【課題】多様な機能装置となる新規な構造を実現し、その装置の変換率化の向上と、装置の大面積化の実現。
【解決手段】基板上に複数立設された、有機材料から成る直径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下の柱状体と、柱状体の少なくとも表面に担持された、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子とを有するナノ微粒子を担持したナノ構造体である。また、製法は、有機材料から成る平板の上に、粒径０．５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下のナノ微粒子を、一様に形成するナノ微粒子形成工程と、ナノ微粒子形成工程により、面上においてナノ微粒子が形成された平板を、ナノ微粒子をマスクとして、反応性イオンエッチングによりエッチングして、複数の柱状体を形成すると共に、その柱状体の少なくとも表面に、粒径０．２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下のナノ微粒子を担持させる柱状体形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高輝度の電界放出型フラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）、電界放出型ランプ（ＦＥＬ）等を製造するために、一定電圧の下で多くの電界放出電流が流れる冷陰極電子源を製造する方法を提供する。
【解決手段】導電性基板の上に酸化チタン等の金属酸化物からなる電子放出材料を有する冷陰極電子源を製造する方法において、電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する。具体的には、導電性基板の上に形成した金属酸化物からなる電子放出材料を活性化処理する工程と電子放出材料に少なくとも紫外光を含む光を照射する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 安価で大面積の基板を用い、生産性を向上させることが可能な工程により、電
界放出表示装置の電界放出素子を形成する技術を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電界放出素子は、絶縁性表面を有する基板上に形成されたカ
ソード電極と、前記カソード電極表面に形成された凸形状の電子放出部とを有し、前記カ
ソード電極と前記電子放出部とは、同一の結晶性半導体膜で形成されており、前記電子放
出部は、円錐形又はウィスカー状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノ炭素材料複合体ペーストと、これを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体ペーストは、粒子に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料が形成されてなるナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と、溶剤と、を混合してなる。さらに詳しくは、ペースト組成として、バインダー材料と溶剤の重量比は、１：４〜１：９の範囲で、かつ、ナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と溶剤の総量の重量比は、１：１．５〜１：４の範囲である。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】小さな電界で大きな放射電流を示す、冷陰極等に用いられる高性能の電極材料、及びその効率的な製造方法、並びに該電極材料を用いた安価で性能の良い電界放射装置を提供する。
【解決手段】炭素繊維のような導電性繊維の円周方向に放射状に酸化亜鉛系ウィスカーを成長させることによって電極材料を構成する。好ましい酸化亜鉛系ウィスカーとしては、アルミニウム添加酸化亜鉛ウィスカーが用いられる。また、大気圧開放型のＣＶＤ装置を使用し、導電性繊維に直接通電加熱することによって繊維表面にウィスカーを成長させることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも金属又は半金属のいずれかを含む基板１１上に、粒子からなるバリア層１２を形成する。次にバリア層１２上に例えばＣＶＤ装置によって炭素から形成された電子放出膜１３を形成する。バリア層１２を形成することによって反応性の高い炭素が基板１１に拡散することを防ぐことができる。従って、良好な電子放出特性を有する電子放出膜１３を形成することができ、電子放出特性に優れた電界放出型電極の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】作製したＣＮＴを回収し、さまざまな基板材料上に低温で塗布または分配できるようにしたいという明らかな要求、電界放出特性を最適化することを目的として、ＣＮＴの密度を制御できるようにしたいという要求に対する解決手段の提供。
【解決手段】（１）ａ）基板、およびｂ）カーボンナノチューブと粒子との混合物を含む電界放出カソード材料
を含む電界放出カソードであって、１つの実施形態において、カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ、二層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、バッキーチューブ、カーボンフィブリル、化学修飾されたカーボンナノチューブ、誘導体化されたカーボンナノチューブ、金属性カーボンナノチューブ、半導体性カーボンナノチューブ、メタル化カーボンナノチューブ、およびそれらの組み合わせからなる群から選ばれる、カソード。 （もっと読む）

【課題】炭素膜の膜表面に電子放出効率を向上することができる低仕事関数材を形成するに際して当該低仕事関数材を別途の工程で形成する必要をなくして安価に電子放出効率に優れた電子エミッタを製造可能とすること。
【解決手段】本電子エミッタの製造方法は、チャンバ内部に配置された筒状電極の内部に基材を配置し、チャンバ内を真空排気すると共に該筒状電極内部に炭素含有化合物を含む処理ガスを供給し、筒状電極に直流負電圧を印加して筒状電極内にプラズマを発生させて上記処理ガスを分解、イオン化し、これによって上記基材表面に炭素膜を成膜する製造方法であり、筒状電極内に予め特定金属材を設けておくことにより、上記プラズマにより上記基材表面に炭素膜を成膜する１つの工程の実施と同時に、上記プラズマ中のイオンにより上記特定金属材をスパッタして該炭素膜の膜表面に特定金属材の炭化物を低仕事関数材として局所的に形成する。 （もっと読む）

【課題】均一な電界電子放出特性と高い耐久性とを有する、電子放出源。
【解決手段】酸化鉄ウィスカーからなる電界電子放出体であり、中でも鉄系基板を酸化雰囲気中で酸化させてその基板上に酸化鉄ウィスカーを直接成長させた構造であることを特徴とする。また、酸化鉄ウイスカーは、直径５ｎｍから２μｍ、長さ０．１μｍから１ｍｍ、アスペクト比５から１０万であり、ＦＥＤ用或いは照明用などの電極として幅広い応用が可能である。 （もっと読む）

【課題】針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカーなど）の微細な集合体構造を有する電子放出素子の提供、およびその安価で簡便な製造方法を提供する。また、その針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカー）の集合体を、均一で安定した形状の微細多孔に規則的に配設し、低電圧で動作可能な電子放出素子および表示素子を提供し、またその製造方法を提供する。さらには、画素間で電子源としてのばらつきが小さく、輝度階調の良好な表示素子およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】触媒金属を表面に付した基板上に微粒子を配設させ、該微粒子配設基板上に少なくとも１層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去して微細多孔を形成し、該微細多孔の底部に露出した前記触媒金属上に針状導電体を集合体として成長させる電子放出素子を製造する方法。
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【課題】 本発明は、簡単に特定の位置に突起物を存在させることができる金属酸化物構造体の製造方法を提供する。また、この方法で製造された金属酸化物構造体、及びこの金属酸化物構造体を用いた電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る代表的な金属酸化物構造体の製造方法は、断面の円換算径０．０１〜１００００μｍ、長さ０．１μｍ以上であり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が０．０１以上である突起物を複数有する金属酸化物を有する金属酸化物構造体の製造方法であって、前記金属酸化物構造体の所定の面に前記突起物を有する前記金属酸化物を形成した後に、少なくとも一部の前記突起物を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来の電子放出素子よりも、電界印加時の放電や電子放出特性の変化あるいは劣化が抑えられた電子放出素子を提供することである。
【解決手段】導電性基材１と、メッシュ状導電体２と、前記導電性基材１に電気的に導通した状態で接合される電子放出源４と、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２とを非接触状態にするスペーサー５と、を有し、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２及び前記スペーサー５は電気的に絶縁されている電子放出素子であって、前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の沿面最短距離ｂが前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の空間最短距離ａを上回っていることを特徴とする。 （もっと読む）

ディスプレイデバイスにおけるカソードとしての使用のためのナノ粒子エミッターをパターン化するための工業的スケールの方法が開示される。低温の方法が、得られるディスプレイデバイスの良好な均一性とともに高容量適用で実施され得る。この方法のステップは、予備製作されたコンポジット構造の全面の上にＣＮＴエミッター材料の堆積、および物理的方法を用いる表面の所望されない部分からのＣＮＴエミッター材料の引き続く除去を含む。
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