素子８が設けられていることが好ましい。このとき、画素電極８ａ１と駆動トランジスタ６のソース電極６ｈと導通するために、オーバーコート層１３にはコンタクトホール１３ｃが設けられ、コンタクトホール１３ｃ上の平坦化膜２１には、コンタクトホール２１ａが設けられている。また、対向電極給電線８１と対向電極８ｃとを導通するために、画素電極８ａ１と同じ導電膜をパターニングしてなる電極８ａ２が、平坦化膜２１に設けられたコンタクトホール２１ｂを介して対向電極８ｃと電極８３との間に介在している。
【００６４】
なお、以上の実施の形態においては、発光装置を表示装置であるＥＬパネルに適用した場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、露光装置、光アドレッシング装置、照明装置などに本発明を適用してもよい。
【００６５】
また、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】ＥＬパネルの画素の配置構成を示す平面図である。
【図２】ＥＬパネルの概略構成を示す平面図である。
【図３】ＥＬパネルの一画素に相当する回路を示した回路図である。
【図４】ＥＬパネルの一画素を示した平面図である。
【図５】図４のVＡ−VＡ線に沿った面の矢視断面図（ａ）と、図４のVＢ−VＢ線に沿った面の矢視断面図（ｂ）である。
【図６】図４のVI−VI線に沿った面の矢視断面図である。
【図７】ＥＬパネルの製造過程における第一工程（ａ）、第二工程（ｂ）、第三工程（ｃ）を示す断面図である。
【図８】ＥＬパネルの製造過程における第四工程（ａ）、第五工程（ｂ）、第六工程（ｃ）を示す断面図である。
【図９】ＥＬパネルの製造過程における第七工程（ａ）、第八工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１０】ＥＬパネルの製造過程における第九工程（ａ）、第十工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１１】ＥＬパネルの製造過程における第十一工程（ａ）、第十二工程（ｂ）、第十三工程（ｃ）を示す断面図である。
【図１２】ＥＬパネルの製造過程における第十四工程（ａ）、第十五工程（ｂ）を示す断面図である。
【図１３】ＥＬパネルの製造過程における第十六工程（ａ）、第十七工程（ｂ）、第十八工程（ｃ）を示す断面図である。
【図１４】ＥＬパネルの変形例における一画素を示した平面図である。
【図１５】図１４のXV−XV線に沿った面の矢視断面図である。
【図１６】ＥＬパネルの変形例であり、ＥＬパネルの図５（ｂ）の断面図と同等の位置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１ ＥＬパネル（発光装置）
２ 走査線
３ 信号線（配線）
４ 電圧供給線
４１ 共通電源給電線（配線）
５ スイッチトランジスタ（画素トランジスタ）
５ａ ゲート電極
６ 駆動トランジスタ（画素トランジスタ）
６ａ ゲート電極
７ キャパシタ
８ ＥＬ素子
８ａ 画素電極（第一電極）
８ｂ 発光層
８ｃ 対向電極（第二電極）
８１ 対向電極給電線（配線）
９ 導電体膜
１０ 基板
１１ 平坦化膜（第一絶縁膜）
１２ ゲート絶縁膜（第二絶縁膜）
１３ オーバーコート層（第三絶縁膜）
１３ａ 開口部
１４ バンク層（第四絶縁膜）
１４ａ 開口部
１１１ 第一平坦化膜（第一絶縁膜）
１１２ 第二平坦化膜（第一絶縁膜）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置の製造方法であって、
基板の上面に、予め所定の膜厚に形成された導電体膜を成膜する導電体膜成膜工程と、
前記導電体膜をパターニングして、複数の配線を形成する配線形成工程と、
前記配線とともに前記基板の上面を覆う第一絶縁膜を形成する第一絶縁膜形成工程と、
前記第一絶縁膜上に、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記トランジスタ形成工程は、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された、前記複数のトランジスタのうちの第二トランジスタを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記トランジスタ形成工程後に、前記複数の配線のうちの第三配線に接続された前記第二電極を形成する第二電極形成工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電体膜は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する金属箔であることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置であって、
基板の上面に形成された導電体膜をパターニングして形成された複数の配線と、
前記配線を覆う第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられ、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタと、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記複数のトランジスタは、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された第二トランジスタを有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記複数の配線のうちの第三配線は、前記第二電極に接続されていることを特徴とする請求項９〜１２の何れかに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１】
第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置の製造方法であって、
基板の上面に、予め所定の膜厚に形成された導電体膜を成膜する導電体膜成膜工程と、
前記導電体膜をパターニングして、複数の配線を形成する配線形成工程と、
前記配線とともに前記基板の上面を覆う第一絶縁膜を形成する第一絶縁膜形成工程と、
前記第一絶縁膜上に、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタを形成するトランジスタ形成工程と、
を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記トランジスタ形成工程は、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された、前記複数のトランジスタのうちの第二トランジスタを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記トランジスタ形成工程後に、前記複数の配線のうちの第三配線に接続された前記第二電極を形成する第二電極形成工程をさらに有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項７】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項５に記載の発光装置の製造方法。
【請求項８】
前記導電体膜は、１μｍ以上１００μｍ以下の厚みを有する金属箔であることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の発光装置の製造方法。
【請求項９】
第一電極、前記第一電極上の少なくとも一層以上のキャリア輸送層、前記キャリア輸送層上の第二電極を有する発光装置であって、
基板の上面に形成された導電体膜をパターニングして形成された複数の配線と、
前記配線を覆う第一絶縁膜と、
前記第一絶縁膜上に設けられ、前記複数の配線のうちの第一配線に接続された第一トランジスタを含む複数のトランジスタと、
を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
前記第一配線は、前記第一トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第一トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項９に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記複数のトランジスタは、前記複数の配線のうちの第二配線及び前記第一電極に接続された第二トランジスタを有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第二配線は、前記第二トランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二トランジスタのソース、ドレイン電極の一方と接続していることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記複数の配線のうちの第三配線は、前記第二電極に接続されていることを特徴とする請求項９〜１２の何れかに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、及び前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記第三配線は、前記複数のトランジスタのゲート電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記複数のトランジスタのソース、ドレイン電極となる導電層をパターニングしてなる電極、前記第一電極となる導電層をパターニングしてなる電極を介して、前記第二電極と接続していることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−７９０４３（Ｐ２０１０−７９０４３Ａ）
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２４８５８１（Ｐ２００８−２４８５８１）
【出願日】平成２０年９月２６日（２００８．９．２６）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月８日（２０１０．４．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年９月２６日（２００８．９．２６）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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