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Fターム[5D021CC20]の内容

静電、電磁、磁歪、可変抵抗等の交換器 (2,490) | 静電型変換器 (2,183) | 製法、そのための装置 (261)

Fターム[5D021CC20]に分類される特許

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【課題】エレクトレットコンデンサマイクにおいてエレクトレットに蓄えられた電荷が外気へリークすることを防止する。
【解決手段】エレクトレット4を有するメンブレン2(下部電極)と、メンブレン2との間にエアギャップ3を介在させて配置された上部電極1とを有するエレクトレットコンデンサマイクを製造する際に、エアギャップ3の内部に対して撥水化処理を行う前に脱ガス処理を行う。 (もっと読む)


【課題】コンデンサマイクユニットを支持パイプを介して支持してなるグースネック型のコンデンサマイクロホンにおいて、マイクケーブルをその全長にわたって外皮を有しないシールド被覆線露出状態で支持パイプ内に挿通して使用するにあたって、支持パイプ内でのマイクケーブルの動きを制限し、支持パイプの内壁に対するシールド被覆線の遊び当接による異音の発生を防止する。
【解決手段】マイクケーブル40はその全長にわたって外皮を有しないシールド被覆線43が露出した状態で支持パイプ内に挿通され、シールド被覆線43の所定部分に、中央部分51がシールド被覆線に導通した状態で保持され、両側の翼片52,52がマイクケーブル40の軸線とほぼ直交する方向に延ばされて支持パイプの内面に対して弾性的に接触する導電性の接触子を取り付ける。 (もっと読む)


【課題】信頼性を劣化させることなくヒンジ構造の深い振動膜を容易に形成できるようにし、それによって音響感度が高い音響検出機構を安価に提供する。
【解決手段】基板10の中央部に貫通穴12が設けられている。基板10の上に、貫通穴12を覆うように、下部電極を含む振動膜1が設けられている。振動膜1の上方にエアギャップ4を介在させて上部固定電極3が配置されている。振動膜1には、50度以上で且つ80度以下のテーパ角を持つヒンジ構造19が設けられている。 (もっと読む)


【課題】個々の製品毎の感度のばらつきをなくすことができるエレクトレットマイクロホンユニットの製造方法の提供。
【解決手段】エレクトレット素材からなる成膜面23aを有する固定電極23と、貫通孔26を有する絶縁座24とを離脱困難に一体的に組み込んで絶縁座ユニット22を形成し、該絶縁座ユニット22の状態で成膜面23aをエレクトレットEとして形成する。エレクトレットEが形成された後には、固定電極23側への電気的な接触をなくして絶縁座ユニット22をユニットケース32内に収納する。このため、エレクトレットEは、所定の表面電圧の変化をなくすことができるので、製造後のエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットも個々の製品毎の感度のばらつきをなくすことができる。 (もっと読む)


【課題】共振の発生を防止でき、かつ、ハム雑音の発生も効果的に防止できるコンデンサマイクロホンユニットおよびその製造方法の提供。
の提供。
【解決手段】コンデンサマイクロホンユニット11は、ユニットケース12内に内蔵ユニット22を収容させる第1工程に先立ち、ユニットケース12の内隅部17に導電性シーリング材Sを塗布する前処理を経て製造されるので、該導電シーリング材Sが、開放端縁15をかしめる第2工程を経た際に生成したかしめ圧力を介して、音圧受動体23の支持リング25とユニットケース12との間に形成された隙間G1、G2が封止される。これにより、第1空気室26と隙間G1とが直結することに起因する共振を防止して高域での周波数応答を良好にし、かつ、振動板24側とユニットケース12側との間の導通を確保してハム雑音の発生を効果的に防止する。 (もっと読む)


マイクロフォン組立品は、キャリヤと、シリコンベースのトランスデューサと、導電素子と、アンダーフィル剤とを備える。キャリヤは、電気的接触要素を保持する第1の面を有している。シリコンベースのトランスデューサは、置換可能なダイアフラムおよび電気的接触要素を備える。トランスデューサは、キャリヤの第1の面上に一定間隔で配置される。導電材料は、キャリヤの電気的接触要素とシリコンベースのトランスデューサとの間に電気的接触を得るように配置される。アンダーフィル剤は、シリコンベースのトランスデューサとキャリヤとの間の空隙に配置される。アンダーフィル剤は、40ppm/℃を下回るアンダーフィル熱膨張係数(CTE)を有する。 (もっと読む)


【課題】 固定極組立の外周部が削られても、エレクトレット板が剥離することを防止することができるコンデンサマイクロホンの構成部材およびその製造方法に関する。
【解決手段】振動板と、この振動板が固着された振動板保持体と、振動板に隙間をおいて対向配置され振動板との間でコンデンサを構成するエレクトレットを用いた固定極を含む構成部材を有するコンデンサマイクロホンユニットに用いる構成部材の製造方法であって、ガラス板平面にエレクトレットシートを設置する工程、固定極のエレクトレット貼付け面を平面研磨する工程、紫外線硬化樹脂を塗布する第三工程、固定極を置いたエレクトレットシートに紫外線を照射する第四工程、固定極の外周に沿ってエレクトレットシートを切除する工程とを備えるコンデンサマイクロホンユニットの構成部材の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】柔軟なバネ型構造の上部振動板と、バックプレートとを有する超小型コンデンサーマイクロホン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下部シリコン層21a及び第1絶縁層21bを形成し、第1絶縁層上にバックプレート用の上部シリコン層を形成し、上部シリコン層のパターニングにより多数の音響ホール22aを形成し、上部シリコン層上に第2絶縁層23を形成し、上部シリコン層上に導電層を形成し、導電層上に保護層を形成し、保護層上に犠牲層を形成し、犠牲層上に振動板25を蒸着し、振動板の板面を貫通する複数のエアホール25cを形成し、保護層と振動板の一領域上に電極パッドを形成し、犠牲層、保護層、導電層、上部シリコン層、第1絶縁層、下部シリコン層をエッチングして除去し、振動板と上部シリコン層との間にエアーギャップ24を形成する各形成段階を含む製造方法である。これにより感度の向上、サイズの低減が可能となる。 (もっと読む)


【課題】固定極側に対しインピーダンス変換器の入力側端子を漏洩電流の原因となる凝集フラックスを完全除去してはんだ付けしたコンデンサマイクロホンおよびその製造方法の提供。
【解決手段】固定極42側に対しインピーダンス変換器12としてのFET13のゲート端子16をはんだ付けするはんだ付け工程を、はんだ付け部位17の残余部位を絶縁性シーリング材Sで覆って硬化させる前処理と、はんだ付け部位17をはんだ付けする実はんだ付け処理と、はんだ付け後に絶縁性シーリング材S側に付着した凝集フラックス20を除去する後処理との手順を経て行うことで、凝集フラックス20を完全除去し、漏洩電流に起因する雑音の発生を防止したコンデンサマイクロホン11を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 振動によって振動板を破断させることで振動板を傷つけることなくエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットの構成部材を得ることができる製造方法に関する。
【解決手段】振動板と、この振動板が固着された振動板保持体とを含む構成部材を有するエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットに用いる前記構成部材の製造方法であって、上記振動板の第一面に振動板保持体を接着する第一の工程と、上記振動板をリング状の台座に、固定する第二の工程と、上記台座に固定された振動板保持体を落下防止用のチャッキング冶具でチャッキングする第三の工程と、上記チャッキング冶具を振動させ上記振動板保持体の外周縁に沿って破断させる第四の工程とを備えるエレクトレットコンデンサマイクロホンユニットの構成部材の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】筐体基板において、連結部の外側面に電磁シールドする部分がない無電磁シールド部にも筐体基板の側壁に導電性のスルーホールが設けられることにより、電磁シールド性を向上することができるコンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】
コンデンサマイクロホンの筐体基枠24の外側面に、電磁シールド部(Q1の範囲で示される部位)と、電磁シールド部が設けられていない無電磁シールド部(Q2の範囲で示される部位)を有する。無電磁シールド部の筐体基枠24の側壁には、導電性を有するスルーホール24kが形成されている。電磁シールド部と、スルーホール24kとにより、筐体基枠24内部が電磁シールドされる。 (もっと読む)


【課題】筐体基板の表裏面に対して回路基板とトップ基板をそれぞれ接着剤にて接着する際、筐体基板のコア材と回路基板、及び筐体基板のコア材とトップ基板との接着性を向上することができるコンデンサマイクロホンの製造方法及びコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】
コンデンサマイクロホンの製造方法では、筐体基枠の接着領域にスルーホール用の孔部152を形成し、孔部152の内面及び接着領域を含む筐体基枠の表裏面に導電パターン24c,24pを形成する。そして、接着領域に位置する孔部152に絶縁性合成樹脂を充填し、接着領域の導電パターン24pをエッチングにより除去する。そして、筐体基枠の表裏面の接着領域に対して接着シートを介してトップ基板及び回路基板を接着固定する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板をマイクロ加工して形成されるコンデンサマイクロホンの誘電体膜を、無理なくエレクトレット化することが可能であり、また、製造ばらつきや部品の特性ばらつきに起因して生じるマイクロホン感度の変動についても対策可能である、コンデンサマイクロホン用の新規なエレクトレット化技術を提供する。
【解決手段】シリコンウェハを加工することにより、複数の音孔を有する固定電極と、この固定電極と所定間隔を隔てて配置される導電性の振動膜と、この振動膜上に設けられる誘電体膜とを有するコンデンサマイクロホンを形成する工程と、前記シリコンウェハをダイシングラインに沿ってダイシングし、コンデンサマイクロホンを形成する工程とを含み、ダイシングに先立ち、コロナ放電を行い、発生するイオンを前記固定電極に設けられた前記複数の音孔を経由して、前記誘電体膜のエレクトレット化を行うエレクトレット化工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】振動板とこれに対向する固定電極との間隔を精度よく設定することができるコンデンサーマイクロホンユニットおよびその製造方法を得る。
【解決手段】振動板保持体2に保持された振動板3と、振動板3に対向し振動板3とともにコンデンサーを構成する固定電極5と、振動板3および固定電極5を含む内蔵部品を収納するユニットケース1と、を備える。固定電極5は、外周面がリング状絶縁座4の内周面に中心軸線方向に相対移動可能に嵌められ、リング状絶縁座4の一端面は振動板3の外周縁部を振動板保持体2に押し付け、固定電極5は、リング状絶縁座4の一端面が振動板3の外周縁部を振動板保持体2に押し付けた状態で、振動板3との間に所定の間隙を形成する位置でリング状絶縁座4に接着固定されている。 (もっと読む)


【課題】ダイヤフラムの残留応力を低減して応答性を高める。
【解決手段】半導体基板1及び該半導体基板1上に形成した支持層2に空洞孔3が形成されるとともに、該空洞孔3に架け渡された状態にダイヤフラム4が前記支持層2の上に支持された半導体センサにおいて、前記支持層2は、半導体基板1への接合面からダイヤフラム4への接合面にかけて厚さ方向に材料組成が変化し、ダイヤフラム4への接合面付近は該ダイヤフラム4の組成と同じか又はこれと近似した組成である。 (もっと読む)


【課題】コンデンサマイクロホンの低周波領域での感度を高めてフラットな感度特性を実現する。
【解決手段】複数の通孔を有し、静止電極を形成しているプレートと、前記静止電極に対する振動電極を形成しているダイヤフラムと、前記プレートと前記ダイヤフラムとの間に位置し、前記ダイヤフラムの外周端より内側の環状の領域に配置されたスペーサと、前記ダイヤフラムに対し前記プレートと反対側に位置し、開口を有するストッパプレートと、を備え、前記ダイヤフラムは、前記プレートと前記ダイヤフラムとの間に生ずる静電引力によって前記スペーサより内側が前記プレートに接近し前記スペーサより外側が前記プレートと反対側に移動し外周端の少なくとも一部が前記ストッパプレートの開口の縁部に接触した状態において、前記プレートに対して振動する、コンデンサマイクロホン。 (もっと読む)


【課題】結晶異方性エッチングと等方性エッチングの組み合わにより、裏面側からの基板エッチングで裏面側での広がりの小さな貫通孔を形成できる振動センサの製造方法を提供する。
【解決手段】Si基板12の表面にSiO薄膜からなる保護膜20を形成し、その一部を除去して開口したエッチング窓22に多結晶Siからなる犠牲層23を成膜する。犠牲層23の上からSi基板12表面にSiOからなる保護膜24を成膜し、その上から多結晶Siからなる素子薄膜13を成膜する。裏面の保護膜21に裏面エッチング窓26を開口する。TMAHにSi基板12を浸漬して裏面エッチング窓26からSi基板12を結晶異方性エッチングし、Si基板12に貫通孔14を設ける。犠牲層23が貫通孔14内に露出したら、犠牲層23がエッチング除去し、保護膜24とSi基板12の間に隙間19を生成し、Si基板12を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。 (もっと読む)


【課題】マイクロホンの感度を変化させるようにしたマイクロホン組立体の製造装置を提供する。
【解決手段】マイクロホン組立体の製造装置は、上部にマイクロホンチップが実装されたPCBの背面に密着した状態で設けられる下部金型と、前記PCBの上部に設けられ、前記マイクロホンチップを収容する収容空間及び材料を注入するための注入口が形成される上部金型と、前記注入口に移動可能な状態で設けられ、エポキシまたはシリコンを前記上部金型の収容空間に注入するための材料注入器と、を含んで構成される。また、前記マイクロホン組立体の製造方法は、マイクロホンチップ実装ステップと、金型設置ステップ、材料注入ステップと、PCB切断及び製品化ステップとを含む。したがって、金型を用いるトランスファモールディングや射出方式で、マイクロホン組立体を製作することで、マイクロホン製作のための工程時間を短縮する。 (もっと読む)


【課題】シリコン基板を表面側からエッチングすることができる、静電容量型センサの製造方法および静電容量型センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板2の表面上に、保護層4がパターン形成された後、保護層4が形成されていない保護層非形成領域と対向し、その保護層非形成領域の一部が露出するように、第1金属層5が形成される。その後、第1金属層5上に、第1絶縁層8、金属犠牲層、第2絶縁層15、第2金属層12がこの順に形成される。そして、金属犠牲層に金属エッチング液が供給されることにより、金属犠牲層が除去される。また、金属犠牲層が除去された部分から、金属犠牲層の除去によって露出した保護層非形成領域を介して、シリコン基板2にシリコンエッチング液が供給される。これにより、シリコン基板2の一部が除去されて、裏面側ほど寸法が小さくなる断面台形状の貫通孔3が形成される。 (もっと読む)


【課題】音響エネルギーをトランスデューサに接触させて、必要な圧力リファレンスを提供すると同時に、光と電磁妨害および物理的損害からトランスデューサを保護するシリコンコンデンサマイクロフォンパッケージを提供する。
【解決手段】シリコンコンデンサマイクロフォンパッケージ10は、トランスデューサ部12と、基板14と、カバー20から構成されている。基板14は、凹部が形成された上面を有する。トランスデューサ部12は、基板14の上面に取り付けられて、トランスデューサ部12の後部ボリューム18がトランスデューサ部12と基板14間に形成されている凹部の少なくとも一部に重なっている。カバー20はトランスデューサ部12上に配置され開口部24を有する。 (もっと読む)


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