【課題】積層型の筐体構造を有するマイクロホンの製造方法において、基板間の接着強度を十分に確保した上で、接着固定時の押圧によるマイクロホン機能への悪影響を効果的に抑制する。
【解決手段】マイクロホン集合体１１０を複数個に分割することによりマイクロホンを製造する際、その第１および第２の接着領域１２４ａ、１２６ａの各々に接着シート集合体１５４、１５６を配置した状態で、ボディ基板集合体１２２の上下両面にトップ基板集合体１２４およびボトム基板集合体１２６をそれぞれ当接させて、その上下両側から第１および第２の押圧板１６４、１６６で押圧することにより、その接着固定を行う。その際、第１の押圧板１６４の下面における第１の接着領域１２４ａと対向する位置に、上記押圧の際にトップ基板集合体１２４の上面における各トップ基板２４相互間の連結位置に当接する突起部１６４ａを形成しておく。 （もっと読む）

【課題】積層型の筐体構造を有するマイクロホンの製造方法において、基板間の接着強度を確保した上で、接着領域からの接着剤の溢れ出しによるマイクロホン機能への悪影響を効果的に抑制する。
【解決手段】マイクロホン集合体１１０を複数個に分割することによりマイクロホン１０を製造する際、トップ基板集合体１２４の下面における各トップ基板相互間の連結位置に、該トップ基板集合体１２４とボディ基板集合体１２２とを接着固定するための第１の接着領域１２４ａを形成しておく。その際、ボディ基板集合体１２２の上面における第１の接着領域１２４ａと対向する位置に、接着固定の際に第１の接着領域１２４ａから溢れ出す接着剤を収容するための第１の接着剤収容部として、導電層２２Ｂの一部を切除した切除部２２ｂと、ボディ基板集合体１２２を上下方向に貫通する貫通孔１２２ｄとを形成しておく。 （もっと読む）

【課題】非金属材料からなる保護膜の不所望なエッチングを防止することができる、ＭＥＭＳセンサの製造方法およびＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】シリコンウエハＷの一方面上に、第１犠牲層２４、ダイヤフラム６、第２犠牲層２５、バックプレート８および保護膜１０が形成される。保護膜１０の材料にポリイミドが用いられ、第２犠牲層２５の材料にＡｌが用いられる。そして、保護膜１０に、バックプレート８の孔９と連通する孔１３が形成される。また、保護膜１０におけるバックプレート８の周囲に、孔１４が形成される。そして、保護膜１０の内側に孔９，１３，１４を通して塩素系ガスが供給されることにより、第２犠牲層２５が除去される。 （もっと読む）

【課題】電気・電子入出力装置用材料としての導電層を備えたエレクトレットを形成する際に、エレクトレットの性能低下を極力軽減した導電層を備えたエレクトレットを提供する。
【解決手段】エレクトレット化フィルム（Ａ）２の少なくとも片方の面に、表面抵抗値が１×１０^−２〜９×１０^７Ωである導電層（Ｅ）７，８を設けた誘電体フィルム（Ｂ）３，４を、接着剤層（Ｃ）５，６を介して積層したことを特徴とする導電層を備えたエレクトレット（Ｆ）１。 （もっと読む）

【課題】着電量バラツキが小さいプロセスを達成し、精密でばらつきの少ない高感度のエレクトレットコンデンサマイクロホンを実現できる製造方法およびエレクトレット化装置を提供する。
【解決手段】エレクトレット化対象の微小コンデンサマイクロホン４３ａが、放電電極５１と対向して設置される。次いで、微小コンデンサマイクロホン４３ａが備える固定電極と振動膜との間に所定の電位差を付与した状態で、当該固定電極と振動膜との間の誘電体膜に放電電極のコロナ放電により発生したイオンを入射させることにより、当該イオンに基づく電荷を当該誘電体膜に固定するエレクトレット化が実施される。このとき、エレクトレット化対象の微小コンデンサマイクロホンと放電電極との間には、所定の電位が付与されるとともに抵抗体を介して接地電位に接続された導電性のカバー５７が設置されており、イオンはカバー５７の開口部を通じて誘電体膜に到達する。 （もっと読む）

【課題】被覆膜で被覆された犠牲層をエッチングするときに、エッチングによる被覆膜の損傷の発生を抑制できる犠牲層のエッチング方法、該エッチング方法を用いたＭＥＭＳデバイスの製造方法および該製造方法により製造されるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２上に犠牲酸化膜２９を形成し、犠牲酸化膜２９を、シリコン基板２の一方面に対向する対向部１７と、シリコン基板２の一方面に形成された段差部１９と、対向部１７と段差部１９とを連設する側部１８とを有する表面膜１１で被覆する。次いで、側部１８に、犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比が、表面膜１１の犠牲酸化膜２９とのエッチング選択比よりも大きい材料からなる保護膜１６を形成する。そして、犠牲酸化膜２９をエッチングして、表面膜１１をシリコン基板２との間に中空部分を有する状態で支持される中空支持膜とすることにより、シリコンマイク１を得る。 （もっと読む）

ＭＥＭＳデバイスは、第１主表面とその反対面である第２主表面とを有する基板１０１と、前記基板１０１に形成された貫通孔１１０と、前記第１主表面の上側に前記貫通孔１１０を覆うように形成された振動膜１０５とを備えている。前記第１主表面及び前記第２主表面は共に（１１０）結晶面であり、前記第２主表面における前記貫通孔１１０の形状は実質的に菱形である。 （もっと読む）

【課題】真空層の高真空化による高性能化が可能な静電型トランスデューサを提供する。
【解決手段】シリコン基板１０と、シリコン基板１０の一表面側に形成された多孔質ポリシリコン層からなる真空封止用多孔質層１９と、真空封止用多孔質層１９におけるシリコン基板１０側とは反対側に積層されたキャップ層２２とを備え、真空封止用多孔質層１９とシリコン基板１０の上記一表面との間に真空層２１が形成され、真空層２１のシリコン基板１０側にコンデンサの一方の電極となる固定電極１３が形成され、真空層２１のシリコン基板１０側とは反対側にコンデンサの他方の電極となる可動電極２４が形成されている。真空封止用多孔質層１９は、シリコン基板１０の上記一表面側にポリシリコン層１８を当該ポリシリコン層１８が上記一表面から離間する形で形成し当該ポリシリコン層１８の一部を陽極酸化することにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳマイクロホンにおける、ＭＥＭＳチップＧＮＤ−基板GND間ワイヤ不着／なしの検出を１００％可能にし、スクリーニングすることで品質向上を図る。
【解決手段】本発明はコンタクトソケット１に設置された、ＭＥＭＳマイクロホン２のＭＥＭＳチップＧＮＤワイヤ７の不着／なしを検出する為に、交流駆動させた光を高出力ＬＥＤ３から照射させ、その交流駆動周波数のマイクロホン出力レベルが増大すること、ＭＥＭＳチップＧＮＤワイヤ７不着／なしのＭＥＭＳマイクロホンはノイズレベルが増大すると言う二つの要素を利用することで、量産機としての検出が可能となる。また、その検出方法は従来の特性検査と同様な為、光照射と同時にスピーカ４から３波混合波を発生させ、特性検査とワイヤ検査の同時検査が出来る。 （もっと読む）

【課題】プリモールドタイプのパッケージにあって内部に収納される半導体チップを有効に電磁シールドするとともに、パッケージ本体及び蓋体ともに生産性に優れ、コスト低減に有効な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】リードフレーム５には、半導体チップ２，３の下方に配置されるステージ部２１と、半導体チップ２，３に接続される端子部とが相互に間隔をあけて形成されるとともに、これらの少なくとも一部が底板部５１の裏面に露出する外部接続面とされ、周壁部５２の上端面には、ステージ部２１に接続状態の突出片２５の先端部が露出され、蓋体８は、天板部６５と側板部６６とを備え、該側板部６６の下端がパッケージ本体７の周壁部５２の上端面への固定部とされ、パッケージ本体７の周壁部５２の高さは、半導体チップ２，３の収納に必要な高さの一部とされ、その残りの高さが蓋体８の側板部６６により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 機械電気変換装置の製造時に、素子の物理的強度を補強でき、素子の加工後には容易に短時間で剥離することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 基板とメンブレンとからなるエレメントを有する被処理基板に対し、後の裏面加工に耐えうるような流路を設けたハンドリング部材を用意し、前記素子内の少なくとも一部が前記ハンドリング部材により支持されるように、前記ハンドリング部材を前記被処理基板に固定する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で全体を小型化し、さらなるコスト低減を図る。
【解決手段】半導体チップを搭載する底壁部及び該底壁部の周縁部から立設した周壁部を備える箱型のモールド樹脂体に少なくとも一部が埋設されるとともに、周壁部の上端面に露出される主フレーム部１１と、該主フレーム部１１から垂れ下がる複数の連結アーム部１２と、これら連結アーム部１２の下端から延びて底壁部内に埋設されるシールド板部１３とを備えてなる半導体装置用リードフレームの製造方法であって、金属板をプレス成形することにより、主フレーム部１１の内側に連結アーム部１２を介してシールド板部１３を平面状に連続するように形成するとともに、主フレーム部１１を保持して連結アーム部１２を変形させながらシールド板部１３を押し下げて製造する。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＴのゲート端子を固定極側に凝集フラックスを介在させることなく電気的に接続して雑音の発生を防止できるようにしたコンデンサマイクロホンユニットおよびその製造方法の提供。
【解決手段】ＦＥＴ１２から引き出されたゲート端子１４を固定極側との間に介在させたコンタクトスプリング１７に電気的に接続する接続処理は、ＦＥＴ１２の本体部１３の上面１３ｂ側と交差する方向に立ち上げたゲート端子１４の開放端部１４ａ側にコンタクトスプリングの基台片部側を配置し、相互を超音波溶接して形成される溶接部位を介して一体化させる第１の工程とゲート端子１４とコンタクトスプリング１７との溶接部位２０を本体部１３の上面１３ｂ側に定置させる第２の工程とを経て行うことで、漏洩電流に起因する雑音の発生を防止したコンデンサマイクロホンユニットを製造する。 （もっと読む）

【課題】エレクトレット誘電体膜の表面電圧をより正確に測定できるようにする。
【解決手段】エレクトレット誘電体膜１１の表面電圧を測定するにあたって、振動発生手段３４にて駆動される表面が平滑な測定電極３７と、インピーダンス変換器４１を介して測定電極に接続される信号測定手段と、固定極１０に対する参照電極２０と、参照電極２０に直流電圧を印加する直流電圧源２１と、直流電圧を測定する電圧測定手段とを含み、エレクトレット誘電体膜１１と参照電極２０とを、測定電極３７に対して表面積および高さを同一として並置し、振動発生手段３４により測定電極３７を振動させるとともに、直流電圧源より参照電極２０にエレクトレット誘電体膜１１の帯電電荷とは逆極性である所定の直流電圧を印加し、電圧測定手段２２にて信号測定手段４２の読値が最小となる直流電圧を測定し、その逆極性の電圧値をもってエレクトレット誘電体膜１１の表面電圧とする。 （もっと読む）

【課題】マイクやスピーカ、圧力センサ等のパッケージをダイシング加工によって個片化し、コスト低減を図る。
【解決手段】パッケージ４の表面又は裏面のいずれかに内部空間を外部に連通する孔４４が設けられるとともに、半導体チップに接続状態の端子部の外側端部がパッケージ４４から露出している半導体装置を製造する方法であって、複数個のパッケージ４が孔４４の形成面を同一方向に向けかつ隣接するパッケージ相互間で端子部をパッケージの外側方位置で接続状態として連結されたパッケージ集合体を製作し、ダイシングテープ７１を貼り付けて孔４４をダイシングテープ７１で覆った状態とし、該ダイシングテープ７１の貼り付け面とは反対面から端子部の接続部分をダイシングブレード７３によって切断することにより、ダイシングテープ７１上で個々のパッケージ４に分離する。 （もっと読む）

【課題】エレクトレット化された誘電体膜のイオナイザ照射による着電量変化を抑制し、マイクロホンの感度変化を低減させること。
【解決手段】導電物4をアース接地させないことにより、イオナイザ1への電流パスを阻止しループ回路形成によって発生した電界によるイオナイザから照射されたイオンが誘電体膜３２への引き込みを抑制することができるため、イオナイザ1による着電量変化を低減させる効果が得られ、着電量ばらつきが減少し、マイクロホンの感度変化の抑制に繋げることができる。 （もっと読む）

【課題】特にエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、振動板の低域周波数応答を改善しつつ、固定極に対する吸着安定度を向上させる。
【解決手段】熱可塑性樹脂フィルムからなり、一方の面に金属膜を有するコンデンサマイクロホン用の振動板１１において、周期の長い粗い凹凸１２ａからなる第１凹凸パターン１２と、周期の短い微細な凹凸１３ａからなる第２凹凸パターン１３とを、それぞれ振動板１１の全域にわたって形成する。 （もっと読む）

【課題】雑音成分を除去する機能を有する音声入力装置及びその製造方法、並びに、情報処理システムを提供すること。
【解決手段】第１の振動膜を有する第１のマイクロフォン７１０−１と、第２の振動膜を有する第２のマイクロフォン７１０−２と、第１の電圧信号と、第２の電圧信号の差分信号を生成する差分信号生成部７２０とを含み、前記第１及び第２の振動膜は、雑音強度比が入力音声成分の強度に対する比率を示す入力音声強度比よりも小さくなるように配置され、差分信号生成部７２０は、遅延部７３０と、遅延部によって遅延を与えられた信号の差分信号を生成して出力する差分信号出力部７４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】電荷保持性に優れた静電型音響変換器用エレクトレット材を提供する。
【解決手段】電極１０、固定部１１およびエレクトレット材層１２を有し、エレクトレット材層１２が帯電状態にあるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）層である静電型音響変換器用耐熱性エレクトレット材１００を、ＰＴＦＥ粒子の分散液を基材上に塗布する塗布工程と、基材上の分散液を乾燥した後、当該分散液中に含有されていたＰＴＦＥ粒子を焼成する乾燥焼成工程と、を含むことによってＰＴＦＥ層を形成する工程と、当該ＰＴＦＥ層の主面を化学エッチングすることによって当該層の帯電性を向上させる工程と、化学エッチング後にＰＴＦＥ層を帯電処理する工程と、を含むことによって製造する。 （もっと読む）

複合材料マイクロフォンは、可撓性かつ伸張性の第１および第２の導体（３１ａ、．．．、３１ｅ、１３１ａ、１３１ｇ；３３ａ、．．．、３３ｈ、１３３ａ、１３３ｇ）からなる格子を有する可撓性および伸張性の基板（２２、１２２、２５０、３５０、４５０）を備える。第１の導体（３１ａ、．．．、３１ｅ、１３１ａ、１３１ｇ）は、第２の導体（３３ａ、．．．、３３ｈ、１３３ａ、１３３ｇ）に対して横断方向に配置される。複数の音響センサ（４０、１４０）がそれぞれ、格子中の各対の導体と接続状態にある。 （もっと読む）