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Fターム[5C094DB04]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 電気的接続 (3,264) | 素子同士の接続 (1,011)

Fターム[5C094DB04]に分類される特許

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本発明は、薄膜トランジスタ表示板とこれを含む液晶表示装置及びその製造方法に関し、薄膜トランジスタ表示板は液晶表示装置や有機EL(electro luminescence)表示装置などで、各画素を独立的に駆動するための回路基板において、画素電極またはゲート線及びデータ線の拡張部を外部回路と接続させるコンタクト補助部材を、IZO及びITOの2重層で形成することに対する発明であって、IZOで形成された下部層とITOで形成された上部層を有するように形成する。前記のように画素電極またはコンタクト補助部材を二重層で形成することによって、エッチング過程で下部配線が損傷されることを防止し、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を良好に確保することができる。また、コンタクト補助部材のみをIZOとITO二重層で形成することによって、グロステストの際に探針とコンタクト補助部材とのコンタクト抵抗の均一性を確保することができ、ITOの使用を減らすことによって製造単価を下げることができる。
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【課題】非線形二端子素子を用いて有機EL表示装置をマトリクス駆動する。
【解決手段】 第1組のストライプ電極104と、該第1組のストライプ電極に交差する第2組のストライプ電極116と、該第1組および第2組のストライプ電極の各電極の交差する点にある複数の画素とを基板102上に備え、画素のそれぞれには、前記第1組のストライプ電極に電気的に接続された非線形二端子素子からなるスイッチング素子114と、該スイッチング素子と電気的に接続され、前記第2組のストライプ電極に電気的に接続された発光部110と、有機誘電体を誘電層として含み、該発光部に並列となるように、該スイッチング素子及び前記第2組のストライプ電極に電気的に接続されたコンデンサー部106とが備えられている表示装置。 (もっと読む)


アクティブマトリックスディスプレイに、ディスプレイ基板の上、しかし表示領域(63)の外側で、ディスプレイの端に沿って延びる、導体ライン(62a,62b,62c)が設けられる。これらの導体ラインは、画素のアレイを定義する薄膜層に追加される、少なくとも1つの層(90)を備える。行ドライバ回路および/または列ドライバ回路は、表示領域(63)の外側で共通基板に設けられた、導体ラインに接続する部分(40,50)を有する。専用の処理を、導体ラインのために用いて、低抵抗のラインを形成することができる。これらは、行または列ドライバ回路の、共通基板への集積化または実装を助ける。
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画素からの発光は、センサで受光される。センサは、画素の動作中にセンサの測定可能なパラメータ値を受信または決定する制御ユニットに接続される。目標値は、制御ユニットに接続され、制御ユニットは測定可能なセンサパラメータと目標値を比較可能になる。制御ユニットは、画素からの発光を変更するように動作可能な画素ドライバに接続される。画素ドライバは、測定可能なセンサパラメータが目標値に到達したことを示すまで、画素からの発光を変化できる。目標値は、センサの較正に基づいて決定できる。複数の目標値は、ルックアップテーブルに保存できる。パッシブおよびアクティブマトリクスディスプレイは、本発明の方法および装置に従って制御可能である。

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【課題】 従来の大形表示装置において、反射型表示装置は外光を反射して表示するので夜間など暗い環境のもとでは表示部の前面に照明装置を設ける必要があった。また、自発光のLEDによる表示は、高輝度を必要とし、大電力を消費するものであり、しかもコストが高かった。
【解決手段】 反射型表示素子と自発光表示素子を組み合わせて表示素子を構成すると、昼は反射型の大形表示装置として使用できる。また、夜は自発光の表示装置として使用できるので照明が不要となり薄型化できる.しかも夜の表示は昼間に比べて輝度を抑制できるので低消費電力化できる. (もっと読む)


【課題】 電気特性の優れた多結晶TFTを提供する。
【解決手段】多結晶膜3を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置4のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒5だけを、しかも所望の結晶面(ファセット)6を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にLDDまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 (もっと読む)


【課題】 鮮明な多階調カラー表示の可能なEL表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】 画素104に設けられたEL素子109の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用TFT108の特性バラツキによる影響を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】 優れた特性を有する多結晶シリコン膜を備えた半導体装置を高い歩留まりで製造することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 石英ガラスや無アルカリガラスなどの基板1上に、非晶質シリコン膜2aを形成する。その非晶質シリコン膜2a上にWシリサイド膜(導電膜)4bを形成する。そして、Wシリサイド膜(導電膜)4bに対し、高周波やYAGレーザービームなどの電磁波を照射することにより、Wシリサイド膜(導電膜)4bを発熱させ、この熱を利用して、非晶質シリコン膜2aを多結晶シリコン膜2に変える。 (もっと読む)


【課題】 IC等の半導体装置や、表示装置に用いられるTFT基板で使用される、Alを含む積層配線の信頼性を高める。
【解決手段】 上層の金属層22を下層のAl又はAlを含む合金材料層21の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させる。この積層配線は、エッチングによりこれを作製する際に、上層の金属層22よりも下層のAl又はAlを含む合金の材料層21の方のエッチング速度を大きくして、Al又はAlを含む合金の材料層21のサイドエッチングを多くし、上層の金属層22を下層のアルミニウム又はアルミニウムを含む合金材料層21の露出した側壁を少なくとも部分的に隠蔽するよう下方に湾曲させることで作製できる。 (もっと読む)


【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のTFTのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(9a)とを備える。TFT(30)の下側には、第1遮光膜(11a)が設けられている。データ線(6a)は、遮光性の材料からなり、TFTのチャネル領域(1a’)及びチャネル隣接領域(1a”)を対向基板(20)の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部(6b)とを有する。 (もっと読む)


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