【課題】従来の電気光学装置では、画像の表示品位が損なわれる範囲を軽減することが困難である。
【解決手段】電気光学装置は、複数の画素と、遮光膜１０３と、を有している。複数の画素は、複数の画素群に区分されている。画素群は、第１の画像が対応付けられた第１の画素７₁と、第２の画像が対応付けられた第２の画素７₂と、第３の画像が対応付けられた第３の画素７₃と、第４の画像が対応付けられた第４の画素７₄と、を１つずつ含んでいる。遮光膜１０３には、画素群ごとに開口部１１１が設けられている。画素群において、第１の画素７₁と第２の画素７₂とが、Ｙ方向に隣り合っており、且つ、第３の画素７₃と第４の画素７₄とが、Ｘ方向に第１の画素７₁及び第２の画素７₂を挟んで互いに対峙している。 （もっと読む）

【課題】画素領域の角部においては、帯状電極部つまり画素電極からの距離が遠くなるので、画素電極と共通電極間において印加される横電界の強度が低くなる。この結果、画素領域の角部において、液晶分子の回転が不足し、液晶分子が本来の配向方向に到達しないことが生じるため、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまう。
【解決手段】画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とする。角部Ｒｋにおける画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離が近くなるため、角部Ｒｋにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性にばらつきがあっても、輝度ムラのない表示が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】特性の異なる２つのトランジスタ２０２，２０３を、発光素子２０４と直列に接続する。トランジスタ２０２，２０３のゲート電極は、互いに接続されている。トランジスタ２０２は、駆動用トランジスタである。トランジスタ２０３は、電流制御用トランジスタである。トランジスタ２０２，２０３の極性は、共にｎ型であるとする。この場合、トランジスタ２０２のしきい値電圧を、トランジスタ２０３のしきい値電圧よりも低いものとする。 （もっと読む）

【課題】表示素子を構成する複数の発光素子のうち一部の発光素子が動作しないことによる視覚的な妨害の程度を軽減することができる表示装置を提供する。
【解決手段】複数の表示素子を備えており、各表示素子は副画素を構成すると共に、複数の副画素から成る群によって１画素を構成し、第１の方向、及び、第１の方向とは異なる第２の方向に、２次元マトリクス状に画素が配列されており、表示素子は、複数の発光素子を備えており、複数の発光素子のうち一部の発光素子が動作しない表示素子を欠陥表示素子と表すとき、欠陥表示素子が属する画素の近傍の画素において、該欠陥表示素子と同色で発光する表示素子の輝度を低下させる輝度制御手段を有する。 （もっと読む）

【課題】画素選択用トランジタの素子領域を作り込んだ半導体基板の上に層間絶縁膜とメタル層を交互に繰り返して成膜した積層膜構造を有する液晶パネル用基板において、被研磨膜に係る層間絶縁膜を厚膜化せずに、研磨レートの均一化を達成できる構造を実現する。
【解決手段】液晶パネル用基板は、画素領域において第２のメタル層からなる遮光膜１２に開けた開口部１２ａを通して遮光膜下の第２の層間絶縁膜１１を挟んで第１のメタル層からなる配線膜１０と遮光膜上の第３の層間絶縁膜１３を挟んで第３のメタル層からなる画素電極とを導電接続する接続プラグ１５を備えている。非画素領域の入力端子パッド２６の周囲に、第１のメタル層からなる下層ダミーパターンＡと第２のメタル層からなる上層ダミーパターンＢが積み重ね形成されている。ダミーパターンＡ，Ｂ上の第３の層間絶縁膜１３の成膜表面レベルが底上げされるため、その部分での過研磨を解消できる。そのため、ＣＭＰ処理において一様の研磨レートが得られる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置用基板における意図しないエッチングに起因する影響を抑制し、電
気光学装置に好適な電気光学装置用基板を提供する。
【解決手段】電気光学装置用基板（２００）は、基板（２１０）と、基板上に形成された
透光性を有する絶縁層（２２０）と、絶縁層上に配設された導電性パターン（２３０）と
を備える。該導電性パターンは、絶縁層上に所定の厚さに積層された第１金属層（２３２
）と、第１金属層の上層側に積層され、モリブデンを含んでなる第２金属層（２３１）と
を有し、第１金属層は、フッ素系ガスによりエッチングされる度合いが、フッ素系ガスに
より第１金属層がエッチングされる度合いに比べて小さく、且つ塩素系ガスによりエッチ
ングされる度合いが、塩素系ガスにより前記絶縁層がエッチングされる度合いに比べて大
きい金属を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】容量素子の容量を確保しながらも、発光素子間の輝度ムラが防止された表示特性の良好な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒ２と容量素子Ｃｓとを設けた画素回路を、薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１４ｂの線幅方向に配列した薄膜トランジスタ基板１ａを備えてた表示装置である。薄膜トランジスタＴｒ２は、ゲート電極１４ｂ上にゲート絶縁膜を介して半導体薄膜３２Ａを設けて構成されたものである。特にゲート電極１４ｂは、所定線幅にパターニングされている。容量素子Ｃｓは、ゲート電極１４ｂから延設された下部電極２１ｃ上にゲート絶縁膜を介して上部電極２２ｃを設けて構成されたものである。そして特に、下部電極２１ｃは、ゲート電極１４ｂの線幅方向に隣接させた状態でゲート電極１４ｂに対して離間して配置されている。また上部電極２２ｃは、ソース電極２２ｓまたはドレイン電極２２ｄと同一層を用いた連続的パターンとして設けられている。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】副画素を形成するトランジスタのチャネルにエネルギーの強い光が入射することによって発生するトランジスタの特性シフトを抑える。
【解決手段】Ｂ画素２０Ｂに隣接する例えばＧ画素２０Ｇについて、Ｂ画素２０Ｂとの間に、書込みトランジスタ２３のチャネル幅よりも大きい幅の遮光体３０３Ｇを設けることで、Ｂ画素２０Ｂで発光された青色光が画素２０Ｒ，２０Ｇに入射するのを阻止（遮光）し、書込みトランジスタ２３のチャネルへの青色光の照射の影響による特性シフトを抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】電源線から各画素内の発光素子に供給される電力の低下が生じにくい画像表示装置を提供する。
【解決手段】発光制御期間内に、時間とともにレベルが変化する発光期間制御信号を複数の画素のそれぞれに対して入力することによって、当該発光期間制御信号のレベルの時間変化と、予め画素ごとに設定された輝度情報と、に応じて決まる期間にわたって、各画素に含まれる発光素子を発光させる画像表示装置であって、発光制御期間内における、複数の画素の一部に対して入力される発光期間制御信号のピークのタイミングが、他の画素に対して入力される前記発光期間制御信号のピークのタイミングと異なる画像表示装置である。 （もっと読む）

【課題】隠蔽層が二層からなる場合も、各層の光透過領域間の位置ずれがない表示媒体用マスクシートおよびこれを備えた表示装置、並びに、表示媒体用マスクシートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の表示媒体用マスクシート１６は、電子ペーパー１４の表示面を覆うために用いられ、光透過性基材１７と、光透過性基材１７の一方の面１７ａに積層された黒色系印刷層１９および白色印刷層１８からなる隠蔽層１５と、を備え、隠蔽層１５は、電子ペーパー１４による表示パターンをなす光透過領域１５ａを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 透明電極から配線に電気的に接続させる場合のコンタクトホールと表示領域との間の寄生抵抗値を低減させ、電力損失を低減することを目的とする。
【解決手段】 表示装置において、基板上に少なくとも薄膜トランジスタ、平坦化膜及び複数の発光素子が形成されており、発光素子には、少なくとも発光層と、第１の電極及び第２の電極を有している。この第１の電極と、配線（ＧＮＤ配線又は電源配線）とを接続させるために、表示領域よりも外側の平坦化膜には複数の第１のコンタクトホール及び複数の第２のコンタクトホールが設けられており、第１のコンタクトホールと第２のコンタクトホールは千鳥状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】画素間における発光領域の輝度のずれを抑制しつつ、表示装置表示部の単位面積当たりの発光面積を向上させ、高い表示品質の表示装置を提供することにある。
【解決手段】画素が有する発光領域のうち、少なくとも一部の発光領域の上部に、補助電極が位置することにより、実効的な発光面積のずれを抑制することで輝度のずれを抑制しつつ、発光領域間の領域を狭めることにより、表示装置表示部の単位面積当たりの発光面積を向上させる表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】駆動用トランジスタのゲートと有機ＥＬ素子のカソードとが画素内で電気的にショートしにくい配線構造を採用し、欠陥画素や線状の欠陥が発生しないようにすること。
【解決手段】本発明は、有機ＥＬ素子１Ｄ、書き込みトランジスタ１Ａ、駆動トランジスタ１Ｂ、保持容量１Ｃ、補助容量１Ｊを備える画素が行列状に配置される構成において、保持容量１Ｃと補助容量とが隣接して配置され、保持容量１Ｃの駆動トランジスタ１Ｂのゲート電極と導通する配線と、補助容量１Ｊの有機ＥＬ素子１Ｄのカソードと導通する配線とが異なる層に設けられている表示装置である。 （もっと読む）

【課題】各画素の発光輝度を光センサで測定して各画素が所要の輝度で発光するように各画素に与える表示データ信号を補正する。この場合に、各光センサの検出ばらつきの影響を受けないで補正値を得ることができるようにし、さらに表示実行中も補正値を修正する。
【解決手段】少なくとも２以上の画素に対して、各画素から等距離の位置に光センサを設ける。そして一方の画素の発光輝度と他方の画素の発光輝度を、等距離に配置された１つの光センサで検出することで、光センサの検出ばらつきの影響の無い補正値を算出する。さらに他の画素に対しても、既に補正値を更新した画素を一部に用いながら順次連鎖的に補正値を求めていくことで、表示画面を構成する全画素について、光センサの検出ばらつきの影響を排除した補正値を得る。表示実行中はダミー画素を用いて画素劣化を判定し、劣化状況に応じて補正値を修正する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば有機ＥＬ素子によるアクティブマトリックス型の画像表示装置に適用して、発光輝度の劣化の予測精度を従来に比して格段的に向上する。
【解決手段】本発明は、画像データの階調を補正して発光輝度を補正する構成において、マスタ劣化カーブ上の表示時間に換算した劣化量により各画素の劣化量を検出して発光輝度を補正する。 （もっと読む）

【課題】標的となる領域に液滴を塗布することができ、かつ、配線抵抗の増加を極力抑制することができるパターン形成基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るパターン形成基板１ｂは、液滴が吐出されることによって、所定のパターンが形成されるものであり、上記液滴が接触したときの接触角が第１接触角である第１領域２と、上記液滴が接触したときの接触角が第２接触角であって、上記第１領域２に囲まれた第２領域３と、上記液滴が接触したときの接触角が第３接触角であって、第２領域３に囲まれた第３領域６とを有し、第２接触角は第１接触角および第３接触角よりも小さく、第３領域６と、第２領域３における液滴が吐出される塗布領域４と、液滴が吐出されない非塗布領域５とは互いに隣接するように形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、金属材料からなるソース電極及びドレイン電極と、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体層が直接接する構造は、コンタクト抵抗が高くなる恐れがある。酸化物半導体層とソース電極層またはドレイン電極層のコンタクト抵抗を低減した半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素及び窒素を含むバッファ層を、酸化物半導体層とソース電極層及び、酸化物半導体層とドレイン電極層との間に設ける。 （もっと読む）

【課題】液晶表示面を押しても液晶層の厚さ変化を抑えてコントラストの変化を防ぐ。
【解決手段】液晶表示装置は、透明電極を有する基板と、対向電極を有する対向基板と、基板と対向基板の間に保持された高分子分散型液晶と、液晶層の厚さを規定するためのスペーサを備え、対向する２枚の基板上に、それぞれ高さ１０μｍ以上２５μｍ以下の半球状のスペーサを形成し、基板に設けられた第１のスペーサと、対向基板に設けられた第２のスペーサとが互いに接触することにより形成される。スペーサ同士を接触させ、液晶層の厚さを２０μｍ以上５０μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】有機発光ダイオードＯＬＥＤのためのナノ構造化表面を具える基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のナノ構造を有する有機樹脂又は無機材料の層がナノインプリントにより作製され、前記有機樹脂又は前記無機材料はそのガラス転移温度Ｔ_ｇ以上又はその融点以上の温度まで加熱され、前記有機樹脂又は前記無機材料はアニール時間と呼ばれる時間Ｔ_Ｒの間この温度に維持され、前記有機樹脂又は前記無機材料がフローして前記有機樹脂又は無機材料の層の第１のナノ構造が修正され第２のナノ構造を形成し、前記有機樹脂又は前記無機材料が冷却される。
ＯＬＥＤの製造方法は、前記方法によりナノ構造化表面を具える基板を製造するステップを含む。 （もっと読む）