【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】 電子線発生の電流値を低くすることができる電子線放出装置を提供する。
【解決手段】 給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に５０ｋＶの直流電圧を印加し、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に１ｋＶの直流電圧を印加する。すると、給電体（カソード）１とグリッド電極３との間に印加した電圧によって電子が引き出され、グリッド電極３で絞られた電子は給電体（カソード）１と金属板（アノード）２との間に印加した電圧によって加速せしめられて窓部１２のベリリウム箔１３を透過して外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】閾値電界が従来よりも低減され、より優れた電界電子放出特性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】カソード電極上にＢＣＮ薄膜１０，１５が形成される電子デバイスであって、ＢＣＮ薄膜の組成を膜内で変化させることにより、ＢＣＮ薄膜とカソード電極の界面でのポテンシャル障壁高さが低くされると共に、膜表面での電子親和力が小さくされる。ＢＣＮ薄膜中のＣの組成比が、表面側に比べてカソード電極側で大きいか、ＢＣＮ薄膜中のＮの組成比が、カソード電極側表面側に比べて表面側で大きい。この電子デバイスの製造方法であって、基板上に、化学気相合成法により、炭化水素および窒素を含むガスを用いてＢＣＮを薄膜状に堆積させる際、堆積の初期から終期に至る間で、原料ガス中の炭化水素の組成比や流量を減少させてＣの組成比を調整するか、原料ガス中の窒素の組成比や流量を増加させてＮの組成比を調整する。 （もっと読む）

【課題】 スピント型及びＣＮＴ型の電子放出素子では、何れも平面的に形成しているため、有効に空間を活用しているとはいえず、電子放出位置がばらつくとともに、均一な電子放出電流が得られず、電子放出効率も悪かった。
【解決手段】 第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する面電子放出源であって、第一の導電性部材は、突起を有する基板と、該基板上の薄膜電極からなり、前記第一の導電性部材の突起間に絶縁性部材が少なくとも配置されるとともに、絶縁性部材の周囲には絶縁皮膜ナノ粒子が配置され、前記第一の導電性部材の突起部は、一定の間隔を有している。 （もっと読む）

【課題】電子ビームの集束効果の向上及び電子ビーム量の増加を図ることができる電子源アレイ並びにそれを備えた撮像装置及び表示装置を提供すること。
【解決手段】電子源アレイ１０は、電子ビームを放射するエミッタ電極１１と、エミッタ電極１１の周囲が開口された絶縁体１２とを備え、絶縁体１２上に、第１ゲート電極１３、絶縁膜１４、第２ゲート電極１５、絶縁膜１６、集束電極１７が順次形成され、エミッタ電極１１と第１ゲート電極１３との間に印加される第１ゲート電圧Ｖｇ１が、エミッタ電極１１と集束電極１７との間に印加される集束電圧Ｖｆよりも大きく、エミッタ電極１１と第２ゲート電極１５との間に印加される第２ゲート電圧Ｖｇ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】 短尺かつ高密度のカーボンナノチューブを形成したカソード電極パターンの配置設計により、カソード電極パターンへの電界集中効果を効率的に発現させ、電流集中による劣化を生じず、耐振動性等の機械的強度に優れた、高効率で信頼性が高い電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上にカソード電極と、該カソード電極上に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層を有する電子放出素子であって、カソード電極、電子放出層を貫通するように基板に垂直方向に延設した複数の貫通孔を有し、貫通孔が、カソード電極上への電界集中効果を促進させる配置で設けられていることを特徴とする電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、放出された電子ビームが良好に集束する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、ゲート５を、該カソード６に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部９を有する凹凸形状に形成し、該後退部９に露出した絶縁部材３表面を、少なくとも絶縁層３ａ表面まで後退させ、該表面に制御電極１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作し、アノードへの電子到達効率の高い電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、ゲート５を、該カソード６に対応する領域が突出し、該領域の両側のゲート端部が後退した後退部９を有する凹凸形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子を提供することである。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基体と、前記基体上に突起形状を有する直径が１０ｎｍ以上であり、かつ、高さが１００ｎｍ以上１００μｍ以下であるファイバー状のナノ炭素材料と、を具備することを特徴とする電子放出素子。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で電子放出効率が高く、安定して動作する電子放出素子を備えた電子線装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁部材３、ゲート５を形成し、絶縁部材３に凹部７を形成し、絶縁部材３の側面に配置されるカソード６のゲート５に対向する端部において、凹部７の縁よりゲート５に向かって突起する突起部分を設け、該突起部分の幅方向端部に電界を集中させて電子を放出させる。 （もっと読む）

【課題】従来の電界放出型素子より、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。また、本発明は、前記電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数の行電極リード線及び複数の列電極リード線と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数の行電極リード線及び前記複数の列電極リード線が交叉して、複数の格子が形成される。各々の前記格子に一つの電子放出ユニットが設置され、該電子放出ユニットが、陽極電極、陰極電極及び陰極放出体を含み、該陽極電極と該陰極電極が分離して設置され、前記陽極電極が行電極リード線に電気的に接続され、前記陰極電極が列電極リード線に電気的に接続され、前記陰極放出体が前記陰極電極に電気的に接続され、前記陽極電極と分離して設置される。 （もっと読む）

【課題】より低い電流値且つ短時間で放電を抑制することのできる電子線装置を提供する
【解決手段】素子電極１の配線側との接続側に片持ちばりの突出部を備えた第１の立体構造物２を形成し、該立体構造物２の表面電位を設定することにより、上記突出部とリアプレートで挟まれた第１の空間７の電界強度をパネル内の平均電界強度よりも弱くし、放電により素子電極１上で発生した陰極点が走査線側に移動した際に、第１の空間７内において該陰極点を消滅させる。 （もっと読む）

粒子ビーム発生装置は、粒子源に隣接して配置され、粒子ビームを生成するために該粒子源から粒子引出手段の引出開口内へ粒子を引き出す粒子引出手段と、前記ビームのエネルギーを増加させるために、引き出された粒子を加速させる粒子加速手段と、前記粒子ビームを集束させる集束手段とを備え、前記粒子引出手段と、前記粒子加速手段と、前記集束手段との各々は、順に配置されており、粒子が移動する通路を画定するように一直線に並んで配置された開口を有するものであり、前記粒子引出手段は、少なくとも一対の電極を有するレンズ構造を備え、該電極は、該電極の各々に異なる電位を印加することを可能にするように絶縁材料の層によって互いに分離されており、前記電極の１つは引出開口を有する引出板を備え、該引出板は、前記源と該引出板との間の電位差により前記粒子源から前記引出開口内へ粒子を引き出すものである。
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【課題】電界集中度を大きく劣化させることなく簡単な方法で形成できるとともに、先鋭かつ均一性が高く、しかも機械的強度の大きい電界放出型の電子放出素子、およびこれを備えた平面表示装置を提供する。
【解決手段】電子放出素子２２は、基板１２と、基板上に設けられたカソード電極２４と、絶縁体あるいは半導体により基板上に形成されているとともに、基板の表面に対しある角度を持って起立した側壁３１を有する支持体３０と、支持体の側壁上に形成されたエミッタ３４と、エミッタエッジ部に電圧を印加するゲート電極２８と、を有している。エミッタは、カソード電極に電気的に接続された接続部と、基板と反対側に位置したエミッタエッジ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】
下部電極、絶縁層、上部電極をこの順に積層した薄膜型電子源において、絶縁層の劣化を起こり難くする。
【解決手段】
上部電極を絶縁層側から界面層，中間層，表面層の３層構造とし、中間層材料の昇華エンタルピーが表面層のそれより大きく，界面層のそれより小さくなるように構成する。または、表面層を省略して２層構造にする。
【効果】
長寿命で高輝度の画像表示装置や高速の電子線描画装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 ＺｒＯ／Ｗエンハンスドショットキー放出型電子銃に関し、加速電圧に制限を受けずに、引出電極に起因するエミッターの先端近傍での圧力上昇を抑制して安定な動作を実現する。
【解決手段】 引出電極６の開孔７は、直径がシミュレーションにおいてタングステンエミッター２から放出される電子の引出電極６に衝突する割合が１％以下となる開口径である円筒面８と直径がサプレッサー電極５の平坦部にかかる電界強度がＫｉｌｐａｔｒｉｃ臨界電界となる開口径である円筒面１０との間に存在する円筒面１１と、タングステンエミッター２の先端から０．１４ｍｍ後退した点を頂点とする頂角９０°の円錐面９を含むより外側の領域に存在し円筒面１１の下端に連なる回転対称曲面１２と、からなる側面形状を有している。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ等の電界放出物質を基板上に形成された突起構造上に形成させ、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られる電界放出素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】突起構造を有する基板であり、且つ１つ以上の電極を有する前記基板において、錐体、錐台、柱状構造のうち少なくとも１つを含む形状から成る突起構造が１つの電極上に少なくとも２つ以上形成され、且つ１つの電極内にある前記突起構造は、前記突起頂点間の距離が１〜５０μｍ離れて配置され、該突起構造を有する基板上に電界放出特性を有する物質を含む層が形成されることによって、突起構造の配置状況に対応した電子の電界放出が得られると共に、電界集中が起こりやすい構造であるため、低電圧で大電流値を得られる。 （もっと読む）