液晶装置、および電子機器
【課題】画素領域の角部においては、帯状電極部つまり画素電極からの距離が遠くなるので、画素電極と共通電極間において印加される横電界の強度が低くなる。この結果、画素領域の角部において、液晶分子の回転が不足し、液晶分子が本来の配向方向に到達しないことが生じるため、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまう。
【解決手段】画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とする。角部Ｒｋにおける画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離が近くなるため、角部Ｒｋにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。
【解決手段】画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とする。角部Ｒｋにおける画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離が近くなるため、角部Ｒｋにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
対向する一対のガラス基板で液晶層を挟み、一方のガラス基板面において、画素ごとに形成した画素電極と共通電極との間に所定の電圧を印加して、ガラス基板の面内方向に沿った横電界を発生させ、液晶層における液晶分子の配向方向を回転制御して画像等を表示するＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の液晶装置（以降「ＦＦＳパネル」と呼ぶ）がある。ＦＦＳパネルは、液晶分子が基板に対して平行な方向に回転するため、斜めから見たとき液晶分子の偏光方向については回転しないことから、コントラストの低下が少なく視野角の広い表示品質の良い液晶表示装置として、広く用いられるようになっている。
【０００３】
加えて近年、さらにＦＦＳパネルの表示品質の向上に関する技術が開示されている。その一つとして、例えば、特許文献１において、画素電極に形成したスリット状の開口の一端を開放して櫛歯状の帯状電極部とすることによって、ＦＦＳパネルで生じるリバースツイストを抑制し、画素の表示輝度を高くする技術が開示されている。
【０００４】
このように、種々の開示技術によって表示品質の向上が図られるＦＦＳパネルは、表示品質の向上とともに、例えば、プロジェクターのライトバルブ（光変調素子）として利用することも行われるようになっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３２７９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、プロジェクターでは、光学系部品（例えば偏光ビームスプリッター）の形成を容易にしたり、光学系の設計を容易にしたりするために、通常ライトバルブの外形に対して水平もしくは垂直な偏光光（例えばＰ偏光やＳ偏光）が用いられる。また、ライトバルブには外形に沿った方向に遮光層によって区画され、略矩形の開口領域を有する画素が形成される。従って、プロジェクターは、この画素の領域端の一辺に沿った方向に偏光方向を有する光をライトバルブに入射し、入射した光を液晶の配向方向を制御することによって変調して、画素ごとに透過率を制御する。こうして各画素は所定の輝度に制御されることによって画像を表示するように構成されている。
【０００７】
このために、特許文献１に開示された画素電極が櫛歯状の帯状電極部を有するＦＦＳパネルをプロジェクターのライトバルブとして用いる場合は、液晶の初期的な配向方向を画素の領域端の一辺に沿う方向とする必要がある。従って、ＦＦＳパネルでは、液晶分子がリバースツイストしないよう一定方向に回転させるために、帯状電極部の長手方向を、画素の領域端の一辺に対して傾けて形成する必要が生ずる。
【０００８】
しかしながら、このようなＦＦＳパネルにおいては帯状電極部を傾けることから、画素の領域端において、特に帯状電極部つまり画素電極からの距離が最も遠くなる角部では、画素電極と共通電極との間で印加される電界（横電界）の強度が低下する。この結果、画素の角部において、液晶分子に印加される電界強度が低下して回転が不足し、液晶分子が本来の配向方向に到達しないことが生じる。このため、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまうという課題が生ずる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］対向する一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ、互いに間隔を有して配列され、少なくとも一端で連結された複数の帯状電極部を有する第１の電極と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極と、が設けられ、前記第１の電極と前記第２の電極とを含み、複数の略矩形の画素の領域を構成する液晶装置であって、前記第１の電極の前記複数の帯状電極部は、該帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する前記画素の領域端の一辺に対してそれぞれ傾いた長手方向の外形線を有しており、前記画素の領域端の一辺に隣接した帯状電極部の外形線は、前記画素の領域端の一辺に対して傾いているとともに、当該画素の領域内における他の帯状電極部の長手方向の外形線よりも、前記画素の領域端の一辺に対する傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第１の電極の外形線が画素の領域端の一辺に近づくために、画素の領域端や角部にも適切に横電界を印加することができる。この結果、画素の領域端や角部において液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させることができるので、画素の明るさを改善することができ、表示品質の低下を抑制することができる。
【００１２】
［適用例２］上記液晶装置であって、前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、前記外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１３】
画素の領域端では、液晶分子の回転不足に起因して生ずる輝度低下の範囲が特定される場合がある。そこで、このような場合、特定される領域に応じた所定の位置から帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に近づけるようにすれば、画素の領域端や角部において液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させることができるので、画素の明るさを改善することができ、表示品質の低下を抑制することができる。
【００１４】
［適用例３］上記液晶装置であって、前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする。
【００１５】
画素の領域端において、輝度低下の範囲が、実際に凡そ画素領域の半分の領域に特定される場合がある。このような場合、画素の領域端の一辺の略半分の位置から帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に近づけるようにすれば、画素の領域端や角部において、液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させ、画素の明るさを改善することができる。
【００１６】
［適用例４］上記液晶装置であって、前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、画素の領域端の一辺に沿う方向において、画素領域の角部に近くなるほど、帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に除々に近づける。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、特に画素領域の角部における液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００１８】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記第２の電極のうち互いに隣り合う２つの前記帯状電極部の長手方向の外形線の傾きがそれぞれ異なるように形成され、前記隣り合う２つの帯状電極部において対向する前記長手方向の外形線は、少なくとも一方の前記帯状電極部の前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１９】
液晶装置において、視野角特性を改善するために、長手方向の傾きが互いに異なる帯状電極部を形成することによって、１つの画素において２つ（複数）の異なる配向状態を作り出すマルチドメインが構成される場合がある。このような場合、この構成によれば、互いに傾きが異なって隣り合う帯状電極部間において生ずる隙間を狭くすることができる。従って、長手方向が互いに異なる帯状電極部間において、液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２０】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、隣り合う他方の前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００２１】
長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域において、液晶の回転不足に起因して生ずる輝度低下の範囲が特定される場合がある。このような場合、特定される領域に応じた所定の位置から、一方の帯状電極部の長手方向の外形線を、他方の帯状電極部の長手方向の外形線に近づけるようにすれば、帯状電極部間の画素領域において液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２２】
［適用例７］上記液晶装置であって、前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする。
【００２３】
長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域では、実際に凡そ画素領域の半分以内の領域において輝度の低下が生じる場合がある。このような場合、画素の領域端の一辺の略半分の位置から一方の帯状電極部の長手方向の外形線を他方の帯状電極部の長手方向の外形線に近づけるようにすれば、長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域において液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させることができる。この結果、画素の明るさを改善することができる。
【００２４】
［適用例８］上記液晶装置であって、前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、画素の領域端の一辺に沿う方向において、長手方向が互いに異なる帯状電極部の対向する外形線間の距離が遠くなるほど、一方の帯状電極部の長手方向の外形線を他方の帯状電極部の長手方向の外形線に除々に近づける。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、長手方向が互いに異なる帯状電極部の対向する外形線間の領域における液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２６】
［適用例９］上記液晶装置を備えた電子機器。
【００２７】
上記液晶装置は、明るさの減少が少ない表示品質の低下を抑制した液晶装置であることから、この液晶装置を搭載した電子機器であれば、表示品質の良い電子機器を提供することができる。特に、この液晶装置を透過光の光変調素子として備えた電子機器としてのプロジェクターは、明るい画像を投射できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
【００２９】
図１は、本発明を具現化した一実施形態となる液晶装置１００を光変調素子（ライトバルブ）として備えた電子機器としてのプロジェクター１の概略構成を示した構成図である。このプロジェクター１は、光源１０１から照射された照射光を、偏光ビームスプリッター１０２によって偏光方向が揃えられた光にする。そして、この偏光方向が揃えられた照射光を液晶装置１００に設けられた各画素を透過する際に光変調する。そして画素毎に光変調した照射光を所定の距離を隔てて設置されたスクリーン（不図示）上に投射レンズ１０３によって投射する。このようにして、液晶装置１００に表示された画像が投射される。もとより、プロジェクター１は、液晶装置１００を複数備え、複数の液晶装置１００に応じた光学系（ミラーやクロスプリズムなど）を形成したものであってもよい。
【００３０】
本実施形態では、偏光ビームスプリッター１０２によって揃えられた照射光の偏光方向を、プロジェクター１の本体の厚さ方向（図面上下方向）となるＹ軸方向とする。ここでは説明を省略するが、偏光ビームスプリッター１０２の製造上の理由や、プロジェクター１において構成される光学系の設計上の理由などから、表示画面の縦方向または横方向を偏光方向と一致させることが多い。そこで、本実施形態では偏光方向をＹ軸方向とする。もとより、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向としてもよい。
【００３１】
また、液晶装置１００に画像が表示されない状態、つまり液晶装置１００における各画素において、後述する画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態では、スクリーンに何も投射されない黒の状態とすることが使用上好ましい。従って、本実施形態のプロジェクター１では、液晶装置１００はノーマリーブラック表示を行うものとする。もとより、画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態で白の状態となるノーマリーホワイト表示を行うものとしても差し支えない。
【００３２】
次に、液晶装置１００について説明する。図２は、画像を表示する複数の画素が設けられた液晶装置１００の構成を模式的に示した説明図である。液晶装置１００は、基板１０と基板３０とが、図示しない液晶層（後述する）を封止状態で挟んで重ね合わされた構造を有している。
【００３３】
基板１０は、その外周部分に、走査駆動回路１２０とデータ駆動回路１１０、および共通端子１３０とが、ガラスや石英あるいは樹脂などの透明基板上（図面表面側）に形成されたものである。走査駆動回路１２０からはＸ軸方向に走査線１２１が、データ駆動回路１１０からはＹ軸方向にデータ線１１１が、図２に示したようにそれぞれ出力配線されている。また、走査線１２１とデータ線１１１の交点付近には、各画素Ｇに対応して図示しない薄膜トランジスター（後述する）が形成されている。各薄膜トランジスターは、走査線１２１によって供給される電圧によってオン・オフが制御され、オン時において、データ線１１１によって供給される電圧が、第１の電極としての画素電極（後述する）に印加されるように構成されている。
【００３４】
共通端子１３０は、これに接続された共通配線１３１によって、各画素Ｇに形成された第２の電極としての共通電極（後述する）に対して共通な電圧（例えば接地電位）を供給する。従って、各画素Ｇにおいて、薄膜トランジスターのオンによってデータ線１１１から供給される電圧と、共通配線１３１によって供給される電圧（つまり接地電位の電圧）との差分電圧が、画素Ｇに対応する液晶層に印加されるように構成されている。
【００３５】
基板３０は、画素Ｇに対応する領域部分を開口領域（光透過領域）とし、その他の領域部分が遮光領域となるように金属膜などの所定の遮光層が、ガラスや石英または樹脂などの透明基板上（図面裏側）に形成されたものである。従って、画素間においては、Ｙ軸方向およびＸ軸方向にはそれぞれ遮光層３２が形成される。そして、基板３０を基板１０に重ね合わせたとき、遮光層３２はデータ線１１１、走査線１２１、共通配線１３１および薄膜トランジスターと重なるように構成されている。
【００３６】
次に、本実施形態における液晶装置１００において、各画素に形成された画素電極と共通電極の様子を、図３および図４を用いて説明する。図３は、図２において液晶装置１００の左上部分に例示した４つの画素Ｇについて、各画素Ｇに形成された配線の様子を示した模式平面図であり、液晶装置１００を、基板３０側から、基板３０を透視状態で見た状態で示している。なお、本実施形態の液晶装置１００が備える画素電極の形状（後述の第１実施例および第２実施例）が奏する効果に対する理解を容易にするために、図３における画素電極の形状は、変更前すなわち従来の画素電極の形状で示している。また、図４は、液晶装置１００の部分断面を示す模式図である。
【００３７】
基板１０には、図３に示したように、データ線１１１がＹ軸方向に、走査線１２１がＸ軸方向に、それぞれ形成されている。そして、この両配線の交点付近には、薄膜トランジスター（以降、単に「トランジスター」）２０が形成されている。すなわち、データ線１１１の配線が延伸して形成されたソース電極２０ｓと、チャネル領域が形成された半導体層２０ａと、走査線１２１が兼ねるゲート電極２０ｇと、ドレイン電極２０ｄと、からなるトランジスター２０が形成されている。そして、ドレイン電極２０ｄは、コンタクトホールＣＨ１を介して、画素電極１１と電気的に接続されている。従って、走査線１２１すなわちゲート電極２０ｇに供給される電圧によって、トランジスター２０がオンすると、データ線１１１に供給された電圧が、ドレイン電極２０ｄを介して画素電極１１に印加される。
【００３８】
本実施形態では、画素電極１１は、電極の長手方向の外形線がＹ軸方向に対して、リバースツイストを抑制するためにα度（例えば１０度〜２０度）時計方向（図面右側への回転方向）に傾き、一端が開放状態で、他端が連結されて電気的に接続された櫛歯状を呈する３つの帯状電極部で形成されているものとする。もとより、電極の長手方向の外形線がＹ軸方向に対して、α度（例えば１０度〜２０度）反時計方向（図面左側への回転方向）に傾いて形成されるものとしてもよい。また、帯状電極部は少なくとも２つ形成されていればよい。
【００３９】
また、基板１０には、共通配線１３１がＸ軸方向に形成されている。そして、この共通配線１３１とコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続された共通電極１３が、画素Ｇの領域を含む大きさのベタ電極で形成されている。従って、画素Ｇの領域において、画素電極１１と共通電極１３とは、平面的に重なるように形成されている。
【００４０】
このように形成された画素電極１１と共通電極１３との間に印加される電圧によって、液晶層４０に対して基板１０に沿う方向の横電界が発生し、前述したようにＦＦＳ方式による液晶分子の配向制御が行われる。なお、画素電極１１および共通電極１３は、導電性を有する透光性の材料（例えばＩＴＯ）で形成されている。もとより、画素の透過光の光量減少が実用上影響がない場合は、画素電極１１は金属材料（アルミニウムなど）で形成されることとしてもよい。
【００４１】
次に、液晶装置１００の断面構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３におけるＢ−Ｂ断面を示した模式図である。図示するように、液晶装置１００は、基板１０と基板３０とによって液晶層４０を挟持した構成を有している。そして基板３０の液晶層４０と反対側には偏光板４４が、また基板１０の液晶層４０と反対側には偏光板４５が、それぞれ所定の偏光軸方向を呈するように貼り付けられている。なお、本実施形態では、液晶層４０は、分極方向が配向方向と同方向であるポジ型の液晶分子によって形成されているものとする。もとより、分極方向が配向方向と直交しているネガ型の液晶分子によって形成されていることとしてもよい。
【００４２】
基板３０は、平板としての基材３１に対して、液晶層４０側の基板面に、遮光層３２、配向膜３９が順次形成されたものである。遮光層３２は金属膜（例えばクロム）や樹脂からなる。配向膜３９は、例えばポリイミド樹脂からなり、遮光層３２および画素Ｇの領域を覆うように形成されている。なお、基板３０において、配向膜３９と遮光層３２との間に、配向膜３９を平坦化するための平坦化層やオーバーコート層が形成されることとしてもよい。また、基板３０において、基材３１と配向膜３９との間に、少なくとも画素Ｇの領域に相当する光透過領域に、所定の色を透過するカラーフィルター層が形成されることとしてもよい。
【００４３】
基板１０は、平板としての基材１４に対して、液晶層４０側の基板面に、走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）と共通配線１３１、ゲート絶縁層１５、半導体層２０ａ、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）とドレイン電極２０ｄ、層間絶縁層１６、平坦化層１７、共通電極１３、絶縁層１８、画素電極１１、配向膜１９が順次形成されたものである。
【００４４】
走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）、共通配線１３１、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）、およびドレイン電極２０ｄは、金属材料（例えばアルミニウム）によって形成されている。半導体層２０ａは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体が用いられる。また、ゲート絶縁層１５は例えば酸化シリコンが、層間絶縁層１６は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、平坦化層１７は樹脂材料が、絶縁層１８は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、それぞれ用いられ、いずれも透光性を有する層として形成される。配向膜１９は、例えばポリイミド樹脂からなり、画素電極１１の液晶層４０に接する側であって、少なくとも画素電極１１を覆うように形成されている。
【００４５】
さて、本実施形態では、液晶装置１００は前述するように、ノーマリーブラック表示を行うように構成されている。また、液晶層がポジ型の液晶分子で形成され、基板３０側から液晶装置１００に入射する照射光の偏光方向がＹ軸方向であることから、液晶分子の初期的な配向方向がＹ軸方向となるように、配向膜１９および配向膜３９が配向処理されている。すなわち、配向膜３９および配向膜１９の配向処理方向は、ともにＹ軸方向であって互いにプレチルト角が反対向きになるように施されている。
【００４６】
また、偏光板４４はＹ軸方向に透過軸を呈し、偏光板４５はＸ軸方向に透過軸を呈するクロスニコル配置となるように貼り付けられている。もとより、基板３０に入射する照射光が、ほぼＹ軸方向のみに振動する偏光光である場合は、照射光の入射側となる偏光板４４は無くても差し支えない。
【００４７】
次に、このように構成された液晶装置１００において行われる液晶分子の回転動作について、図５を用いて説明する。図５は、一つの画素Ｇにおいて横電界に応じて回転する液晶分子ＥＢを示す模式図であり、液晶分子ＥＢについて、初期的な配向状態を実線で、横電界による回転状態を破線でそれぞれ示している。
【００４８】
図５に示したように、画素電極１１に電圧が印加されない初期状態では、配向膜１９および配向膜３９に施された配向処理によって、液晶分子ＥＢはＹ軸方向に配向する。そして、トランジスター２０がオンして、データ線１１１から供給される電圧が画素電極１１に印加されることにより、共通電極１３との間で横電界を発生させると、電界方向は、画素電極１１を構成する帯状電極部の長手方向の外形線に対して直交する方向、つまりＸ軸方向に対して時計方向にα度回転した方向に発生する。この結果、液晶分子ＥＢは、図中破線で示したように、総て回転角が小さい方向つまり反時計方向に一様に安定して回転することになりリバースツイストの発生が抑制される。こうして、液晶分子ＥＢの回転角は画素電極１１に印加される電圧によって画素毎に制御される。こうして、照射光を画素ごとに光変調することができる。もとより、画素電極１１を、Ｙ軸方向に対して時計方向でなく、反時計方向にα度回転した方向に傾けて形成することとしても差し支えない。
【００４９】
さて、図５に示したように、画素Ｇの領域端のうちＹ軸方向に沿う一辺（以降、単に「領域端の一辺」と呼ぶ）において、画素Ｇの領域の角部Ｒｋ（図面左上と右下に示した楕円領域）においては、画素電極１１の帯状電極部分がα度（例えば１０度〜２０度）時計方向に傾いているため、画素Ｇの領域端の一辺に対向する画素電極１１の外形線１１ａおよび外形線１１ｂは、その画素ＧのＹ軸方向の領域端の一辺から遠い位置になってしまう。このため、角部Ｒｋにおいては液晶分子ＥＢに印加される横電界の強度が低下してしまうことになる。従って、角部Ｒｋにおける液晶分子ＥＢの回転角は他の領域の液晶分子ＥＢに比べて小さい回転（図中、破線形状部分）になり、その結果、画素電極１１に印加された電圧に応じて画素毎に正しく光変調することができない液晶装置１００となる虞がある。
【００５０】
そこで、本実施形態における液晶装置１００は、このような画素Ｇの領域の角部Ｒｋにおいて液晶分子ＥＢの回転不足の発生を抑制できるように、画素電極１１の形状を従来の形状に対して変更する。以下、変更した画素電極１１の形状について２つの実施例を挙げ、これらを、図６〜図９を用いて順次説明する。
【００５１】
（第１実施例）
まず第１実施例を説明する。図６は、本実施形態の液晶装置１００に設けられた画素Ｇにおいて、変更形成された第１実施例の画素電極１１の形状を示す模式図である。図示するように、本実施形態の液晶装置１００は、画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する両端の帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、それぞれ、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とするのである。なおβ度とγ度の角度の決定方法については後述する。また、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きの起点は、外形線１１ａｈについては帯状電極部の連結端１１ｄであり、外形線１１ｂｈについては帯状電極部の開放端１１ｅである。
【００５２】
このように画素電極１１を形成することによって、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて、画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離が近くなるため、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。
【００５３】
ここで、従来の形状の画素電極１１と、本実施例の画素電極１１とを、実際のＦＦＳパネルにおいて比較した結果を図７に示す。図７は、Ｙ軸方向の画素間ピッチが３０μｍで、Ｘ軸方向の画素間ピッチが２４μｍで形成されたＦＦＳパネルにおいて、画素の白表示状態で比較した結果を示した模式図である。図７（ａ）は、従来の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示し、図７（ｂ）は、本実施例の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示している。
【００５４】
図示するように、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋの透過率が、従来の画素電極形状に対して改善されている様子が解かる。従って、本実施例による画素電極１１の形状を形成した液晶装置１００によれば、画素Ｇの角部Ｒｋにおける横電界の低下を抑制することができるので、データ線１１１から供給された電圧によって、画素毎に照射光を正しく光変調することが可能となる。この結果、表示品質の低下を抑制することができる。
【００５５】
（第２実施例）
次に第２実施例を説明する。上記第１実施例では、画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する両端の帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、帯状電極部の連結端１１ｄあるいは帯状電極部の開放端１１ｅを起点として、それぞれα度よりも小さいβ度およびγ度とした。そのために、画素電極１１において両端の帯状電極部のＸ軸方向の電極幅は、他の帯状電極部（ここでは中央の１本）に比べて広くなってしまう。このために、図７に示したＦＦＳパネルでは、画素電極１１の領域上における液晶分子の挙動に起因して、図７（ｂ）において白抜き矢印で示したように、画素Ｇの領域端の一辺に対向する両端の帯状電極部において、電極幅に応じた透過率の減少が生じてしまう。
【００５６】
そこで、本実施例では、帯状電極部の連結端１１ｄあるいは帯状電極部の開放端１１ｅを起点とせず、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの線状における所定の位置を起点として、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、それぞれα度よりも小さいβ度およびγ度とするのである。こうすれば、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて、画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離を近くする一方、画素電極１１において両端の帯状電極部の幅を、上記実施例に比べて狭くすることができる。
【００５７】
図８は、本実施形態の液晶装置１００に変更形成された第２実施例の画素電極１１を有する画素Ｇについて、その画素電極１１の形状を示す模式図である。図示するように、本実施例では、画素電極１１のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線１１ａの傾きを、帯状電極部の連結端１１ｄから距離ＤＹ離れた位置を起点として、α度よりも小さいβ度とする。また、外形線１１ｂの傾きを、帯状電極部の開放端１１ｅから距離ＥＹ離れた位置を起点として、α度よりも小さいγ度とするのである。
【００５８】
このように画素電極１１を形成することによって、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおける画素電極１１と画素Ｇの一辺までの距離が近くなる一方、画素電極１１において両端の帯状電極部の幅を、上記実施例に比べて狭くすることができる。
【００５９】
本実施例の画素電極１１を有し、Ｙ軸方向の画素間ピッチが３０μｍで、Ｘ軸方向の画素間ピッチが２４μｍで形成されたＦＦＳパネルにおいて、具体的に画素が白表示の状態を呈した様子を図９に示した。図９（ａ）は、本実施例の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示している。また、図９（ｂ）は、Ｙ軸方向が１５μｍの位置におけるＸ軸方向の画素Ｇの透過率について、第２実施例（実線）の状態を、第１実施例（破線）と比較して示したものである。
【００６０】
図９（ａ）に示すように、本実施例による画素電極１１の形状を形成した液晶装置１００によれば、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋの透過率が、従来の画素電極形状に対して改善されているとともに、画素電極１１の両端の帯状電極部のＸ軸方向の幅に起因する透過率の低下を抑制することができる。また、図９（ｂ）に示したように、上記第１実施例の画素電極形状に対して、第２実施例では、外形線１１ａｈの位置が画素Ｇの端部から遠くなるために端部における透過率が低下するものの、Ｘ軸方向についての全体の透過率の積分値は大きくなっているので、画素Ｇ全体の透過率も高くなっていることが解かる。従って、本実施例の画素電極１１の形状によれば、データ線１１１から供給された電圧によって、画素毎に照射光を正しく光変調することができ、表示品質の低下を抑制することが可能となる。
【００６１】
なお、本実施例では、図９（ａ）に示したように、距離ＤＹおよび距離ＥＹは、画素Ｇの領域端の一辺の凡そ２等分線上の位置としている。これは、図７（ａ）に示したように、画素Ｇの領域において凡そこの位置から角部Ｒｋの方向に透過率の低下減少が生じているからである。もとより、帯状電極部の傾き角や電極幅、あるいは帯状電極部の電極間隔などによって、画素Ｇの領域端における透過率の低下の様子が異なることから、実際に、従来の画素電極形状を用いて製作したＦＦＳパネルを白表示させ、呈する白表示の透過率に基づいて、それぞれの所定の位置を決定することが好ましい。
【００６２】
ところで、上記第１実施例および第２実施例では、画素電極１１において、画素Ｇの領域端の一辺に対向位置する帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈは、Ｙ軸方向からの傾き角が、それぞれα度よりも小さいβ度（β＞０）およびγ度（γ＞０）であることとした。その結果、このような形状変更によって帯状電極部のＸ軸方向の電極幅は広がるため、角部Ｒｋにおいて透過率が改善される一方、帯状電極部分における透過率は電極幅が広くなることによって低下するというトレードオフ状態となった。
【００６３】
そこで、本実施形態の液晶装置１００においては、帯状電極部の形状変更に際して、画素Ｇ全体の透過率が最も高くなるように、β度およびγ度をそれぞれ決定することが好ましい。一例としてβ度の決定方法について、図１０を用いて説明する。なお、γ度についても、β度と同様である。
【００６４】
図１０（ａ）は、上記第２実施例の画素電極１１が形成され、Ｙ軸方向の画素ピッチが３０μｍ、Ｘ軸方向の画素ピッチが２４μｍで形成された画素Ｇの様子を示す模式図である。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）において、Ｙ軸方向が２５μｍの位置におけるＸ軸方向の線分Ａ−Ａについて、白表示状態における画素Ｇの透過率を示したグラフである。また図１０（ｂ）において示した５本の曲線は、それぞれ帯状電極部の電極幅を示している。なお、電極幅２μｍは、形状変更前の従来の画素電極１１が有する帯状電極部の電極幅である。
【００６５】
図示するように、帯状電極部の電極幅が従来の電極幅２μｍでは、画素Ｇの領域端（角部）において透過率が低くなっている。そして、電極幅を３μｍから増加していくと、徐々に画素Ｇの領域端（角部）の透過率が上昇改善されていく様子が解かる。一方、画素電極１１の領域では、電極幅を３μｍから増加していくと、画素電極１１の電極幅の領域上の透過率が低下する様子が解かる。そこで、各電極幅について、線分Ａ−Ａ全体におけるそれぞれの透過率を積分して平均透過率を求める。ここでは、電極幅が３μｍにおいて、透過率の平均値が最大となる。従って、Ｙ軸方向の位置が２５μｍにおいて、帯状電極部の電極幅が３μｍとなるように、β度を決定する。
【００６６】
あるいは、図１０（ｂ）示した透過率の変化具合から、画素Ｇの白表示時において、線分Ａ−Ａの領域のうち帯状電極部の外形線から画素Ｇの領域端の一辺までの範囲の透過率が、帯状電極部のＸ軸方向の電極幅の中央部の透過率を上回るよう、帯状電極部の電極幅を設定する。そして設定された電極幅になるようにβ度を決定して、帯状電極部の外形線を形状変更するようにしてもよい。より好ましくは、画素Ｇの領域端における透過率が、帯状電極部のＸ軸方向の電極幅の中央部の透過率と等しくなるように、帯状電極部の電極幅を設定する。そして設定された電極幅になるようにβ度を決定して、帯状電極部の外形線を形状変更するようにしてもよい。このように形状変更すれば、画素Ｇの領域において、全体の透過率の低下を抑制するとともに、画素毎に照射光を正しく光変調することができる。従って、表示品質の低下を抑制することが可能となる。
【００６７】
なお、上記第１および第２実施例において、画素Ｇの領域は、遮光層３２で区画された光透過領域としていることから、画素Ｇの領域端の一辺は、帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する側に配置された遮光層３２の一辺となるが、これに限るものでない。画素Ｇの領域端の一辺を、帯状電極部を有さない方の電極であって、帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する側に位置する該電極の端辺としてもよい。具体的に、上記実施例では、画素Ｇの領域端の一辺は、図３に示した共通電極１３の図面左右方向の端辺が相当する。遮光層３２を形成しない場合など、共通電極の領域によって画素領域が特定される場合は、このように画素の領域端の一辺を規定することが好ましい。
【００６８】
以上、本発明の実施の形態について実施例により説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下、変形例をあげて説明する。
【００６９】
（第１変形例）
上記実施例では、画素Ｇの領域端の一辺と対向する画素電極１１の帯状電極部の外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）の傾きを、一定の角度（β度、γ度）で小さく変更することとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）が画素Ｇの領域端の一辺と離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることとしてもよい。こうすることによって、画素Ｇの領域端の一辺に沿う方向において、画素Ｇの角部Ｒｋに近くなるほど、帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に除々に近づけることができる。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、特に画素Ｇの角部Ｒｋにおける液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。本変形例の一例を、図１１を用いて説明する。
【００７０】
図１１は、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）を円弧で形成することによって、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）が画素Ｇの領域の一辺と離れる方向において、傾きが漸減するように形成された画素電極１１を示した模式図である。なお、図１１（ａ）は、上記第１実施例において本変形例を適用した場合、図１１（ｂ）は、上記第２実施例において本変形例を適用した場合、をそれぞれ示している。もとより、円弧に限らず、外形線の傾きが漸減する形状であれば何でも良い。
【００７１】
図１１（ａ）では、画素Ｇの領域のうち図面左端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ａに対して、外形線が曲率半径Ｒ１の円弧形状の外形線１１ａｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ａｈは、その接線傾きが連結端１１ｄから漸減するように形成される。
【００７２】
また、画素Ｇの領域のうち図面右端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ｂに対して、外形線が曲率半径Ｒ２の円弧形状の外形線１１ｂｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ｂｈは、その接線傾きが開放端１１ｅから漸減するように形成される。
【００７３】
なお、曲率半径Ｒ１の中心Ｃ１および曲率半径Ｒ２の中心Ｃ２は、少なくとも画素Ｇの領域からＹ軸方向において離れた位置とすることが好ましい。こうすることによって、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きが画素Ｇの領域内においてＹ軸方向つまり液晶分子ＥＢの初期的な配向方向に対して同じ時計方向の傾きを維持できるので、リバースツイストの発生が抑制できる。
【００７４】
図１１（ｂ）では、画素Ｇの領域の図面左端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ａに対して、連結端１１ｄからＹ軸方向に沿って距離ＤＹ離れた位置から、外形線が曲率半径Ｒ３の円弧形状の外形線１１ａｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ａｈは、その接線傾きが距離ＤＹの位置から漸減するように形成される。
【００７５】
また、画素Ｇの領域の図面右端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ｂに対して、開放端１１ｅからのＹ軸方向に沿って距離ＥＹ離れた位置から、外形線が曲率半径Ｒ４の円弧形状の外形線１１ｂｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ｂｈは、その接線傾きが距離ＥＹの位置から漸減するように形成される。
【００７６】
なお、図１１（ａ）の場合と同様に、曲率半径Ｒ３の中心Ｃ３および曲率半径Ｒ４の中心Ｃ４は、少なくとも画素Ｇの領域からＹ軸方向に離れた位置とすることが好ましい。こうすることによって、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きが画素Ｇの領域内においてＹ軸方向つまり液晶分子ＥＢの初期的な配向方向に対して同じ時計方向の傾きを維持できるので、リバースツイストの発生が抑制できる。
【００７７】
また、本変形例において、各曲率半径Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と、それぞれの中心Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、上述したβ度およびγ度の決定方法と同様に行えば良い。例えば、図１０（ｂ）において説明したように、各電極幅について、線分Ａ−Ａ全体におけるそれぞれの透過率を積分して平均透過率を求め、透過率の平均値が最大となるときの、帯状電極部の電極幅に基づいて曲率半径と中心を決定すればよい。
【００７８】
（第２変形例）
上記実施例では、画素電極１１について、帯状電極部の傾きが一定方向であるものとして説明したが、必ずしもこれに限らず、帯状電極部が複数の方向を有することとしてもよい。一例として、画素Ｇの領域内において、互いに傾きが異なる２つの帯状電極部を有する場合について、図１２を用いて説明する。
【００７９】
図１２は、それぞれ２本の帯状電極部が、Ｙ軸方向に対して時計方向と反時計方向の互いに反対側に傾いた方向を有し、一端が連結されて電気的に接続され、他端が開放された形状の画素電極１１を示した模式図である。ここでは詳しい説明を省略するが、１つの画素において２つ（複数）の配向状態を形成するマルチドメインを構成して視野角を広げることが行われる場合がある。このために、このように帯状電極部の長手方向を異なるように形成する場合がある。
【００８０】
図１２（ａ）は、それぞれ２つの帯状電極部の傾きが開放端側で開くように形成された画素電極１１に対して、本変形例を適用した場合を示す。図示するように、帯状電極部の外形線において、異なる傾きの外形線が対向する部分については、開放端に向かう方向に沿って互いの外形線間の距離が近づくように形状変更する。本変形例では、上記第２実施例の変更方法によって形状変更する。すなわち、画素電極１１は、図中網掛けで示した従来の帯状電極部の形状に対して、ハッチングで示した領域Ｓが追加された形状とする。
【００８１】
また、図１２（ｂ）は、それぞれ２つの帯状電極部の傾きが連結端側で開くように形成された画素電極１１に対して、本変形例を適用した場合を示す。図示するように、帯状電極部の外形線において、異なる傾きの外形線が対向する部分については、連結端に向かう方向に沿って互いの外形線間の距離が近づくように形状変更する。この場合においても、同様に上記第２実施例の変更方法によって形状変更する。すなわち、画素電極１１は、図中網掛けで示した従来の帯状電極部の形状に対して、ハッチングで示した領域Ｓを追加した形状とする。
【００８２】
このように形状変更すれば、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋに加えて、互いに傾きが異なって隣り合う帯状電極部間において生ずる隙間の距離を近づけることができる。従って、角部Ｒｋに加えて、長手方向が互いに異なる帯状電極部間において、液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００８３】
なお、本変形例では、追加する領域Ｓの形状を上記第２実施例の変更方法による形状としたが、特にこれに限らず、上記第１実施例に変更方法による形状としてもよい。あるいは、上記第１変形例の変更方法による形状としてもよい。こうすれば、上記第１実施例、上記第２実施例、上記第１変形例において説明したそれぞれの効果を、本変形例において奏することができる。
【００８４】
（第３変形例）
上記実施例では、画素電極１１について、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の２つの外形線１１ａと外形線１１ｂとの双方を形状変更することとしたが、必ずしもこれに限らず、一方のみ形状変更することとしてもよい。
【００８５】
本変形例の一例を、図１３に示した。図１３は、本変形例による画素電極１１が、Ｙ軸方向に２つ並んだ状態を示す模式図である。図示するように、本変形例は、上記第２実施例に示した画素電極１１において、画素Ｇの領域端の一辺と対向する２つの帯状電極部の外形線のうち、外形線１１ａについてのみ、その傾きを所定の位置から小さくした外形線１１ａｈに形状変更する。
【００８６】
画素電極１１の形状（例えば帯状電極部の傾き具合や帯状電極部の電極幅など）や、Ｘ軸方向あるいはＹ軸方向における画素ピッチなどに応じて、画素Ｇの領域内における角部Ｒｋにおいて透過率が低下する角部が特定される場合がある。例えば、図１３に示したように、配列された画素のＹ軸方向におけるピッチが狭く、このため形成される画素電極１１のＹ軸方向における間隔が狭い場合が存在する。このとき、画素Ｇの領域において、図面左上の角部Ｒｋ１は、図面右下の角部Ｒｋ２に比べて、隣りに位置する画素電極１１との間の距離が近くなる。従って、角部Ｒｋ１に位置する液晶分子ＥＢは、隣りの画素Ｇの画素電極１１から印加される電界の影響を受け易くなり、その結果、透過率が低くなってしまうことが起こり得る。
【００８７】
このような場合、透過率が低くなる角部Ｒｋ１に対して帯状電極部の形状変更を行うようにすればよい。こうすることによって、角部Ｒｋ１の透過率は改善され、表示品質の低下を抑制することができるのである。
【００８８】
（第４変形例）
上記実施形態では、画素電極１１について、帯状電極部の長手方向の一端が電気的に接続されない開放端であることとしたが、必ずしもこれに限らず、帯状電極部の長手方向の両端が連結され、電気的に接続された形状であることとしてもよい。本変形例の一例を、図１４に示した。
【００８９】
図１４は、本変形例の画素電極１１を示す模式図である。本変形例における従来の画素電極１１は、上記実施形態における画素電極に対して、帯状電極部の開放端側も、画素Ｇの領域外において電極１１ｆによって連結し、電気的に接続された形状（網掛け部分）である。そして、この従来の画素電極形状に対して、図示するように、上記第２実施例の変更方法によって領域Ｓ１を追加して形状変更した画素電極１１とするのである。
【００９０】
本変形例の画素電極形状によれば、開放端を形成しないので、前述したＦＦＳパネルで生じるリバースツイストの抑制効果は低くなるものの、画素Ｇの領域の角部Ｒｋで生ずる液晶分子ＥＢの回転不足を解消し、角部Ｒｋでの透過率を改善することによって表示品質の低下を抑制することが期待できる。
【００９１】
もとより、本変形例では、従来の画素電極形状を上記第２実施例の変更方法による形状としたが、特にこれに限らず、上記第１実施例に変更方法による形状としてもよい。あるいは、上記第１変形例の変更方法による形状としてもよい。こうすれば、上記第１実施例、上記第２実施例、上記第１変形例において説明したそれぞれの効果を、本変形例において奏することができる。
【００９２】
（その他の変形例）
また、上記実施形態では、画素電極１１は、長手方向がＹ軸方向に対して傾く帯状電極部を備えることとして説明したが、必ずしもこれに限らず、長手方向がＸ軸方向に対して傾く帯状電極部を備えることとしてもよい。
【００９３】
また、上記実施形態では、第１の電極を画素電極１１とし、第２の電極を共通電極１３としたが、これに限らず、第１の電極を共通電極とし、第２の電極を画素電極としても差し支えない。
【００９４】
また、上記実施例では、液晶装置１００を、プロジェクター１において光変調素子として用いることとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、液晶装置１００を直視型の表示装置として用いることとしてもよい。この場合は、液晶装置１００の裏面に蛍光管などを用いたバックライトを一体化して形成することが好ましい。このような液晶装置１００は、上述するように表示品質の低下が抑制された画像を表示できることから、この液晶装置１００をテレビやデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話、コンピューターなどの電子機器に直視型の表示装置として備えることとしてもよい。こうすれば、表示品質の良い画像を提供する電子機器が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一実施形態となる液晶装置を備えたプロジェクターの概略構成図。
【図２】液晶装置の構成を模式的に示した説明図。
【図３】液晶装置の各画素に形成された配線の様子を示した模式平面図。
【図４】液晶装置についての部分断面を示す模式図。
【図５】一つの画素において横電界に応じて回転する液晶分子を示す模式図。
【図６】第１実施例の画素電極の形状を示す模式図。
【図７】画素の白表示状態を示す模式図で、（ａ）は従来の画素電極形状と白表示状態を示し、（ｂ）は第１実施例の画素電極形状と白表示状態を示す。
【図８】第２実施例の画素電極の形状を示す模式図。
【図９】画素が白表示の状態を呈した様子示し、（ａ）は第２実施例の画素電極形状と白表示状態とを示す模式図、（ｂ）は、第１実施例（破線）と比較した第２実施例（実線）の透過率のＸ軸方向における状態図。
【図１０】（ａ）は、第２実施例の画素電極が形成された画素の様子を示す模式図。（ｂ）は、Ｘ軸方向の線分について、白表示状態における画素の透過率を示したグラフ。
【図１１】第１変形例で、外形線を円弧で形成された画素電極を示した模式図で、（ａ）は、第１実施例に本変形例を適用した場合、（ｂ）は、第２実施例に本変形例を適用した場合、を示す。
【図１２】第２変形例の画素電極形状を示す模式図で、（ａ）は帯状電極の傾きが開放端側で開く場合、（ｂ）は帯状電極の傾きが連結端側で開く場合を示す。
【図１３】第３変形例で、一方の帯状電極の外形線についてのみ形状変更する場合を示した模式図。
【図１４】第４変形例で、帯状電極が両端とも連結した状態の画素電極を示す模式図。
【符号の説明】
【００９６】
１…プロジェクター、１０…基板、１１…画素電極、１１ａ，１１ａｈ，１１ｂ，１１ｂｈ…外形線、１１ｄ…連結端、１１ｅ…開放端、１１ｆ…電極、１３…共通電極、１４…基材、１５…ゲート絶縁層、１６…層間絶縁層、１７…平坦化層、１８…絶縁層、１９…配向膜、２０…トランジスター、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、３０…基板、３１…基材、３２…遮光層、３９…配向膜、４０…液晶層、４４…偏光板、４５…偏光板、１００…液晶装置、１０１…光源、１０２…偏光ビームスプリッター、１０３…投射レンズ、１１０…データ駆動回路、１１１…データ線、１２０…走査駆動回路、１２１…走査線、１３０…共通端子、１３１…共通配線。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、およびこの液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
対向する一対のガラス基板で液晶層を挟み、一方のガラス基板面において、画素ごとに形成した画素電極と共通電極との間に所定の電圧を印加して、ガラス基板の面内方向に沿った横電界を発生させ、液晶層における液晶分子の配向方向を回転制御して画像等を表示するＦＦＳ（Fringe-Field Switching）方式の液晶装置（以降「ＦＦＳパネル」と呼ぶ）がある。ＦＦＳパネルは、液晶分子が基板に対して平行な方向に回転するため、斜めから見たとき液晶分子の偏光方向については回転しないことから、コントラストの低下が少なく視野角の広い表示品質の良い液晶表示装置として、広く用いられるようになっている。
【０００３】
加えて近年、さらにＦＦＳパネルの表示品質の向上に関する技術が開示されている。その一つとして、例えば、特許文献１において、画素電極に形成したスリット状の開口の一端を開放して櫛歯状の帯状電極部とすることによって、ＦＦＳパネルで生じるリバースツイストを抑制し、画素の表示輝度を高くする技術が開示されている。
【０００４】
このように、種々の開示技術によって表示品質の向上が図られるＦＦＳパネルは、表示品質の向上とともに、例えば、プロジェクターのライトバルブ（光変調素子）として利用することも行われるようになっている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−３２７９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、プロジェクターでは、光学系部品（例えば偏光ビームスプリッター）の形成を容易にしたり、光学系の設計を容易にしたりするために、通常ライトバルブの外形に対して水平もしくは垂直な偏光光（例えばＰ偏光やＳ偏光）が用いられる。また、ライトバルブには外形に沿った方向に遮光層によって区画され、略矩形の開口領域を有する画素が形成される。従って、プロジェクターは、この画素の領域端の一辺に沿った方向に偏光方向を有する光をライトバルブに入射し、入射した光を液晶の配向方向を制御することによって変調して、画素ごとに透過率を制御する。こうして各画素は所定の輝度に制御されることによって画像を表示するように構成されている。
【０００７】
このために、特許文献１に開示された画素電極が櫛歯状の帯状電極部を有するＦＦＳパネルをプロジェクターのライトバルブとして用いる場合は、液晶の初期的な配向方向を画素の領域端の一辺に沿う方向とする必要がある。従って、ＦＦＳパネルでは、液晶分子がリバースツイストしないよう一定方向に回転させるために、帯状電極部の長手方向を、画素の領域端の一辺に対して傾けて形成する必要が生ずる。
【０００８】
しかしながら、このようなＦＦＳパネルにおいては帯状電極部を傾けることから、画素の領域端において、特に帯状電極部つまり画素電極からの距離が最も遠くなる角部では、画素電極と共通電極との間で印加される電界（横電界）の強度が低下する。この結果、画素の角部において、液晶分子に印加される電界強度が低下して回転が不足し、液晶分子が本来の配向方向に到達しないことが生じる。このため、所定の輝度が得られず、表示品質が低下してしまうという課題が生ずる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］対向する一対の基板と、前記一対の基板に挟持された液晶層と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ、互いに間隔を有して配列され、少なくとも一端で連結された複数の帯状電極部を有する第１の電極と、前記一対の基板の一方の基板に設けられ、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極と、が設けられ、前記第１の電極と前記第２の電極とを含み、複数の略矩形の画素の領域を構成する液晶装置であって、前記第１の電極の前記複数の帯状電極部は、該帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する前記画素の領域端の一辺に対してそれぞれ傾いた長手方向の外形線を有しており、前記画素の領域端の一辺に隣接した帯状電極部の外形線は、前記画素の領域端の一辺に対して傾いているとともに、当該画素の領域内における他の帯状電極部の長手方向の外形線よりも、前記画素の領域端の一辺に対する傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、第１の電極の外形線が画素の領域端の一辺に近づくために、画素の領域端や角部にも適切に横電界を印加することができる。この結果、画素の領域端や角部において液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させることができるので、画素の明るさを改善することができ、表示品質の低下を抑制することができる。
【００１２】
［適用例２］上記液晶装置であって、前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、前記外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１３】
画素の領域端では、液晶分子の回転不足に起因して生ずる輝度低下の範囲が特定される場合がある。そこで、このような場合、特定される領域に応じた所定の位置から帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に近づけるようにすれば、画素の領域端や角部において液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させることができるので、画素の明るさを改善することができ、表示品質の低下を抑制することができる。
【００１４】
［適用例３］上記液晶装置であって、前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする。
【００１５】
画素の領域端において、輝度低下の範囲が、実際に凡そ画素領域の半分の領域に特定される場合がある。このような場合、画素の領域端の一辺の略半分の位置から帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に近づけるようにすれば、画素の領域端や角部において、液晶分子を本来の配向方向に到達するべく回転させ、画素の明るさを改善することができる。
【００１６】
［適用例４］上記液晶装置であって、前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、画素の領域端の一辺に沿う方向において、画素領域の角部に近くなるほど、帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に除々に近づける。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、特に画素領域の角部における液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００１８】
［適用例５］上記液晶装置であって、前記第２の電極のうち互いに隣り合う２つの前記帯状電極部の長手方向の外形線の傾きがそれぞれ異なるように形成され、前記隣り合う２つの帯状電極部において対向する前記長手方向の外形線は、少なくとも一方の前記帯状電極部の前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００１９】
液晶装置において、視野角特性を改善するために、長手方向の傾きが互いに異なる帯状電極部を形成することによって、１つの画素において２つ（複数）の異なる配向状態を作り出すマルチドメインが構成される場合がある。このような場合、この構成によれば、互いに傾きが異なって隣り合う帯状電極部間において生ずる隙間を狭くすることができる。従って、長手方向が互いに異なる帯状電極部間において、液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２０】
［適用例６］上記液晶装置であって、前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、隣り合う他方の前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする。
【００２１】
長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域において、液晶の回転不足に起因して生ずる輝度低下の範囲が特定される場合がある。このような場合、特定される領域に応じた所定の位置から、一方の帯状電極部の長手方向の外形線を、他方の帯状電極部の長手方向の外形線に近づけるようにすれば、帯状電極部間の画素領域において液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２２】
［適用例７］上記液晶装置であって、前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする。
【００２３】
長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域では、実際に凡そ画素領域の半分以内の領域において輝度の低下が生じる場合がある。このような場合、画素の領域端の一辺の略半分の位置から一方の帯状電極部の長手方向の外形線を他方の帯状電極部の長手方向の外形線に近づけるようにすれば、長手方向が互いに異なる帯状電極部間の画素領域において液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させることができる。この結果、画素の明るさを改善することができる。
【００２４】
［適用例８］上記液晶装置であって、前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、画素の領域端の一辺に沿う方向において、長手方向が互いに異なる帯状電極部の対向する外形線間の距離が遠くなるほど、一方の帯状電極部の長手方向の外形線を他方の帯状電極部の長手方向の外形線に除々に近づける。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、長手方向が互いに異なる帯状電極部の対向する外形線間の領域における液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００２６】
［適用例９］上記液晶装置を備えた電子機器。
【００２７】
上記液晶装置は、明るさの減少が少ない表示品質の低下を抑制した液晶装置であることから、この液晶装置を搭載した電子機器であれば、表示品質の良い電子機器を提供することができる。特に、この液晶装置を透過光の光変調素子として備えた電子機器としてのプロジェクターは、明るい画像を投射できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を実施形態に基づいて説明する。なお、以降の説明において用いる図面は、説明のために誇張して図示している場合もあり、必ずしも実際の大きさや長さを示すものでないことは言うまでもない。
【００２９】
図１は、本発明を具現化した一実施形態となる液晶装置１００を光変調素子（ライトバルブ）として備えた電子機器としてのプロジェクター１の概略構成を示した構成図である。このプロジェクター１は、光源１０１から照射された照射光を、偏光ビームスプリッター１０２によって偏光方向が揃えられた光にする。そして、この偏光方向が揃えられた照射光を液晶装置１００に設けられた各画素を透過する際に光変調する。そして画素毎に光変調した照射光を所定の距離を隔てて設置されたスクリーン（不図示）上に投射レンズ１０３によって投射する。このようにして、液晶装置１００に表示された画像が投射される。もとより、プロジェクター１は、液晶装置１００を複数備え、複数の液晶装置１００に応じた光学系（ミラーやクロスプリズムなど）を形成したものであってもよい。
【００３０】
本実施形態では、偏光ビームスプリッター１０２によって揃えられた照射光の偏光方向を、プロジェクター１の本体の厚さ方向（図面上下方向）となるＹ軸方向とする。ここでは説明を省略するが、偏光ビームスプリッター１０２の製造上の理由や、プロジェクター１において構成される光学系の設計上の理由などから、表示画面の縦方向または横方向を偏光方向と一致させることが多い。そこで、本実施形態では偏光方向をＹ軸方向とする。もとより、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向としてもよい。
【００３１】
また、液晶装置１００に画像が表示されない状態、つまり液晶装置１００における各画素において、後述する画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態では、スクリーンに何も投射されない黒の状態とすることが使用上好ましい。従って、本実施形態のプロジェクター１では、液晶装置１００はノーマリーブラック表示を行うものとする。もとより、画素電極と共通電極間に電圧が印加されない初期状態で白の状態となるノーマリーホワイト表示を行うものとしても差し支えない。
【００３２】
次に、液晶装置１００について説明する。図２は、画像を表示する複数の画素が設けられた液晶装置１００の構成を模式的に示した説明図である。液晶装置１００は、基板１０と基板３０とが、図示しない液晶層（後述する）を封止状態で挟んで重ね合わされた構造を有している。
【００３３】
基板１０は、その外周部分に、走査駆動回路１２０とデータ駆動回路１１０、および共通端子１３０とが、ガラスや石英あるいは樹脂などの透明基板上（図面表面側）に形成されたものである。走査駆動回路１２０からはＸ軸方向に走査線１２１が、データ駆動回路１１０からはＹ軸方向にデータ線１１１が、図２に示したようにそれぞれ出力配線されている。また、走査線１２１とデータ線１１１の交点付近には、各画素Ｇに対応して図示しない薄膜トランジスター（後述する）が形成されている。各薄膜トランジスターは、走査線１２１によって供給される電圧によってオン・オフが制御され、オン時において、データ線１１１によって供給される電圧が、第１の電極としての画素電極（後述する）に印加されるように構成されている。
【００３４】
共通端子１３０は、これに接続された共通配線１３１によって、各画素Ｇに形成された第２の電極としての共通電極（後述する）に対して共通な電圧（例えば接地電位）を供給する。従って、各画素Ｇにおいて、薄膜トランジスターのオンによってデータ線１１１から供給される電圧と、共通配線１３１によって供給される電圧（つまり接地電位の電圧）との差分電圧が、画素Ｇに対応する液晶層に印加されるように構成されている。
【００３５】
基板３０は、画素Ｇに対応する領域部分を開口領域（光透過領域）とし、その他の領域部分が遮光領域となるように金属膜などの所定の遮光層が、ガラスや石英または樹脂などの透明基板上（図面裏側）に形成されたものである。従って、画素間においては、Ｙ軸方向およびＸ軸方向にはそれぞれ遮光層３２が形成される。そして、基板３０を基板１０に重ね合わせたとき、遮光層３２はデータ線１１１、走査線１２１、共通配線１３１および薄膜トランジスターと重なるように構成されている。
【００３６】
次に、本実施形態における液晶装置１００において、各画素に形成された画素電極と共通電極の様子を、図３および図４を用いて説明する。図３は、図２において液晶装置１００の左上部分に例示した４つの画素Ｇについて、各画素Ｇに形成された配線の様子を示した模式平面図であり、液晶装置１００を、基板３０側から、基板３０を透視状態で見た状態で示している。なお、本実施形態の液晶装置１００が備える画素電極の形状（後述の第１実施例および第２実施例）が奏する効果に対する理解を容易にするために、図３における画素電極の形状は、変更前すなわち従来の画素電極の形状で示している。また、図４は、液晶装置１００の部分断面を示す模式図である。
【００３７】
基板１０には、図３に示したように、データ線１１１がＹ軸方向に、走査線１２１がＸ軸方向に、それぞれ形成されている。そして、この両配線の交点付近には、薄膜トランジスター（以降、単に「トランジスター」）２０が形成されている。すなわち、データ線１１１の配線が延伸して形成されたソース電極２０ｓと、チャネル領域が形成された半導体層２０ａと、走査線１２１が兼ねるゲート電極２０ｇと、ドレイン電極２０ｄと、からなるトランジスター２０が形成されている。そして、ドレイン電極２０ｄは、コンタクトホールＣＨ１を介して、画素電極１１と電気的に接続されている。従って、走査線１２１すなわちゲート電極２０ｇに供給される電圧によって、トランジスター２０がオンすると、データ線１１１に供給された電圧が、ドレイン電極２０ｄを介して画素電極１１に印加される。
【００３８】
本実施形態では、画素電極１１は、電極の長手方向の外形線がＹ軸方向に対して、リバースツイストを抑制するためにα度（例えば１０度〜２０度）時計方向（図面右側への回転方向）に傾き、一端が開放状態で、他端が連結されて電気的に接続された櫛歯状を呈する３つの帯状電極部で形成されているものとする。もとより、電極の長手方向の外形線がＹ軸方向に対して、α度（例えば１０度〜２０度）反時計方向（図面左側への回転方向）に傾いて形成されるものとしてもよい。また、帯状電極部は少なくとも２つ形成されていればよい。
【００３９】
また、基板１０には、共通配線１３１がＸ軸方向に形成されている。そして、この共通配線１３１とコンタクトホールＣＨ２を介して電気的に接続された共通電極１３が、画素Ｇの領域を含む大きさのベタ電極で形成されている。従って、画素Ｇの領域において、画素電極１１と共通電極１３とは、平面的に重なるように形成されている。
【００４０】
このように形成された画素電極１１と共通電極１３との間に印加される電圧によって、液晶層４０に対して基板１０に沿う方向の横電界が発生し、前述したようにＦＦＳ方式による液晶分子の配向制御が行われる。なお、画素電極１１および共通電極１３は、導電性を有する透光性の材料（例えばＩＴＯ）で形成されている。もとより、画素の透過光の光量減少が実用上影響がない場合は、画素電極１１は金属材料（アルミニウムなど）で形成されることとしてもよい。
【００４１】
次に、液晶装置１００の断面構成について、図４を用いて説明する。図４は、図３におけるＢ−Ｂ断面を示した模式図である。図示するように、液晶装置１００は、基板１０と基板３０とによって液晶層４０を挟持した構成を有している。そして基板３０の液晶層４０と反対側には偏光板４４が、また基板１０の液晶層４０と反対側には偏光板４５が、それぞれ所定の偏光軸方向を呈するように貼り付けられている。なお、本実施形態では、液晶層４０は、分極方向が配向方向と同方向であるポジ型の液晶分子によって形成されているものとする。もとより、分極方向が配向方向と直交しているネガ型の液晶分子によって形成されていることとしてもよい。
【００４２】
基板３０は、平板としての基材３１に対して、液晶層４０側の基板面に、遮光層３２、配向膜３９が順次形成されたものである。遮光層３２は金属膜（例えばクロム）や樹脂からなる。配向膜３９は、例えばポリイミド樹脂からなり、遮光層３２および画素Ｇの領域を覆うように形成されている。なお、基板３０において、配向膜３９と遮光層３２との間に、配向膜３９を平坦化するための平坦化層やオーバーコート層が形成されることとしてもよい。また、基板３０において、基材３１と配向膜３９との間に、少なくとも画素Ｇの領域に相当する光透過領域に、所定の色を透過するカラーフィルター層が形成されることとしてもよい。
【００４３】
基板１０は、平板としての基材１４に対して、液晶層４０側の基板面に、走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）と共通配線１３１、ゲート絶縁層１５、半導体層２０ａ、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）とドレイン電極２０ｄ、層間絶縁層１６、平坦化層１７、共通電極１３、絶縁層１８、画素電極１１、配向膜１９が順次形成されたものである。
【００４４】
走査線１２１（ゲート電極２０ｇ）、共通配線１３１、データ線１１１（ソース電極２０ｓ）、およびドレイン電極２０ｄは、金属材料（例えばアルミニウム）によって形成されている。半導体層２０ａは、アモルファスシリコンやポリシリコン等の半導体が用いられる。また、ゲート絶縁層１５は例えば酸化シリコンが、層間絶縁層１６は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、平坦化層１７は樹脂材料が、絶縁層１８は例えば酸化シリコンや窒化シリコンが、それぞれ用いられ、いずれも透光性を有する層として形成される。配向膜１９は、例えばポリイミド樹脂からなり、画素電極１１の液晶層４０に接する側であって、少なくとも画素電極１１を覆うように形成されている。
【００４５】
さて、本実施形態では、液晶装置１００は前述するように、ノーマリーブラック表示を行うように構成されている。また、液晶層がポジ型の液晶分子で形成され、基板３０側から液晶装置１００に入射する照射光の偏光方向がＹ軸方向であることから、液晶分子の初期的な配向方向がＹ軸方向となるように、配向膜１９および配向膜３９が配向処理されている。すなわち、配向膜３９および配向膜１９の配向処理方向は、ともにＹ軸方向であって互いにプレチルト角が反対向きになるように施されている。
【００４６】
また、偏光板４４はＹ軸方向に透過軸を呈し、偏光板４５はＸ軸方向に透過軸を呈するクロスニコル配置となるように貼り付けられている。もとより、基板３０に入射する照射光が、ほぼＹ軸方向のみに振動する偏光光である場合は、照射光の入射側となる偏光板４４は無くても差し支えない。
【００４７】
次に、このように構成された液晶装置１００において行われる液晶分子の回転動作について、図５を用いて説明する。図５は、一つの画素Ｇにおいて横電界に応じて回転する液晶分子ＥＢを示す模式図であり、液晶分子ＥＢについて、初期的な配向状態を実線で、横電界による回転状態を破線でそれぞれ示している。
【００４８】
図５に示したように、画素電極１１に電圧が印加されない初期状態では、配向膜１９および配向膜３９に施された配向処理によって、液晶分子ＥＢはＹ軸方向に配向する。そして、トランジスター２０がオンして、データ線１１１から供給される電圧が画素電極１１に印加されることにより、共通電極１３との間で横電界を発生させると、電界方向は、画素電極１１を構成する帯状電極部の長手方向の外形線に対して直交する方向、つまりＸ軸方向に対して時計方向にα度回転した方向に発生する。この結果、液晶分子ＥＢは、図中破線で示したように、総て回転角が小さい方向つまり反時計方向に一様に安定して回転することになりリバースツイストの発生が抑制される。こうして、液晶分子ＥＢの回転角は画素電極１１に印加される電圧によって画素毎に制御される。こうして、照射光を画素ごとに光変調することができる。もとより、画素電極１１を、Ｙ軸方向に対して時計方向でなく、反時計方向にα度回転した方向に傾けて形成することとしても差し支えない。
【００４９】
さて、図５に示したように、画素Ｇの領域端のうちＹ軸方向に沿う一辺（以降、単に「領域端の一辺」と呼ぶ）において、画素Ｇの領域の角部Ｒｋ（図面左上と右下に示した楕円領域）においては、画素電極１１の帯状電極部分がα度（例えば１０度〜２０度）時計方向に傾いているため、画素Ｇの領域端の一辺に対向する画素電極１１の外形線１１ａおよび外形線１１ｂは、その画素ＧのＹ軸方向の領域端の一辺から遠い位置になってしまう。このため、角部Ｒｋにおいては液晶分子ＥＢに印加される横電界の強度が低下してしまうことになる。従って、角部Ｒｋにおける液晶分子ＥＢの回転角は他の領域の液晶分子ＥＢに比べて小さい回転（図中、破線形状部分）になり、その結果、画素電極１１に印加された電圧に応じて画素毎に正しく光変調することができない液晶装置１００となる虞がある。
【００５０】
そこで、本実施形態における液晶装置１００は、このような画素Ｇの領域の角部Ｒｋにおいて液晶分子ＥＢの回転不足の発生を抑制できるように、画素電極１１の形状を従来の形状に対して変更する。以下、変更した画素電極１１の形状について２つの実施例を挙げ、これらを、図６〜図９を用いて順次説明する。
【００５１】
（第１実施例）
まず第１実施例を説明する。図６は、本実施形態の液晶装置１００に設けられた画素Ｇにおいて、変更形成された第１実施例の画素電極１１の形状を示す模式図である。図示するように、本実施形態の液晶装置１００は、画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する両端の帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、それぞれ、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの傾き角度であるα度よりも小さいβ度およびγ度とするのである。なおβ度とγ度の角度の決定方法については後述する。また、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きの起点は、外形線１１ａｈについては帯状電極部の連結端１１ｄであり、外形線１１ｂｈについては帯状電極部の開放端１１ｅである。
【００５２】
このように画素電極１１を形成することによって、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて、画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離が近くなるため、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて生ずる横電界の強度低下を抑制することが可能となる。
【００５３】
ここで、従来の形状の画素電極１１と、本実施例の画素電極１１とを、実際のＦＦＳパネルにおいて比較した結果を図７に示す。図７は、Ｙ軸方向の画素間ピッチが３０μｍで、Ｘ軸方向の画素間ピッチが２４μｍで形成されたＦＦＳパネルにおいて、画素の白表示状態で比較した結果を示した模式図である。図７（ａ）は、従来の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示し、図７（ｂ）は、本実施例の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示している。
【００５４】
図示するように、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋの透過率が、従来の画素電極形状に対して改善されている様子が解かる。従って、本実施例による画素電極１１の形状を形成した液晶装置１００によれば、画素Ｇの角部Ｒｋにおける横電界の低下を抑制することができるので、データ線１１１から供給された電圧によって、画素毎に照射光を正しく光変調することが可能となる。この結果、表示品質の低下を抑制することができる。
【００５５】
（第２実施例）
次に第２実施例を説明する。上記第１実施例では、画素電極１１の帯状電極部のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する両端の帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、帯状電極部の連結端１１ｄあるいは帯状電極部の開放端１１ｅを起点として、それぞれα度よりも小さいβ度およびγ度とした。そのために、画素電極１１において両端の帯状電極部のＸ軸方向の電極幅は、他の帯状電極部（ここでは中央の１本）に比べて広くなってしまう。このために、図７に示したＦＦＳパネルでは、画素電極１１の領域上における液晶分子の挙動に起因して、図７（ｂ）において白抜き矢印で示したように、画素Ｇの領域端の一辺に対向する両端の帯状電極部において、電極幅に応じた透過率の減少が生じてしまう。
【００５６】
そこで、本実施例では、帯状電極部の連結端１１ｄあるいは帯状電極部の開放端１１ｅを起点とせず、外形線１１ａおよび外形線１１ｂの線状における所定の位置を起点として、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きを、それぞれα度よりも小さいβ度およびγ度とするのである。こうすれば、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおいて、画素電極１１と画素Ｇの領域端の一辺までの距離を近くする一方、画素電極１１において両端の帯状電極部の幅を、上記実施例に比べて狭くすることができる。
【００５７】
図８は、本実施形態の液晶装置１００に変更形成された第２実施例の画素電極１１を有する画素Ｇについて、その画素電極１１の形状を示す模式図である。図示するように、本実施例では、画素電極１１のうち、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の外形線１１ａの傾きを、帯状電極部の連結端１１ｄから距離ＤＹ離れた位置を起点として、α度よりも小さいβ度とする。また、外形線１１ｂの傾きを、帯状電極部の開放端１１ｅから距離ＥＹ離れた位置を起点として、α度よりも小さいγ度とするのである。
【００５８】
このように画素電極１１を形成することによって、画素Ｇの領域端や角部Ｒｋにおける画素電極１１と画素Ｇの一辺までの距離が近くなる一方、画素電極１１において両端の帯状電極部の幅を、上記実施例に比べて狭くすることができる。
【００５９】
本実施例の画素電極１１を有し、Ｙ軸方向の画素間ピッチが３０μｍで、Ｘ軸方向の画素間ピッチが２４μｍで形成されたＦＦＳパネルにおいて、具体的に画素が白表示の状態を呈した様子を図９に示した。図９（ａ）は、本実施例の画素電極形状（左側）と、このときの画素Ｇの白表示状態（右側）を示している。また、図９（ｂ）は、Ｙ軸方向が１５μｍの位置におけるＸ軸方向の画素Ｇの透過率について、第２実施例（実線）の状態を、第１実施例（破線）と比較して示したものである。
【００６０】
図９（ａ）に示すように、本実施例による画素電極１１の形状を形成した液晶装置１００によれば、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋの透過率が、従来の画素電極形状に対して改善されているとともに、画素電極１１の両端の帯状電極部のＸ軸方向の幅に起因する透過率の低下を抑制することができる。また、図９（ｂ）に示したように、上記第１実施例の画素電極形状に対して、第２実施例では、外形線１１ａｈの位置が画素Ｇの端部から遠くなるために端部における透過率が低下するものの、Ｘ軸方向についての全体の透過率の積分値は大きくなっているので、画素Ｇ全体の透過率も高くなっていることが解かる。従って、本実施例の画素電極１１の形状によれば、データ線１１１から供給された電圧によって、画素毎に照射光を正しく光変調することができ、表示品質の低下を抑制することが可能となる。
【００６１】
なお、本実施例では、図９（ａ）に示したように、距離ＤＹおよび距離ＥＹは、画素Ｇの領域端の一辺の凡そ２等分線上の位置としている。これは、図７（ａ）に示したように、画素Ｇの領域において凡そこの位置から角部Ｒｋの方向に透過率の低下減少が生じているからである。もとより、帯状電極部の傾き角や電極幅、あるいは帯状電極部の電極間隔などによって、画素Ｇの領域端における透過率の低下の様子が異なることから、実際に、従来の画素電極形状を用いて製作したＦＦＳパネルを白表示させ、呈する白表示の透過率に基づいて、それぞれの所定の位置を決定することが好ましい。
【００６２】
ところで、上記第１実施例および第２実施例では、画素電極１１において、画素Ｇの領域端の一辺に対向位置する帯状電極部の外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈは、Ｙ軸方向からの傾き角が、それぞれα度よりも小さいβ度（β＞０）およびγ度（γ＞０）であることとした。その結果、このような形状変更によって帯状電極部のＸ軸方向の電極幅は広がるため、角部Ｒｋにおいて透過率が改善される一方、帯状電極部分における透過率は電極幅が広くなることによって低下するというトレードオフ状態となった。
【００６３】
そこで、本実施形態の液晶装置１００においては、帯状電極部の形状変更に際して、画素Ｇ全体の透過率が最も高くなるように、β度およびγ度をそれぞれ決定することが好ましい。一例としてβ度の決定方法について、図１０を用いて説明する。なお、γ度についても、β度と同様である。
【００６４】
図１０（ａ）は、上記第２実施例の画素電極１１が形成され、Ｙ軸方向の画素ピッチが３０μｍ、Ｘ軸方向の画素ピッチが２４μｍで形成された画素Ｇの様子を示す模式図である。また、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）において、Ｙ軸方向が２５μｍの位置におけるＸ軸方向の線分Ａ−Ａについて、白表示状態における画素Ｇの透過率を示したグラフである。また図１０（ｂ）において示した５本の曲線は、それぞれ帯状電極部の電極幅を示している。なお、電極幅２μｍは、形状変更前の従来の画素電極１１が有する帯状電極部の電極幅である。
【００６５】
図示するように、帯状電極部の電極幅が従来の電極幅２μｍでは、画素Ｇの領域端（角部）において透過率が低くなっている。そして、電極幅を３μｍから増加していくと、徐々に画素Ｇの領域端（角部）の透過率が上昇改善されていく様子が解かる。一方、画素電極１１の領域では、電極幅を３μｍから増加していくと、画素電極１１の電極幅の領域上の透過率が低下する様子が解かる。そこで、各電極幅について、線分Ａ−Ａ全体におけるそれぞれの透過率を積分して平均透過率を求める。ここでは、電極幅が３μｍにおいて、透過率の平均値が最大となる。従って、Ｙ軸方向の位置が２５μｍにおいて、帯状電極部の電極幅が３μｍとなるように、β度を決定する。
【００６６】
あるいは、図１０（ｂ）示した透過率の変化具合から、画素Ｇの白表示時において、線分Ａ−Ａの領域のうち帯状電極部の外形線から画素Ｇの領域端の一辺までの範囲の透過率が、帯状電極部のＸ軸方向の電極幅の中央部の透過率を上回るよう、帯状電極部の電極幅を設定する。そして設定された電極幅になるようにβ度を決定して、帯状電極部の外形線を形状変更するようにしてもよい。より好ましくは、画素Ｇの領域端における透過率が、帯状電極部のＸ軸方向の電極幅の中央部の透過率と等しくなるように、帯状電極部の電極幅を設定する。そして設定された電極幅になるようにβ度を決定して、帯状電極部の外形線を形状変更するようにしてもよい。このように形状変更すれば、画素Ｇの領域において、全体の透過率の低下を抑制するとともに、画素毎に照射光を正しく光変調することができる。従って、表示品質の低下を抑制することが可能となる。
【００６７】
なお、上記第１および第２実施例において、画素Ｇの領域は、遮光層３２で区画された光透過領域としていることから、画素Ｇの領域端の一辺は、帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する側に配置された遮光層３２の一辺となるが、これに限るものでない。画素Ｇの領域端の一辺を、帯状電極部を有さない方の電極であって、帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する側に位置する該電極の端辺としてもよい。具体的に、上記実施例では、画素Ｇの領域端の一辺は、図３に示した共通電極１３の図面左右方向の端辺が相当する。遮光層３２を形成しない場合など、共通電極の領域によって画素領域が特定される場合は、このように画素の領域端の一辺を規定することが好ましい。
【００６８】
以上、本発明の実施の形態について実施例により説明したが、本発明はこうした実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において様々な形態で実施し得ることは勿論である。以下、変形例をあげて説明する。
【００６９】
（第１変形例）
上記実施例では、画素Ｇの領域端の一辺と対向する画素電極１１の帯状電極部の外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）の傾きを、一定の角度（β度、γ度）で小さく変更することとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）が画素Ｇの領域端の一辺と離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることとしてもよい。こうすることによって、画素Ｇの領域端の一辺に沿う方向において、画素Ｇの角部Ｒｋに近くなるほど、帯状電極部の長手方向の外形線を画素の領域端の一辺の方向に除々に近づけることができる。従って、帯状電極部の電極幅の増加を抑制しつつ、特に画素Ｇの角部Ｒｋにおける液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。本変形例の一例を、図１１を用いて説明する。
【００７０】
図１１は、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）を円弧で形成することによって、外形線１１ａｈ（外形線１１ｂｈ）が画素Ｇの領域の一辺と離れる方向において、傾きが漸減するように形成された画素電極１１を示した模式図である。なお、図１１（ａ）は、上記第１実施例において本変形例を適用した場合、図１１（ｂ）は、上記第２実施例において本変形例を適用した場合、をそれぞれ示している。もとより、円弧に限らず、外形線の傾きが漸減する形状であれば何でも良い。
【００７１】
図１１（ａ）では、画素Ｇの領域のうち図面左端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ａに対して、外形線が曲率半径Ｒ１の円弧形状の外形線１１ａｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ａｈは、その接線傾きが連結端１１ｄから漸減するように形成される。
【００７２】
また、画素Ｇの領域のうち図面右端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ｂに対して、外形線が曲率半径Ｒ２の円弧形状の外形線１１ｂｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ｂｈは、その接線傾きが開放端１１ｅから漸減するように形成される。
【００７３】
なお、曲率半径Ｒ１の中心Ｃ１および曲率半径Ｒ２の中心Ｃ２は、少なくとも画素Ｇの領域からＹ軸方向において離れた位置とすることが好ましい。こうすることによって、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きが画素Ｇの領域内においてＹ軸方向つまり液晶分子ＥＢの初期的な配向方向に対して同じ時計方向の傾きを維持できるので、リバースツイストの発生が抑制できる。
【００７４】
図１１（ｂ）では、画素Ｇの領域の図面左端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ａに対して、連結端１１ｄからＹ軸方向に沿って距離ＤＹ離れた位置から、外形線が曲率半径Ｒ３の円弧形状の外形線１１ａｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ａｈは、その接線傾きが距離ＤＹの位置から漸減するように形成される。
【００７５】
また、画素Ｇの領域の図面右端部に位置する帯状電極部の外形線について、従来の帯状電極部の外形線１１ｂに対して、開放端１１ｅからのＹ軸方向に沿って距離ＥＹ離れた位置から、外形線が曲率半径Ｒ４の円弧形状の外形線１１ｂｈとなるようにハッチングで示した電極領域を追加するように変更形成する。こうすることによって、外形線１１ｂｈは、その接線傾きが距離ＥＹの位置から漸減するように形成される。
【００７６】
なお、図１１（ａ）の場合と同様に、曲率半径Ｒ３の中心Ｃ３および曲率半径Ｒ４の中心Ｃ４は、少なくとも画素Ｇの領域からＹ軸方向に離れた位置とすることが好ましい。こうすることによって、外形線１１ａｈおよび外形線１１ｂｈの傾きが画素Ｇの領域内においてＹ軸方向つまり液晶分子ＥＢの初期的な配向方向に対して同じ時計方向の傾きを維持できるので、リバースツイストの発生が抑制できる。
【００７７】
また、本変形例において、各曲率半径Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４と、それぞれの中心Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、上述したβ度およびγ度の決定方法と同様に行えば良い。例えば、図１０（ｂ）において説明したように、各電極幅について、線分Ａ−Ａ全体におけるそれぞれの透過率を積分して平均透過率を求め、透過率の平均値が最大となるときの、帯状電極部の電極幅に基づいて曲率半径と中心を決定すればよい。
【００７８】
（第２変形例）
上記実施例では、画素電極１１について、帯状電極部の傾きが一定方向であるものとして説明したが、必ずしもこれに限らず、帯状電極部が複数の方向を有することとしてもよい。一例として、画素Ｇの領域内において、互いに傾きが異なる２つの帯状電極部を有する場合について、図１２を用いて説明する。
【００７９】
図１２は、それぞれ２本の帯状電極部が、Ｙ軸方向に対して時計方向と反時計方向の互いに反対側に傾いた方向を有し、一端が連結されて電気的に接続され、他端が開放された形状の画素電極１１を示した模式図である。ここでは詳しい説明を省略するが、１つの画素において２つ（複数）の配向状態を形成するマルチドメインを構成して視野角を広げることが行われる場合がある。このために、このように帯状電極部の長手方向を異なるように形成する場合がある。
【００８０】
図１２（ａ）は、それぞれ２つの帯状電極部の傾きが開放端側で開くように形成された画素電極１１に対して、本変形例を適用した場合を示す。図示するように、帯状電極部の外形線において、異なる傾きの外形線が対向する部分については、開放端に向かう方向に沿って互いの外形線間の距離が近づくように形状変更する。本変形例では、上記第２実施例の変更方法によって形状変更する。すなわち、画素電極１１は、図中網掛けで示した従来の帯状電極部の形状に対して、ハッチングで示した領域Ｓが追加された形状とする。
【００８１】
また、図１２（ｂ）は、それぞれ２つの帯状電極部の傾きが連結端側で開くように形成された画素電極１１に対して、本変形例を適用した場合を示す。図示するように、帯状電極部の外形線において、異なる傾きの外形線が対向する部分については、連結端に向かう方向に沿って互いの外形線間の距離が近づくように形状変更する。この場合においても、同様に上記第２実施例の変更方法によって形状変更する。すなわち、画素電極１１は、図中網掛けで示した従来の帯状電極部の形状に対して、ハッチングで示した領域Ｓを追加した形状とする。
【００８２】
このように形状変更すれば、画素Ｇの領域において、角部Ｒｋに加えて、互いに傾きが異なって隣り合う帯状電極部間において生ずる隙間の距離を近づけることができる。従って、角部Ｒｋに加えて、長手方向が互いに異なる帯状電極部間において、液晶分子を本来の配向方向に到達するように回転させるので、画素の全体の明るさを改善することができる。
【００８３】
なお、本変形例では、追加する領域Ｓの形状を上記第２実施例の変更方法による形状としたが、特にこれに限らず、上記第１実施例に変更方法による形状としてもよい。あるいは、上記第１変形例の変更方法による形状としてもよい。こうすれば、上記第１実施例、上記第２実施例、上記第１変形例において説明したそれぞれの効果を、本変形例において奏することができる。
【００８４】
（第３変形例）
上記実施例では、画素電極１１について、画素Ｇの領域端の一辺と対向する帯状電極部の２つの外形線１１ａと外形線１１ｂとの双方を形状変更することとしたが、必ずしもこれに限らず、一方のみ形状変更することとしてもよい。
【００８５】
本変形例の一例を、図１３に示した。図１３は、本変形例による画素電極１１が、Ｙ軸方向に２つ並んだ状態を示す模式図である。図示するように、本変形例は、上記第２実施例に示した画素電極１１において、画素Ｇの領域端の一辺と対向する２つの帯状電極部の外形線のうち、外形線１１ａについてのみ、その傾きを所定の位置から小さくした外形線１１ａｈに形状変更する。
【００８６】
画素電極１１の形状（例えば帯状電極部の傾き具合や帯状電極部の電極幅など）や、Ｘ軸方向あるいはＹ軸方向における画素ピッチなどに応じて、画素Ｇの領域内における角部Ｒｋにおいて透過率が低下する角部が特定される場合がある。例えば、図１３に示したように、配列された画素のＹ軸方向におけるピッチが狭く、このため形成される画素電極１１のＹ軸方向における間隔が狭い場合が存在する。このとき、画素Ｇの領域において、図面左上の角部Ｒｋ１は、図面右下の角部Ｒｋ２に比べて、隣りに位置する画素電極１１との間の距離が近くなる。従って、角部Ｒｋ１に位置する液晶分子ＥＢは、隣りの画素Ｇの画素電極１１から印加される電界の影響を受け易くなり、その結果、透過率が低くなってしまうことが起こり得る。
【００８７】
このような場合、透過率が低くなる角部Ｒｋ１に対して帯状電極部の形状変更を行うようにすればよい。こうすることによって、角部Ｒｋ１の透過率は改善され、表示品質の低下を抑制することができるのである。
【００８８】
（第４変形例）
上記実施形態では、画素電極１１について、帯状電極部の長手方向の一端が電気的に接続されない開放端であることとしたが、必ずしもこれに限らず、帯状電極部の長手方向の両端が連結され、電気的に接続された形状であることとしてもよい。本変形例の一例を、図１４に示した。
【００８９】
図１４は、本変形例の画素電極１１を示す模式図である。本変形例における従来の画素電極１１は、上記実施形態における画素電極に対して、帯状電極部の開放端側も、画素Ｇの領域外において電極１１ｆによって連結し、電気的に接続された形状（網掛け部分）である。そして、この従来の画素電極形状に対して、図示するように、上記第２実施例の変更方法によって領域Ｓ１を追加して形状変更した画素電極１１とするのである。
【００９０】
本変形例の画素電極形状によれば、開放端を形成しないので、前述したＦＦＳパネルで生じるリバースツイストの抑制効果は低くなるものの、画素Ｇの領域の角部Ｒｋで生ずる液晶分子ＥＢの回転不足を解消し、角部Ｒｋでの透過率を改善することによって表示品質の低下を抑制することが期待できる。
【００９１】
もとより、本変形例では、従来の画素電極形状を上記第２実施例の変更方法による形状としたが、特にこれに限らず、上記第１実施例に変更方法による形状としてもよい。あるいは、上記第１変形例の変更方法による形状としてもよい。こうすれば、上記第１実施例、上記第２実施例、上記第１変形例において説明したそれぞれの効果を、本変形例において奏することができる。
【００９２】
（その他の変形例）
また、上記実施形態では、画素電極１１は、長手方向がＹ軸方向に対して傾く帯状電極部を備えることとして説明したが、必ずしもこれに限らず、長手方向がＸ軸方向に対して傾く帯状電極部を備えることとしてもよい。
【００９３】
また、上記実施形態では、第１の電極を画素電極１１とし、第２の電極を共通電極１３としたが、これに限らず、第１の電極を共通電極とし、第２の電極を画素電極としても差し支えない。
【００９４】
また、上記実施例では、液晶装置１００を、プロジェクター１において光変調素子として用いることとして説明したが、必ずしもこれに限るものでないことは勿論である。例えば、液晶装置１００を直視型の表示装置として用いることとしてもよい。この場合は、液晶装置１００の裏面に蛍光管などを用いたバックライトを一体化して形成することが好ましい。このような液晶装置１００は、上述するように表示品質の低下が抑制された画像を表示できることから、この液晶装置１００をテレビやデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話、コンピューターなどの電子機器に直視型の表示装置として備えることとしてもよい。こうすれば、表示品質の良い画像を提供する電子機器が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一実施形態となる液晶装置を備えたプロジェクターの概略構成図。
【図２】液晶装置の構成を模式的に示した説明図。
【図３】液晶装置の各画素に形成された配線の様子を示した模式平面図。
【図４】液晶装置についての部分断面を示す模式図。
【図５】一つの画素において横電界に応じて回転する液晶分子を示す模式図。
【図６】第１実施例の画素電極の形状を示す模式図。
【図７】画素の白表示状態を示す模式図で、（ａ）は従来の画素電極形状と白表示状態を示し、（ｂ）は第１実施例の画素電極形状と白表示状態を示す。
【図８】第２実施例の画素電極の形状を示す模式図。
【図９】画素が白表示の状態を呈した様子示し、（ａ）は第２実施例の画素電極形状と白表示状態とを示す模式図、（ｂ）は、第１実施例（破線）と比較した第２実施例（実線）の透過率のＸ軸方向における状態図。
【図１０】（ａ）は、第２実施例の画素電極が形成された画素の様子を示す模式図。（ｂ）は、Ｘ軸方向の線分について、白表示状態における画素の透過率を示したグラフ。
【図１１】第１変形例で、外形線を円弧で形成された画素電極を示した模式図で、（ａ）は、第１実施例に本変形例を適用した場合、（ｂ）は、第２実施例に本変形例を適用した場合、を示す。
【図１２】第２変形例の画素電極形状を示す模式図で、（ａ）は帯状電極の傾きが開放端側で開く場合、（ｂ）は帯状電極の傾きが連結端側で開く場合を示す。
【図１３】第３変形例で、一方の帯状電極の外形線についてのみ形状変更する場合を示した模式図。
【図１４】第４変形例で、帯状電極が両端とも連結した状態の画素電極を示す模式図。
【符号の説明】
【００９６】
１…プロジェクター、１０…基板、１１…画素電極、１１ａ，１１ａｈ，１１ｂ，１１ｂｈ…外形線、１１ｄ…連結端、１１ｅ…開放端、１１ｆ…電極、１３…共通電極、１４…基材、１５…ゲート絶縁層、１６…層間絶縁層、１７…平坦化層、１８…絶縁層、１９…配向膜、２０…トランジスター、２０ａ…半導体層、２０ｄ…ドレイン電極、２０ｇ…ゲート電極、２０ｓ…ソース電極、３０…基板、３１…基材、３２…遮光層、３９…配向膜、４０…液晶層、４４…偏光板、４５…偏光板、１００…液晶装置、１０１…光源、１０２…偏光ビームスプリッター、１０３…投射レンズ、１１０…データ駆動回路、１１１…データ線、１２０…走査駆動回路、１２１…走査線、１３０…共通端子、１３１…共通配線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられ、互いに間隔を有して配列され、少なくとも一端で連結された複数の帯状電極部を有する第１の電極と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられ、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極と、が設けられ、
前記第１の電極と前記第２の電極とを含み、複数の略矩形の画素の領域を構成する液晶装置であって、
前記第１の電極の前記複数の帯状電極部は、該帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する前記画素の領域端の一辺に対してそれぞれ傾いた長手方向の外形線を有しており、
前記画素の領域端の一辺に隣接した帯状電極部の外形線は、前記画素の領域端の一辺に対して傾いているとともに、当該画素の領域内における他の帯状電極部の長手方向の外形線よりも、前記画素の領域端の一辺に対する傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、前記外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第２の電極のうち互いに隣り合う２つの前記帯状電極部の長手方向の外形線の傾きがそれぞれ異なるように形成され、
前記隣り合う２つの帯状電極部において対向する前記長手方向の外形線は、少なくとも一方の前記帯状電極部の前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置であって、
前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、隣り合う他方の前記帯状電極の長手方向の外形線から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置であって、
前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
【請求項１】
対向する一対の基板と、
前記一対の基板に挟持された液晶層と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられ、互いに間隔を有して配列され、少なくとも一端で連結された複数の帯状電極部を有する第１の電極と、
前記一対の基板の一方の基板に設けられ、前記第１の電極との間で電界を生じさせる第２の電極と、が設けられ、
前記第１の電極と前記第２の電極とを含み、複数の略矩形の画素の領域を構成する液晶装置であって、
前記第１の電極の前記複数の帯状電極部は、該帯状電極部の長手方向の外形線が隣接する前記画素の領域端の一辺に対してそれぞれ傾いた長手方向の外形線を有しており、
前記画素の領域端の一辺に隣接した帯状電極部の外形線は、前記画素の領域端の一辺に対して傾いているとともに、当該画素の領域内における他の帯状電極部の長手方向の外形線よりも、前記画素の領域端の一辺に対する傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、前記外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶装置であって、
前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記画素の領域端の一辺と対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が前記画素の領域端の一辺から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第２の電極のうち互いに隣り合う２つの前記帯状電極部の長手方向の外形線の傾きがそれぞれ異なるように形成され、
前記隣り合う２つの帯状電極部において対向する前記長手方向の外形線は、少なくとも一方の前記帯状電極部の前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置であって、
前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、隣り合う他方の前記帯状電極の長手方向の外形線から離れる方向における所定の位置から、前記傾きが小さくなるように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶装置であって、
前記所定の位置は、前記画素の領域端の一辺の略２等分線上の位置であることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項５ないし７のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記少なくとも一方の帯状電極部の長手方向の外形線は、当該外形線が対向する前記帯状電極部の長手方向の外形線から離れる方向において、前記傾きが漸減するように形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−１６４６００（Ｐ２０１０−１６４６００Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−４３００（Ｐ２００９−４３００）
【出願日】平成２１年１月１３日（２００９．１．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月１３日（２００９．１．１３）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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