【課題】サイドイレーズを抑制して記録密度を向上させることができる記憶媒体および記憶装置を提供する。
【解決手段】各磁性ドット６４では軟磁性体６８は硬磁性体６７の外端よりも記録トラック６１の中心線６３側で外端を規定する。硬磁性体６７および軟磁性体６８の間で磁気的な交換結合が実現される。その結果、中心線６３側で軟磁性体６８に所定の記録磁界が作用すれば、軟磁性体６８および硬磁性体６７で磁化は所定の方向に容易に向けられる。その一方で、境界線６６に隣接する外側で硬磁性体６７上に軟磁性体６８は配置されない。硬磁性体６７に記録磁界が作用しても硬磁性体６７で磁化の向きは変化しにくい。境界線６６を挟んで隣接する記録トラック６１に対して記録磁界が作用しても、サイドイレーズの発生は抑制される。その結果、クロストラック方向に磁性ドット６４同士のビットピッチはこれまで以上に狭められる。記録密度は向上する。 （もっと読む）

【課題】本件は、基板上に磁気記録層が形成された磁気記録媒体等に関し、ノイズを増加させることなく、分解能、オーバーライト特性の改善を図る。
【解決手段】磁性体と酸化物とを組成物とする第１の記録層２１８と、第１の記録層２１８上に積層された非磁性層２１９と、非磁性層２１９の上に積層された、磁性体と酸化物とを組成物とし、酸化物の比率が第１の記録層２１８における酸化物の比率よりも低い第２の記録層２２０と、上記第２の記録層２２０の上に積層された、磁性体からなり実質的に酸化物を含まない第３の記録層２２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】熱安定性が維持された上での反転磁界の強度について高い低減効果が得られる磁気記憶媒体を製造することができる現実的な磁気記憶媒体製造方法と、そのような磁気記憶媒体製造方法で製造される磁気記憶媒体と、そのような磁気記憶媒体を搭載した情報記憶装置とを提供する。
【解決手段】磁気記憶媒体製造方法において、非磁性材料のディスク基板２２０に、各々の底の一部にナノホール２３３を有した複数の窪み２３１を並べて形成する窪み形成過程（ステップＳ１０２）と、この窪み形成過程で形成された各窪み２３１の底のナノホール２３３内に硬磁性材料を充填する第１充填過程（ステップＳ１０３）と、窪み２３１の中の、第１充填過程（ステップＳ１０３）で充填された硬磁性材料の上に、その硬磁性材料の保磁力よりも小さな保磁力を有する軟磁性材料を、窪み２３１の底を少なくとも覆うまで充填する第２充填過程（ステップＳ１０４）とを行う。 （もっと読む）

【課題】垂直磁性層の高い垂直配向性を維持することを可能とした磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも非磁性基板上に、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層１１と、磁化容易軸が非磁性基板に対して主に垂直に配向した垂直磁性層とを積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、垂直磁性層を２層以上の磁性層１２〜１４から構成し、各磁性層１２〜１４を構成する結晶粒子が配向制御層１１を構成する結晶粒子と共に厚み方向に連続した柱状晶Ｓ１〜Ｓ３を形成するように各層を結晶成長させる際に、結晶成長させる層の下層に位置する層の表面粗さ(Ｒ_ｍａｘ)を２〜４．５ｎｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】室温で大きな垂直磁気異方性エネルギーや高い保磁力を有し、かつキュリー温度が低く、低パワーでも垂直磁気異方性エネルギーや保磁力を低下して記録出来る媒体を得る。
【解決手段】基板１０１上に設けられた下地層１０２及び中間層１０３と、室温で垂直磁気異方性を有する磁気記録層１０４を有し、エネルギー照射により磁気記録層の垂直磁気異方性を低下させた状態で記録を行う垂直磁気記録媒体。中間層はＲｕ及び／又はＰｄからなり、磁気記録層は、Ｃｏを主成分とする強磁性金属層１０８とＰｄを主成分とする非磁性金属層１０９との積層体であり、強磁性金属層は膜厚が０．１５ｎｍ以上０．２５ｎｍ以下であり、非磁性金属層は膜厚が０．４５ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であり、強磁性金属層と非磁性金属層の膜厚比は２以上４以下であり、エネルギー照射時と非照射時の保磁力の差は８ｋＯｅ以上ある。 （もっと読む）

低結合型垂直磁気記録媒体は、磁気記憶層と、少なくとも１つの低飽和磁化層とを含む。磁気記憶層は、約４００から９００ｅｍｕ／ｃｍ³の飽和磁化を有する。
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【課題】記録層の異方性磁界強度がヘッド磁界に制限されないで、低温で記録ができる熱アシスト磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気記録媒体は、基板上に形成された少なくとも２層の記録層を有し、記録層は硬磁性層であり、硬磁性層を構成する磁性粒子は、粒界において粒子間を磁気的に分離する非磁性物質を有する。前記記録層の第一の磁性層の記録磁化を保持するためのエネルギー (K_u1・v₁)（K_u1は異方性エネルギー、v₁は粒子の体積）と熱的な揺らぎのエネルギー(k_B・T)（k_Bはボルツマン定数、Ｔは絶対温度）の比(K_u1・v₁)/(k_B・T)と、第二の磁性層の (K_u2・v₂)と熱的な揺らぎのエネルギーの比(K_u2・v₂)/ (k_B・T)において、室温では、(K_u1・v₁)/(k_B・T)は(K_u2・v₂)/(k_B・T)よりも大きく、第一の磁性層のキュリー温度近傍では逆に(K_u2・v₂)/(k_B・T)が(K_u1・v₁)/(k_B・T)よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】記録層の下地の特性を向上することで記録層の結晶配向性と結晶粒径の制御精度を向上し、もって記録特性の向上と高密度化に寄与する磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供すること。
【解決手段】基板１とＣｏ合金磁性記録層９との間に第一〜第二結晶制御層と中間層を設ける。第一結晶制御層４はＬ１２型合金で形成する。第二結晶制御層５は、ｈｃｐ合金もしくはｆｃｃ合金で形成する。そして、中間層６は、Ｒｕ合金で形成する。第二結晶制御層５は、その下の第一結晶制御層４の上面の凹凸を吸収するようにも機能するので、第二結晶制御層５の作用によって配向が一方向に揃えられて良好な結晶性を有する中間層６が第二結晶制御層５上に成長する。 （もっと読む）

【課題】合金の規則化にかかる熱処理温度を低減することを課題とする。
【解決手段】磁気記憶媒体は、高い磁気異方性を有する高磁気異方性材料であるＣｏＰｔまたはＦｅＰｔに、当該高磁気異方性材料よりも低温の熱処理で拡散を開始する低温拡散材料であるＢ元素が添加された第一磁性層膜を有し、当該第一磁性層膜ＣｏＰｔＢまたはＦｅＰｔＢのキャップ層であって、低温拡散材料であるＢ元素の移動を促進させる材料であるＴｉを有する第二磁性層膜を有する。 （もっと読む）

【課題】多層磁気記録層の形成に際して、層界面での磁性層と非磁性層との混合層の発生を抑制しつつ、磁性層又は非磁性層と残留ガスとの反応生成物の発生を抑制すること。
【解決手段】磁気記録媒体の製造方法であって、真空チャンバ内でスパッタ処理を繰り返し実行することにより、基板上に磁性層と非磁性層とを交互に複数積層した多層磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程を含み、磁気記録層形成工程は、各磁性層又は各非磁性層の積層を終了してから次の非磁性層又は磁性層の積層を開始するまで、所定の時間だけ、スパッタ処理の放電を停止すると共に、真空チャンバ内の到達真空度が所定値以下となるように、所定の時間中に、真空チャンバ内を排気する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ディスクの全面において均等に磁気記録層の結晶配向性を向上させて保磁力Ｈｃを向上させ、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基体上に少なくとも、柱状に連続して成長した磁性粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層を備える垂直磁気記録媒体において、磁気記録層の磁性粒子はＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔを含み、ディスク面内の保磁力Ｈｃが４５００〜５５００［Ｏｅ］であって、保磁力Ｈｃの最大値と最小値の差が１５０［Ｏｅ］以下であり、磁気異方性定数Ｋｕ、粒子体積Ｖ、ボルツマン定数ｋ、絶対温度ＴがＫｕＶ／ｋＴ＝６０〜１００を満たし、かつ、（ＫｕＶ／ｋＴ）／Ｈｃ＝０．０１〜０．０２を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 補助記録層に起因すると考えられるノイズを低減させてＳＮＲを向上し、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するために本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の代表的な構成は、基体上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層１２２と、磁気記録層１２２の上に設けられたＲｕと酸素を含む非磁性の分断層１２４と、分断層１２４の上に設けられ基体１１０の主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層１２６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気記録層のＳＮＲをさらに向上し、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 基体上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第１磁気記録層１２２ａと、第１磁気記録層１２２ａの上に設けられた介在層１２２ｂと、介在層１２２ｂの上に設けられ柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の第２磁気記録層１２２ｃと、第２磁気記録層１２２ｃの上に設けられた分断層１２４と、分断層１２４の上に設けられ基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した補助記録層１２６とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サイドイレーズが抑制された磁気記録媒体および情報記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体において、基板２１と、基板に、非磁性体２７によって離隔され規則的に配列した、それぞれに情報が磁気的に記録される複数の記録ドット２４とを備え、複数の記録ドット２４のそれぞれが、基板に対し垂直に磁化する第１の磁性層２４１と、基板に対し平行に磁化する第１の磁性層よりも磁気異方性の小さい材料で形成された第２の磁性層２４３とを有する。 （もっと読む）

【課題】長期間使用してもパーティクルの増加しない密着層を提供し、欠陥発生の少ない垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体において、密着層にＣｒＢなどの金属とホウ素との共晶点近傍の組成を有する金属ホウ化物を含むアモルファス薄膜を用いることにより、長期間使用してもパーティクルの増加しない密着層が得られ、垂直磁気記録媒体の良品率改善に寄与することができる。 （もっと読む）

【課題】高記録密度の磁気記憶媒体を量産性を損なわない製造方法で製造する。
【解決手段】基板６１上に磁性膜６２を形成する磁性膜形成過程と、その磁性膜６２の、各々に情報が磁気的に記録される磁性ドット６２ｃとなる複数箇所を除いた他の箇所に局所的に、Ｎ_２^＋イオンとＮ^＋イオンとの混合イオンを注入して飽和磁化を低下させることで、磁性ドット６２ｃの相互間に、それら磁性ドット６２ｃの飽和磁化よりも小さい飽和磁化を有する分断帯６２ｄを形成するドット間分断過程とを有する製造方法で磁気記憶媒体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】 グラニュラー層の皮膜の強度を高めることで信頼性を向上しつつ、高いＳＮＲを確保することが可能な垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を備える垂直磁気記録媒体１００において、グラニュラー層（非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ）は、ディスク基体１１０に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 保護層成膜工程に用いたチャンバー内部における堆積物を効率的に除去することで、基体上の層へのパーティクルの混入を低減し、垂直磁気記録媒体の歩留まりを向上することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法の構成は、基体１１０上に、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層１２２を成膜する磁気記録層成膜工程と、ＣＶＤ法により炭素系保護層１２６を成膜する保護層成膜工程と、炭素系保護層の成膜に使用したチャンバーの内部に堆積した堆積物をオゾンを用いて除去するクリーニング工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気記録ヘッドの構造を複雑化することなく、高記録密度化を図ることが可能な熱アシスト磁気記録方式を提供する。
【解決手段】本発明に係る熱アシスト磁気記録方式は、各記録ビット７が絶縁体により分離されたビットパターンを有する磁気記録媒体６の所望の記録ビット７に対して、前記磁気記録媒体６上を浮上する磁気記録ヘッド１に設けられたトンネル電流配線１５からトンネル電流を印加して、前記記録ビット７を昇温させて保磁力を低下させた状態で前記磁気記録ヘッド１から情報に応じた交番磁界を印加して該情報の記録を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ比が高く、熱揺らぎ特性が優れ、さらに記録特性（ＯＷ）の優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に少なくとも、軟磁性下地層と、直上の層の配向性を制御する配向制御層と、磁化容易軸が非磁性基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性層と、保護層が設けられた磁気記録媒体において、垂直磁性層を基板側から下層、中層、上層を含む３層以上から構成し、下層、中層、上層の磁性層を構成する磁性粒子を下層から上層まで連続した柱状晶とし、下層と中層の磁性層の間、または中層と上層の磁性層の間に非磁性層を設け、上層の磁気異方性定数（Ｋｕ）を０．８×１０^６〜４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内、中層のＫｕが２×１０^６〜７×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内、下層のＫｕを１×１０^６〜４×１０^６（ｅｒｇ／ｃｃ）の範囲内とし、下層、中層、上層の磁性層をフェロ結合させる。 （もっと読む）