【課題】プラスチックまたはポリマのフレキシブル基板と適合するサーミスタプロセスを提供する。
【解決手段】サーミスタが、感温材料と導体材料との混合物と、混合物と電気的に接触する電極と、を有している。サーミスタを製造する方法は、基板上に伝導性接点を蒸着することと、接点全体に、感温材料と導体材料とのサーミスタ混合物を印刷することと、伝導性接点上にフレキシブルなサーミスタを作り出すためにサーミスタ混合物をアニールすることと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 専用治具、リード線の特殊な成形や加工が不要で、長い金属線をそのまま使用してリード線付き電子部品を連続的に自動生産可能な電子部品製造装置を提供すること。
【解決手段】 一対のリード線となる一対の金属線３を、部品本体２の両端部の幅以下に設定した第１の間隔ｄ１で平行に並べて延在方向に同時に搬送する金属線搬送機構と、一対の金属線３の間隔を、部分的に第１の間隔ｄ１より広い第２の間隔ｄ２に拡大可能であると共に該第２の間隔ｄ２から第１の間隔ｄ１に戻すことが可能な線間隔変更機構５と、第２の間隔ｄ２に広げられた一対の金属線３の間に部品本体２を電極２ａが金属線３に対向するように設置する部品本体設置機構と、部品本体が設置された状態で線間隔変更機構により第１の間隔に戻された金属線と部品本体の電極とを導電性融着材により接続する金属線固定機構と、金属線を所定長さに切断する線切断機構と、を備えている。 （もっと読む）

表面実装部品（１００）の製造方法は、Ｂ段階の上層（３００）と下層（３１５）と、開口部を有するＣ段階の中間層（３１０）とを含む複数の層を準備する工程を含む。コア部品（３０５）は、開口部に挿入され、それから、上層および下層は、それぞれ中間層の上下に配置される。これらの層はＣ段階になるまで硬化される。コア部品は、約０．４ｃｍ^３・ｍｍ／ｍ^２・ａｔｍ・ｄａｙよりも小さい酸素透過率を有する酸素遮蔽材料により実質的に囲まれる。
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【課題】素体と外気との気密性が高く、比較的低温で処理することができ、サーミスタ素体と被覆材との反応が少なく、低温度から高温にわたり正確な温度検知が可能で、且つ安定性が高いサーミスタ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】サーミスタ素体１０とその電極線１２を被覆しシール性を有するコロイダルシリカを主成分とした第一の被覆材１６と、電極線１２が接続された耐熱リード線１４と熱膨張係数が整合性を有する第二の被覆材１８により覆われている。第二の被覆材１８は、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４：Ｙ_２Ｏ_３材料を主成分とする。第二の被覆材１８は、耐熱衝撃性を有するセラミクスシール材として、コロイダルシリカと酸化鉄を主成分とする第三の被覆材２０により覆われている。 （もっと読む）

【課題】正特性サーミスタ素子の形状を複雑にすることなく、正特性サーミスタ素子を容易かつ安全に固定できるとともに、組立時の生産性を向上させることができる正特性サーミスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子面のうち、互いに対向する一部の素子面に電極が形成された正特性サーミスタ素子２の側面（非電極面）に、シリコン樹脂３をモールド加工して付着（第１ステップ）させた後、シリコン樹脂３が付着した正特性サーミスタ素子２を枠体５に形成された貫通穴５ａに収容する（第２ステップ）。 （もっと読む）

【課題】熱伝逹効率、耐久性に優れ、材料コストダウン及び重量低減が可能であり、スムーズに性能が発揮できるＰＴＣヒーターを提供する。
【解決手段】本発明は、黄銅素材でロードケースを製作し、その表面を柱石メッキする段階と、黄銅素材で放熱ピンを製作し、その表面を柱石メッキする段階と、前記ロードケースの内部に発熱モジュールを挿入してＰＴＣロードを組立てる段階と、別途の固定具で前記ＰＴＣロードと前記放熱ピンを仮結合してソルダーリング接合する段階と、前記ＰＴＣロード及び放熱ピンの縦方向の両端部に上部ハウジング及び下部ハウジングを結合する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バリスタ電極の焼付け温度の変化によるバリスタ電圧の変化を抑制すること、バリスタ電極の接着性を向上させることが要求されている。
【解決手段】本発明のバリスタは、バリスタ特性を有する半導体磁器１１と、該半導体磁器１１の表面上に配置された電極１５とから成る。電極１５は、銀粉末と亜鉛粉末とアルミニウム粉末とガラスフリットとを含有する第１電極材料で形成された第１導電体層１２’と、第１導電体層の上に配置され且つ銀粉末とガラスフリットとを含有する第２電極材料で形成された第２導電体層１４とから成る。 （もっと読む）

【課題】抵抗値のバラツキが少ないＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】第１および第２電極板１０および１２で覆われていない素子本体４の外周面に、幅が０．０２mm以上で深さが０．０５mm以上の凹部４ａを、少なくとも一つ以上形成してあるポリマーＰＴＣ素子。 （もっと読む）

【課題】厚みが薄く且つ強度を有するセラミックチップアセンブリを提供する。
【解決手段】セラミックチップアセンブリは、半導体の電気的特性を有するセラミックベースと、前記セラミックベースの対向する両側面に各々形成された外部電極と、一端が前記外部電極各々に電気伝導性接着手段により電気的及び機構的に連結され、前記セラミックベースの側面の厚さ以上の外径を有する、円形断面の金属リードワイヤと、絶縁接着剤を介在させて相互接着され、前記金属リードワイヤの他端が外部に露出するように、前記セラミックベース、外部電極、電気伝導性接着手段及び金属リードワイヤを密封する一対の絶縁フィルムと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、隣接する信号端子間でのクロストークの影響が少なく、信頼性に優れている複数回路用多端子タイプの静電気対策部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の静電気対策部品は、絶縁基板１１の上面の長辺側両端部に形成された複数の上面電極１７と、絶縁基板１１の上面の短辺側両端部から中央部にかけて形成された上面グランド電極１６と、複数の上面電極１７と上面グランド電極１６との間に形成されたギャップと、このギャップを充填する過電圧保護材料層２０と、この過電圧保護材料層２０を完全に覆う上面保護樹脂層２１とを備え、前記過電圧保護材料層２０を複数の上面電極１７毎に独立するように形成したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、隣接する信号端子間でのクロストークの影響の少ない複数回路用多端子タイプの静電気対策部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の静電気対策部品は、絶縁基板１１の上面の長辺側両端部に形成された複数対の上面電極１７と、この複数対の上面電極１７と電気的に接続するように絶縁基板１１の端面に形成された端面電極２４と、絶縁基板１１の上面の短辺側両端部から中央部にかけて形成された上面グランド電極１６と、この上面グランド電極１６と電気的に接続するように絶縁基板１１の端面に形成された端面グランド電極２３と、複数対の上面電極１７のいずれか一方と上面グランド電極２３との間に形成されたギャップと、このギャップを充填する過電圧保護材料層２０と、この過電圧保護材料層２０を完全に覆う上面保護樹脂層２１とを備え、前記過電圧保護材料層２０を複数の上面電極１７毎に独立するように形成したものである。 （もっと読む）

第１の好ましい実施形態において、可撓式の柔軟な導電接続手段（１２，１４）によって第１の電極（２０１）が互いに導電接続されている抵抗素子（２１，２２，２３）を含んでなる抵抗装置が提案される。前記接続手段は互いに隣接する２個の前記抵抗素子間に位置する区域において撓みが反転変化する。第２の好ましい実施形態において、柔軟な接続手段によって互いに接続されている抵抗素子（２１，２２，２３）を含んでなる抵抗装置が提案される。前記抵抗素子（２１，２２，２３）にはそれぞれ溝状の窪み（２２１，２２２）が配置されている。
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面実装が可能な導電性ポリマー電子デバイスは、上部電極と下部電極の間に少なくとも１層の導電性ポリマー活性層を積層してなる。上部絶縁層と下部絶縁層はそれぞれ上部電極と下部電極を挟む。導電性第１平板端子と導電性第２平板導電性端子は下部絶縁層の上に形成される。メッキした貫通ビアにより第１と第２交差導体が形成され、形成された交差導体はそれぞれの電極を端子の一つに接続する。実施形態には、垂直に積層され、交差導体と電極により電気的に並列に接続された、２層以上の活性層を含むものがある。また、交差導体と絶縁層の接着を強化するため、上部絶縁層を貫通し、ベベルまたは面取り加工した入口穴を有する交差導体を少なくとも一つ含む実施形態もある。本面実装可能な導電性ポリマー電子デバイスの製造方法も提供する。
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【課題】室温での抵抗値が小さく、一方、トリップ状態になったときの抵抗値の増加率は大きく、かつ、トリップ状態を繰り返しても室温での抵抗値が大きくならず、発火などの異常現象が生じることもない、有機質正特性サーミスタ素子を提供する。
【解決手段】有機ポリマー中に導電性粉末と窒化ホウ素粉末とを分散させて導電性組成物を作製する。その際、前記窒化ホウ素粉末を前記導電性組成物の全容量に対して１〜２０容量％含有させる。作製した導電性組成物をシート状に加工し、該シートの両面に少なくとも一対の電極を設け、所定量の電子線またはγ線を照射し、有機質正特性サーミスタ素子を得る。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性の低いセラミック素体を用いる場合であっても素体の溶出やエッチングを十分に抑制し、下地電極に含まれるフリットの溶出も十分に抑制しながらめっきにより端子電極を形成して、めっき伸びが小さく、外部電極の剥離強度が十分に高いセラミック電子部品を簡易な工程で得ることが可能な、セラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミック素子５の外表面に形成された下地電極層６ａ，６ｂ上に端子電極層１２ａ，１２ｂを形成してセラミック電子部品１を得る端子電極層形成工程を備え、端子電極層形成工程は、Ｎｉイオン及びホウ酸を含有し、ホウ酸の濃度が１５ｇ／Ｌ以上であり、且つ、ｐＨが５．５〜７であるめっき液を用いた電気めっきによってＮｉめっき層８を形成する工程を含む、セラミック電子部品１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性の低いセラミック素体を用いる場合であっても素体の溶出やエッチングを十分に抑制し、下地電極に含まれるフリットの溶出も十分に抑制しながらめっきにより端子電極を形成して、めっき伸びが小さく、外部電極の剥離強度が十分に高いセラミック電子部品を簡易な工程で得ることが可能な、セラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミック素子５の外表面に形成された下地電極層６ａ，６ｂ上に端子電極層１２ａ，１２ｂを形成してセラミック電子部品１を得る端子電極層形成工程を備え、端子電極層形成工程は、Ｎｉイオンを含有し、ｐＨが５．５〜７であり、且つ、アンモニア以外の錯化剤のＮｉイオンに対するモル比が０．１以下であるめっき液を用いた電気めっきによってＮｉめっき層８を形成する工程を含む、セラミック電子部品１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 高温に繰り返し又は長期間晒された場合であっても、優れたＰＴＣ特性を十分維持できるサーミスタ素子、かかるサーミスタ素子を得るための有機高分子抵抗体及びサーミスタ素体並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する有機高分子抵抗体は、結晶性高分子と、導電性フィラーと、アルキルラジカルを捕捉可能なラジカル捕捉剤とを含み、ラジカル捕捉剤が、結晶性高分子の非晶部に偏って存在することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 積層型チップバリスタ１は、バリスタ層１１及び内部電極１３を有する積層体Ｌ３と、積層体Ｌ３の表面に形成される外部電極５とを備えている。積層体Ｌ３の表面及び内部にはアルカリ金属が拡散されている。アルカリ金属の拡散は、積層体Ｌ３の角部分４に面取り加工を施した後に行われる。このように、アルカリ金属を拡散する前に角部分４の面取りをしておくことにより、積層体Ｌ３表面にアルカリ金属化合物を付着させる際、積層体Ｌ３は密閉回転ポット内でスムーズに回転することとなる。その結果、積層体Ｌ３にはアルカリ金属化合物が均一に付着する。 （もっと読む）

【課題】自己発熱の発生が抑制され、変形や亀裂などの機械的破損が生じていない薄膜サーミスタの製造方法及び薄膜サーミスタを提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ_２層３上に、膜厚が０．２μｍ以上１．０μｍ以下のＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４あるいはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系複合金属酸化物膜を、５５０℃以上６５０℃以下に加熱した状態でスパッタ成膜するスパッタ工程を備える。 （もっと読む）

【課題】 得られるサーミスタ間で初期室温抵抗値のばらつきを十分に低減できるサーミスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のサーミスタの製造方法は、一対の金属箔１２，１３上にそれぞれ、樹脂及び導電性粒子を含有するペーストを塗布して樹脂組成物層１４，１５を形成し、一対の積層体１６，１７を得る工程と、一対の積層体１６，１７を、樹脂組成物層１４，１５を向かい合わせた状態で貼り合わせて貼り合せ体１８を得る工程、貼り合せ体１８を熱処理し、一対の金属箔１２，１３の間にサーミスタ素体１を得る工程、熱処理後の貼り合せ体から、一対の電極２，３間にサーミスタ素体１が配置されるサーミスタ１０を得る工程を含む。 （もっと読む）