【課題】ダイヤモンド膜が設けられた雰囲気から酸素を取り除き、水素が離脱したダイヤモンド表面に酸素が吸着しないようにすることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】容器４内に容器４内の酸素を取り除くための酸素吸着剤８を設ける。このように容器４内に酸素吸着剤８を設けることにより、容器４内に存在する酸素を酸素吸着剤８に吸着させることができ、容器４内から酸素を除去することができる。このため、エミッタ電極１およびコレクタ電極２を構成するダイヤモンド膜の各表面１ａ、２ａから水素が離脱したとしても、水素が抜けたダングリングボンドに酸素が吸着することを防止することができる。したがって、電子放出の確率の低下、発光効率、電界放出電子の放出確率、熱電子発電の発電効率の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 単純な構造で、蛍光体から発せられた放射光の損失を低減できる電界放出発光装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電界放出発光装置１０は、アノード電極２が基板面に配置されたアノード基板１と、カソード電極３が基板面に配置されたカソード基板６とを有し、アノード基板１およびカソード基板６は、前記基板面が互いに対面して配置され、アノード基板１は、さらに、複数の蛍光体層４を含み、複数の蛍光体層４は、アノード基板１とアノード電極２との間、および、アノード電極２上の少なくとも一方に、互いに間隔を置いて配置され、カソード基板６は、さらに、エミッタ５を含み、エミッタ５は、カソード電極３上に配置され、カソード電極３が、光反射性を有し、エミッタ５が、光透過性を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出特性に優れる電子放出素子を提供する。
【解決手段】 カソードと該カソードから電界放出された電子が照射されるゲートとを備える電子放出素子であって、前記ゲートは、前記カソードから電界放出された電子が照射される部分に、モリブデンと酸素とを含む層を少なくとも有しており、前記層が、透過電子顕微鏡を用いた電子エネルギー損失分光法によるスペクトル測定において、３９７ｅＶ〜４０１ｅＶの範囲と４１４ｅＶ〜４１８ｅＶの範囲と５３４ｅＶ〜５３８ｅＶの範囲と５４０ｅＶ〜５４７ｅＶの範囲のそれぞれにピークを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の電子放出素子に比べて格段に電子放出効率に優れた素子特性を有する電子放出素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電極基板２と薄膜電極５との間に形成された電子加速層８は、球形のシリカ微粒子６を含む第１の微粒子層３と、紡錘形の酸化チタン微粒子７を含む第２の微粒子層４とが積層されてなる積層構造を有し、第１の微粒子層３が電極基板２側に、第２の微粒子層４が薄膜電極５側に位置する。上記シリカ微粒子６及び酸化チタン微粒子７の各微粒子表面には、塩基性分散剤が付着している。 （もっと読む）

【課題】段差形成部材２の上面に設けられたゲート５と、段差形成部材２の側面２０におけるゲート５の直下に形成された凹部７と、段差形成部材２の側面２０に設けられ、上端に凹部７の下縁から上縁に向かって突起した突起部６ａを有するカソード６とを備えた電子放出素子について、電子放出効率を向上させると同時に、素子に流れる電流のバラツキを抑制する電流制限用の抵抗層を素子の構成部材の一部として組み込む。
【解決手段】段差形成部材２の側面２０は、凹部７の下縁から高さ方向中間部３０までの上段２１の傾斜角θ１より、高さ方向中間部３０から下端までの下段２２の傾斜角θ２が大きくなっており、しかもカソード６の上段２１の部分である上段カソード部分６ｂよりもカソード６の下段２２の部分である下段カソード部分６ｃの電気的抵抗値が大きい電子放出素子とする。 （もっと読む）

【課題】 電子放出性能を向上可能な突起構造体を提供する。
【解決手段】 突起構造体１は、基体部２と突起部３とからなる。突起部３は、基体部２上に設けられている。基体部２及び突起部３はダイヤモンド結晶を含む。突起部３の先端３２から基体部２と突起部３との境界面Ｓまでの距離ｈ３は、１０μｍ以上１０００μｍ以下である。突起部３は、境界面Ｓから先端３２に向けて先細る形状を有している。突起部３の側面３１は、突起部３の内側に湾曲している。突起部３の先端径は、１０ｎｍ以上３０μｍである。 （もっと読む）

【課題】 消費電力が抑制され、電子放出の効率が高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】この発明によれば、第１電極と、第１電極上に形成され、絶縁性微粒子で構成された絶縁性微粒子層と、前記絶縁性微粒子層上に形成された第２電極とを備え、前記絶縁性微粒子が単分散微粒子であり、第１電極と第２電極との間に電圧を印加し、第１電極から放出される電子を前記絶縁性微粒子層で加速させて第２電極から放出させるように構成したことを特徴とする電子放出素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 電子放出に要する駆動電圧を低くできる電子放出源用ペーストとそれを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源を提供する。
【解決手段】 上記課題は、束の直径が５０ｎｍ以上かつ束の長さが３μｍ以上のカーボンナノチューブ束状集合体を含有することを特徴とする電子放出源用ペーストと、それを用いた電子放出源の製造方法と電子放出源によって解決される。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、電子放出に要する駆動電圧を低く、電子放出の面分布が均一となる電子放出源用ペーストを提供する。
【解決手段】酸処理されたカーボンナノチューブと、ガラスフリットと、バインダー樹脂と、ペースト用溶媒とを含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。その配合比は、カーボンナノチューブが１〜５重量％、バインダー樹脂が１０〜３０重量％、ガラスフリット（ベヒクル）が１〜１０重量％、そしてペースト用溶媒は４０〜８０重量％程度とする。 （もっと読む）

【課題】 高エミッション効率で低電圧駆動可能な電界放出型冷陰極を提供する。
【解決手段】 ガラス製の基板5上に形成された導電層4上に、絶縁層2およびゲート層1を堆積する。その後、前記ゲート層1の開口径を前記絶縁層2開口径よりも大きくなるようにエッチングする。開口部以外をマスク材7にて被覆し、噴霧等の手法によってカーボンナノチューブを堆積して、エミッタ層３を、絶縁層２の開口側面をも被覆するように、かつ、エミッタ層の任意の点から最も近接したゲート層開口端が絶縁層２によって遮蔽されるように、形成する。このとき、絶縁層２の開口側面の上部がエミッタ層（カーボンナノチューブ層）によって被覆されないようにする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことができるナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板の製造方法は、ナノ炭素材料１６を形成する前に触媒層１２の一部を剥離してスポット１３を形成し、さらに基板１１に対して凹部１４および凸部１５の形成を行う。ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面に残存させられた触媒層１２の表面に成膜されることから、ナノ炭素材料１６は凸部１５の表面、すなわち基板１１上の突出した部位に位置選択的に成膜されることとなる。また、成膜されたナノ炭素材料１６の極近傍にナノ炭素材料１６の存在しないスポット１３が存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料１６で構成されたナノ炭素材料複合基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電力損失が少ない電子放出素子を提供する。
【解決手段】上面に電子放出源２が設けられたカソード電極１と、カソード電極１に一定の距離ｄをおいて平行に対向配置され、電子放出源２からの電子が通過する開口部５ａを有するゲート電極５と、カソード電極１とゲート電極５との間に積層して介在され、電子放出源２からの電子を通過させる開口部３ａ，４ａをそれぞれ有する２層の第１及び第２絶縁体３，４とを備える。第１及び第２絶縁体３，４のうち、カソード電極１に１番目に近い第１絶縁体３の誘電率ε１を、カソード電極１に２番目に近い第２絶縁体４の誘電率ε２より高くした。 （もっと読む）

【課題】電界放出装置が提供される。
【解決手段】本発明による電界放出装置は、第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるゲートラインを含むゲート電極、及び第１方向、第２方向、及び第３方向に各々延びるカソードラインを含むカソード電極を含む第１基板、第１基板と対向してアノード電極を含む第２基板、及び第１基板と第２基板間のスペーサーを含む。 （もっと読む）

【課題】 高精細に配列されるとともに、静電容量を低減しえる電子放出素子、それを用いた電子線装置及び画像表示装置の提供。
【解決手段】 基板の表面に設けられ、基板の表面に対して起立する側面と上面とを有する絶縁部材と、絶縁部材の上面に設けられたゲートと、ゲートと対向して絶縁部材の側面に設けられたカソードとを有し、絶縁部材のカソードが設けられた側面には、側面のカソードのゲートに対向する部分が位置する箇所と基板の表面から起立する箇所とを結ぶ直線より突出する部分を有する電子放出素子及びこれを用いた電子線装置、画像表示装置。 （もっと読む）

【課題】電界放出された電子からゲート電極を保護するのに適した照明装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の照明装置は、ゲート電極開口部の開口径Ｄ１が絶縁体開口部の開口径Ｄ２より大きい。このため、電子の通過する開口部において絶縁体が張り出した構成となり、電界放出された電子がゲート電極に衝突することを抑制することが出来る。よって、ゲート電極に電界放出された電子が衝突することに起因する問題を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構成でアノードへの電子の到達効率の高い電子放出素子を提供する。
【解決手段】 基板１上に積層された絶縁部材３とゲート５を備え、絶縁部材３の側面にカソード６を配置し、カソード６は絶縁部材３の角部３２に沿って設けられた複数の突出部１６を有し、ゲート５がカソード側に向かって伸びる複数の突出部１５を有する。 （もっと読む）

【課題】キャリアの引き出し効率を向上させることが可能なキャリア放出素子を提供する。
【解決手段】針状の放出部１０の先端部に、電子供給層としてのｐ型半導体層１３Ｐと、電子放出層としての金属層１５とを含む多層膜からなる積層構造を設ける。また、この多層膜内における全ての層間の界面（ｐ型半導体層１３Ｐと絶縁層１４との界面および絶縁層１４と金属層１５との界面）が、放出部１０の伸長方向（Ｚ軸方向）と略垂直となっているようにする。放出部１０における積層構造内の各等電位面Ｓｖも、この放出部１０の伸長方向と略垂直になる。放出部１０から外部へ電子が放出される際に、電子の移動方向が先端部側に向けて揃うことになり、先端部へ向けてキャリア（電子）が集中し易くなる。なお、積層構造としては、ＭＯＳ構造、ショットキー接合構造もしくはヘテロ構造またはこれらの組み合わせを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】
ＭＩＭ型の電子放出素子の電子放出層に効率的に電界強度を印加し、電子放出効率を向上させること。
【解決手段】
第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって、前記導電性部材間には、第一の誘電体部材と、第二の誘電体部材によって皮膜された金属微粒子を備え、前記第一の導電性部材における表面粗さは、中心線平均粗さ（Ｒａ）で０．０５（μｍ）以上０．４（μｍ）以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】電子放出効率が高く、同時にゲートとカソード間の静電容量の小さな電子線装置を提供する。
【解決手段】絶縁部材２の側面２ａ上に形成したゲート５とカソード４と、Ｚ方向の延長上に配置したアノードと、を備えた電子線装置において、ゲート５とカソード４のアノードへの正射影が互いに重ならないように、ゲート５とカソード４とをＹ方向においてずらせて配置する。 （もっと読む）

【課題】 短尺かつ高密度のカーボンナノチューブを形成したカソード電極パターンの配置設計により、カソード電極パターンへの電界集中効果を効率的に発現させ、電流集中による劣化を生じず、耐振動性等の機械的強度に優れた、高効率で信頼性が高い電子放出素子を提供すること。
【解決手段】 絶縁性基板上にカソード電極と、該カソード電極上に形成されたカーボンナノチューブからなる電子放出層を有する電子放出素子であって、カソード電極、電子放出層を貫通するように基板に垂直方向に延設した複数の貫通孔を有し、貫通孔が、カソード電極上への電界集中効果を促進させる配置で設けられていることを特徴とする電子放出素子とする。 （もっと読む）