【課題】白金を含む電極線を有する未焼成サーミスタ素子を白金を含む支持体上に載置して焼成する工程を備える場合に、電極線と支持体との融着が防止されたサーミスタ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】白金を含む電極線２１と電極線２１の一部が埋設されたセラミック粉末プレス体２２とを有する未焼成サーミスタ素子２０を焼成してサーミスタ素子を得るサーミスタ素子の製造方法において、支持体１１上に未焼成素子２０を載置して焼成する工程を備え、支持体１１は、白金を含む金属からなる本体部１１０と、本体部１１０のうちの少なくとも未焼成素子２０が載置される表面に、セラミック粉末プレス体２２を構成するセラミックスと実質的に同じセラミックスが焼き付けられてなるコート層１１１を有する。 （もっと読む）

【課題】低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ＺｎＯバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎＯバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープＺｎＯ粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料（またはガラス粉末）を別に調製するステップと、最後に前記ドープＺｎＯ粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ＺｎＯバリスタ（または積層バリスタ（Ｍｕｌｔｉｌａｙｅｒ ｖａｒｉｓｔｏｒ、ＭＬＶ）とも呼ばれる）の従来の作製手法に従って、８５０℃〜９００℃の低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したＺｎＯバリスタを作製するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】
部品点数が少なく、小型であっても十分な温熱効果があり、取り扱い容易な温熱灸を提案することにある。
【解決手段】
ケースと、ケースの内部に設けられた正特性サーミスタと、正特性サーミスタに電流を供給する乾電池と、を有する温灸器であって、正特性サーミスタの一方端面は、ケースの先端部に直接接合されており、ケースは乾電池と接続されるための第１の金属端子が引き出されており、正特性サーミスタの他方端面は、乾電池と接続されるための第２の金属端子が引き出されるとともに、正特性サーミスタの他方端面と乾電池との間に、保温部材を設けることを特徴とする。特に、正特性サーミスタの室温２５℃における抵抗率が１０Ω・ｃｍ以下であり、乾電池が１．５Ｖ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】外部電極層にリード端子を強固に抵抗溶接することが可能で、高温での連続使用においても信頼性の高いサーミスタ素子を提供すること。
【解決手段】サーミスタ層を有する素子本体と、素子本体の表面に形成される外部電極層とを有するサーミスタ素子であって、外部電極層は、素子本体の表面に直接に形成される第１外部電極層と、第１外部電極層の表面に形成される第２外部電極層とを有し、第１外部電極層が白金粒子とセラミック粒子とを含み、第２外部電極層が白金粒子で構成され、第１外部電極層の厚みをｔａと表した場合に、５μｍ≦ｔａ≦３０μｍであり、第２外部電極層の厚みをｔｂと表した場合に、５μｍ≦ｔｂ≦５０μｍであり、第２外部電極層には、リード端子が抵抗溶接されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸がある表面にも均一に高抵抗層を塗布することが可能で、かつ生産性の良いチップ型バリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】チップ型バリスタは、半導体である酸化亜鉛を主成分とするバリスタ素体表面５ａ〜５ｄと、少なくとも１対の電極層とを有し、その端部には導電性の外部電極４が、前記バリスタ素体よりも外側に盛り上がって形成されている。このように凹凸のあるチップ型バリスタ表面において、バリスタ素体表面の一部又は全部に、紫外線硬化樹脂等の高抵抗層を、少なくとも前記電極層の層間距離と同じ幅Ｄを持つ、帯状の範囲に均一に塗布することが可能な、インクジェット方式による高抵抗層６の形成手段を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】 絶縁体の量を抑えながら抵抗値を従来構造よりも大幅に高くすることができるサーミスタ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 板状の金属酸化物焼結体２と、該金属酸化物焼結体２の上下面にそれぞれ一部を電極接合部２ａとして除いて形成された絶縁層３と、金属酸化物焼結体２の上下面の少なくとも電極接合部２ａに形成された一対の電極層４と、を備えている。そして、金属酸化物焼結体２の原料に、焼結によって表面に一部が絶縁皮膜として析出する絶縁材料が混合されており、絶縁層３が、金属酸化物焼結体２の焼結時に表面に析出した絶縁皮膜である。 （もっと読む）

【課題】中間接合層の緻密性および保形性に優れ、特にバリスタ素子部の特性劣化が少ない積層型複合電子部品を提供すること。
【解決手段】バリスタ素子部２０とフェライト素子部３０と中間接合層４０とを有する積層型複合電子部品である。中間接合層が、ＳｉＯ_２ ：３０〜６０重量％、ＺｎＯ：０〜２０重量％、Ａｌ_２ Ｏ_３ ：０〜２０重量％、Ｂ_２ Ｏ_３ ：０〜５重量％、アルカリ土類金属酸化物：３０〜５０重量％、およびアルカリ金属酸化物：０〜１重量％を含むガラス組成物で実質的に構成してある。 （もっと読む）

【課題】高い雷サージ耐量性能を有する酸化亜鉛バリスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛（ＺｎＯ）１００ｍｏｌ％に対して、酸化アンチモン（Ｓｂ₂Ｏ₃）２．５〜５．０ｍｏｌ％と、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）０．０５〜０．１５ｍｏｌ％とを添加し、さらに酸化コバルト（ＣｏＯ）と二酸化マンガン（ＭｎＯ₂）をそれぞれ２．０〜６．０ｍｏｌ％添加してなるバリスタ組成物により酸化亜鉛バリスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】非直線抵抗特性に優れた電流−電圧非直線抵抗体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電流−電圧非直線抵抗体１０は、酸化亜鉛を主成分とし、副成分として少なくともビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）を含んだ混合物の焼結体２０を備える。また、電流−電圧非直線抵抗体１０における焼結体２０は、焼結体２０の所定の断面における、焼結体２０の微細構造を主に構成する各酸化亜鉛粒子２１の断面において、断面に亘って最長となる最長直線の長さ（Ｌ）と、この最長直線の中点で直交し、断面に亘る直交直線の長さ（Ｓ）との比（Ｓ／Ｌ）を平均した値が０．６６以上となるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛バリスタを製造するためのプロセスを提供すること。
【解決手段】ドープした酸化亜鉛と高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、次いでこれを使用して低温の焼結（９００℃未満）によって従来技術により酸化亜鉛バリスタを作製することができるように、酸化亜鉛へのドーピングおよび酸化亜鉛粒子の高インピーダンス焼結材料との焼結を２つの独立した処理手順によって実施する。得られた酸化亜鉛バリスタは、内部電極として純銀を使用することができ、バリスタ特性、サーミスタ特性、キャパシタ特性、インダクタ特性、圧電性および磁性のうちの１つまたは複数を特に有する。 （もっと読む）

本発明により特定された多層構造は、モノリシック多層構造を形成するよう、バリスタセラミックと共焼結しうる誘電体セラミック材料を備える。多層構造は、そのため、バリスタセラミックの一つの層と、誘電体の別の層とを備える。多層構造において、両方の層は互いに直接的に隣接して配置されうる。多層構造では、メタライゼーション面がセラミック層の上または間に配置され、メタライゼーション面は伝導体区域を形成するよう構成されており、金属被覆領域が作られている。メタライゼーション面およびセラミック層は、バリスタと、キャパシタンス、レジスタンスおよびインダクタンスの素子機能のうちの少なくとも一つから選択されるさらなる素子を形成する。 （もっと読む）

電気的多層コンポーネントは、外部接点（２, ２´）および内部電極（３, ４）を設けた基体１、第１内部電極３を設けたセラミックバリスタ層５、ならびにバリスタ層５に隣接する誘電体層６を有する。誘電体層６には、少なくとも１つの開口８を設け、半導体材料または金属材料で充填する。 （もっと読む）

【課題】 サーミスタ用金属酸化物焼結体及びサーミスタ素子並びにサーミスタ用金属酸化物焼結体の製造方法において、１０００℃付近の高温でも還元による抵抗値変化が小さい特性を得ること。
【解決手段】 サーミスタ用金属酸化物焼結体１であって、一般式：（１−ｚ）ＡＢＯ_３＋ｚＹ_２Ｏ_３（ただし、ＡＢＯ_３はペロブスカイト型酸化物、０＜ｚ≦０．８）で示される複合酸化物焼結体部２の表面に層厚が３μｍ以上のＹ_２Ｏ_３層３が形成されている。また、サーミスタ素子が、このサーミスタ用金属酸化物焼結体１と、サーミスタ用金属酸化物焼結体１に一端が固定された一対のリード線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤに対する耐性が高く、しかも容易にショートしない積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】半導体セラミック層１０と内部電極１２ａ〜１２ｃ，１４ａ〜１４ｃとが交互に積層された素子本体４と、前記素子本体の端部に形成された複数の端子電極６と、を有する積層型セラミック電子部品２であって、前記端子電極６と、該端子電極の極性と異なる極性を有し、最外に配置された内部電極１４ａと、の最短距離をｄ（ｄ１）とし、極性の異なる内部電極間の最短距離をｔ（ｔ１）とすると、前記ｄおよびｔが、ｄ／ｔ≦０．９６である関係を満足する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、絶縁基板上に形成した厚膜素子により低静電容量化するとともに、性能のばらつきがなく、高速通信に必要な高周波帯域でも通信品質に影響を与えることなく十分な静電対策が可能な静電気保護素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１４上の中央部に位置した中間電極１２と、中間電極１２に積層された静電気吸収体１６と、静電気吸収体１６を挟んで中間電極１２に各々対向した対をなす端部電極１７，１８を有する。端部電極１７，１８及び静電気吸収体１６を覆った絶縁体の保持層２０を備える。対をなす端部電極１７，１８の互いに対向する端部間の間隔Ｇは、端部電極１７，１８と中間電極１２間の静電気吸収体１６の膜厚ｔよりも大きい。中間電極１２若しくは対をなす端部電極１７，１８と静電気吸収体１６との間に、絶縁体のガラス若しくはセラミックスの中間層２０を備える。 （もっと読む）

【課題】電子素子から発生した熱を効率よく放熱させ、且つバリスタ特性劣化を抑制できる積層型チップバリスタを提供すること。
【解決手段】積層型チップバリスタＶ１は、複数の第一内部電極１１同士を電気的に接続する第一スルーホール導体１３と、第一主面Ｓ１に最も近い第一内部電極１１と第一外部電極５とを電気的に接続する第二スルーホール導体１５と、複数の第二内部電極２１同士を電気的に接続する第三スルーホール導体２３と、第一主面Ｓ１に最も近い第二内部電極２１と第二外部電極６とを電気的に接続する第四スルーホール導体５５と、を備えている。第一及び第二外部電極５，６は、それぞれめっき層を有している。第二スルーホール導体１５の数は第一スルーホール導体１３の数よりも少なく、第四スルーホール導体５５の数は第三スルーホール導体２３の数よりも少ない。 （もっと読む）

【課題】Ｓｂの添加量ができるだけ少なく、高いバリスタ電圧を有し、高い非線形指数を有し、課電劣化特性に優れたＺｎＯバリスタを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛９８．８ｍｏｌ％、酸化ビスマス０．５ｍｏｌ％、酸化マンガン０．５ｍｏｌ％、４酸化３コバルト０．２ｍｏｌ％およびアンチモンの水溶性塩２００〜２４００ｐｐｍに、平均粒径５〜１０ｎｍの二酸化ケイ素１００〜１５００ｐｐｍを添加したものを湿式混合し、得られた混合物を仮焼成した後粉砕し、粉砕物を加圧成形し、得られた成形物を本焼成することによってアンチモン添加酸化亜鉛バリスタを製造する。 （もっと読む）

【課題】焼成の際のセラミック基板とバリスタ層の熱収縮挙動の違いなどから発生する反りを低減し、実装信頼性が向上した薄型構成の静電気対策部品を提供することが課題であった。
【解決手段】この課題を解決するために、セラミック基板１とバリスタ層３とガラスセラミック層２を有する静電気対策部品において、製造時の反り解消用として、セラミック基板のバリスタ層を設けた面と反対側の面にガラスセラミック層４を設けた構成とするものである。 （もっと読む）

【課題】熱を効率良く放熱することが可能なバリスタを製造するための反りを防止した集合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】準備工程においてバリスタグリーンシートと、内部電極パターンと、放熱グリーンシートとを準備し、積層工程Ｓ５において、これらのグリーンシートを積層してグリーン積層体を得る。その後、焼成工程Ｓ６において、グリーン積層体を焼成して集合基板を得る。積層工程で形成するグリーン積層体は、第１及び第２のバリスタグリーン部と放熱グリーン部とを備える。第１及び第２のバリスタグリーン部とは、それぞれ、バリスタグリーン層と、バリスタグリーン層内において配列した複数の内部電極パターンと、を有する。放熱グリーン部は、互いに対向する一対の面を有し、一方の面は第１のバリスタグリーン部の面と接合し、他方の面は第２のバリスタグリーン部の面と接合している。 （もっと読む）

【課題】セラミック素体にクラックが発生した場合であっても、導通不良の発生時期を遅らせることにより、長寿命化を図ることができるセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】積層チップバリスタ１では、外部電極５１において、第２の内部電極３３の引出部分３３ａが接続される第１の領域６１と、ハンダ電極５３が接続される第２の領域６２とが同一の平面部において互いに重ならない位置に形成されている。このため、バリスタ素体１１側にクラックが発生した場合であっても、第２の内部電極３３の引出部分３３ａの断裂が生じることはなく、内部電極対２１から外部電極５１における第２の領域６２の外側部分を経由してハンダ電極５３に至る導通経路Ｒが維持される。したがって、クラックが進行してハンダ電極５３が完全に剥離してしまうまで、導通不良の発生時期を遅らせることが可能となる。 （もっと読む）