【課題】 フリー層の磁化状態の熱的安定化と磁化方向を変化させるために要する電流の低電流化とを両立させることにより、動作性能を向上させることが可能な磁気トンネル接合型磁気ランダムアクセスメモリセルアレイを提供する。
【解決手段】 複合ビット線３０が隣接軟磁性層３２を含み、その複合ビット線３０のうちの隣接軟磁性層３２とＭＴＪ素子１０のうちの強磁性フリー層７０とが互いに近接されることにより静磁気的に結合されている。この静磁気的結合を利用して強磁性フリー層７０の磁化状態が熱的に安定化する。しかも、複合ビット線３０中に発生した磁界が隣接軟磁性層３２により集中されることにより、スイッチング時においてスイッチング用の磁界が効果的に増強されるため、強磁性フリー層７０の磁化方向を変化させるために要する電流が低電流化する。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定磁性層を構成する複数の薄膜層の磁歪を全体的に増強でき、前記固定磁性層を強固に固定できる磁気検出素子を提供することを目的としている。
【解決手段】 固定磁性層２３を構成する複数の薄膜層のうち、ＧＭＲ効果に直接寄与しない第１薄膜層２３ａに第１磁歪増強層２２を接合させ、前記第１薄膜層２３ａの磁歪定数を外部から増強させるとともに、前記第２薄膜層２３ｃの内部に第２磁歪増強層２３ｃ２，２３ｃ４を挿入することで前記第２薄膜層２３ｃの磁歪定数を内部から増強させ、これによってＧＭＲ効果を良好に維持しながら前記固定磁性層２３全体の磁歪定数を大きくでき、また保磁力をも増強でき、前記固定磁性層２３を適切に磁化固定できる。 （もっと読む）

【課題】 より高い抵抗変化率を発現する磁気トンネル接合素子を備えた磁気メモリ構造を提供する。
【解決手段】
磁気メモリ構造３６におけるＭＴＪ素子３７は、フリー層５０の側から順に内部拡散バリア層５１１と酸素吸着層５１２と上部金属層５１３とが積層されてなるキャップ層５１を有している。酸化吸着層５１２がフリー層５０に含まれる酸素原子を吸着することにより、ＭＴＪ素子３７の抵抗変化率が向上する。また内部拡散バリア層５１１によって、酸素吸着層５１２を構成する材料の、フリー層５０への拡散が抑制されるので、磁歪定数が減少し、ねじれ（kink）や渦（vortex）のない良好な磁化曲線（Ｒ−Ｈ曲線）が確保される。したがって、高集積化した場合であっても高精度かつ高感度なスイッチング特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】大電流領域（高磁界領域）において使用された場合であっても、飽和せずに良好な直流電流重畳特性を示すことのできる磁芯及びそれを用いたコイル部品を提供すること。
【解決手段】磁性体粉末と樹脂との混成物を硬化させることにより磁芯を得る。本発明による磁芯は急激に飽和したりせず且つ１０００×１０^３／４π［Ａ／ｍ］を超える磁界であっても良好な直流電流重畳特性を得ることができた。このように、本発明による磁芯は１０以上の十分な比透磁率を備えている。 （もっと読む）

磁気抵読み取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。フリー層は、ＣｏＦｅ内の薄いＣｏＦｅＯｘ積層と随意選択的なＣｕ層を含む。酸素の量は、ガス全体の１０％未満である。ピン層は単層か又は副層間にスペーサを有する合成多層構造であり、前述の低磁歪材料を用いることができる。その結果、低磁歪を得て読み取り品質を改善し、かつ／又はピン層のピンニング磁界を増加する。他パラメータが悪影響を受けることはない。
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磁気抵抗読取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。フリー層はＣｏ−ＸとＣｏＦｅ−ＸとＣｏＮｉ−Ｘのうちの少なくとも一つを含む薄膜としてのコバルト成分を含み、ここでＸはランタノイド族（４ｆ電子軌道元素）からの元素である。Ｃｏ成分は８０パーセントを上回り、ランタノイド元素成分は１０％未満である。薄膜はフリー層全体で構成するか、或いは１以上の従来のフリー層薄膜に隣接配置することができる。ピン層は、従来の単層か又は副層間にスペーサを有する合成多層構造である。スピンバルブ構造が高い交換スティフネスと減衰率を有するため、スピン転移効果は減り、高速動的応答がもたらされる。
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磁気抵抗読み取りヘッドは、スペーサにより少なくとも一つのピン層から離間させた少なくとも一つのフリー層を有するスピンバルブを含む。ピン層は高抵抗性であり、ピン層の少なくとも一部に使用するＣｏ_{１００−ｘ}Ｆｅ_ｘ層を含む。随意選択的には、この材料は少なくともフリー層の一部に使用することもできる。ｘの値は、１０〜７５％±約１０％の各種値とすることができる。ピン層は単層或いは副層間にスペーサを有する合成多層構造である。抵抗率を増大させるべく、ピン層とフリー層のいずれか或いは両方の成膜期間中に酸素を導入する。
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磁気抵抗読み取りヘッドは、多層積層バイアス（１０７）と、記録媒体自体からの横断磁界からだけでなく隣接するビット及びトラックからの不要磁束も実質的に低減する側部シールド（１１３）を有するスピンバルブを含む。少なくとも一つのフリー層（１００）が、スペーサ（１０１）により少なくとも一つのピン層（１０２）から離間させてある。フリー層の上方にキャップ層（１０６）を配設し、これに非磁性導電層（１１１）と反強磁性層（１０９）により固定された磁化を有する強磁性層（１１０）と安定化強磁性層とを含む積層バイアス（１０７）が続く。加えて、薄肉絶縁体（１１４）と軟質バッファ層（１１５）と軟質側部シールド層（１１６）とを含む多層側部シールド（１１３）を配設する。その結果、フリー層（１００）は不要磁束から遮蔽され、記録媒体は実質的により小さなトラックとビット寸法を有する。
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磁気メモリに用い得る磁気素子を提供するための方法及びシステムを提供する。磁気素子は、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層と、を含む。スペーサ層は、固定層と自由層との間に存在する。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時、スピン転移を用いて切換え得る。磁気素子は、更に、障壁層と、第２固定層とを含み得る。他の選択肢として、第２固定層と、第２スペーサ層と、自由層に静磁気的に結合された第２自由層とを含む。一つの態様において、自由層（１つ又は複数）は、非磁性材料（１つ又は複数）で希釈された強磁性材料（１つ又は複数）か、フェリ磁性的にドープされた強磁性材料（１つ又は複数）か、又は、非磁性材料（１つ又は複数）で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた強磁性材料（１つ又は複数）を含み、低飽和磁化（１つ又は複数）を提供する。 （もっと読む）

加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる方法及びその組成物を提供する。加工物３０上にニッケル鉄を無電解析出させる際に用いられる析出液は、ニッケルイオン源、第一鉄源、錯化剤、還元剤及びｐＨ調節剤を含む。その析出液は、アルカリ金属イオンを実質的には含まない。磁気エレクトロニクス装置で使用されるフラックス集中システムの作製方法は、加工物３０を提供するステップと、加工物３０上に絶縁材料層３４を形成するステップとによって開始される。溝３６が絶縁層３４に形成され、バリア層４０が溝内に析出される。ニッケル鉄クラッド層４６がバリア層４０上に析出される。ニッケル鉄クラッド層の析出後、溝付近の絶縁材料層３４は、原子約１×１０^１１個／ｃｍ^２未満のアルカリ金属イオン濃度を有する。
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非晶質状態の強磁性金属とこの強磁性金属とは異なる非晶質金属とにより形成されたＤＭ（ディスコンティニュアス・マルチレイヤ）構造の採用により、ＧＨｚ帯域の高周波領域で高い透磁率を有し且つ高い飽和磁化を有する高周波用磁性薄膜を実現した。このとき、（ｉ）強磁性金属が、Ｆｅ又はＦｅＣｏを主成分とし、Ｃ、ＢおよびＮから選ばれる１又は２以上の元素を含む金属であり、非晶質金属がＣｏ系非結晶質合金であること、（ｉｉ）非晶質金属がＣｏＺｒＮｂであること、が好ましい。 （もっと読む）

高密度配列が可能なナノ粒子デバイス及びナノ粒子デバイスの製造方法を提供する。基板（１）上に非エピタキシャル成長により下地微結晶膜（２）を形成し、この下地微結晶膜（２）の材料とナノ粒子材料（４）の格子定数を適合させ、前記下地微結晶膜（２）の個々の下地微結晶の表面を微小空間として用い、前記下地微結晶にローカルにエピタキシャル成長させ、前記微小空間毎にナノ粒子を生成する。 （もっと読む）

【課題】 下部シールド層と上部シールド層間にギャップ層を介して磁気抵抗効果素子が形成された再生用の薄膜磁気ヘッドに係り、特に前記下部シールド層と上部シールド層との耐腐食性を向上させることができ、再生特性を良好に保つことが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 下部シールド層２３と上部シールド層３２間を導電層３１によって導通接続させる。これによって前記下部シールド層２３と上部シールド層３２を同電位にでき、製造工程中に使用される溶剤や空気中の水分が保護層４７内を浸透して前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２にまで到達しても電池効果によって前記下部シールド層２３及び上部シールド層３２が腐食するのを適切に抑制することができる （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗素子を構成する、磁性体／非磁性体界面の物性が、素子特性を劣化させている。例えば、ＴＭＲ素子では、スピン分極率が１００％近いと予想されているハ−フメタルを磁性体として用いた場合でも、室温で、高々１０数％程度のＭＲしか報告されていない。
【解決手段】 少なくとも１種からなる磁性体中に、磁化方向が略揃った磁化領域Ａと磁化方向が略揃った磁化領域Ｂと、前記磁化領域Ａと前記磁化領域Ｂに挟まれた磁化接合領域Ｍがあり、前記磁化領域Ａの少なくとも一部、または前記磁化領域Ｂの少なくとも一部のうち少なくとも一方が、外部から導入された磁気的エネルギ−に対し、磁気的に略固定され、前記磁化接合領域Ｍまたは前記磁化領域Aまたは前記磁化領域Ｂの磁化状態の変化を、電気抵抗の変化として検知する磁気抵抗素子である。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗効果素子の再生フリンジやバルクハウゼンノイズを抑制した上で、接触抵抗の低減、絶縁不良の抑制、良好な線形応答性等を実現する。
【解決手段】 基板（１１）の主表面上に、順に積層された第１の反強磁性膜（１５））、第１の強磁性膜（１６）、非磁性膜（１７）および第２の強磁性膜（１８）を少なくとも含む巨大磁気抵抗効果を示す磁性多層膜を有し、かつ前記第２の強磁性膜が磁界検出部と前記磁界検出部の両端にそれぞれ設けられ前記磁界検出部より薄い膜厚（ｔ_２）を有する外側部とを有する磁気抵抗効果膜と、前記第２の強磁性膜の外側部の上にそれぞれ積層された一対のバイアス磁界付与膜（３７）と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する一対の電極（２１）と、を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）