【課題】ＡＭ−ＯＬＥＤ等に比べて構成要素の膜厚管理を厳密に管理しなくても、高い発光効率と優れた光取り出し効率で駆動でき、幅広い発光波長で良好な駆動を期待できる自発光型表示装置を提供する。さらにＬＣＤやＰＤＰよりも軽量・薄型化でき、屋外での長時間使用にも耐えうる、高輝度で高画質を期待できる自発光型表示装置を提供する。
【解決手段】
基板２の上にＴＦＴ配線部３、パッシベーション膜４、第一蛍光体層６ａ、第一平坦化層７ａを積層し、その上に透明アノード電極１００、発光層１０１、透明カソード電極１０２を順次積層した発光体１０を配設する。発光層１０１はＺｎＯ系またはＧａＮ系等材料で構成し、発光面（上面）の面積に対する側面の総面積の割合を１／１０以上に設定する。これにより表示装置１を得る。 （もっと読む）

【課題】金属配線の下層を加工または損傷させることなく、金属配線がショート不良となることを未然に防止できるレーザー修正工程を有する表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を備えた表示部を有する表示装置の製造方法は、当該表示部が有するガラス基板１１上に形成された駆動回路層１２の表面を平坦化する平坦化膜１３と、平坦化膜１３上に積層された上部電極層１４Ｐと、上部電極層１４Ｐ上に形成され上部電極層１４Ｐを画素形成領域ごとに配置された上部電極１４として分離形成するためのパターニングされたレジスト２０とを準備する第１工程と、隣接する画素形成領域の間の領域に残存するレジスト残り２０Ｎに対し、２６６ｎｍの波長を有するレーザーを照射することにより、レジスト残り２０Ｎを除去する第２工程と、当該第２工程の完了後、全ての画素に対して、レジスト２０をマスクとしてエッチングする第３工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極層又はドレイン電極層に接する第１の酸化物半導体層と、第１の酸化物半導体層上に設けられ第１の酸化物半導体層とは異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を少なくとも含む酸化物半導体積層を用いてトランジスタを構成する。第１の酸化物半導体層と第２の酸化物半導体層とは互いに異なるエネルギーギャップを有すればよく、その積層順は問わない。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が難しく、ノーマリーオンとなる薄膜トランジスタを有する駆動回路において、回路内の誤動作を低減し、より確度の高い動作を保証する駆動回路を提供する。
【解決手段】第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有するインバータ回路と、第３のトランジスタを有するスイッチと、を含むスタティックのシフトレジスタ回路を有し、第１のトランジスタ乃至第３のトランジスタは、酸化物半導体でなる半導体層を有し、且つディプレッション型のトランジスタであり、第３のトランジスタを駆動するクロック信号の振幅電圧は、インバータ回路を駆動するための電源電圧より大きい駆動回路とする。 （もっと読む）

【課題】被検出物が表示パネルに非接触の場合でも、被検出物の位置及び動きの検出を行うことを可能とする表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、フォトセンサ及び酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタが配置された表示パネルを有し、被対象物が表示パネルに接近する際に、被検出物が外光を遮ることで表示パネルに投影される被検出物の影がフォトセンサによって検出される。影の位置又は動きを検出することで、被検出物の位置又は動きが検出され、被検出物が表示パネルに非接触の場合でも検出可能となる。 （もっと読む）

【課題】同一基板上に複数種の回路を形成し、複数種の回路の特性にそれぞれ合わせた複数種の薄膜トランジスタを備えた発光装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素用薄膜トランジスタとしてソース電極層及びドレイン電極層上に重なる酸化物半導体層を有する逆コプラナ型を用い、駆動回路用薄膜トランジスタとして、チャネルエッチ型を用い、画素用薄膜トランジスタと電気的に接続する発光素子と重なる位置にカラーフィルタ層を薄膜トランジスタと発光素子の間に設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において生じるＴＦＴのバラツキを低減する。
【解決手段】トランジスタと、第１のソース配線と、隣り合う第２のソース配線と、電源供給線とを有し、第１のソース配線は、トランジスタと電気的に接続することができ、記トランジスタは、チャネル形成領域を有し、チャネル形成領域は、電源供給線と重なる領域を有し、チャネル形成領域は、第２のソース配線と重なる領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線と重ならない半導体装置である。その結果、チャネル長Ｌに対するチャネル幅Ｗの比が０．１〜０．０１であるＴＦＴを提供することができ、各ＴＦＴ間のバラツキを低減することができる。さらに、電源供給線は第１のソース配線よりも幅の広い領域を有し、電源供給線は、第２のソース配線よりも幅の広い領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲートスルーホールに接続される配線部のカバレジが不足するとともに、ゲートスルーホール端部において、配線部のショートが生じる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上の所定の位置に形成された電極層と、電極層上に形成された絶縁膜に設けられたゲートスルーホールを介して電極層と接続される配線膜と、を有し、前記ゲートスルーホールは、前記積層方向に順に水平方向に対して、第1のテーパ角を有する第１のテーパ部と、前記第１のテーパ角と異なる第２のテーパ角を有する第２のテーパ部と、前記第２のテーパ角と異なる第３のテーパ角を第３のテーパ部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置において、ＥＬ材料を成膜する前にＴＦＴ
基板の動作の確認をおこない、最終製品の良品率を向上させ、原価を低減すること。
【解決手段】各画素に、駆動用ＴＦＴのドレイン領域に電気的に接続し、さらにＥＬ素子
と電気的に並列接続している容量を設け、容量の充放電を確認することによって、駆動用
ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断をおこなう。こうして、不良品をＥＬ材料の成膜
前に除去可能であり、製造費用の削減がはかれる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。熱処理による
脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素
ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後において
もトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタと
することができる。 （もっと読む）

【課題】遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層、保護層等に不良があるとして排除されたＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ ｏｎ Ａｒｒａｙ）、BＯＡ（BM ｏｎ Ａｒｒａｙ）基板から、遮光層もしくは透明着色層からなるカラーフィルタ層および保護層を選択的に剥離する方法を提供することを目的とした
【解決手段】先ずカラーフィルタ層を炭化する炭化処理を実施し、次いで前記炭化層をレーザ照射により除去することを特徴とする方法であって、前記炭化処理は、赤外線レーザ照射によりなされ、炭化層及び炭化層から上の部分はＹＡＧレーザでアブレーション剥離されることを特徴とするカラーフィルタ付アレイ基板からカラーフィルタ層を選択的に剥離する方法である。 （もっと読む）

【課題】基板縁からの基板間導通材の張り出しや基板間導通用電極と信号線との重なり等を発生させることなく、基板間導通を広い面積で行うことのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００では、素子基板１０に素子基板側基板間導通用電極６ｅを設けるにあたって、基板縁１０ａから画像表示領域１００ａ内に向けて複数本のデータ線６ａの引き回し部分が延在する複数の信号線形成領域６０の間６６を利用する。また、シール材８０については、素子基板側基板間導通用電極６ｅが設けられた領域では画像表示領域１００ａに向けて凹むように屈曲した屈曲部分８５を設け、かかる屈曲部分８５の内側に基板間導通材９０を屈曲部分８５に対向する対向基板２０の基板縁２０ａに沿って延在するように設ける。 （もっと読む）

【課題】 小型化、薄型化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、画素に表示部とセンサ部とを有し、表示部とセンサ部の各々の制御を、同一の走査線駆動回路で行う。第１の期間においては、前記走査線駆動回路は、表示部が有する第１の選択信号線の走査を行い、第２の期間においては、前記走査線駆動回路は、センサ部が有する第２の選択信号線の走査を行う。表示部にビデオ信号を入力するための第１の信号線と、センサ部から、対象物の画像情報を有する信号を出力するための第２の信号線とは、別々に設けられることで、相互の信号へのスイッチングノイズ等の影響を最小限とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示パネル及び該可撓性表示パネルを備える表示装置を提供する。
【解決手段】第１領域、第１領域から延びて曲面が備えられた第２領域、及び第２領域に対して折り曲げられた第３領域を備える可撓性基板と、第１領域に位置する第１表示領域と、第２領域に位置する第２表示領域と、第１表示領域または第２表示領域の外郭に位置し、少なくとも一つは第３領域に位置する非表示領域と、第１表示領域及び第２表示領域を封止する封止部材と、を備える可撓性表示パネル。 （もっと読む）

【課題】黒レベルを表示するときの液晶表示装置のディスクリネーション及び光漏れとい
った液晶の配向不良を低減でき、コントラストが高く、視認性の良い液晶表示装置を提供
することを課題とする。
【解決手段】画素電極２０３ａ〜２０３ｂの一部を凸部２０４に重なり合うように形成す
る。凸部の高さが高すぎると、液晶が基板面に対し斜めに配向することによるため、光漏
れが増える（図１（ｃ））。凸部の高さが低いと、ディスクリネーションを減らす効果が
低い。そこで最適な凸部の高さを決定する。 （もっと読む）

【課題】電気光学パネルの機種（特性）に合わせて適正に駆動させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板２００の第１辺に近い側から第１ＦＰＣ接続端子部４５と、第１ＦＰＣ接続端子部４５と端子配列の異なる第２ＦＰＣ接続端子部４６との順に配置されており、液晶パネル１００のパネル接続端子部４１は、液晶パネル１００の機種に応じて第１ＦＰＣ接続端子部４５又は第２ＦＰＣ接続端子部４６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】表示装置の高精細化に伴い、画素数が増加し、ゲート線数、及び信号線数が増加
する。ゲート線数、及び信号線数が増加すると、それらを駆動するための駆動回路を有す
るＩＣチップをボンディング等により実装することが困難となり、製造コストが増大する
という問題がある。
【解決手段】同一基板上に画素部と、画素部を駆動する駆動回路とを有し、駆動回路の少
なくとも一部の回路を、酸化物半導体を用いた逆スタガ型薄膜トランジスタで構成する。
同一基板上に画素部に加え、駆動回路を設けることによって製造コストを低減する。 （もっと読む）