本発明は、電界放出素子用のカソードアセンブリを製造するための方法に関する。
（もっと読む）

【課題】冷陰極電界電子放出素子を製造するときの絶縁層における開口部を出来る限り均一に形成し得る方法を含む冷陰極電界電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】冷陰極電界電子放出素子の製造方法は、支持体１０上にカソード電極１１、絶縁層１２を形成し、次いで、コア部４１及びシェル部４２を有する多数の球状部材４０を絶縁層１２上に配置した後、シェル部４２を除去し、次に、コア部４１を含む絶縁層１２上にゲート電極を形成した後、コア部４１を除去して絶縁層１２の一部を露出させ、次いで、露出した絶縁層１２の部分を除去して開口部を形成して、開口部の底部にカソード電極を露出させた後、開口部の底部に露出したカソード電極の部分に電子放出部を形成する各工程から成る。 （もっと読む）

【課題】垂直配向のグラファイトナノファイバを高密度かつ均一に形成可能なグラファイトナノファイバの製造方法、高出力電流密度のグラファイトナノファイバ電子源、高電流密度で高輝、大容量を有するフィールドエミッションディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に絶縁膜１２を形成する工程と、絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール１１を形成する工程と、ホール１１の底面に触媒金属層２８を形成する工程と、触媒金属層２８上に垂直配向にグラファイトナノファイバ４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ナノ繊維を含む電界電子放出材料を用いて、良好な起毛処理を行うことにより、電子放出能力の高い電界電子放出源を製造すること。
【解決手段】 カーボンナノツイストを含む電界電子放出材料１０３を陰極基板１００表面に形成し、陰極基板１００の表面に０．１ａｔｍから２ａｔｍの圧力範囲で発生させた大気圧プラズマ２６１を照射して、電界電子放出材料１０３に含まれるカーボンナノツイストの起毛処理を行い、電子放出能力を向上させた電界電子放出源を製造する。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な方法で、電極配線金属からの異常成長を防止し、カーボンナノチューブを高密度かつ均一に形成可能なカーボンファイバー製造法、高出力電流密度のカーボンファイバー電子源、高電流密度で高輝度、大容量を有するＦＥＤ装置を提供する。
【解決手段】基板１８上にカソード電極１０を形成する工程と、カソード電極１０上に第１絶縁膜１２を形成する工程と、第１絶縁膜１２上にゲート電極１４を形成する工程と、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達するホール（１１）を形成する工程と、ホールの底面に触媒微結晶核２９を形成する工程と、ゲート電極１４表面上に第２絶縁膜５０を形成する酸化工程と、触媒微結晶核２９上にカーボンナノチューブ４を形成する工程とを有することを特徴とするカーボンファイバー製造法、カーボンファイバー電子源、およびＦＥＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性の変動が小さく安定な電子放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基体と、各々が前記基体の表面に対して実質的に垂直に配向した、複数の柱状の第１領域と、前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域と、前記複数の柱状の第１領域と前記第２領域とを覆う電子放出膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】カソード電極層とアノード電極層との間でのショートが防止され、電子放出効率が高く、かつ複数の画素の発光の均一性が高い電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】貫通孔６は、少なくとも絶縁層２を貫通する部分においてカソード電極層１１ｂに向かって除々に幅または径が大きくなっている。貫通孔６内においては、複数のカーボンナノチューブ７が触媒層５の内側面から貫通孔２の側面に沿って延びている。複数のカーボンナノチューブ７の先端がゲート電極層３ａの内側面の近傍の位置から下方または斜め下方に向かって延びるラインＬに沿って切り揃えられている。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ等の電界放出物質を基板上に形成された突起構造上に形成させ、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られる電界放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】突起構造を有する基板であり、且つ１つ以上の電極を有する前記基板において、錐体、錐台、柱状構造のうち少なくとも１つを含む形状から成る突起構造が１つの電極上に少なくとも２つ以上形成され、且つ１つの電極内にある前記突起構造は、前記突起頂点間の距離が１〜５０μｍ離れて配置され、該突起構造を有する基板上に電界放出特性を有する物質を含む層が形成されることによって、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られると共に、電界集中が起こりやすい構造であるため、低電圧で大電流値を得られる。 （もっと読む）

【課題】針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカーなど）の微細な集合体構造を有する電子放出素子の提供、およびその安価で簡便な製造方法を提供する。また、その針状導電体（ナノワイヤ、ウイスカー）の集合体を、均一で安定した形状の微細多孔に規則的に配設し、低電圧で動作可能な電子放出素子および表示素子を提供し、またその製造方法を提供する。さらには、画素間で電子源としてのばらつきが小さく、輝度階調の良好な表示素子およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】触媒金属を表面に付した基板上に微粒子を配設させ、該微粒子配設基板上に少なくとも１層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去して微細多孔を形成し、該微細多孔の底部に露出した前記触媒金属上に針状導電体を集合体として成長させる電子放出素子を製造する方法。
（もっと読む）

【課題】 高真空装置を必要とすることなく、工程数を増やすことなく、炭素系材料の成長用触媒を高精度に形成できるようにする。
【解決手段】 親水化処理した基板３を、触媒のコロイド溶液１４に浸漬し、基板３のカソード電極と電極１５との間で電圧を印加して電気泳動によって基板３のカソード電極上に、触媒のコロイド粒子を選択的に付着固定することにより、基板３のカソード電極上に触媒を成膜し、ＣＶＤなどによってカーボンナノチューブなどの炭素系材料を成長させる。 （もっと読む）

【課題】安定して均一な電界放出を行う冷陰極電子源、その製造方法、ならびに冷陰極電子源を用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】本冷陰極電子源は、低電界で電子放出が可能な電子源であって、電極２０上にファイバ３０が、その長手方向を電極の面に対して水平な方向に向けて配置されている構成を有する。ペースト状のファイバーを電極上に配置し、表面張力もしくは外部磁場を印加することにより、上記ファイバーを水平な方向に向けて配置する。 （もっと読む）

【課題】均一な電界放出特性を有する電界放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する。上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。 （もっと読む）

【課題】優れた電界放出特性を有する冷陰極電子源、その製造方法、ならびに冷陰極電子源を用いた表示装置を提供すること。
【解決手段】本冷陰極電子源は、低電界で電子放出が可能な電子源であって、基板１０上に形成された電極２０と、電極２０上に配置された金属５０含有のナノチューブ３０とを備え、該ナノチューブ３０を基板１０に対して垂直な方向に配向させた構成を有する。 （もっと読む）

【課題】
高鮮明な表示を可能とする電子放出電極およびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】
導通基板７上に立設する突起物６を有し、
その突起物６は、金属１１と、その突起物６の長さ方向に配向する導電性ファイバ１２との複合体である電子放出電極とする。 （もっと読む）

本発明は、追加のリソグラフィック処理ステップを必要とせずに、酸化アルミニウム構造を有するマイクロデバイスを製造する方法を説明している。それ故に、追加のマスクは必要ない。ある環境下において、酸化アルミニウムの壁は、エッチング処理において、下にある金属構造の傾斜した壁のすぐ上に現れることが明らかである。これら金属構造の壁が傾斜しているという事実は、ここで不可欠である。本発明による方法を用いて、金属構造の傾斜した壁の上に正確に調整される酸化アルミニウム構造が製造される。これら調整された酸化アルミニウム構造は例えば、微細流体流路、マイクロウェッティングディスプレイ、電気泳動ディスプレイ又はＦＥＤ(field emitting display)における壁として使用される。
（もっと読む）

【課題】 電子放出特性を向上することのできる電子放出装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電子放出装置１は、カソード電極１１ｂと、カソード電極１１ｂ上に形成され、孔６ａを有する絶縁膜２と、絶縁膜２上に形成され、孔６ａに連通する孔６ｂを有するゲート電極３ａと、孔６ａの底部に形成され、かつカソード電極１１ｂと電気的に接続されたナノワイヤ７とを備えている。孔６ｂの直径ｎが０．５μｍ以上３μｍ以下である。また、孔６ａおよび孔６ｂの直径がｎである場合、孔６ａの深さＤ１と孔６ｂの深さＤ２とを合わせた孔６の深さＤは、０．１ｎ≦Ｄ≦０．４ｎの関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】 鋭利な突起を有し、Ｘ線発生装置などエミッション電流の多い用途に適した電子放出電極を、型からの剥離工程でエッチングを必要としない、作製した電極に補強のための支持基板を接着する必要がない等、簡単な製造方法で提供できるようにすることを目的とする。
【解決手段】 支持基板と４つの側面が凹面である四角錐構造とを有した事を特徴とする電子放出電極。シリコン基板を異方性エッチングして四角錐形状の凹部を有した型を作製し、これを熱酸化することにより０．８μｍ以上の酸化膜を形成し、四角錐形状の凹部の各面を凸面とすることにより、凹部の先端形状を鋭利にする。この型に電鋳を施すことにより電子放出電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 複雑な製造工程を経ることなく、高耐久性と高信頼性及び低いゲート電圧を有する電子放出素子を安価、かつ、安定に提供する。
【解決手段】 四角錐構造の部位を有する金属製の支持基板上に、メッキ層、絶縁膜層及び金属膜層を有し、四角錐構造の部位に一部をメッキ層に埋設させたカーボンナノチューブを設け、四角錐構造の部位周辺は、前記絶縁膜層及び金属膜層が存在しない開口部となっている電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来の電子放出素子よりも、電界印加時の放電や電子放出特性の変化あるいは劣化が抑えられた電子放出素子を提供することである。
【解決手段】導電性基材１と、メッシュ状導電体２と、前記導電性基材１に電気的に導通した状態で接合される電子放出源４と、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２とを非接触状態にするスペーサー５と、を有し、前記導電性基材１と前記メッシュ状導電体２及び前記スペーサー５は電気的に絶縁されている電子放出素子であって、前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の沿面最短距離ｂが前記メッシュ状導電体２の導電性を有する部分と前記電子放出源４の空間最短距離ａを上回っていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】細長いカーバイドナノ構造を製造する方法において、基材に複数の空間的に離隔した触媒粒子を施工する。
【解決手段】空間的に離隔した触媒粒子及び基材の少なくとも一部を、予め選択された温度で、基材と触媒粒子の少なくとも１個との間に無機ナノ構造を形成させるのに十分な時間にわたって、含金属蒸気に曝露する。無機ナノ構造を、予め選択された温度で、無機ナノ構造を炭化するのに十分な時間にわたって、含炭素蒸気源に曝露する。 （もっと読む）