【課題】磁気媒体の作成において、良質の磁気媒体を作製できるようにする。
【解決手段】マグネトロンスパッタリングのためのチャンバー１内に、基板８と第１及び第２ターゲット２１，２１とを、前記基板８の中心軸と前記第１及び第２ターゲット２１，２１の中心軸とが交差するように配置し、前記チャンバー１内を排気し、前記チャンバー１内にガスを導入し、前記排気及びガス導入された雰囲気下で、前記基板８を回転させながら、グネトロンスパッタリング法により前記基板８の上に磁性膜及び異種材料膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子から成る磁気ヘッドやＭＲＡＭ等の生産において、通常な構成であって特に半導体デバイスメーカによる磁性多層膜の製作に適した構成を有し、さらに膜性能を高めることができかつ生産性を向上できる磁性多層膜作製装置を用いて実施することができる磁気抵抗デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、第１磁性金属からなる第１膜及び該第１磁性金属以外の金属からなる第２膜を同一の第１チャンバ１７Ａで成膜する工程を用いて、第１多層金属膜を設ける第１工程、該第１工程後の基板の上に、金属酸化物からなる第３膜を、第２チャンバ１７Ｂで設ける第２工程、並びに、該第２工程後の基板の上に、第２磁性金属からなる第４膜及び該第２磁性金属以外の金属からなる第５膜を同一の第３チャンバ１７Ｃで成膜する工程を用いて、第２多層金属膜を設ける第３工程を有する磁気抵抗デバイスの製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによる機能層の形成時における損傷を軽減しつつ生産性を向上し得る電子素子材料の中間体を提供する。
【解決手段】スパッタリングによって基板１００の表面１００ａに所定の機能層が形成されて構成される電子素子材料の製造に用いられる電子素子材料の中間体であって、スパッタリングの実行時に発生する異常放電を誘導する導電性の放電誘導膜１０２ａが機能層の形成以前における基板１００の外周縁部の所定部位に形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果の再現性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法、磁気デバイスの製造方法、磁気抵抗素子の製造装置および磁気デバイスの製造装置を提供する。
【解決手段】磁気デバイスの製造装置は、磁気回路３７を用いてターゲットＴの表面に漏洩磁場を形成し、ターゲットＴの表面における水平磁場の強度を２０００（Ｏｅ）〜３０００（Ｏｅ）にする。そして、基板１１にトンネルバリア層を積層するとき、表面における水平磁場が２０００（Ｏｅ）〜３０００（Ｏｅ）の下で酸化マグネシウムを主成分とするターゲットＴをスパッタさせる。 （もっと読む）

【課題】磁性薄膜の選択的なエッチングを可能にして生産性を向上させた磁気デバイスの製造方法及び磁気デバイスの製造装置を提供するものである。
【解決手段】基板Ｓ上に、鉄、コバルト、ニッケルからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有した磁性層５１と、磁性層５１のエッチング領域５１Ｅを露出するマスクパターン５２を形成する。そして、エッチング領域５１Ｅに対応する磁性層５１を核にして内包片５１ａを内包したＣＮＴを成長させた後、同ＣＮＴを基板Ｓ上から除去させた。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドスライダのＴＭＲ素子の磁気抵抗低下を効果的に防止すること。
【解決手段】ＴＭＲ素子がそれぞれ組み込まれた磁気ヘッドスライダを複数備えて構成されたロウバーをトレイ上に配置する工程、トレイを処理チャンバー内に取り込み、この処理チャンバー内が予め定められた圧力になるようガスを排出する工程、酸素ガスを含む処理ガスを処理チャンバーに導入し、処理ガスをイオン化し、これにより第１エッチング手段を形成する工程、磁気ヘッドスライダを第１エッチング手段にさらして、ＴＭＲ素子の表面に酸化層を形成する工程、処理チャンバー内からガスを排出して、当該処理チャンバー内にアルゴンガスを導入すると共に、当該アルゴンガスをイオン化し、これにより第２エッチング手段を形成する工程、磁気ヘッドスライダを第２エッチング手段にさらして、酸化層の厚さを減少させる工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ラップ定盤のフェーシングに関し、より詳細には環状で端部を刃先としたカットリングを弾性体を介して支持体に支持したフェーシングツールと、そのフェーシングを用いたフェーシング方法およびフェーシング装置に関するものである。
【解決手段】 本発明のラップ定盤フェーシングツールは、環状の外周面とラップ定盤と接する面との端部を刃先としてラップ定盤と接する面に放射状に複数の溝を形成したカットリングと、ラップ定盤に向かって開放する複数の穴を穿ち、それぞれの穴に弾性体を介してカットリングをラップ定盤に対して上下自在になるよう支持し押圧する力を伝達する支持体とで構成する。 （もっと読む）

【課題】自由強磁性層の熱的損傷を抑制して磁気特性の安定性を向上させた磁気抵抗素子、磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置を提供する。
【解決手段】自由層形成工程（ステップＳ５）の後に拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）を行い、酸素ラジカルの酸化によって、自由強磁性層の表面にのみ、酸化層（拡散バリア層）を形成する。そして、拡散バリア層形成工程（ステップＳ６）の後に保護層形成工程（ステップＳ７）を行い、拡散バリア層に保護層を積層する。 （もっと読む）

【課題】自由強磁性層の軟磁気特性を向上させた磁気抵抗素子の製造方法及び磁気抵抗素子の製造装置を提供する。
【解決手段】ピニング層形成工程（ステップＳ２）、ピン層形成工程（ステップＳ３）、トンネルバリア層形成工程（ステップＳ４）、自由層形成工程（ステップＳ５）の後に、酸化工程（ステップＳ６）を行い、自由強磁性層の表層部に、自由強磁性層の自発磁化を維持できる所定時間だけ酸化処理を施す。そして、自由強磁性層の飽和磁化を基準飽和磁化に維持させた状態で、自由強磁性層の保磁力のみを低下させる。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記ＭｇＯ層を成膜する室内に設けられた構成部材（第１成膜室２１内部の、成膜室内壁３７、防着シールド３６の内壁、仕切板２２やシャッタなど）の表面に被着された成膜室内で前記ＭｇＯ層を成膜するとによって、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間にＭｇＯ（酸化マグネシウム）層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 （もっと読む）

本発明は、惑星スパッタ堆積法を用いた基板１２の処理のためのスパッタ堆積システム１０及びその使用方法に関する。スパッタ堆積システム１０は、方位角軸１６を有する堆積チャンバ１４を有する。回転部材３０及び３２は、チャンバ１４内に位置しており、そこに設けられた複数のマグネトロン３４を有する。マグネトロン３４それぞれは、複数のスパッタターゲット３６の対応する１つを有する。回転部材３０、３２は、マグネトロン３４それぞれを位置合わせするように構成されており、スパッタターゲット３６の対応する１つからのスパッタ材料は、堆積チャンバ１４に規定された堆積領域５０に向けられる。移送機構６６は、堆積チャンバ１４に位置しており、方位角軸１６回りで回転可能な腕部６８を有する。基板ホルダ７２は、移送機構６６の腕部６８に取り付けられ、かつ基板１２を支持し、腕部６８が基板ホルダ７２を回転して基板１２上にスパッタ材料を堆積するために堆積領域５０を横断させる。
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【課題】 薄膜磁気ヘッドの変形を抑制しつつ、機械加工工程において発生する加工歪みを十分かつ確実に除去可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 磁気ヘッド素子が形成された基板から、加工バーを切り出した後、この加工バーにハイト加工のための粗研磨を施し、さらに精研磨を施し、その後、ＡＢＳ側のヘッド端面に保護膜を形成し、ＡＢＳにレールを形成した後、加工バーをスライダに切断分離する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ハイト加工のための粗研磨を施した後であって精研磨を施す前に、加工バーに、第１の温度によるアニール処理を施し、保護膜を形成した後であってレールを形成する前に、第１の温度以下である第２の温度によるアニール処理をさらに施す。又は、この第１の温度によるアニール処理を施し、スライダへの切断分離の後、このスライダに第１の温度以下である第３の温度によるアニール処理をさらに施す。 （もっと読む）

半導体素子の化学機械研磨に使用される研摩パッド（１２０）と定盤（１３０）からなるアセンブリは、溝またはチャネルの付いた表面（１３６）を有する定盤（１３０）を備え、同表面（１３６）定盤（１３０）の周辺の溝無し部分（１３１）により処理環境から密閉される。さらに、定盤（１３０）は大気環境または準大気環境への経路を提供する１または複数の通路（１３２）を備えている。密閉領域（１３１）と通路（１３２）の組み合わせにより液体、蒸気または他の望ましくない汚染物質がパッドと定盤の間に浸入することが防止されると共に、パッドと定盤の間に捕捉されたエアポケットが排出される。
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【課題】
面記録密度１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ^２の磁気ディスク装置に搭載するＭＲヘッドでは、ＭＲ素子高さ精度を±０．０２ｍｍ以下、浮上面の形状精度を±２ｎｍ以下が要求される。
【解決手段】
上記課題は、スライダ形態で仕上げ研磨加工を行い、スライダ内に形成されている抵抗検知素子の抵抗値をインプロセスで検出し、検出した抵抗値または抵抗値から換算したＭＲ素子高さ寸法が所定の値に達した場合に研磨加工を停止することで解決することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗センサを高い信頼性で丈夫に使用するには、非常に強力に固定されたピン層を有していなければならない。
【解決手段】水平に配置された超伝導磁気ツール500を使用して磁気抵抗センサを構築する方法を提供する。超伝導磁気ツール500は、持続される期間中に非常に高い磁場を発生させて、非常に高いピニング磁界を有する磁気抵抗センサの磁化を効果的に設定することができる。超伝導磁気ツールは、超伝導コイル504に取り囲まれたセラミックチューブ502を有する。チューブ502は、水平に方向付けられた縦軸を有しているため、数多くの重要な恩恵が得られる。ツール内でウェーハ202を含むセンサの操作が容易になる。ツール内へのウェーハ202のロードが容易になる。アニール中にウェーハ内の温度勾配と磁場勾配を防止する。ツールの高さを制限することによって、ツールのメンテナンスと保管が容易になる。 （もっと読む）

【課題】磁気ヘッドスライダの磁気抵抗効果素子（ＭＲ）素子の出力特性を向上するためにＭＲ素子高さを±０．０２０μｍ以下の精度で加工すること。
【解決手段】２枚の板ばね２６にて垂直変位する複数の上下軸２７と、アダプタ２０を介して上下軸２７に個別に研磨荷重を与える複数の荷重付加機構１９の組を、研磨ヘッド位置決め機構１６に所定のピッチで配列固定し、個々の上下軸２７の下端部に粘着性弾性体２９を介して磁気ヘッドスライダ１を個別に保持させて研磨定盤１５に押圧し、研磨加工中にインプロセスで各磁気ヘッドスライダ１のＭＲ素子の抵抗値を抵抗検知用回路基板３１にて検知しながら個別に研磨荷重を制御する。これにより、ＭＲ素子の素子高さ精度±０．０１０μｍ以下を実現することが可能になり、ＭＲヘッドの再生出力が安定するとともに、ＭＲ製造プロセスの歩留りを向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 機械的加工変質が生じず、均一、かつ、高品質な構造体を製造すること。
【解決手段】 所定の構造体Ｒに対して表面形成処理を行う表面形成手段を備えた表面形成装置であって、表面形成手段は、所定の照射エネルギーを有し一定方向に向かって照射可能なエネルギービームを構造体に照射する照射手段１である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）